JPS5852477A - 形成記憶合金薄膜 - Google Patents
形成記憶合金薄膜Info
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- JPS5852477A JPS5852477A JP15067081A JP15067081A JPS5852477A JP S5852477 A JPS5852477 A JP S5852477A JP 15067081 A JP15067081 A JP 15067081A JP 15067081 A JP15067081 A JP 15067081A JP S5852477 A JPS5852477 A JP S5852477A
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- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 3
- 229910001285 shape-memory alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 229910001566 austenite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 7
- 210000002105 tongue Anatomy 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910000734 martensite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005580 NiCd Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 210000001124 body fluid Anatomy 0.000 description 1
- 239000010839 body fluid Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 1
- -1 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- External Artificial Organs (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
記憶性擬弾性を示すT1Ni、 Cu−Zn−AL。
Cu−AIy−Ni 、 NiCd 、 FePt
等の金属uそow性を利用して多くの有用な機器が創造
される可能性を秘め広く各産業分野に於て大きく貢献が
期待されるところであるが従来その素材の製造は先ず高
周波溶解、アーク溶解によりその母合金を得てこれを特
殊雰囲気中で熱処理を施し鍛造圧延により線状又は板状
の素材を製造する工程に限られており加工に多大な費用
を要する欠点があるほか成形、接着等に於ける加工性の
低劣から薄膜素材は勿論複雑な形状を必要と〕る機器部
品の類の製造は不可能に属しその特異な性状にも関らず
活用の途が大きく阻まれているのが実状である。
等の金属uそow性を利用して多くの有用な機器が創造
される可能性を秘め広く各産業分野に於て大きく貢献が
期待されるところであるが従来その素材の製造は先ず高
周波溶解、アーク溶解によりその母合金を得てこれを特
殊雰囲気中で熱処理を施し鍛造圧延により線状又は板状
の素材を製造する工程に限られており加工に多大な費用
を要する欠点があるほか成形、接着等に於ける加工性の
低劣から薄膜素材は勿論複雑な形状を必要と〕る機器部
品の類の製造は不可能に属しその特異な性状にも関らず
活用の途が大きく阻まれているのが実状である。
本発明は溶融状態にある記憶性合金の母合金を真室蒸着
法、イオンスパッター法又は電子線蒸着法により基板上
或は特定形状の母型の表面に薄膜を形成せしめることに
より容易且安価に従来の工法をもってしては不可能な薄
膜又は複雑な形状を有する機器部品を得て広汎な応用を
可能にせんとするものである。
法、イオンスパッター法又は電子線蒸着法により基板上
或は特定形状の母型の表面に薄膜を形成せしめることに
より容易且安価に従来の工法をもってしては不可能な薄
膜又は複雑な形状を有する機器部品を得て広汎な応用を
可能にせんとするものである。
次に本発明の実施の一例として高分子材料等弾性を有す
る母材に蒸着した記憶性合金膜の形状記憶性を利用した
主として薬液、体液等の輸送を目的とする医療用ポンプ
につき説明すれば第1図はその要部をなすポンプ室の加
工法、第2及び3図はその構造及び作動を説明するもの
であって先ず第1図に於て1はポンプの作動に必要な復
が得られる如き肉厚を有する高分子材料の管の内部に詰
