JPS5851449A - 扁平型陰極線管 - Google Patents
扁平型陰極線管Info
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- JPS5851449A JPS5851449A JP15001281A JP15001281A JPS5851449A JP S5851449 A JPS5851449 A JP S5851449A JP 15001281 A JP15001281 A JP 15001281A JP 15001281 A JP15001281 A JP 15001281A JP S5851449 A JPS5851449 A JP S5851449A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deflection
- electrode
- electron gun
- magnetic
- deflection system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
- H01J31/123—Flat display tubes
- H01J31/124—Flat display tubes using electron beam scanning
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は扁平型陰極線管に係わる。
テレビジ璽ン受儂管等の通常の陰極線管において、電子
銃を螢光面の面方向に沿って延びるように配置して管体
の扁平化をはかったいわゆる扁平型陰極線管が提案され
た。
銃を螢光面の面方向に沿って延びるように配置して管体
の扁平化をはかったいわゆる扁平型陰極線管が提案され
た。
この種、扁平型陰極線管において一般的な構造のものは
、その電子銃から発射される電子ビームを螢光面上で走
査させるための水平及び垂直方向の偏向を夫々電磁偏向
によって行う。
、その電子銃から発射される電子ビームを螢光面上で走
査させるための水平及び垂直方向の偏向を夫々電磁偏向
によって行う。
ところがこのように水平及び垂直の両偏向を電磁偏向に
よって行うものは、構造が複雑で厚み4大きくなって、
扁平型陰極線管の本来の特徴を充分発揮していないとい
う結果をもたらしている。
よって行うものは、構造が複雑で厚み4大きくなって、
扁平型陰極線管の本来の特徴を充分発揮していないとい
う結果をもたらしている。
そして近時、この扁平型陰極線管において、その水平及
び垂直の両偏向を静電的に行うものが提案された。この
場合、その構造は簡潔小型化されるが、大きな偏向角が
要求される方向の偏向、すなわち螢光面に対する電子銃
の軸心方向とはt!直交する方向の偏向に関しては偏向
歪が生じみ<、マた、大きな偏向電圧を必要とし、これ
に伴って回路系のノ豐ワーが大きくなってしまうなどの
欠点がある。
び垂直の両偏向を静電的に行うものが提案された。この
場合、その構造は簡潔小型化されるが、大きな偏向角が
要求される方向の偏向、すなわち螢光面に対する電子銃
の軸心方向とはt!直交する方向の偏向に関しては偏向
歪が生じみ<、マた、大きな偏向電圧を必要とし、これ
に伴って回路系のノ豐ワーが大きくなってしまうなどの
欠点がある。
そしてこのような欠点を解消して全体として比較的簡潔
な構成をとυ、更に高い効率をもって電子ビームの偏向
を行うことができるようにしノ譬ワーの低減化をはかっ
た扁平型陰極線管が提供された。
な構成をとυ、更に高い効率をもって電子ビームの偏向
を行うことができるようにしノ譬ワーの低減化をはかっ
た扁平型陰極線管が提供された。
この扁平型陰極線管は、電子ビームの大きな偏向角を必
要とする方向の水平偏向を電磁偏向によって行い、偏向
角が比較的小さい方向の垂直偏向は静電偏向によって行
うよう罠なされている。そして管体内には上述の電磁偏
向、すなわち水平偏向のための磁束を電子ビームに集中
させる内部−一ルピースとなり、しかも上述の静電偏向
、すなわち垂直偏向のための偏向板としての機能を有す
る高透囃率体で、且つ所要の電気伝導性を有し、しかも
渦電流損を考慮して成る程度比抵抗の高いフェライトよ
構成る対の内部−一ルピース兼静電偏向板が配置されて
なるものである。
要とする方向の水平偏向を電磁偏向によって行い、偏向
角が比較的小さい方向の垂直偏向は静電偏向によって行
うよう罠なされている。そして管体内には上述の電磁偏
向、すなわち水平偏向のための磁束を電子ビームに集中
させる内部−一ルピースとなり、しかも上述の静電偏向
、すなわち垂直偏向のための偏向板としての機能を有す
る高透囃率体で、且つ所要の電気伝導性を有し、しかも
渦電流損を考慮して成る程度比抵抗の高いフェライトよ
構成る対の内部−一ルピース兼静電偏向板が配置されて
なるものである。
第1図及び第2図を参照して更にこの種扁平型陰極線管
を説明するに1図中(1)紘扁平管体を示し、ζO管体
(1)内に1その夫々扁平面に沿うようにすなわち扁平
管体(1)の厚さ方向に関して対向して螢光面(2)と
背面電極(3)とが配置される。
を説明するに1図中(1)紘扁平管体を示し、ζO管体
(1)内に1その夫々扁平面に沿うようにすなわち扁平
管体(1)の厚さ方向に関して対向して螢光面(2)と
背面電極(3)とが配置される。
扁平管体(1)昧例えば/譬ネル(1a)すなわち平板
状のガラス基板とその一方の面に接合されてノ譬ネル(
