JPS5852690Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5852690Y2 JPS5852690Y2 JP1977109012U JP10901277U JPS5852690Y2 JP S5852690 Y2 JPS5852690 Y2 JP S5852690Y2 JP 1977109012 U JP1977109012 U JP 1977109012U JP 10901277 U JP10901277 U JP 10901277U JP S5852690 Y2 JPS5852690 Y2 JP S5852690Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellet
- base
- transistor
- semiconductor device
- surge absorber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/12—Overvoltage protection resistors; Arresters
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、半導体素子とサージアブソーバとを一体に組
込んだ半導体装置に関する。
込んだ半導体装置に関する。
従来、例えばサージ電圧からトランジスタを保護するた
めコレクタ・ベース間（コレクタ・エミッタ間であって
もよい）にサージアブソーバを設けるような場合、第１
図に示すように、トランジスタ１とサージアブソーバ２
とを各々基板３上に設けて両者間のプリント配線を行な
っている。
めコレクタ・ベース間（コレクタ・エミッタ間であって
もよい）にサージアブソーバを設けるような場合、第１
図に示すように、トランジスタ１とサージアブソーバ２
とを各々基板３上に設けて両者間のプリント配線を行な
っている。
しかしこのような手段では作業性が悪くなるとともに、
基板３の使用によりこれを組み込んだ装置の占積率が悪
くなってしまう。
基板３の使用によりこれを組み込んだ装置の占積率が悪
くなってしまう。
本考案は以上の点を考慮してなされたもので、例えばト
ランジスタなどの半導体素子とサージアブソーバとを一
体に組込んだ半導体装置を提供するものである。
ランジスタなどの半導体素子とサージアブソーバとを一
体に組込んだ半導体装置を提供するものである。
本考案による半導体装置は、１つの電極を兼ねるステム
、リードフレームなどの基台とトランジスタ素子として
の半導体ペレットとの間に、例えば酸化亜鉛ＺｎＯ系の
電圧非直線抵抗体からなるギャップレス形のサージアブ
ソーバを設けたものである。
、リードフレームなどの基台とトランジスタ素子として
の半導体ペレットとの間に、例えば酸化亜鉛ＺｎＯ系の
電圧非直線抵抗体からなるギャップレス形のサージアブ
ソーバを設けたものである。
以下、添付図面を参照して本考案の一実施例について詳
述する。
述する。
第２図および第３図に示すように、本考案による半導体
装置は、ステム４上に、かつ上、下面に例えばパラジウ
ム銀ＰｄＡｇなどをプリント焼付けしたメタライズ層５
，６を有する前記ギャップレス形のサージアブソーバ７
がハンダ付けなどによって取付けられ、さらにこのサー
ジアブソーバ７のメタライズ層６上にトランジスタ本体
のペレット８が同じくハンダ付けなどによって固着され
ている。
装置は、ステム４上に、かつ上、下面に例えばパラジウ
ム銀ＰｄＡｇなどをプリント焼付けしたメタライズ層５
，６を有する前記ギャップレス形のサージアブソーバ７
がハンダ付けなどによって取付けられ、さらにこのサー
ジアブソーバ７のメタライズ層６上にトランジスタ本体
のペレット８が同じくハンダ付けなどによって固着され
ている。
ペレット８を固着する場合、トランジスタでは普通接着
面にコレクタＣが、その反対側にベースＢ、エミッタＥ
がくるようにこれを行なっている。
面にコレクタＣが、その反対側にベースＢ、エミッタＥ
がくるようにこれを行なっている。
したがって本考案による半導体装置にあっては、サージ
アブソーバ７のメタライズ層６がコレクタ電極になる。
アブソーバ７のメタライズ層６がコレクタ電極になる。
また、ペレット８の各電極Ｂ、Ｅ、Ｃと外部引出し端子
９，１０およびステム４との間にはそれぞれリード線１
１の接続が行なわれ、第４図に示すようにキャップまた
はモールド樹脂１２がかぶせられて１つの半導体装置が
構成される。
９，１０およびステム４との間にはそれぞれリード線１
１の接続が行なわれ、第４図に示すようにキャップまた
はモールド樹脂１２がかぶせられて１つの半導体装置が
構成される。
なお図中１３は、外部引出し端子９，１０をステム４を
通して引き出すための例えばガラスなどの絶縁物である
。
通して引き出すための例えばガラスなどの絶縁物である
。
このように構成された本考案による半導体装置にあって
は、ペレット８の各電極Ｂ、Ｅ、Ｃと外部引出し端子９
，１０および゛ステム４との間の各リード線１１の接続
を行なう場合、第３図に示すように、ペレット８のコレ
クタ電極Ｃを一方の外部引出し端子９に、エミッタ電極
Ｅを他方の外部引出し端子１０に、ベース電極Ｂをステ
ム４上にそれぞれ接続すれば、トランジスタのコレクタ
・ベース間にサージアブソーバ７が設けられることにな
る。
は、ペレット８の各電極Ｂ、Ｅ、Ｃと外部引出し端子９
，１０および゛ステム４との間の各リード線１１の接続
を行なう場合、第３図に示すように、ペレット８のコレ
クタ電極Ｃを一方の外部引出し端子９に、エミッタ電極
Ｅを他方の外部引出し端子１０に、ベース電極Ｂをステ
ム４上にそれぞれ接続すれば、トランジスタのコレクタ
・ベース間にサージアブソーバ７が設けられることにな
る。
普通、サージアブソーバはトランジスタのコレクタ・ベ
ース間に接続されるが、コレクタ・エミッタ間にこれを
設けてもよい。
ース間に接続されるが、コレクタ・エミッタ間にこれを
設けてもよい。
この場合には、前述とは逆にコレクタ電極Ｃおよびベー
ス電極Ｂを外部引出し端子９，１０にそれぞれ接続し、
エミッタ電極Ｅをステム４上に接続すればよい。
ス電極Ｂを外部引出し端子９，１０にそれぞれ接続し、
エミッタ電極Ｅをステム４上に接続すればよい。
また、第５図は本考案の他の実施例を示すもので、この
場合はサージアブソーバ７のメタライズ層６とペレット
８との間に、例えば銅などの熱伝導性の良い金属板１４
を介在させている。
場合はサージアブソーバ７のメタライズ層６とペレット
８との間に、例えば銅などの熱伝導性の良い金属板１４