め物2.2′を充填しその外形をポンプの吸引行程に於
てポンプ室が膨張した形状に成形したポンプ室でこれを
真空槽内で中心軸の廻りに回転しつつ記憶性合金の溶融
母合金を真空蒸着法、イオンスパッタ法又は電子線蒸着
法により表面に一様に蒸着し記憶性合金薄膜の外被を形
成せしめ熱処理によりこれにオーステナイト組織とした
あと詰め物2を除去すればポンプ室膨張時の形状を記憶
した記憶性合金の薄膜外被を有する高分子材料のポンプ
室が得られる。
る母材に蒸着した記憶性合金膜の形状記憶性を利用した
主として薬液、体液等の輸送を目的とする医療用ポンプ
につき説明すれば第1図はその要部をなすポンプ室の加
工法、第2及び3図はその構造及び作動を説明するもの
であって先ず第1図に於て1はポンプの作動に必要な復
が得られる如き肉厚を有する高分子材料の管の内部に詰
め物2.2′を充填しその外形をポンプの吸引行程に於
てポンプ室が膨張した形状に成形したポンプ室でこれを
真空槽内で中心軸の廻りに回転しつつ記憶性合金の溶融
母合金を真空蒸着法、イオンスパッタ法又は電子線蒸着
法により表面に一様に蒸着し記憶性合金薄膜の外被を形
成せしめ熱処理によりこれにオーステナイト組織とした
あと詰め物2を除去すればポンプ室膨張時の形状を記憶
した記憶性合金の薄膜外被を有する高分子材料のポンプ
室が得られる。
以上は記憶性合金の溶融母合金を用いて蒸着膜を形成せ
しめる場合につき説明したが各組成4分を個別に溶融状
態に置きこれを同時に蒸着せしめることにより所要の組
成を有する記憶性合金膜を形成せしめてもその効果は全
く同じである。
しめる場合につき説明したが各組成4分を個別に溶融状
態に置きこれを同時に蒸着せしめることにより所要の組
成を有する記憶性合金膜を形成せしめてもその効果は全
く同じである。
次に以上の工程により得られたポンプ室を利用したポン
プの構造作動を説明すれば第2図に於て3はポンプ室、
4はポンプ室の一端に気密に装着されその中心を吸入路
4′が貫通する吸入弁体、5は常時はその先端の舌部が
互に圧着されて吸入路の逆止弁を構成する弾性材料の吸
入舌弁、6はポンプ室の他端に気密に装着されその中心
を吐出路6′が貫通する吐出弁体、7は吐出路61内に
置かれた吸入舌弁と同描造、同機能の吐出舌弁である、
8はポンプ室の両端を結ぶ・電気回路中に置かれた電源
、9は回路の開閉を司るタイマーである。
プの構造作動を説明すれば第2図に於て3はポンプ室、
4はポンプ室の一端に気密に装着されその中心を吸入路
4′が貫通する吸入弁体、5は常時はその先端の舌部が
互に圧着されて吸入路の逆止弁を構成する弾性材料の吸
入舌弁、6はポンプ室の他端に気密に装着されその中心
を吐出路6′が貫通する吐出弁体、7は吐出路61内に
置かれた吸入舌弁と同描造、同機能の吐出舌弁である、
8はポンプ室の両端を結ぶ・電気回路中に置かれた電源
、9は回路の開閉を司るタイマーである。
第2図の状態にあるポンプに於てタイマー9が始動して
電気回路を閉じれば電源8によりポンプ室の外被のマル
テンサイト組織にある記憶性合金膜は加熱されオーステ
ナイト組織に移行することによりポンプ室3は面分子H
料管の弾性に抗して予め記憶させられた形状に戻りポン
プ室は第3図の3′の形状をとりポンプ室の内容積が増
加するので圧送液は吸入舌弁5を押開いてポンプ室の内
空を満して吸入行程を終る、タイマー9が電気回路を開
けば加熱は止り記憶性合金膜は冷却しマルテンサイト組
織に変り記憶効果を失ふのでポンプ室はその内壁をなす
高分子利料壁の復元力により再び第2図3の姿に戻りポ
ンプ室内空の容積を減するので圧送液は吐出弁7を外部
に押開いて吐出路6′から吐出されて吐出行程を完了す
る、斯くしてタイマー9に設定された周期をもって前記
の動作が反復されポンプは圧送動作を継続することとな
る、またこの場合記憶性合金の選択と同時に圧送数の温
度とポンプを囲む外部の温度環境を適切に設定すれば吸
入行程に於ける圧送液によるポンプ室に対する冷却効果
により記憶性合金膜の組織の変換を行はせ得るのでタイ
マーを除去しても同様に圧送液の圧送動作の継続が得ら
れ電気回路の簡素化と同時に装置の小形化が可能である
。
電気回路を閉じれば電源8によりポンプ室の外被のマル
テンサイト組織にある記憶性合金膜は加熱されオーステ
ナイト組織に移行することによりポンプ室3は面分子H
料管の弾性に抗して予め記憶させられた形状に戻りポン
プ室は第3図の3′の形状をとりポンプ室の内容積が増
加するので圧送液は吸入舌弁5を押開いてポンプ室の内
空を満して吸入行程を終る、タイマー9が電気回路を開
けば加熱は止り記憶性合金膜は冷却しマルテンサイト組
織に変り記憶効果を失ふのでポンプ室はその内壁をなす
高分子利料壁の復元力により再び第2図3の姿に戻りポ
ンプ室内空の容積を減するので圧送液は吐出弁7を外部