1a)との間に扁平空間(イ)を形成するガラスファン
ネル(1b)と、これらの−側に扁平空間(2)と連通
するように、この空間叫の面方向に延長するように接合
され内部に電子銃(4)が収容されるガラスネック管(
IC)とを有して成る。
状のガラス基板とその一方の面に接合されてノ譬ネル(
1a)との間に扁平空間(イ)を形成するガラスファン
ネル(1b)と、これらの−側に扁平空間(2)と連通
するように、この空間叫の面方向に延長するように接合
され内部に電子銃(4)が収容されるガラスネック管(
IC)とを有して成る。
この電子銃(4)は、螢光面(2)の面方向に沿い且つ
この螢光面のほぼ中央の垂直方向に沿って延長するよう
に配置される。
この螢光面のほぼ中央の垂直方向に沿って延長するよう
に配置される。
螢光面(2)は、例えば平板状をなすノ譬ネル(1a)
の内面に、例えば印刷法によって塗布被着形成する。
の内面に、例えば印刷法によって塗布被着形成する。
この場合ノ豐ネル(1a)の内面に透明−電層が被着さ
れてターグツト電極(5)が構成され、これの上に螢光
i11 (2)が塗布被着されるか或いは螢光面(2)
を塗布して後、これの上にAA蒸着膜よ構成るメタル・
ぐツクを施してこれがターグツト電極(5)となされる
。
れてターグツト電極(5)が構成され、これの上に螢光
i11 (2)が塗布被着されるか或いは螢光面(2)
を塗布して後、これの上にAA蒸着膜よ構成るメタル・
ぐツクを施してこれがターグツト電極(5)となされる
。
更に、或いはカー27層よ構成り、螢光面(2)の有効
画面に対応する部分に窓を有する額縁状のターダット電
極(5)を設け、その額縁に跨って螢光面(2)を形成
する。このターダット電極(5)すなわち螢光面(2)
には高圧の陽極電圧V、が与えられ、背面電極(3)に
はこれよシ低い高圧が与えられて螢光面(2)と背面電
極(3)との間に第1の偏向系が形成される。
画面に対応する部分に窓を有する額縁状のターダット電
極(5)を設け、その額縁に跨って螢光面(2)を形成
する。このターダット電極(5)すなわち螢光面(2)
には高圧の陽極電圧V、が与えられ、背面電極(3)に
はこれよシ低い高圧が与えられて螢光面(2)と背面電
極(3)との間に第1の偏向系が形成される。
そして電子銃(4)と螢光面(2)の配置部との間に第
2の偏向系を構成する。この第2偏向系は電子銃(4)
より発射される電子ビームを水平及び垂直偏向するもの
で・ある、。すなわち水平偏向電子銃(4)よりの電子
ビームをこの電子銃(4)の軸心方向と#1は直交し且
つ螢光面(2)の面方向に沿う方向に偏向させて螢光面
(2)上にビームをいわゆる水平走査させる偏向であシ
、垂直偏向は同様のビームを螢光面(2)と直交する方
向に偏向させて螢光面(2)上にV−ムを上述の走査方
向と直交する方向にい和ゆる垂直走査させる偏向である
。(句はこの水平及び垂直偏向手段で、この手段(6)
は冒頭に述べたように例えば比較的大きな偏向角を必要
とする水平偏向を電磁偏向によシ行い、他方の垂直偏向
は、上述の電磁水平偏向に用いる例えば対の内部ポール
ピースを静電偏向板として兼ねさせて静電偏向によって
行う。
2の偏向系を構成する。この第2偏向系は電子銃(4)
より発射される電子ビームを水平及び垂直偏向するもの
で・ある、。すなわち水平偏向電子銃(4)よりの電子
ビームをこの電子銃(4)の軸心方向と#1は直交し且
つ螢光面(2)の面方向に沿う方向に偏向させて螢光面
(2)上にビームをいわゆる水平走査させる偏向であシ
、垂直偏向は同様のビームを螢光面(2)と直交する方
向に偏向させて螢光面(2)上にV−ムを上述の走査方
向と直交する方向にい和ゆる垂直走査させる偏向である
。(句はこの水平及び垂直偏向手段で、この手段(6)
は冒頭に述べたように例えば比較的大きな偏向角を必要
とする水平偏向を電磁偏向によシ行い、他方の垂直偏向
は、上述の電磁水平偏向に用いる例えば対の内部ポール
ピースを静電偏向板として兼ねさせて静電偏向によって
行う。
この偏向手段(6)は、図示のように電子銃(4)の後
段側において管体(1)の外周をめぐって高透磁率の例
えばフェライトよ構成る環状の磁気コア(7)と、水平
偏向電流を通ずる電磁線輪(8) ((8m) (8b
) )と管体(1)内に配される対の内部I−ルピース
兼静電偏向用の高透磁率磁性のフェライト偏向板(9a
)及び(9b)とによって構成される。
段側において管体(1)の外周をめぐって高透磁率の例
えばフェライトよ構成る環状の磁気コア(7)と、水平
偏向電流を通ずる電磁線輪(8) ((8m) (8b
) )と管体(1)内に配される対の内部I−ルピース
兼静電偏向用の高透磁率磁性のフェライト偏向板(9a
)及び(9b)とによって構成される。
磁気コア(7)は管体(1)の外周をめぐる環状となす
も、管体(1)の゛電子ビームの通路を挾んで管体(1
)の厚さ方向に相対向する外部センターI−ル(7a)
及び(7b)を内1t!に突出させ、これら外部センタ
ー4−ル(7m)及び(7b)の外周に線輪(8m)
及ヒ(8b)を巻装するか、或いはその何れか一方の外
周に線輪を巻装する。このようKすることによって線輪
(8)((8a) (8b) ’)に通ずる水平偏向電
流に応じた磁束を両外部センターゾール(7a)及び(
7b)間に1更にこれら間に介在する内部ポールピース
兼靜電偏向板(9a)及び(9b)間の電子ビームの通
路を横切って管体(1)の厚み方向に磁場を与えるよう
