JPS5852864A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPS5852864A JPS5852864A JP56151171A JP15117181A JPS5852864A JP S5852864 A JPS5852864 A JP S5852864A JP 56151171 A JP56151171 A JP 56151171A JP 15117181 A JP15117181 A JP 15117181A JP S5852864 A JPS5852864 A JP S5852864A
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- semiconductor integrated
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路Ｃ以下略してＩＣ吉曹〈）チッ
プの透明基板上への実装に関する。さらに本発明け、透
明基板を用いたＩＯチップのフェイスダウンボンディン
グの構造に関する。
プの透明基板上への実装に関する。さらに本発明け、透
明基板を用いたＩＯチップのフェイスダウンボンディン
グの構造に関する。
近年、工０の発展は目を見けるものがあり、コンピュー
ターを始めとして家電製品においても、伺らかの形でＩ
Ｃが使われているのか現状である。
ターを始めとして家電製品においても、伺らかの形でＩ
Ｃが使われているのか現状である。
ＩＣの生産量が増加するに伴ってＩＣのコストはラーニ
ングカーブに従って低下して来ているのに約し、ＩＣの
実装コストは依然高い比率を占めてお抄、ＩＣの実装コ
ストの低減か大きな課題であった。
ングカーブに従って低下して来ているのに約し、ＩＣの
実装コストは依然高い比率を占めてお抄、ＩＣの実装コ
ストの低減か大きな課題であった。
ＩＣの実装の中でもいわゆる第一実装階層と言われるＩ
Ｃチップのボンディングエ穆ハ、今日までワイヤボンデ
ィング方式、テープキャリア方式フリップチップのフェ
イスダウンボンディング方式郷があり、それぞれの長所
短所を生かした形で実用化されているのが現状である。
Ｃチップのボンディングエ穆ハ、今日までワイヤボンデ
ィング方式、テープキャリア方式フリップチップのフェ
イスダウンボンディング方式郷があり、それぞれの長所
短所を生かした形で実用化されているのが現状である。
第１図はフリップチップを用いたフェイスダウンボンデ
ィングの説明図、第２図はプリップチップの構造を示し
ている。第１図中のＩＦ１基板、２は配線であり金属配
線が一般的に用いられる。３ｉｊ Ｉ Ｏチップであ！
＋４Ｆ！ポンディングパッドである。５はハンダである
。１に２図Ｆ！第１図で用いたＩＣチップの構造図であ
り、６はハンダバンプである。この様なフリップチップ
を用いたフェイスダウンボンディング方式は、他の２方
式と比較して、より多くのボンディング端子を一度にボ
ンディングすることが出来しかもボンディングに必要な
面積＃ｉ最も小さいきいう利点があるものの、ＩＣチッ
プ上にハンダバンプを形成しなＨればならずＩＣチップ
コストの増加が大きな問題であった。
ィングの説明図、第２図はプリップチップの構造を示し
ている。第１図中のＩＦ１基板、２は配線であり金属配
線が一般的に用いられる。３ｉｊ Ｉ Ｏチップであ！
＋４Ｆ！ポンディングパッドである。５はハンダである
。１に２図Ｆ！第１図で用いたＩＣチップの構造図であ
り、６はハンダバンプである。この様なフリップチップ
を用いたフェイスダウンボンディング方式は、他の２方
式と比較して、より多くのボンディング端子を一度にボ
ンディングすることが出来しかもボンディングに必要な
面積＃ｉ最も小さいきいう利点があるものの、ＩＣチッ
プ上にハンダバンプを形成しなＨればならずＩＣチップ
コストの増加が大きな問題であった。
木兄明けかかる従来のＩＣチップのボンディング方式の
欠点を解決するために発明されたものであり、以下詳し
く説明する。
欠点を解決するために発明されたものであり、以下詳し
く説明する。
第３図は本発明によるＩＣチップの基板へのボンディン
グ構造を示した図である。図中の７は透明基板、８け基
板表面上に形成された金−配線層、９けＩＣチップであ
る。１０け工０チップ十のポンディングパッドである。
グ構造を示した図である。図中の７は透明基板、８け基
板表面上に形成された金−配線層、９けＩＣチップであ
る。１０け工０チップ十のポンディングパッドである。
このボンディングパーラドは、アルミニウムでもよいし
金でもよい、１１は本発明のｌｅ微である寒気伝導性を
