JPS5851448A - 扁平型陰極線管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明祉扁平ｉ！！陰極縮管に係わる・テレビジョン受
像管等の通常の陰極線管において、電子銃を螢光面の面
方向に沿って延びるように配置して管体の扁平化をはか
ったいわゆる扁平！！１１１１極線管が提案された。

この種、扁平型陰極線管において一般的な構造のものは
、その電子銃から発射される電子ビームを螢光面上で走
査させるための水平及び垂直方向の偏向を夫々電磁偏向
によって行う。

ところがこのように水平及び垂□直の両偏向を電磁偏向
によって行うものは、構造が複雑で厚みも大きくなって
、扁平型陰極線管の本来の特徴を充分発揮していないと
いう結果をもたらしている。

そして近時、この扁平型陰極線管において、その水平及
び垂直の両偏向を静電的に行うものが提案された◎この
場合、その構造は簡潔小型化されるが、大きな偏向角が
要求される方向の偏向、すなわち螢光面に対する電子銃
の軸心方向とほぼ直交する方向の偏向に関しては偏向歪
が生じ易く、また、大きな偏向電圧を必要とし、これに
伴って回路系のパワーが大きくなってしまうなどの欠点
があるＯ そしてこのような欠点を解消して全体として比較的簡潔
な構成をとり、更に高い効率をもって電子ビームの偏向
を行うことができるようにしパワーの低減化をはかった
扁平型陰極線管が提供された。この扁平型陰極線管は、
電子ビームの大きな偏向角を必要とする方向の水平偏向
を電磁偏向によって行い、偏向角が比較的小さい方向の
垂直偏向は静電俳向によって行うようになされている。

そして管体内には上述の電磁偏向、すなわち水平偏向の
ための磁束を電子ビームに＃！中させる内部ポールピー
スとな９、しかも上述の静電偏向、すなわち垂直偏向の
ための偏向板としての機能を有する高透磁率体で、且つ
所要の電気伝導性を有し、しかも渦電流損を考慮して成
る程度比抵抗の高いフェライトより成る対の内部ポール
ピース兼静電偏向板が配置されてなるものである。

第１図及び第２図を参照して更にこの種扁平型この管体
（１）内に、その夫々扁平面に沿うようにすなわち扁平
管体（１１の厚さ方向に関して対向して螢光面（２）と
背面電極（３）とが配置される。

扁平管体（１）は例えばバネＡ−（ｌａ）すなわち平板
状のガラス基板とその一方の面に接合されてパネル（１
ａ）との間に扁平空間ａ・を形成するガラスファンネル
（ｌｂ）と、これらの一体に扁平空間α〔と連通するよ
うに、この空間０１０面方向に延長するように接合され
内部に電子銃（４）が収蓉されるガラスネック管（ＩＣ
）とを有して成る。

この電子銃（４）は、螢光面（２）の面方向に沿い且つ
この螢光面のはぼ中央の垂直方向に沿って延長するよう
に配置される。

螢光ｍ　（２１は、例えば平板状をなす・ぞネル（１ａ
）の内面に、例えば印刷法によって塗布被着形成する。

この場合／ｅネル（１ａ）の内面に透明導電層が被着さ
れてターゲット電極（５）が構成され、これの上に螢光
面（２）が塗布被着されるか或いは螢光面（２）を塗布
して後、これの土にＡｆ蒸着膜より成るメタルバックを
施してこれがターゲット電極（５）となされる。更に、
或いはカー２７層より成り、螢光面（２）の有効画面に
対応する部分に窓を有する額縁状のターゲット電極（５
）を設け、その１縁に跨って螢光面（２）を形成する。

このターゲット電極（５）すなわち螢光面（２）には高
圧の陽極電圧ｖＨが与えられ、背面電極（３）にはこれ
より低い高圧が与えられて螢光面（２）と背面電極（３
）との間に第１の偏向系が形成される。

そして電子銃（４）と螢光面（２）の配置部との間に第
２の偏向系を構成する。この第２ｇＡ向系は電子銃（４
）より発射される電子ビームを水平及び垂直偏向するも
のである。すなわち水平偏向は電子銃（４）よりの電子
ビームをこの電子銃（４）の軸心方向とはぼ直交し１つ
螢光面（２）の面方向に沿う方向に偏向させて螢光面（
２）上にビームをいわゆる水平走査させる偏向であり、
垂直偏向は同様のビームを螢光面（２）と直交する方向
に偏向させて螢光面（２）上にビームを上述の走査方向
と直交する方向にいわゆる垂直走査させる偏向である。