に押開いて吐出路6′から吐出されて吐出行程を完了す
る、斯くしてタイマー9に設定された周期をもって前記
の動作が反復されポンプは圧送動作を継続することとな
る、またこの場合記憶性合金の選択と同時に圧送数の温
度とポンプを囲む外部の温度環境を適切に設定すれば吸
入行程に於ける圧送液によるポンプ室に対する冷却効果
により記憶性合金膜の組織の変換を行はせ得るのでタイ
マーを除去しても同様に圧送液の圧送動作の継続が得ら
れ電気回路の簡素化と同時に装置の小形化が可能である
。
以上本発明の実施の一例によるポンプは圧送液の通路に
回転酸は摺動機構を持たないので圧送液に衝撃、攪拌、
粉砕等の外乱を与へる恐れが全くなく外部からの駆動機
構、装置の類を必要としないので構造が極めて簡単で超
小形化も可能である等多くの特徴を持ち特に微量の流体
を長期間に亘って安全に圧送又は注入する目的の医療用
ポンプとしては最適な新規な装置を提供するものである
。
回転酸は摺動機構を持たないので圧送液に衝撃、攪拌、
粉砕等の外乱を与へる恐れが全くなく外部からの駆動機
構、装置の類を必要としないので構造が極めて簡単で超
小形化も可能である等多くの特徴を持ち特に微量の流体
を長期間に亘って安全に圧送又は注入する目的の医療用
ポンプとしては最適な新規な装置を提供するものである
。
添付図面は本発明の実施の一例であるポンプの説明図で
あって第1図はポンプ室の加工法、第2及び3図はポン
プの構造作動を説明する図である。 1・・・・・・高分子材料等の弾性管 2・・・詰め
物3・・・・記憶性合金の薄膜外被を有するポンプ室4
・・・・・・吸入弁体 5・・・吸入舌弁6・・
・吐出弁体 7・・・吐出舌弁8・・・・電源
9・・・・・・タイマー出願人 舟久保
煕゛康
あって第1図はポンプ室の加工法、第2及び3図はポン
プの構造作動を説明する図である。 1・・・・・・高分子材料等の弾性管 2・・・詰め
物3・・・・記憶性合金の薄膜外被を有するポンプ室4
・・・・・・吸入弁体 5・・・吸入舌弁6・・
・吐出弁体 7・・・吐出舌弁8・・・・電源
9・・・・・・タイマー出願人 舟久保
煕゛康
Claims (1)
- 溶融状態にある記憶性合金の母合金を真空蒸着法、イオ
ンスパッター法又は電子線蒸着法により母型の表面に蒸
着しこれを被覆せしめることを特徴とする記憶性合金の
薄膜又は部品の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15067081A JPS5949307B2 (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 形成記憶合金薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15067081A JPS5949307B2 (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 形成記憶合金薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5852477A true JPS5852477A (ja) | 1983-03-28 |
| JPS5949307B2 JPS5949307B2 (ja) | 1984-12-01 |
Family
ID=15501904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15067081A Expired JPS5949307B2 (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 形成記憶合金薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5949307B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59230741A (ja) * | 1983-06-15 | 1984-12-25 | 株式会社日立製作所 | 形状記憶複合材料 |
-
1981
- 1981-09-25 JP JP15067081A patent/JPS5949307B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59230741A (ja) * | 1983-06-15 | 1984-12-25 | 株式会社日立製作所 | 形状記憶複合材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5949307B2 (ja) | 1984-12-01 |
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