有する感光性材料である。ＩＣチップのポンディングパ
ッドからこの感光性材料を介して基板上の配＃ＫＩ気的
に接続される。第４図は本発明で用いる透明基板上の金
属配線パターンを示す０図中の７と８は第３図中の番号
と対応している。オた図中のＡｔｊ、ボンディング後の
ＩＣチップの位置を示す想像線である。本発明によるＩ
Ｃチップのボンディング■程を第５図に示す、壇ず駆５
図（ａｌに示す様に、ガラス板あるいは石英板等の透明
基板上に金属層による配線１２を形成する。この配線は
、金属を＃着もしくにヌバッタ稜、ホトリングラフイー
にてパターニングしてもよいし、スクリーン印刷法にて
導体層を印刷後、焼成したものでもよい。その稜、第５
図（ｂ）の１３にて示す様に透明基板全面Ｋｌｌｌｌ導
伝導性する感光性材料の層を形成する。
金でもよい、１１は本発明のｌｅ微である寒気伝導性を
有する感光性材料である。ＩＣチップのポンディングパ
ッドからこの感光性材料を介して基板上の配＃ＫＩ気的
に接続される。第４図は本発明で用いる透明基板上の金
属配線パターンを示す０図中の７と８は第３図中の番号
と対応している。オた図中のＡｔｊ、ボンディング後の
ＩＣチップの位置を示す想像線である。本発明によるＩ
Ｃチップのボンディング■程を第５図に示す、壇ず駆５
図（ａｌに示す様に、ガラス板あるいは石英板等の透明
基板上に金属層による配線１２を形成する。この配線は
、金属を＃着もしくにヌバッタ稜、ホトリングラフイー
にてパターニングしてもよいし、スクリーン印刷法にて
導体層を印刷後、焼成したものでもよい。その稜、第５
図（ｂ）の１３にて示す様に透明基板全面Ｋｌｌｌｌ導
伝導性する感光性材料の層を形成する。
この材料は例えば、導電性樹脂を含んだ感光性有機樹脂
（レジスト）でもよいし、また金属あるいけ炭素の微粉
末粒子を分散した感光性有機樹脂でもよい、さらＫこの
様な樹脂でなくても、光か当った所と肖らない所の電気
伝導性が異なる様な物質であってもよい、二わらの材料
は、透明基板とＩＣチップに対する接着力４大きい方が
望オしい。
（レジスト）でもよいし、また金属あるいけ炭素の微粉
末粒子を分散した感光性有機樹脂でもよい、さらＫこの
様な樹脂でなくても、光か当った所と肖らない所の電気
伝導性が異なる様な物質であってもよい、二わらの材料
は、透明基板とＩＣチップに対する接着力４大きい方が
望オしい。
今、仮りに金属微粒子を分散させた感光性有機樹脂を例
にとって説明する。この有機樹脂は液体状−であり、透
明基板上への層の形ｒ！ｔ＃′ｉ例えばスピンナーコー
トにて行なう、その後第５図（ｃ）Ｋて示す如＜ＩＣチ
ップ１４をフェイスダウンの状態にて前記有機樹脂表面
上に押し当てた後、適当な温度、例えば８０〜１８０℃
の１１１度にてキュアし７ＩＱ４ツブを接着させる。そ
の後図中１５にて示す如く透明基板１１の裏面から光１
５を全面に照射する。この時、感光性有機樹脂がポジ系
であれば次の現像工程において、透明基板上の配線上の
樹脂層杖残ね、配線上以外の樹脂層は除去される。
にとって説明する。この有機樹脂は液体状−であり、透
明基板上への層の形ｒ！ｔ＃′ｉ例えばスピンナーコー
トにて行なう、その後第５図（ｃ）Ｋて示す如＜ＩＣチ
ップ１４をフェイスダウンの状態にて前記有機樹脂表面
上に押し当てた後、適当な温度、例えば８０〜１８０℃
の１１１度にてキュアし７ＩＱ４ツブを接着させる。そ
の後図中１５にて示す如く透明基板１１の裏面から光１
５を全面に照射する。この時、感光性有機樹脂がポジ系
であれば次の現像工程において、透明基板上の配線上の
樹脂層杖残ね、配線上以外の樹脂層は除去される。
この状態を第５図（ｄ）に示す。図中の１６は配線上に
残された寒気伝導性を有する感光性材料である。
残された寒気伝導性を有する感光性材料である。
ＩＣチップと透明基板との接着性と、電気伝導性を増加
させるために１その後１００〜５００℃ノ温度でキュア
する。この様にしてＩＣチップのポンチインクは終了す
る。この本発明によるＩＣチップのボンディング方式の
特徴は、同時に多数のＩＣチップのボンディングが出来
ること、及びＩＣチップ上にバンプを必要としないこと
等である。Ｘ体的には、例えばポジレジスト中に金の微
粒子を混合したものを用い、る、透明基板及びＩＣチッ
プとの接着性を良くするために、その界面に接着剤の薄
い層を形成してもよい。ポジレジストは、キュアにより
体積収縮するために、電気伝導率けかな９増加する。
させるために１その後１００〜５００℃ノ温度でキュア
する。この様にしてＩＣチップのポンチインクは終了す
る。この本発明によるＩＣチップのボンディング方式の