（６）はこの水平及び垂直偏向手段で、この手段（６）
は冒頭に述べたように例えば比較的大きな偏向角を必要
とする水平偏向を電磁偏向により行い、他方の垂直ｆｒ
Ｕは、上述の電磁水平偏向に用いる例えば対の内部ポー
ルピースを静電偏向板・とじて兼ねさすて静電偏向によ
って行う０ この偏向手段（６）は、図示のように電子銃（４）の稜
段儒において管体（１１の外周をめぐって高透磁率の例
えばフェライトより成る環状の磁気コア（７）と、水平
偏向電流を通ずる電磁線輪（ｓ）　（（ｓａ）（ｓｂ）
　）と管体（１）内に配される対の内部ポールピース兼
、静電偏向用の高透磁率磁性体の例えばＮｉ−Ｚｎフェ
ライト、或いはＭｎ−Ｚｎ７エライト轡のフェライト偏
向板（９ａ）及び（９ｂ）とによって構成される。

磁気コア（７）は管体（１）の外周をめぐる環状とかす
も、管体（１）の電子ビームの通路を挾んで管体（１）
の厚さ方向に相対向する外部センターボール（７ａ）及
び（７ｂ）を内側に突出させ、これら外部センターボー
ル（７ａ）及び（７ｂ）の外周に線輪（８ａ）及び（８
ｂ）を巻装するか、或いはその何れか一方の外周に線輪
を巻装する・このようＫすることによって線輪（８１（
（８ａ）（８ｂ）　）に通ずる水平偏向電流に応じた磁
束を両外部センターポール（７ａ）及び（７ｂ）間に、
更にこれら間に介在する内部ポールピース兼静電偏向板
（９ａ）及び（９ｂ）間の電子ビームの通路を横切って
管体（１）の厚み方向に磁場を与えるようにする。

管体（１１内の内部ポールピース兼静電偏向用フェライ
ト偏向板（９ａ）及び（９ｂ）は、電子ビームの通路を
挾んで管体（１）の厚さ方向に関する両側に相対向して
すなわち管体（１１の扁平面にハげ沿うように配置対向
させ、電子銃（４）側と社反対側に向って、すなわち第
１の偏向系に向ってその間隔が広がるように且つ同様に
電子銃（４）側とは反対側に向って幅広とされた台形状
とされる・そしてこれらフェライト偏向板（９ａ）及び
（９ｂ）　ＩＣよって外部センター／−ル（７ａ）及び
（７ｂ）の磁束を電子ビームの通路に集束させるように
なす。

一方、両フェライト偏向板（９ａ）及び（９ｂ）間に、
これらに夫々与えられる所定の直流電圧に重畳してａｍ
偏向信号電圧と、円弧歪補正電圧を印加する。例えば背
面電極（３）と、これの配置側にある一方の偏向板（９
ｂ）とが電気的に連結されて管外に端子導出がされ、こ
れ゛に陽極電圧■Ｈより岐低いが所定の直流高電圧Ｖ９
が与えられ、他方の螢光面が配置される側の静電偏向板
（９ａ）には電子銃（４）の最終段の１．極、例えば第
４グリツドと電気的に連結されて端子導出がされてこれ
に所定の高圧電圧Ｖ９が与えられる・そして、更にこれ
ら端子間に前述した垂直偏向信号電圧と円弧歪補正電圧
が与えられる。