にする。
も、管体(1)の゛電子ビームの通路を挾んで管体(1
)の厚さ方向に相対向する外部センターI−ル(7a)
及び(7b)を内1t!に突出させ、これら外部センタ
ー4−ル(7m)及び(7b)の外周に線輪(8m)
及ヒ(8b)を巻装するか、或いはその何れか一方の外
周に線輪を巻装する。このようKすることによって線輪
(8)((8a) (8b) ’)に通ずる水平偏向電
流に応じた磁束を両外部センターゾール(7a)及び(
7b)間に1更にこれら間に介在する内部ポールピース
兼靜電偏向板(9a)及び(9b)間の電子ビームの通
路を横切って管体(1)の厚み方向に磁場を与えるよう
にする。
管体く!)内の内部−一ルピース兼静電偏向用フェライ
ト偏向板(9a)及び(9b)は、電子ビームの通路を
挾んで管体(1)の厚さ方向に関する両側に相対向して
すなわち管体(1)の扁平面にほぼ沿うように配置対向
させ、電子銃(4)側とは反対側に向って、すなわち第
1の偏向系に向ってその間隔が広がるように且つ同様に
電子銃(4)@とけ反対側に向って幅広とされた台形状
とされる。そしてこれらフェライト偏向板(9a)及び
(9b)によって外部センタ/ k (7m) 及ヒ
(7b)の磁束を電子ビームの通路に集束させるようK
なす。
ト偏向板(9a)及び(9b)は、電子ビームの通路を
挾んで管体(1)の厚さ方向に関する両側に相対向して
すなわち管体(1)の扁平面にほぼ沿うように配置対向
させ、電子銃(4)側とは反対側に向って、すなわち第
1の偏向系に向ってその間隔が広がるように且つ同様に
電子銃(4)@とけ反対側に向って幅広とされた台形状
とされる。そしてこれらフェライト偏向板(9a)及び
(9b)によって外部センタ/ k (7m) 及ヒ
(7b)の磁束を電子ビームの通路に集束させるようK
なす。
一方、両7エライト偏向板(9a)及び(9b)間に、
これらに夫々与えられる所定の直流電圧に重畳して垂直
偏向信号電圧と、円弧歪補正電圧を印加する0例えば背
面電極(3)と、これの配置側にある一方の偏向板(9
b)とが電気的に連結されて管外に端子導出がされ、こ
れに陽極電圧vl!よりは低いが所定の直流高電圧v1
が与えられ、他方の螢光面が配置される側の静電偏向板
(9a)には電子銃(4)の最終段の電極、例えば第4
グリツドと電気的に連結されて端子導出がされてこれに
所定の高圧電圧v8が与えられる。そし、て、・更にこ
れら端子間に前述した垂直偏向信号電圧と円弧歪補正電
圧が与えられる。
これらに夫々与えられる所定の直流電圧に重畳して垂直
偏向信号電圧と、円弧歪補正電圧を印加する0例えば背
面電極(3)と、これの配置側にある一方の偏向板(9
b)とが電気的に連結されて管外に端子導出がされ、こ
れに陽極電圧vl!よりは低いが所定の直流高電圧v1
が与えられ、他方の螢光面が配置される側の静電偏向板
(9a)には電子銃(4)の最終段の電極、例えば第4
グリツドと電気的に連結されて端子導出がされてこれに
所定の高圧電圧v8が与えられる。そし、て、・更にこ
れら端子間に前述した垂直偏向信号電圧と円弧歪補正電
圧が与えられる。
このようにして、第1及び第2の偏向系の共働によって
電子銃(4)よりの電子ビームが螢光面(2)上に水平
垂直走査するようになされる。
電子銃(4)よりの電子ビームが螢光面(2)上に水平
垂直走査するようになされる。
このような構成による扁平型陰極線管における管体内に
配置された第2の偏向系を構成する対の内部I−ルピー
ス兼静電偏向板(9a)及び(9b)は、前述したよう
にその螢光面側の端部に向って互いの間隔が広げられ、
電子ビームの垂直方向の偏向の妨げとならないようにさ
れているが、水平偏向ノヤワーを小さくするには磁極、
すなわちI−ルピースとしての偏向板(9a)及び(9
b)の間隔はできるだけ小さいことが望まれる。ところ
がこの場合は、垂直偏向の歪、特に螢光面上の電子ビー
ムの走査位置の、下側において、すなわち電子銃@にお
いて顕著な歪が生じる。今、例えば4吋型の扁平型陰極
線管において、対の偏向板(9a)及び(9b)の電子
ビームの入口側における間隔が2■であって、電子ビー
ムとして約30〜40μAの電流IKを・流し、その偏
向板(9a)及び(9b)間の入口側における電子ビー
ムのスポット径が1.7■である場合についてみるに1
この場合、螢光面(2)K与えられる電圧、すなわち陽
極電圧vHが8kV、背面電極(3)に与えられる電圧
v1を6.2kVとすると、両偏向板(9a)及び(9
b)間に与えられる垂直偏向信号電圧は、偏向板(9&
)に対する偏向板(9b)の電圧が+150V〜−15
0Vで変化するは埋鋸歯状の電圧として与えられる。こ
の場合、両偏向板(9a)及び(9b)間の電界は、無
偏向状態で零であり、最大時、電子ビームの入口側で1
50 V/2露= 75 V/■となる。したがって、
ここにおける直径1.7瓢のビームは、偏向板(9a)
側と(9b)側とで75 V/sm X 1.7 mm
=127.5Vの電位差を生じる。そして、これが電子
ビームの螢光面上における歪を発生する。この歪は、螢
光面の下側、すなわち電子銃側の走査位置で最も顕著と
なる。今この螢光面の下側における垂直偏向が最大の位
置における水平方向の偏向について考察するに1第1図
に示すように電子ビームbの水平方向の偏向角を0とす
ると、(ここでeは電子の電荷量、mは電子の質量、2
は磁束密度、Lは偏向板(9a)及び(9b)の長さ、