特徴は、同時に多数のＩＣチップのボンディングが出来
ること、及びＩＣチップ上にバンプを必要としないこと
等である。Ｘ体的には、例えばポジレジスト中に金の微
粒子を混合したものを用い、る、透明基板及びＩＣチッ
プとの接着性を良くするために、その界面に接着剤の薄
い層を形成してもよい。ポジレジストは、キュアにより
体積収縮するために、電気伝導率けかな９増加する。
蒙６図は本発明による工０チップをボンディングした基
板を上から見た図であり、ｆた館７図は軸めから兄だ概
―図である０図中の１０は透明基板１３けＩＣチップ、
１６Ｆｉ電気伝導性を有する感光性材料である。館８図
は本発明にて用いるＩＣチップのポンディングパッド構
造を示す、館８図（＆）中の１７Ｖｉシリコン基板、１
Ｂは絶縁層、１９ｒゴアルミニウム層である。２０＃′
ｉパツジページ曹ン膜である。このアルミニウムパッド
は、接触の細軸性がやや低い。諏８図（ｂ）Ｆｉ、アル
ミニラムノくラド上に、クロム２１と金２２の２層を形
成したものであり、これを金パツドと言う、ノくラドの
表面が金の場合は、電気伝導性を有する感光性材料との
１気的接続の信頼性は非常に高い０本発明に用いるＩＣ
チップは第８図（ｃ） Ｋて示した様な／（ンプ２３か
付いたものでもよいことはいうまでもない。
板を上から見た図であり、ｆた館７図は軸めから兄だ概
―図である０図中の１０は透明基板１３けＩＣチップ、
１６Ｆｉ電気伝導性を有する感光性材料である。館８図
は本発明にて用いるＩＣチップのポンディングパッド構
造を示す、館８図（＆）中の１７Ｖｉシリコン基板、１
Ｂは絶縁層、１９ｒゴアルミニウム層である。２０＃′
ｉパツジページ曹ン膜である。このアルミニウムパッド
は、接触の細軸性がやや低い。諏８図（ｂ）Ｆｉ、アル
ミニラムノくラド上に、クロム２１と金２２の２層を形
成したものであり、これを金パツドと言う、ノくラドの
表面が金の場合は、電気伝導性を有する感光性材料との
１気的接続の信頼性は非常に高い０本発明に用いるＩＣ
チップは第８図（ｃ） Ｋて示した様な／（ンプ２３か
付いたものでもよいことはいうまでもない。
銅９図は、本発明において用いるＩＣチップの常ＩＣチ
ップの側Ｉ］ｉｌｉはシリコンが露出しているために、
ボンディングの際にシ曹−トを起こす可能性が大きい。
ップの側Ｉ］ｉｌｉはシリコンが露出しているために、
ボンディングの際にシ曹−トを起こす可能性が大きい。
したがって図の如く、シリコン露出面を絶縁物にておお
う必要がある。絶縁物は樹脂でもよいし、オだ８１０２
等の無榛物でもよい。
う必要がある。絶縁物は樹脂でもよいし、オだ８１０２
等の無榛物でもよい。
鎮１０図は本発明による他の実施例を示す。図図の２５
はＩＣチップ、２６け電気伝導性を有する感光性材料、
２７け透明基板である。本発明はこの実施例の如く一度
に複数個（７１Ｃチツプを同時経ボンディングすること
が可能である。
はＩＣチップ、２６け電気伝導性を有する感光性材料、
２７け透明基板である。本発明はこの実施例の如く一度
に複数個（７１Ｃチツプを同時経ボンディングすること
が可能である。
ｗＬ１１図は本発明の他の実施例を示す０図中の（ａ）
Ｆｉ透明基板上の配線パターン図を示す。図中の２８
は透明基板、２９汀金属パターン剖、５０は透明溝１験
、例えば８ｎ０２ 、 Ｉｎ１Ｊの薄Ｗパターンである
。またＡｔｊＩＯチップのボンディング後の位曾を示す
想像線である。金属パターンｓ２９の位１ｉ１は、ＩＣ
チップ上のポンディングパッド（ｌｉ位診と対応してい
る。このような透明基板を用いて、＃５図にてｉ［＃し
た製造プロナスにてボンティングした後の図を第１１図
（ｂ）Ｋ示す０図中の６１は電気伝導性を有する感光性
材料、３２け工Ｃチップである。本実施例においては、
感光性材料はＩＣのポンディングパッド上にのみ存在す
るためＩＣチップの側面のシリコン露出部にてシ曹−ト
することはない。
Ｆｉ透明基板上の配線パターン図を示す。図中の２８
は透明基板、２９汀金属パターン剖、５０は透明溝１験
、例えば８ｎ０２ 、 Ｉｎ１Ｊの薄Ｗパターンである
。またＡｔｊＩＯチップのボンディング後の位曾を示す
想像線である。金属パターンｓ２９の位１ｉ１は、ＩＣ
チップ上のポンディングパッド（ｌｉ位診と対応してい
る。このような透明基板を用いて、＃５図にてｉ［＃し
た製造プロナスにてボンティングした後の図を第１１図
（ｂ）Ｋ示す０図中の６１は電気伝導性を有する感光性
材料、３２け工Ｃチップである。本実施例においては、
感光性材料はＩＣのポンディングパッド上にのみ存在す
るためＩＣチップの側面のシリコン露出部にてシ曹−ト