このようにして、第１及び第２の偏向系の共働によって
電子銃（４）よりの電子ビームが螢光面（２）上に水平
垂直走査するようになされる。

このような構成による扁平型陰極線管における管体内に
配置された第２の偏向系を構成する対の内部ポールピー
ス兼靜電偏向板（９ａ）及び（９ｂ）は、前述したよう
にその螢光面側の端部に向って互いの間隔が広けられ、
電子ビームの垂直方向の偏向の妨げとならないようＫさ
れている。これがため、これら偏向板（９ａ）及び（９
ｂ）間の磁束Ｂは、両偏向板（９ａ）及び（９ｂ）間の
間隔が狭い部分の電子ビームの入口側、すなわち電子銃
（４）と対向する側の局所に集中することになり、これ
がため偏向効率が低く水平偏向ノにワーを充分小さくす
ることができない。一方、この水平偏向・ぞワーを小さ
くするには偏向中心をできるだけ電子銃（４）側に持ち
来して実質的偏向角を小さくすることが望まれ、これが
ため、両偏向板（９ａ）及び（９ｂ）を電子銃側に持ち
来せば良い。またこの偏向パワーを小さくするに社偏向
板（９ａ）及び（９ｂ）間の間隔を小さくすれば良いが
、この場合、垂直偏向の歪、特に螢光面上の電子ビーム
の走査位置の、下側において、すなわち電子銃側におい
て顕著な歪が生じる。今、例えば４吋型の扁平型陰極線
管において、対の偏向板（９ａ）及び（９ｂ）の電子ビ
ームの入口側における間隔が２１Ｅｍであって、電子ビ
ームとして約３０〜４０μＡの電流１１（を流し、その
偏向板（９ａ）及び（９ｂ）間の入口側における電子ビ
ームのスポット径が１．７１１１である場合についてみ
るに、この場合、螢光面（２）に与えられる電圧、すな
わち陽極電、圧■ＨがｇｋＶ、背面電極（３）に与えら
れる電圧ＶＢを６．２ｋＶとすると、両偏向板（９ａ）
及び（９ｂ）間に与えられる垂直偏向信号電圧は、偏向
板、（９Ｂ）に対する偏向板（９ｂ）Ｏｔ圧が＋１５０
Ｖ　〜−１５０Ｖ−１’変化するはぼ鋸歯状の電圧とし
て与えられる。この場合、両偏向板（９ａ）及び（９ｂ
）間の電界は、無偏向状態で零であり、最大時、電子ビ
ームの入口側で１５０Ｖ／２ｍ１＝　７５　Ｖ／ｍとな
る。したがって、ここにおける直径１．７震のビームは
、偏向板（９ａ）側と（９ｂ）　＠とで７５Ｖ／ｗＸ１
．７ｕ＝１２７．５Ｖの電位差を生じる・そして、これ
が電子ビームの螢光面上における歪を発生する。この歪
は、螢光面の下側、すなわち電子銃側の走査位置で最も
顕著となる・今この螢光面の下側における垂直偏向が最
大の位置における水平方向の偏向について考察するに、
第１図に示すように電子ビームｂの水平方向の偏向角を
θとすると、 ｆｆ　　ｆｆ１Ｂ −θ中２□・ギ　　　　・・・・・・・・・・・（＋１
（ここでｅは電子の電荷量、ｍは電子の質量、Ｂは磁束
密度、ｌは偏向板（９ａ）及び（９ｂ）の長さ、■は加
速電位）で与えられる。今、ｌ＝４．０Ｘ１０−２〔ｍ
〕、Ｂ　＝　６．ＯＸ　１０　’　（Ｗｂ／ｍ”　）、
ｍ　＝　９　Ｘ　１０−”Ｃ’９〕、ｅ＝１．６Ｘ１０
−”Ｃクーロン〕とする。加速電位■は前述したように
偏向板（９ａ）及び（９ｂ）間の偏向電界によってビー
ムの偏向板（９ａ）　＠と（９ｂ）側とではその電位が
異ることによって偏向板（９ａ）　＠を通る電子に対す
る加速電位ｙ３ａはｍａ＝＝６１１６．２５Ｖ。

偏向板（９ｂ）側を通る電子に対する加速電位φｂはｙ
３ｂ＝５９８８．７５Ｖと々る。したがって共通の電子
ビームにおいても両側向板（９ａ）及び（９ｂ）間の、
偏向板（９８）側を通る電子に関して（１）式に６値を
代入してθａを求めると、θａ＝４２．４°となり偏向
板（９ｂ）側を通る電子に関して（２）式に６値を代入
してθｂを求めるとθｂ＝４２．７°となり、両者の偏
向角θａ及びθｂに差が生じるらこの差は電子ビームの
この偏向中心から螢光面上の下側走査線位置までの距離
が６０−であるとすると水平方向に関してこの下側走査
線上で０．５７１１１１の差となる◎云いかり大となる
ところでビームスポットに歪が生じるととＫなる・この
ような加速電圧の差に基〈歪をできるだけ小さくするに
は、（１）式から偏向板（９ａ）及び（９ｂ）の長さｌ
を十分大にするか、或いはビーム径を小さくすることが
考えられる。しかしながらフェライト偏向板（９ａ）及
び（９ｂ）の長さを長くすることは重量が増大すること
になり、ビーム径を小さくすることは電子銃の偉倍率を
高めることになって解儂度を低下させることになる。