■は加速電位) で与えられる。今、l = 4.OX 1010−2(
、B=6、OX 10−’ (Wb /i )、m=
9 x 10−” (kp:l、e−1,6X 10
(クーロン〕とする。加速電位Vは前述したように偏
向板(9a)及び(9b)間の偏向電界によってビーム
の偏向板(9a)側と(9b)側とではその電位が異る
ことによって偏向板(9m) @を通る電子に対する加
速電位φ、はφ、 = 6116.25 V、偏向板(
9b)@を通る電子に対する加速電位′φbは、φb=
5988.75 Vとなる。したがって共通の電子ビー
ムにおいても両側向板(9a)及び(9b)間の、偏向
板(9L) @を通る電子に関して(1)弐に6値を代
入してG1を求めると、e、L= 42.4°となり偏
向板(9b)側を通る電子に関して(2)式に6値を代
入してθbを求めると6b= 42.7となシ、両者の
偏向角01及び0bに差が生じる。この差は、電子ビー
ムのこの偏向中心から螢光面上の下−側走査線位置まで
の距離が60■であるとすると水平方向に関してこの下
側走査線上で0.57−の差となる。言いかえれば螢光
面下側で、%に左右の水平偏向角がより大となるところ
でビームスポットに歪が生じることになる。
配置された第2の偏向系を構成する対の内部I−ルピー
ス兼静電偏向板(9a)及び(9b)は、前述したよう
にその螢光面側の端部に向って互いの間隔が広げられ、
電子ビームの垂直方向の偏向の妨げとならないようにさ
れているが、水平偏向ノヤワーを小さくするには磁極、
すなわちI−ルピースとしての偏向板(9a)及び(9
b)の間隔はできるだけ小さいことが望まれる。ところ
がこの場合は、垂直偏向の歪、特に螢光面上の電子ビー
ムの走査位置の、下側において、すなわち電子銃@にお
いて顕著な歪が生じる。今、例えば4吋型の扁平型陰極
線管において、対の偏向板(9a)及び(9b)の電子
ビームの入口側における間隔が2■であって、電子ビー
ムとして約30〜40μAの電流IKを・流し、その偏
向板(9a)及び(9b)間の入口側における電子ビー
ムのスポット径が1.7■である場合についてみるに1
この場合、螢光面(2)K与えられる電圧、すなわち陽
極電圧vHが8kV、背面電極(3)に与えられる電圧
v1を6.2kVとすると、両偏向板(9a)及び(9
b)間に与えられる垂直偏向信号電圧は、偏向板(9&
)に対する偏向板(9b)の電圧が+150V〜−15
0Vで変化するは埋鋸歯状の電圧として与えられる。こ
の場合、両偏向板(9a)及び(9b)間の電界は、無
偏向状態で零であり、最大時、電子ビームの入口側で1
50 V/2露= 75 V/■となる。したがって、
ここにおける直径1.7瓢のビームは、偏向板(9a)
側と(9b)側とで75 V/sm X 1.7 mm
=127.5Vの電位差を生じる。そして、これが電子
ビームの螢光面上における歪を発生する。この歪は、螢
光面の下側、すなわち電子銃側の走査位置で最も顕著と
なる。今この螢光面の下側における垂直偏向が最大の位
置における水平方向の偏向について考察するに1第1図
に示すように電子ビームbの水平方向の偏向角を0とす
ると、(ここでeは電子の電荷量、mは電子の質量、2
は磁束密度、Lは偏向板(9a)及び(9b)の長さ、
■は加速電位) で与えられる。今、l = 4.OX 1010−2(
、B=6、OX 10−’ (Wb /i )、m=
9 x 10−” (kp:l、e−1,6X 10
(クーロン〕とする。加速電位Vは前述したように偏
向板(9a)及び(9b)間の偏向電界によってビーム
の偏向板(9a)側と(9b)側とではその電位が異る
ことによって偏向板(9m) @を通る電子に対する加
速電位φ、はφ、 = 6116.25 V、偏向板(
9b)@を通る電子に対する加速電位′φbは、φb=
5988.75 Vとなる。したがって共通の電子ビー
ムにおいても両側向板(9a)及び(9b)間の、偏向
板(9L) @を通る電子に関して(1)弐に6値を代
入してG1を求めると、e、L= 42.4°となり偏
向板(9b)側を通る電子に関して(2)式に6値を代
入してθbを求めると6b= 42.7となシ、両者の
偏向角01及び0bに差が生じる。この差は、電子ビー
ムのこの偏向中心から螢光面上の下−側走査線位置まで
の距離が60■であるとすると水平方向に関してこの下
側走査線上で0.57−の差となる。言いかえれば螢光
面下側で、%に左右の水平偏向角がより大となるところ
でビームスポットに歪が生じることになる。
とのような加速電圧の差に基く歪をできるだけ小さくす
るには、(1)式から偏向板(9a)及び(9b)の長
さtを十分大にするか、晟いは、ビーム径を小さくする
ことが考えられる。しかしながらフェライト偏向板(9
1)及び(9b)の長さを長くするととは重量が増大す
ることになり、ビーム径を小さくすることは電子銃の像
倍率を高めることになって解像度を低下させることにな
る。
るには、(1)式から偏向板(9a)及び(9b)の長
さtを十分大にするか、晟いは、ビーム径を小さくする
ことが考えられる。しかしながらフェライト偏向板(9
1)及び(9b)の長さを長くするととは重量が増大す
ることになり、ビーム径を小さくすることは電子銃の像
倍率を高めることになって解像度を低下させることにな
る。
本発明は、このような欠点を回避した扁平型陰極線管を
提供するものである。
提供するものである。
第3図は本発明による扁平型陰極線管の一例の要部の構