することはない。
本発明は以上多くの実施例において説明した如く、透明
基板上ＫＩＯＩＣチップンディングするのに、電気伝導
性を有する感光性材料を用いて電気的に接続することを
＠拳とするＸａの実装方式に関するもの、であり、液晶
パネル、ＢＬパネルあるいけプラズマパネルのドライバ
エＣのチップオンパネル実装方式として大変有望である
。
基板上ＫＩＯＩＣチップンディングするのに、電気伝導
性を有する感光性材料を用いて電気的に接続することを
＠拳とするＸａの実装方式に関するもの、であり、液晶
パネル、ＢＬパネルあるいけプラズマパネルのドライバ
エＣのチップオンパネル実装方式として大変有望である
。
第１図〜８１１２図は、フリップチップの７工イスダウ
ンボンデイング方式の説明図。第５図〜ｌｌＫ１１図は
本発明による工０チップのボンディング方式を鰭明する
図。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・配線 ３・・・・・・ＩＣチップ ４・・・・・・ポンディングパッド ５・−・・■ハンダ ６・・・・・・ハンダバンプ ７・・・・・・透明基板 ８・・・・・・配線 ９・・・・・・ＩＣチップ １０・・・・・・ポンディングパッド １１・・・・・・電気伝導性を有する感光性材料１２・
・・・・・配線（金Ｍ） １３・・・・・・電気伝導性を有する感光性材料１４・
・・・・・ＩＣチップ １５・・・・・・光 １６・・・・・・硬化した感光性材料 １７・・・・・・シリコン基板 １８・・・・・・絶縁層 １９・−・・・・アルミニウム層 ２０・・・・・・パッジベージ、ン層 ２１・・・・・・クロム層 ２２・・・・・・金層 ２３・・・・・・バンプ ２４・・・・・・絶縁物 ２５・・・・・・工０チップ ２６・・・・・・電気伝導性を有する感光性材料２７・
・・・・・透明基板 ２８・・・・・・透明基板 ２９・・・・・・金属パターン ３０・・・・・・ネサパターン ３１・・・・・・電気伝導性を有する感光性材料３２・
・・・・・ＩＣチップ 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工前 代理人 弁理士 最上 務 １１１： 第１図 第２′ＩＬ 第３図 第４図 （（１１ 第５図 第６図 第７図 ｅｌ 第８図 第１０図 （η２ Ｇ） 第１１図
ンボンデイング方式の説明図。第５図〜ｌｌＫ１１図は
本発明による工０チップのボンディング方式を鰭明する
図。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・配線 ３・・・・・・ＩＣチップ ４・・・・・・ポンディングパッド ５・−・・■ハンダ ６・・・・・・ハンダバンプ ７・・・・・・透明基板 ８・・・・・・配線 ９・・・・・・ＩＣチップ １０・・・・・・ポンディングパッド １１・・・・・・電気伝導性を有する感光性材料１２・
・・・・・配線（金Ｍ） １３・・・・・・電気伝導性を有する感光性材料１４・
・・・・・ＩＣチップ １５・・・・・・光 １６・・・・・・硬化した感光性材料 １７・・・・・・シリコン基板 １８・・・・・・絶縁層 １９・−・・・・アルミニウム層 ２０・・・・・・パッジベージ、ン層 ２１・・・・・・クロム層 ２２・・・・・・金層 ２３・・・・・・バンプ ２４・・・・・・絶縁物 ２５・・・・・・工０チップ ２６・・・・・・電気伝導性を有する感光性材料２７・
・・・・・透明基板 ２８・・・・・・透明基板 ２９・・・・・・金属パターン ３０・・・・・・ネサパターン ３１・・・・・・電気伝導性を有する感光性材料３２・
・・・・・ＩＣチップ 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工前 代理人 弁理士 最上 務 １１１： 第１図 第２′ＩＬ 第３図 第４図 （（１１ 第５図 第６図 第７図 ｅｌ 第８図 第１０図 （η２ Ｇ） 第１１図
Claims (6)
- （１）一つあるいけ複数個の半導体集積回路チップを透
明基板上にメンディングした半導体集積回路装置におい
て、皺半導体集積回路チップのポンディングパッドと核
透明基板上の配線とは、電気伝導性を有する感光性材料
にて接続されていることを特徴とする半導体集積回路装
置。 - （２） 電気伝導性を有する感光性材料は、導電性有
機樹脂を含む感光性有機樹脂であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の半導体集積回路！！鎗。 - （３） 電気伝導性を有する感光性材料は、金属ある