本発明は、このような欠点を回避した扁平型陰極線管を
提供するものである。

第３図は本発明による扁平型陰極線管の一例の要部の構
成図を示し、第３図において、第１図及び第２図に駅間
した扁平型陰極線管における各部と対応する部分には同
一符号を付して重複観明を省略する。

すなわち、本発明においても、扁平管体（図示せず）内
にその厚さ方向に関して対向して螢光面（２）と背面電
極（３）とを配置し、両者間に扁平空間００）を形成す
る。螢光面（２）側ＫＦｉ第１図及び第２図で駅間した
と同様のターゲット電極（５）が配置され、これに高圧
のターゲット電圧（陽極電圧）　ＶＨが印加され、背面
電極（３）にターゲット電圧■Ｈよりは低いが高圧の所
定電圧ｖＢが印加される。このようにして背面電極（３
）とターゲット電極（５）との間に第１の偏向系が構成
される◎例えば螢光面（２）が２吋型のものの場合、扁
平空間０１の厚さ、すなわち螢光面（２）と背面電極（
３）との間隔は、１０１ａＩ程度に選ばし、電圧ＶＨｔ
ｌｌｌｔｉｊｌ’　８　ｋＶ　、　Ｖ１３１６　ｋＶ　
ＩＣ選ばれる。

そしてこの扁平９間０１０面方向に沿い且つそのほぼ中
央線上に電子銃（４）が配置され、この電子銃（４）と
扁平空間０１、すなわち第１の偏向系との間に互いに分
離して構成された水平電磁偏向手段ａυと、垂直静電偏
向手段α２とが重子♂−ムｂの進行方向に順次配置され
て第２の偏向系が構成される。

電子銃（４）は種々の構成を採り得る亀、図示の例では
、カソードに１第１〜第４グリッドＧ、−０４が順次配
列された構成とした場合で第３及び第４グリツドＧ３及
びＧ４によって、Ｓイポテンシャル型の主電子レンズが
構成されるようにした場合である。

水平電磁偏向手段α２は、電子ビームｂの通路を挾んで
扁平管体の厚さ方向に関して対向し、且つこの対向関係
が管軸方向に沿って互いにほぼ平行に所定の間隔を保持
して対向するように配置される。これら高透磁率体（１
３ａ）及び（１３ｂ）は、電気伝導性を有するも高抵抗
、例えば１０４Ω・儂程度の抵抗を有する高透磁率磁性
体の例えばＮｉ−Ｚｎフェライト、或いはＭｎ−Ｚｎフ
ェライト岬の板状体によって構成し得る。そして、これ
ら高透磁率体（１３ａ）及び（１３ｂ）間の間隔は、こ
れら間に入射する電子ビームの径の１．５倍程度であれ
ば良い・また、これら高抵抗高透磁率体（１３ａ）及び
（１３ｂ）は、例えば電子銃（４）の最終段の高圧電極
、図示の例では第４グリツドＧ４に電気的に接続される
。また、これら高透磁率体（１３ａ）及び（１３ｂ）は
、図に表われないが第１の偏向系側に向って漸次幅広と
された扇形状とされる。

一方、これら対の高透磁率体（１３ａ）及び（１３ｂ）
の外側にこれと対向して、第１図及び第２図で説明した
と一１様に、管体の外周を繞って高透磁率の例えばＮｉ
−Ｚｎフェライト、或いはＭれ−Ｚｎフェライトより成
る環状の磁気コアＩを設け、その内周に管体内の高透磁
率体（Ｘ３ａ）及び（１３ｂ）と対向して例えば対の線
輪（１５ａ）及び（１５ｂ）が巻装配置される。そして
、これら線輪（１５ａ）及び（１５ｂ）に、水平偏向電
流を通じこれによって発生する磁束が両高透磁率体（１
，３ａ）及び（１３ｂ）間を横切る方向に発生するよう
にする。