成図を示し、第3図において、第1図及び第2図に説明
した扁平型陰極線管における各部と対応する部分には同
一符号を付して重複説明を省略する。
成図を示し、第3図において、第1図及び第2図に説明
した扁平型陰極線管における各部と対応する部分には同
一符号を付して重複説明を省略する。
す々わち、本発明においても、扁平管体(図示せず)内
にその厚さ方向に関して対向して螢光面(2)と背面電
極(3)とを配置し、両者間に扁平空間DIを形成する
・、螢光面(2)IIIには第1図及び第2図で説明し
たと同様のターデッド電極(5)が配置され、これに高
圧のターグツト電圧(陽極電圧)vIが印加され、背面
電極(3)にターグツト電圧vHよりは低いが高門の所
定電圧vlが印加される。このようにして背面電極(3
)とターデッド電極(5)との間に第1の偏向系が構成
される0例えば螢光面(2)が2吋型のものの場合、扁
平空間(ト)の厚さ、すなわち螢光面(2)と背面電極
(3)との間隔は、10箇程度に選ばれ、電圧v11は
例えば8 kV%V、は6 kVに選ばれる。
にその厚さ方向に関して対向して螢光面(2)と背面電
極(3)とを配置し、両者間に扁平空間DIを形成する
・、螢光面(2)IIIには第1図及び第2図で説明し
たと同様のターデッド電極(5)が配置され、これに高
圧のターグツト電圧(陽極電圧)vIが印加され、背面
電極(3)にターグツト電圧vHよりは低いが高門の所
定電圧vlが印加される。このようにして背面電極(3
)とターデッド電極(5)との間に第1の偏向系が構成
される0例えば螢光面(2)が2吋型のものの場合、扁
平空間(ト)の厚さ、すなわち螢光面(2)と背面電極
(3)との間隔は、10箇程度に選ばれ、電圧v11は
例えば8 kV%V、は6 kVに選ばれる。
そしてこの扁平空間αQの面方向に沿い且つそのほぼ中
央線上に電子銃(4)が配置され、この電子銃(4)と
扁平空間αQすなわち第1の偏向系との間に第2の偏向
系が構成される。
央線上に電子銃(4)が配置され、この電子銃(4)と
扁平空間αQすなわち第1の偏向系との間に第2の偏向
系が構成される。
電子銃(4)は種々の構成を採り得るも、図示の例では
カンードに、第1〜第4グリッドG、〜G4が順次配列
された構成とした場合で、第3及び第4グリッドG、及
びG4によってノ々イポテンシャル型の主電子レンズが
構成されるようにした場合である。
カンードに、第1〜第4グリッドG、〜G4が順次配列
された構成とした場合で、第3及び第4グリッドG、及
びG4によってノ々イポテンシャル型の主電子レンズが
構成されるようにした場合である。
第2の偏向系は、−電子ビームbの通路を挾んで扁平管
体(1)の厚さ方向、すなわち扁平空間(ト)の厚さ方
向に関して対向して水平電磁偏向のための対の内部I−
ルピースすなわち内部磁極となる高透磁率磁性体(17
m)及び(17b)が配置される。これら高透磁率磁性
体(17a)及び(17b)は、絶縁性を有する磁性体
より成るか、あるいは導電性を有するI体の互いに対向
する面が絶縁体によって被覆され九磁性体より構成され
る。これら磁性体(17m)及び(17b)は例えばN
i −Znフェライト等によって構成し得る。そして磁
性体(17m)及び(17b)のいずれか一方、例えば
背面電極(3)の配置側に対応する磁性体(17m)の
、他方の磁性体(17b)との対向面には電子ビームの
進行方向に関して分断され且つ近接して配置された第1
及び第2の電極体S、及びS2が配置される。また他方
の磁性体(17b)の、磁性体(17m)との対向面に
は第3の電極体S、が配置される。これら電極体S、〜
S、は夫夫磁性体(17a)及び(17b)の互いの対
向面に直接的にあるいは絶縁層を介して厚膜印刷法、蒸
着、メッキあるいはフェライト磁性体(17a)及び(
17b)の表面を水素炉中で還元させて導電体化させて
形成し得る。またこれら磁性体(17,a)及び(17
b)の電子銃(4)側の部分においては、その互いの対
向面が螢光面(2)の面方向に沿って電子ビームの通路
を挾むように、すなわち扁平管体(1)の厚さ方向に関
して対向し且つこの対向関係が管軸方向に沿つて互いに
ほぼ平行に所定の間隔を保持して対向するようになさ゛
れ、この平行部において第2の電極体S2が第3の電極
体S3と対向するようになされ、これち第2及び第3の
電極体S2及びS、が管軸方向に関して一様の間隔を保
持して対向するようになされる。
体(1)の厚さ方向、すなわち扁平空間(ト)の厚さ方
向に関して対向して水平電磁偏向のための対の内部I−
ルピースすなわち内部磁極となる高透磁率磁性体(17
m)及び(17b)が配置される。これら高透磁率磁性
体(17a)及び(17b)は、絶縁性を有する磁性体
より成るか、あるいは導電性を有するI体の互いに対向
する面が絶縁体によって被覆され九磁性体より構成され
る。これら磁性体(17m)及び(17b)は例えばN
i −Znフェライト等によって構成し得る。そして磁
性体(17m)及び(17b)のいずれか一方、例えば
背面電極(3)の配置側に対応する磁性体(17m)の
、他方の磁性体(17b)との対向面には電子ビームの
進行方向に関して分断され且つ近接して配置された第1
及び第2の電極体S、及びS2が配置される。また他方
の磁性体(17b)の、磁性体(17m)との対向面に
は第3の電極体S、が配置される。これら電極体S、〜
S、は夫夫磁性体(17a)及び(17b)の互いの対
向面に直接的にあるいは絶縁層を介して厚膜印刷法、蒸
