JPH079906B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH079906B2 JPH079906B2 JP60084159A JP8415985A JPH079906B2 JP H079906 B2 JPH079906 B2 JP H079906B2 JP 60084159 A JP60084159 A JP 60084159A JP 8415985 A JP8415985 A JP 8415985A JP H079906 B2 JPH079906 B2 JP H079906B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- connector
- conductive elastic
- present
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/15—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition on active surfaces of flip-chip devices, e.g. underfills
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の構造、特に外部接続端子である突
起電極の構造に関する。
起電極の構造に関する。
回路基板へコネクターを介して半導体素子をフェイスボ
ンディングする方法が周知であり、主に液晶表示装置
へ、これを駆動するIC素子を実装する場合に用いられて
いる。この実装する半導体素子は圧接構造によって他の
配線基板と接続する場合、ボンディングの信頼性上必ず
コネクターを介して行なうのが常であり、このような方
法は半導体素子上面にマトリックス状に配置された多数
の突起電極と液晶表示装置の入力端子とを一括してボン
ディング出来るうえ、素子の交換等も容易という利点を
持っている。
ンディングする方法が周知であり、主に液晶表示装置
へ、これを駆動するIC素子を実装する場合に用いられて
いる。この実装する半導体素子は圧接構造によって他の
配線基板と接続する場合、ボンディングの信頼性上必ず
コネクターを介して行なうのが常であり、このような方
法は半導体素子上面にマトリックス状に配置された多数
の突起電極と液晶表示装置の入力端子とを一括してボン
ディング出来るうえ、素子の交換等も容易という利点を
持っている。
一方、さらに薄型化が望まれる液晶表示装置等にはコネ
クターの占める厚みは無視出来ないものがあり、従来は
それらを構成している部品、さらにはその部材を薄型化
することで目的を達成することが多い。
クターの占める厚みは無視出来ないものがあり、従来は
それらを構成している部品、さらにはその部材を薄型化
することで目的を達成することが多い。
第５図は従来の突起電極を持つ半導体装置の一例の断面
図で、１は半導体基板、２はアルミ配線、３は表面保護
のためのPSG膜、４はクロム層、５は銅層、６は金メッ
キにて形成した突起電極である。第６図は従来のコネク
ターを用いて、配線基板にIC素子をフェイスボンディン
グした一実施例の断面図で、８はIC素子、９はガラス基
板、10は突起電極、11はリード、12はコネクターの部材
であるポリイミド樹脂等の絶縁基板、13はコネクターの
部材である導電性ゴムロッド、14はIC位置決め枠、15は
IC押エバネである。
図で、１は半導体基板、２はアルミ配線、３は表面保護
のためのPSG膜、４はクロム層、５は銅層、６は金メッ
キにて形成した突起電極である。第６図は従来のコネク
ターを用いて、配線基板にIC素子をフェイスボンディン
グした一実施例の断面図で、８はIC素子、９はガラス基
板、10は突起電極、11はリード、12はコネクターの部材
であるポリイミド樹脂等の絶縁基板、13はコネクターの
部材である導電性ゴムロッド、14はIC位置決め枠、15は
IC押エバネである。
しかしながら、このような従来手法では部品強度の低下
をもたらし、又実装費用に占めるコネクターのコスト及
び素子の突起電極形成にかかるコストは大きなものであ
るうえ、コネクターが独立して介在しているため、外部
衝撃に対するボンディングの信頼性は必ずしも高いもの
ではなく、素子交換等の際には素子とコネクターとを位
置合せし直す必要があった。
をもたらし、又実装費用に占めるコネクターのコスト及
び素子の突起電極形成にかかるコストは大きなものであ
るうえ、コネクターが独立して介在しているため、外部
衝撃に対するボンディングの信頼性は必ずしも高いもの
ではなく、素子交換等の際には素子とコネクターとを位
置合せし直す必要があった。
本発明は上記従来の課題に鑑みなされたものであり、突
起電極形成及び実装に係るコトスダウン、信頼性及び作
業性を向上させ、薄型化にも寄与する構造を持った半導
体装置を提供することにある。
起電極形成及び実装に係るコトスダウン、信頼性及び作
業性を向上させ、薄型化にも寄与する構造を持った半導
体装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、ペースト状を呈
する架橋処理前の導電ゴムは、スクリーン印刷出来るこ
とに着目し、突起電極にコネクターの機能をも併せ持た
せたことを特徴とする。
する架橋処理前の導電ゴムは、スクリーン印刷出来るこ
とに着目し、突起電極にコネクターの機能をも併せ持た
せたことを特徴とする。
本発明によれば、コネクターを省略出来るので、従来の
ような位置合せの必要がなく、装置の薄型化に寄与し、
ボンディングの信頼性は極めて高くなるうえ、突起電極
形成に係るコストを下げることも可能である。
ような位置合せの必要がなく、装置の薄型化に寄与し、
ボンディングの信頼性は極めて高くなるうえ、突起電極
形成に係るコストを下げることも可能である。
以下図面に基づいて本発明の好適な実施例を説明する。
第１図は導電弾性突起電極を半導体素子上に配した本発
明による半導体装置の一実施例の断面図であり、７はシ
リコンゴムに導電フィラーとしてカーボンパウダーを60
％配した導電弾性突起電極である。この導電弾性突起電
極は、架橋剤とカーボンパウダーを配したシリコンゴム
を乳鉢にて混練し、スクリーン印刷にて素子上に適量印
刷分配した後、熱処理を行ない形成したものであり、第
２図は従来の突起電極上に導電弾性ゴムを配し、複合突
起電極を形成した本発明による半導体装置の他の一実施
例の断面図で、7aは複合導電弾性突起電極である。第３
図は本発明による導電弾性突起電極を設けた半導体装置
を配線基板にフェイスボンディングした一実施例の断面
図で、8aは本発明による半導体装置、７は導電弾性突起
電極である。また第４図は本発明による複合突起電極を
設けた半導体装置を配線基板にフェイスボンディングし
た一実施例の断面図で、8bは本発明による半導体装置で
ある。
明による半導体装置の一実施例の断面図であり、７はシ
リコンゴムに導電フィラーとしてカーボンパウダーを60