垂直静電偏向手段Ｏ２は、水平電磁偏向手段（１１１の
後段側に、各高透磁率体（１３ａ）及び（１３ｂ）と並
置されるように電子ビームの通路を挾んで扁平管体の厚
さ方向に関して対向し、且つこの対向関係が第１の偏向
系に向って広がるように配置された対の偏向電１（１６
ａ）及び（１６ｂ）より成る。これら偏向電＊　（Ｘ６
ａ）及び（１６ｂ）は、例えば夫々金属板によって構成
し得る・これら偏向電極（１６ａ）及び（１６ｂ）間の
間隔は、これの水平電磁偏向手段Ｉと対向する側の端部
においては、手段ｃＩＤの両高透磁率体（１３ａ）及び
（１３ｂ）間の間隔に対応して選定され、これとは反対
側の第１の偏向系側、すなわち螢光面（２）及び背面電
極（３）と対向する側の端部においては、漸次両偏向電
極（１６ａ）及び（１６ｂ）間の間隔が螢光面（２）及
び背面電極（３）間の間隔に対応する間隔に広がるよう
になされる０偏向電極（１６ａ）及び（１６ｂ）の管軸
方向の長さは例えば２吋型において２０〜２５鴎に選定
し得る。またこれら偏向電極（１６ａ）及び（１６ｂ）
は図には表現されないが第１の偏向系側に向って漸次広
がる扇形とされる・そして、これら偏向電極（１６ａ）
及び（１６ｂ）のうち、背面電極（３）に対応する儒の
電極（１６ａ）には、背面電極（３）と同電位の電圧ｖ
Ｂが印加さ・れる。この偏向電極（１６１）は、背面電
極より延長してこれらと一体に金属板よりプレス成型に
よって形成し得る・また、この場合、背面電極（３）か
ら偏向電極（１６ａ）Ｋ差し渡ってその両側縁に電子ビ
ームｂの通路を挾んで互に対向し偏向板（１６ａ）との
共通によってビーム通路を囲むように管体（１）の厚さ
方向に延びる両側板（２６ａｌ）及び（２６ａ２）を一
体に折り曲げ形成し得る。そして、この垂直静電偏向手
段（１３の他方の偏向電極（１６ｂ）と１例えば水平電
磁偏向手段αυの高透磁率体Ｄ３ｂ）とが電気的に接続
され、これら偏向電極（１６ｂ）と、高透磁率体（１３
ｂ）と、更にこれに対向する他方の高透磁率体（１３ａ
）と、更に電子銃（４）の終段の高圧電極の第４グリツ
ドＧ４とに、垂直偏向の基準ノ々イアス電圧となる高圧
直流電圧の背面電圧ＶＢと、これに重畳して例えばピー
クトウピークが２００■の垂ＴＭ偏向信号電圧Ｖｄｅｆ
を印加する。すなわち、偏向電極（１６ｂ）と、高透磁
率体（ｘ３ａ）及び（１３ｂ）と第４グリツドＧ４とは
、常時同電位が与えられ、垂直偏向電極（１６ａ）及び
（１６ｂ）間には、背面電圧ＶＢを基準電圧として垂直
偏向電圧Ｖｄｅｆが与えられる。

このようＫして電子ビームｔｌｔ躯２の偏向系の水平電
磁偏向手段ａ９における高透磁率体（１３ａ）及び（１
３ｂ）間の磁界によって水平偏向され、次段の垂直静電
偏向手段Ｃ１ＺＪの偏向電極（ＩＳａ）及び（１６ｂ）
間の電界によって垂直偏向され、更に螢光面（２）及び
背面電極（３）間の第１の偏向系に上る偏向によって螢
光面（２）Ｋ向い且つこの螢光面（２）上において水平
及びＩｉ［走査される。

上述したように本発−においては、水平電磁偏向手段ａ
υと、垂直静電偏向手段α２とが分離されて構成され、
この水平電磁偏向手段ａυの・偏向磁界を与えるための
対の磁極となる高透磁率体（１３ａ）及び（１３ｂ）が
電気的には同電位とされたことＫよって１これら高透磁
率体（１３ａ）及び（１３ｂ）の間隔は、電子ビームに
歪みを与えることなく充分小とすることができること、
更にこれら高透磁率体（１３ａ）及び（１３ｂ）間にお
いては、垂直偏向すなわち管体の厚さ方向に関する偏向
がなされてＩ／−ｈ々いことから、これら高透磁率体（
１３ａ）及び（１３ｂ）間の間隔は管軸方向に関して全
埴に亘って平行に配置できることとが相俟って、水平偏
向の効率を高めることができ、これに伴って水平偏向電
流の低減化をはかることができる。