着、メッキあるいはフェライト磁性体(17a)及び(
17b)の表面を水素炉中で還元させて導電体化させて
形成し得る。またこれら磁性体(17,a)及び(17
b)の電子銃(4)側の部分においては、その互いの対
向面が螢光面(2)の面方向に沿って電子ビームの通路
を挾むように、すなわち扁平管体(1)の厚さ方向に関
して対向し且つこの対向関係が管軸方向に沿つて互いに
ほぼ平行に所定の間隔を保持して対向するようになさ゛
れ、この平行部において第2の電極体S2が第3の電極
体S3と対向するようになされ、これち第2及び第3の
電極体S2及びS、が管軸方向に関して一様の間隔を保
持して対向するようになされる。
また第1の電極体S、と第3の電極体S3との対向部に
おいては、磁性体(17a)及び(17b)の対向面間
が第1の偏向系に向って漸次広がり両者間の間隔が第1
の偏向系側の端部において螢光面(2)及び背面電極(
3)間の間隔に対応する間隔とされる。
おいては、磁性体(17a)及び(17b)の対向面間
が第1の偏向系に向って漸次広がり両者間の間隔が第1
の偏向系側の端部において螢光面(2)及び背面電極(
3)間の間隔に対応する間隔とされる。
同第2の電極体及び第3の電極体S3の間隔はこれら間
に入射する電子ぎ−ムbの径の1.5倍程度であればよ
い、また、これら第2及び第3の電極体S2及びS、は
、例えば電子銃(4)の最終段の高圧電極図示の例では
第4グリツドG4に電気的に接続される。一方これら対
の高透磁率磁性体(17m)及び(17b)の外側にこ
れらと対向して第1図及び第2図で説明したと同様に管
体(1)の外周を繞って高透磁率の例えばNi −Zn
フェライト、あるいはMu −Znフェライトよりなる
環状磁気コア01を設けその内周に管体(1)内の高透
磁率磁性体(17m)及び(17b)と対向して例えば
対の線輪(19m)及び(19b)が巻装配置される。
に入射する電子ぎ−ムbの径の1.5倍程度であればよ
い、また、これら第2及び第3の電極体S2及びS、は
、例えば電子銃(4)の最終段の高圧電極図示の例では
第4グリツドG4に電気的に接続される。一方これら対
の高透磁率磁性体(17m)及び(17b)の外側にこ
れらと対向して第1図及び第2図で説明したと同様に管
体(1)の外周を繞って高透磁率の例えばNi −Zn
フェライト、あるいはMu −Znフェライトよりなる
環状磁気コア01を設けその内周に管体(1)内の高透
磁率磁性体(17m)及び(17b)と対向して例えば
対の線輪(19m)及び(19b)が巻装配置される。
そして、これら線輪(19a)及び(19b)に、水平
偏向電流を通じこれによって発生する磁束が両高透磁率
磁性体(16m)及び(16b)間を横切る方向に発生
するようにする。
偏向電流を通じこれによって発生する磁束が両高透磁率
磁性体(16m)及び(16b)間を横切る方向に発生
するようにする。
そして第1、第2及び第3の電極体S、 、 S2及び
S、と、これら電極体S2及びSトと電気的に接続され
た第4グリツドG4には背面電極(3)と同電位の高電
圧V、が印加され、さらに第1電極体には、この電圧V
、を基準電圧としてこれに重畳して垂直偏向信号電圧v
dl、fを印加する。すなわち管軸方向に関して平行関
係を保持した部分に配置された第2及び第3の電極体S
及びS、に同電位が与えられるようにする。
S、と、これら電極体S2及びSトと電気的に接続され
た第4グリツドG4には背面電極(3)と同電位の高電
圧V、が印加され、さらに第1電極体には、この電圧V
、を基準電圧としてこれに重畳して垂直偏向信号電圧v
dl、fを印加する。すなわち管軸方向に関して平行関
係を保持した部分に配置された第2及び第3の電極体S
及びS、に同電位が与えられるようにする。
このようにして電子ビームbが第2の偏向系において高
透磁率磁性体(17m)及び(17b)間の磁界によっ
て水平偏向され、第1及び第3の電極体S、及び83間
の1界によって垂直偏向され、−さらに螢光面(2)及
び背面電極(3)間の第1の偏向系の偏向によって螢光
面(2)に向い且つこの螢光面(2)上において水平及
び垂直走査される。
透磁率磁性体(17m)及び(17b)間の磁界によっ
て水平偏向され、第1及び第3の電極体S、及び83間
の1界によって垂直偏向され、−さらに螢光面(2)及
び背面電極(3)間の第1の偏向系の偏向によって螢光
面(2)に向い且つこの螢光面(2)上において水平及
び垂直走査される。
尚、第1〜第3の電極体S、〜S、は、渦電流の発生を
回避するためにその表面抵抗が103〜5X1040・
僧の範囲とすることが望ましいが、これよシ良導電性と
される場合には、これら電極体S。
回避するためにその表面抵抗が103〜5X1040・
僧の範囲とすることが望ましいが、これよシ良導電性と
される場合には、これら電極体S。
〜S、は、櫛歯状、すだれ状等のノ々ターンとすること
が望ましい。第4図ないし第6図は第3の電極体S3の
ノリーンの各側を示すもので第4図の例は、磁性体(1
7b)の幅方向に櫛歯が配列された場合、第5−の例は
、複数組の櫛歯によって形成された場合、第6図は縦方
向に櫛歯を配した場合を示し、第1及び第2の電極体S
、及びS2においても、櫛歯ないしはすだれ状等のt4
ターンとなし得る。
が望ましい。第4図ないし第6図は第3の電極体S3の
ノリーンの各側を示すもので第4図の例は、磁性体(1
7b)の幅方向に櫛歯が配列された場合、第5−の例は