を介在させている。
この金属板１４の径をペレット８のそれよりも大きくと
ることにより、ペレット８からステム４に対する熱抵抗
の低減を図ることが可能になる。
ることにより、ペレット８からステム４に対する熱抵抗
の低減を図ることが可能になる。
以上、本考案による半導体装置にあっては、１つの電極
を兼ねる基台とペレットとの間にギャップレス形のサー
ジアブソーバを設けることによってトランジスタ素子と
複合させたもので、小形化が図れるとともにプリント基
板に取付けるような作業工数が低減され、しかもコスト
が安くなるなどその実用面において種々の優れた利点を
有している。
を兼ねる基台とペレットとの間にギャップレス形のサー
ジアブソーバを設けることによってトランジスタ素子と
複合させたもので、小形化が図れるとともにプリント基
板に取付けるような作業工数が低減され、しかもコスト
が安くなるなどその実用面において種々の優れた利点を
有している。
第１図は従来のトランジスタにサージアブソーバを接続
した状態を示す斜視図、第２図は本考案の一実施例によ
る半導体装置の内部構造を示す斜視図、第３図は同じく
その正面図、第４図は同実施例による半導体装置の外観
を示す正面図、第５図は本考案の他の実施例を示す要部
正面図である。 ４・・・・・・ステム、５，６・・・・・・メタライズ
層、７・・・・・・サージアブソーバ、８・・・・・・
半導体ペレット、９，１０・・・・・・外部引出し端子
、１１・・・・・・リード線、１２・・・・・・キャッ
プ、１３・・・・・・絶縁物、１４・・・・・・金属板
。
した状態を示す斜視図、第２図は本考案の一実施例によ
る半導体装置の内部構造を示す斜視図、第３図は同じく
その正面図、第４図は同実施例による半導体装置の外観
を示す正面図、第５図は本考案の他の実施例を示す要部
正面図である。 ４・・・・・・ステム、５，６・・・・・・メタライズ
層、７・・・・・・サージアブソーバ、８・・・・・・
半導体ペレット、９，１０・・・・・・外部引出し端子
、１１・・・・・・リード線、１２・・・・・・キャッ
プ、１３・・・・・・絶縁物、１４・・・・・・金属板
。
Claims (1)
- １つの電極を兼ねた基台上にトランジスタペレットを取
り付ける構造の半導体装置であって、前記基台と前記ペ
レットの間にＺｎＯを主成分とする非直線抵抗体を設け
、前記トランジスタペレットのエミッタ・ベース電極の
いずれか一方が前記基台と接続されて、他方が外部端子
と接続されるものにおいて、前記非直線抵抗体と前記ト
ランジスタペレットの間に少なくとも前記トランジスタ
ペレットよりも大なる熱良導性の金属板を介在させたこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977109012U JPS5852690Y2 (ja) | 1977-08-15 | 1977-08-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977109012U JPS5852690Y2 (ja) | 1977-08-15 | 1977-08-15 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5435855U JPS5435855U (ja) | 1979-03-08 |
| JPS5852690Y2 true JPS5852690Y2 (ja) | 1983-12-01 |
Family
ID=29054580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1977109012U Expired JPS5852690Y2 (ja) | 1977-08-15 | 1977-08-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852690Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5254995Y2 (ja) * | 1972-10-03 | 1977-12-13 | ||
| JPS51885A (en) * | 1974-06-20 | 1976-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Handotaisoshi |
-
1977
- 1977-08-15 JP JP1977109012U patent/JPS5852690Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5435855U (ja) | 1979-03-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN217847574U (zh) | 金属氧化物变阻器装置 | |
| JPH0134321Y2 (ja) | ||
| JPS60100725U (ja) | 表示装置 | |
| JPH0648874Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS593559Y2 (ja) | サ−ジ吸収器 | |
| JPH0138883Y2 (ja) | ||
| JPH0138884Y2 (ja) | ||
| JPH0240532Y2 (ja) | ||
| JPS59198775A (ja) | 太陽電池 | |
| JPH056641Y2 (ja) | ||
| JPH0585053U (ja) | 抵抗素子を備えた電子部品 | |
| JPS6236299Y2 (ja) | ||
| JPS6138744U (ja) | 温度ヒユ−ズ | |
| JPH0347282Y2 (ja) | ||
| JPS59125833U (ja) | 半導体装置 | |
| JP2514430Y2 (ja) | ハイブリッドｉｃ | |
| JPS5960833U (ja) | サ−ジ吸収器 | |
| JPS5926564Y2 (ja) | チツプ型サ−ジ吸収素子 | |
| JPS5880748U (ja) | サ−ジ・ノイズ吸収器 | |
| JPH0313723B2 (ja) | ||
| JPS5852885U (ja) | 避雷器 | |
| JPS59185859U (ja) | 発光半導体装置 | |
| JPH0631154U (ja) | 複合半導体装置 | |
| JPS61162004U (ja) | ||
| JPS60144904A (ja) | チツプ型電圧非直線抵抗磁器 |