また、本発明構成によれば、垂直静電偏向電極（１６ａ
）及び（１６ｂ）は、水平偏向手段αυより後段側に配
置され、これら電極（１６ａ）及び（１６ｂ）間の間隔
のみが第１の偏向系側に向って漸次広がるようになされ
る吃のであり、この電極（１６ａ）及び（１６ｂ）は金
属板によって構成し得るので、これらの加工Ｆ！、Ｓめ
て容易に行うことができ−またこれら電極（１６ａ）及
び（Ｈｕｂ）のビームの進行方向の長さく管軸方向の長
さ）を充分大としても、その重量は差程増大すること祉
ない・そして、このようＫその長・さを大とすることに
よって垂直偏向電圧の低減化をはかることができる◎因
みに、第１図及び館２図に示した構成の場合のように、
フェライト板による内部？−ルビース（磁極）兼偏向板
構成を採る場合において、これら対の偏向板間の間隔を
扁平管体内の限定された厚さ内で第１の偏向系に向って
漸次広がるようにするには、各フェライト板を第１の偏
向系に向って肉薄とする方法を採らざるを得ガいので、
この場合、これらフェライト偏向板の長さを大とすると
、第１の偏向系側の端部が極めて薄くなり、これが欠損
するなどの事故を生じ１その加工も面倒となるが、本発
明によれまた、本発明構成によれば、垂直偏向部が螢光
面（２）備に近づけられたことによって、背面電極（３
）と１螢光面（２）間の電界、すなわち第１の偏向系の
電界を充分強めてもビームの螢光面上の走査を確実に行
うことができる。そして、このように第１の偏向系の電
界を強めることによって螢光面（２）に対するビームの
入射角度を垂直方向に近づけることができ、これによっ
て螢光面（２）上のビームスポット径の縮小化を図るこ
とができ、これに伴って解俸度の向上をはかることがで
きる利益がある。

尚、上述した例のように、第４グリツドＧ４を垂直偏向
手段（１２１の電極（１６ｂ）と同電位とする場合、す
なわち第４グリツドＧ４にも垂直偏向電圧雷圧を与える
場合は、ダイナオツクフォーカス、補正の効果をも得る
ことができる。

また、上述したように、背面電極（３）から偏向板（１
６ａ）　Ｋ差し渡って画情板（２６ａ１）及び（２６ａ
２）を設けるときは、これら側板（２６ａｌ）及び（２
６ａ２）の形状を適当に選定することによってビーム通
路の電界を平行電界等の望ましい形状としてラスター歪
の発生を防止するなどの効果を得ることができるＯ

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は従前の扁平型陰極線管の正面図及６
一部を断面とする側面図、第３図は本発明による陰ＩＦ
ｊｍ管の一例の断面図である。 ｍＦｉ扁平陰極線管管体、（２）岐螢光面、（３）は背
面電極、（４）は電子銃、（５）はターゲット１′極、
ａυは水平電磁偏向手段、（１３ａ）及び（１３ｂ）は
その両磁極となる高透磁率体、（Ｉｚは垂直静電偏向手
段、（１６ａ）及び（１６ｂ）はその偏向電極である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 扁平管体内にその厚さ方向に関して対向する螢光面と背
   面電極とが設けられて両者間に第１の偏向系が形成され
   、はぼ上記螢光面の面方向に沿い且つ該螢光面のはｔ！
   中央の垂直方向に沿って延長して電子銃が配置され、該
   電子銃よりの電子ビームの上記第１の偏向系に向う途上
   に第２の偏向系が構成され、該第２の偏向系は、水平電
   磁偏向手段と垂直静電偏向手段とが上記電子ビームの進
   行方向に順次配列されて成り、上記水平電磁偏向手段は
   、上記電子ビームの通路を挾んで上記扁平管体の厚さ方
   向に関して対向し、且つ仁の対向関係が管軸方向に関し
   てほぼ平行に対向する対の高透磁率体より成り、上記垂
   直静電偏向手段は、上記電子♂−ムの通路を挾んで上記
   扁平管体の厚さ方向に関して対向し、且つこの対向関係
   が上記第１の偏向系＠１に向って広がるようになされた
   対の偏向電極より成る扁平型陰極線管・