、複数組の櫛歯によって形成された場合、第6図は縦方
向に櫛歯を配した場合を示し、第1及び第2の電極体S
、及びS2においても、櫛歯ないしはすだれ状等のt4
ターンとなし得る。
尚、磁性体(17a)及び(17b)は、第1の偏向系
側に向って漸次幅広となる扇形状となし得る。
側に向って漸次幅広となる扇形状となし得る。
また、磁性体(17a)及び(17b)の互の対向面は
、その例えば一部を幅方向に関して彎曲する形状とする
などによって所望の磁界分布を得てラスタ歪の補正を行
うこともできる。
、その例えば一部を幅方向に関して彎曲する形状とする
などによって所望の磁界分布を得てラスタ歪の補正を行
うこともできる。
上述したように本発明においでは水平電磁偏向と垂直静
電偏向とを磁性体(17a)及び(17b)が配置され
た部分において行うものであるがこれら磁性体(17m
)及び(17b)の電子銃(4)側においては平行関係
に保持しこの部分においては静電偏向電界が与えられな
い均一電界としたので電子ビーム断面の位置く応じて前
述したような不均一電位が生じこれにより歪みが発生す
るような不都合を回避でき、これがためこの部分におけ
る両磁性体(17a)及び(17b)間の間隔を十分小
とすることができこれKともなってここにおける水平偏
向磁界を高めることができる。いいかえれば水平偏向の
効率を高めることができ水平偏向電流の低減化をはかる
ことができる。
電偏向とを磁性体(17a)及び(17b)が配置され
た部分において行うものであるがこれら磁性体(17m
)及び(17b)の電子銃(4)側においては平行関係
に保持しこの部分においては静電偏向電界が与えられな
い均一電界としたので電子ビーム断面の位置く応じて前
述したような不均一電位が生じこれにより歪みが発生す
るような不都合を回避でき、これがためこの部分におけ
る両磁性体(17a)及び(17b)間の間隔を十分小
とすることができこれKともなってここにおける水平偏
向磁界を高めることができる。いいかえれば水平偏向の
効率を高めることができ水平偏向電流の低減化をはかる
ことができる。
また本発明によれば垂直偏向を手段(至)の後段側にお
いて行うようにしたので、この垂直偏向部が螢光面(2
)IIに近づけられたことによって背面電極(3)と螢
光面(2)間の電界、すなわち第1の偏向系の電界を十
分強めてもビームの螢光面(2)上の走査を確実に行う
ことができる。そしてこのように第1の偏向系の電界を
強めることKよって螢光面(2)に対するビームの入射
角度を垂直方向に近づけることができこれによって螢光
面(2)上のビームス4ツト径の縮小化をはかることが
でき、これにともなって解儂度の向上をはかることがで
きる。
いて行うようにしたので、この垂直偏向部が螢光面(2
)IIに近づけられたことによって背面電極(3)と螢
光面(2)間の電界、すなわち第1の偏向系の電界を十
分強めてもビームの螢光面(2)上の走査を確実に行う
ことができる。そしてこのように第1の偏向系の電界を
強めることKよって螢光面(2)に対するビームの入射
角度を垂直方向に近づけることができこれによって螢光
面(2)上のビームス4ツト径の縮小化をはかることが
でき、これにともなって解儂度の向上をはかることがで
きる。
そして、本発明構成による場合、静電偏向領域の長さは
、電極体S、及びS3が対向する部分のみとなって大き
な静電偏向電圧を必要とするととKなるが、水平電磁偏
向に関してはその偏向中心が電子銃(4)側に下けられ
るのでその実質的偏向角を小とすることができ、更にこ
の電子銃(4)側における磁性体(17m)及び(17
b)間の間隔を十分小となし得ることがが相俟って、全
体的には、偏向ノ譬ワーを小さくできることになシ、特
、に上述したよ、うにビーム歪が回避されることは、す
ぐれた再生画像を得る上で重要な事柄であるので、実用
に供してその利益は甚大である。
、電極体S、及びS3が対向する部分のみとなって大き
な静電偏向電圧を必要とするととKなるが、水平電磁偏
向に関してはその偏向中心が電子銃(4)側に下けられ
るのでその実質的偏向角を小とすることができ、更にこ
の電子銃(4)側における磁性体(17m)及び(17
b)間の間隔を十分小となし得ることがが相俟って、全
体的には、偏向ノ譬ワーを小さくできることになシ、特
、に上述したよ、うにビーム歪が回避されることは、す
ぐれた再生画像を得る上で重要な事柄であるので、実用
に供してその利益は甚大である。
尚本発明による扁平型陰極線管においては、その背面電
極を透明電極によって構成し画面の観察をこの背面電極
側から行う構成とするなど種々の変更をなし得ることは
明らかであろう。
極を透明電極によって構成し画面の観察をこの背面電極
側から行う構成とするなど種々の変更をなし得ることは
明らかであろう。
第1図及び第2図は従前の扁平型陰極線管の正面図及び
一部を断面とする側面図、第3図は本発明による陰極線
管の一例の断面図、第4図ないし第6図は夫々静電偏向
電極体のノ臂ターンを示す図である。 (1)は扁平陰極線管管体、(2)は螢光面、(3)は
背面電極、(4)は電子銃、(5)はターグツト電極、
(ロ)は水平及び垂直偏向手段、(17a)及び(17
b)はその両磁極となる高透磁率体、S、 、 S2及
びS、は夫々第1、第2及び第3の電極体である。 第3図 手続補正書 1.事件の表示 昭和56年特許願第 150012 号2、発明の名