いけ炭素の微粉末粒子を含む感光性有機樹脂であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体集積回
路装置。 - （４） 透明基板上の配Ｉｆ１＃″ｔ、一部分金Ｎ膵
が被すされた透明溝Ｗ＃であることを特徴とする特Ｖ！
Ｆ請求の範囲第１項記載の半導体集積回路装置。 - （５） 半導体集積回路チップのポンディングパッド
は、最上金属層が金であることを特徴とする特許請求の
範囲部ＩＸＪ！ｅ載の半導体集積回路装置。 - （６）透明基板は、液晶表示パネルを構成する透明基板
の一枚であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56151171A JPS5852864A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56151171A JPS5852864A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5852864A true JPS5852864A (ja) | 1983-03-29 |
| JPH0230579B2 JPH0230579B2 (ja) | 1990-07-06 |
Family
ID=15512860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56151171A Granted JPS5852864A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5852864A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6170963U (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-15 | ||
| JPH01257407A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-13 | Ishikawajima Shibaura Kikai Kk | 施肥方法及び施肥装置 |
| US5352318A (en) * | 1989-08-17 | 1994-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of mutually connecting electrode terminals |
| EP0896427A3 (en) * | 1997-08-05 | 2001-01-10 | Nec Corporation | Surface acoustic wave device |
| KR100339016B1 (ko) * | 1998-10-02 | 2002-10-25 | 한국과학기술원 | 유리기판을이용한극초단파대역의멀티칩패키지 |
-
1981
- 1981-09-24 JP JP56151171A patent/JPS5852864A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6170963U (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-15 | ||
| JPH01257407A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-13 | Ishikawajima Shibaura Kikai Kk | 施肥方法及び施肥装置 |
| US5352318A (en) * | 1989-08-17 | 1994-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of mutually connecting electrode terminals |
| EP0896427A3 (en) * | 1997-08-05 | 2001-01-10 | Nec Corporation | Surface acoustic wave device |
| KR100339016B1 (ko) * | 1998-10-02 | 2002-10-25 | 한국과학기술원 | 유리기판을이용한극초단파대역의멀티칩패키지 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0230579B2 (ja) | 1990-07-06 |
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