％配した導電弾性突起電極である。この導電弾性突起電
極は、架橋剤とカーボンパウダーを配したシリコンゴム
を乳鉢にて混練し、スクリーン印刷にて素子上に適量印
刷分配した後、熱処理を行ない形成したものであり、第
２図は従来の突起電極上に導電弾性ゴムを配し、複合突
起電極を形成した本発明による半導体装置の他の一実施
例の断面図で、7aは複合導電弾性突起電極である。第３
図は本発明による導電弾性突起電極を設けた半導体装置
を配線基板にフェイスボンディングした一実施例の断面
図で、8aは本発明による半導体装置、７は導電弾性突起
電極である。また第４図は本発明による複合突起電極を
設けた半導体装置を配線基板にフェイスボンディングし
た一実施例の断面図で、8bは本発明による半導体装置で
ある。
本発明による半導体装置に設けられた導電弾性突起電極
の高さは、第１図及び第２図に於ける導電弾性ゴム半球
の底辺の直径に対して、1.0〜1.5倍程度が適当であり、
この場合、突起電極１個当り1.5グラム程度の荷重で充
分機能する。
の高さは、第１図及び第２図に於ける導電弾性ゴム半球
の底辺の直径に対して、1.0〜1.5倍程度が適当であり、
この場合、突起電極１個当り1.5グラム程度の荷重で充
分機能する。
以上説明したように、本発明によれば、従来のコネクタ
ーを省略出来ることによって、実装コストの低減及び装
置の薄型化を図ることが出来、又半導体製造コストの低
減及び素子とコネクターとの位置合せ不用による作業性
の向上が可能となる。
ーを省略出来ることによって、実装コストの低減及び装
置の薄型化を図ることが出来、又半導体製造コストの低
減及び素子とコネクターとの位置合せ不用による作業性
の向上が可能となる。
第１図及び第２図は本発明による半導体装置の一実施例
の断面図、第３図及び第４図は本発明による半導体装置
を配線基板へ実装した一実施例の断面図、第５図は従来
の半導体装置の一実施例の断面図、第６図は従来の半導
体装置をコネクターを介して配線基板へ実装した一実施
例の断面図である。 ７、10……導電弾性突起電極、 ８、8a、8b……半導体装置、 7a……複合突起電極。
の断面図、第３図及び第４図は本発明による半導体装置
を配線基板へ実装した一実施例の断面図、第５図は従来
の半導体装置の一実施例の断面図、第６図は従来の半導
体装置をコネクターを介して配線基板へ実装した一実施
例の断面図である。 ７、10……導電弾性突起電極、 ８、8a、8b……半導体装置、 7a……複合突起電極。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体装置（8a）とガラス基板（９）とIC
押えバネ（15）とを有し、 半導体装置（8a）は導電弾性突起電極（７）を有し、 ガラス基板（９）はリード（11）とIC位置決め枠（14）
とを有し、 IC位置決め枠（14）によって導電弾性突起電極（７）と
リード（11）とを位置合わせし、IC押えバネ（15）によ
り導電弾性突起電極（７）を押圧してガラス基板（９）
に半導体装置（8a）を実装することを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60084159A JPH079906B2 (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60084159A JPH079906B2 (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61242041A JPS61242041A (ja) | 1986-10-28 |
| JPH079906B2 true JPH079906B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=13822716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60084159A Expired - Lifetime JPH079906B2 (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079906B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63150930A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-06-23 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS63160351A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-04 | Seikosha Co Ltd | Ｉｃチップの実装方法 |
| JPS63160347A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-04 | Seikosha Co Ltd | Ｉｃチツプ |
| JPS63160348A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-04 | Seikosha Co Ltd | Ｉｃチツプ |
| DE10016132A1 (de) | 2000-03-31 | 2001-10-18 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauelement mit flexiblen Kontaktierungsstellen und Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE10164800B4 (de) * | 2001-11-02 | 2005-03-31 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit mehreren übereinander gestapelten und miteinander kontaktierten Chips |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51104261A (ja) * | 1975-03-12 | 1976-09-14 | Suwa Seikosha Kk | |
| JPS5650539A (en) * | 1979-09-29 | 1981-05-07 | Sharp Corp | Semiconductor device |
-
1985
- 1985-04-19 JP JP60084159A patent/JPH079906B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61242041A (ja) | 1986-10-28 |
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