称 扁11極線管 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 4、代 理 人 東京都新宿区西新宿1丁目8番1号(
新宅ピル)6、補正により増加する発明の数 (IJ@細書中、#116頁10行〜13行「第4グリ
ツド04 Kは背面電極・・・・・・・・印加する。す
なわち」を「第4グリツド04には背面電極電位VB
K近い基準電圧を印加し、さらに垂直偏向信号電圧Vd
ef tl−重畳する。尚第4グリツドG4に垂直偏向
信号電圧が加えられることによりダイナミックフォーカ
ス補正効果も同時に得られる。また、#!1電極体81
jcは背面電極(3)と同電位の高電圧vBが印加さ
れる。すなわち」と訂正する。 (2) 図面中、第3図を株付囚面のよ5に補正する
。 以−上
一部を断面とする側面図、第3図は本発明による陰極線
管の一例の断面図、第4図ないし第6図は夫々静電偏向
電極体のノ臂ターンを示す図である。 (1)は扁平陰極線管管体、(2)は螢光面、(3)は
背面電極、(4)は電子銃、(5)はターグツト電極、
(ロ)は水平及び垂直偏向手段、(17a)及び(17
b)はその両磁極となる高透磁率体、S、 、 S2及
びS、は夫々第1、第2及び第3の電極体である。 第3図 手続補正書 1.事件の表示 昭和56年特許願第 150012 号2、発明の名
称 扁11極線管 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 4、代 理 人 東京都新宿区西新宿1丁目8番1号(
新宅ピル)6、補正により増加する発明の数 (IJ@細書中、#116頁10行〜13行「第4グリ
ツド04 Kは背面電極・・・・・・・・印加する。す
なわち」を「第4グリツド04には背面電極電位VB
K近い基準電圧を印加し、さらに垂直偏向信号電圧Vd
ef tl−重畳する。尚第4グリツドG4に垂直偏向
信号電圧が加えられることによりダイナミックフォーカ
ス補正効果も同時に得られる。また、#!1電極体81
jcは背面電極(3)と同電位の高電圧vBが印加さ
れる。すなわち」と訂正する。 (2) 図面中、第3図を株付囚面のよ5に補正する
。 以−上
Claims (1)
- 扁平管体内にその厚さ方向に関して対向する螢光面と背
面電極とが設けられて両者間に第1の偏向系が形成され
、はぼ上記螢光面の面方向に沿い且つ骸螢光面のほぼ中
央の垂直方向に沿って延長して電子銃が配置され、該電
子銃よシの電子ビームの上記第1の偏向系に向う途上に
電磁偏向及び静電偏向による第2の偏向系が構成され、
該第2の偏向系は、上記電子ビームの通路を挾んで上記
扁平管体の厚さ方向に関して対向して電磁偏向のための
対の内部ポールピースとなる高透磁率磁性体を具備し、
該対の磁性体は、その互いに対向する面が少くとも絶縁
体よシ成り、該対の磁性体の互いの対向面に電極体が配
置゛され、上記一方の磁性体に配置される電極体は、上
記電子ビームの進行方向に関して分断されて上記第1の
偏向系側に配置され九第1の電極体と、上記電子銃側に
配置された第2の電極体とより成シ、該第1及び第2の
電極体と上記磁性体に配置された第3の電極とには埋同
電位の基準電圧が印加され、上記第1及び第3の電極体
間に静電偏向電圧が与えられる扁平型陰極線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15001281A JPS5851449A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 扁平型陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15001281A JPS5851449A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 扁平型陰極線管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5851449A true JPS5851449A (ja) | 1983-03-26 |
Family
ID=15487541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15001281A Pending JPS5851449A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 扁平型陰極線管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5851449A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017034147A (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 株式会社村田製作所 | 可変インダクタ |
-
1981
- 1981-09-22 JP JP15001281A patent/JPS5851449A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017034147A (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 株式会社村田製作所 | 可変インダクタ |
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