JPS5853724B2 - 平衡型光導電素子 - Google Patents
平衡型光導電素子Info
- Publication number
- JPS5853724B2 JPS5853724B2 JP51160634A JP16063476A JPS5853724B2 JP S5853724 B2 JPS5853724 B2 JP S5853724B2 JP 51160634 A JP51160634 A JP 51160634A JP 16063476 A JP16063476 A JP 16063476A JP S5853724 B2 JPS5853724 B2 JP S5853724B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoconductive
- film
- balanced
- light beam
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/95—Circuit arrangements
- H10F77/953—Circuit arrangements for devices having potential barriers
- H10F77/957—Circuit arrangements for devices having potential barriers for position-sensitive photodetectors, e.g. lateral-effect photodiodes or quadrant photodiodes
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Optical Transform (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Switches Operated By Changes In Physical Conditions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光電的電位差計、光位置検知器、光スィッチ等
に用いられる光導電素子(こ関するもので、ある位置を
中心にしてプラス、マイナス(こ可変の出力電圧が得ら
れる平衡型光導電素子を得ることを目的としている。
に用いられる光導電素子(こ関するもので、ある位置を
中心にしてプラス、マイナス(こ可変の出力電圧が得ら
れる平衡型光導電素子を得ることを目的としている。
従来の光導電素子としては、第1図に示すように光導電
膜1の両側に抵抗膜2と金属膜3を平行1こ形成し、光
ビーム4の位置により、入力電圧■。
膜1の両側に抵抗膜2と金属膜3を平行1こ形成し、光
ビーム4の位置により、入力電圧■。
に対して出力電圧Veは、
V e = V。
(1−8)(但しSは光ビームの位置でo<s<i )
の変化が得られることが知られている。
の変化が得られることが知られている。
かかる従来の光導電素子(こ対し、本発明は光ビームの
ある照射点を中心としてプラス・マイナスの出力電圧が
得られる平衡型光導電素子を得ようとするものである。
ある照射点を中心としてプラス・マイナスの出力電圧が
得られる平衡型光導電素子を得ようとするものである。
以下図示実施例をこ基づいて本発明による光導電素子を
説明する。
説明する。
第2図は本発明による平衡型光導電素子の素子構成を示
している。
している。
本発明(こおいては、光導電膜1の両側)コ抵抗膜2と
金属膜3を形成した2個の素子A、Bを、金属膜3,3
が対向する配列で配置し、素子Aの下端と素子Bの上端
は両金属膜3,3の間を這う電極膜5fこよって直列接
続される。
金属膜3を形成した2個の素子A、Bを、金属膜3,3
が対向する配列で配置し、素子Aの下端と素子Bの上端
は両金属膜3,3の間を這う電極膜5fこよって直列接
続される。
光ビーム4は画素子の光導電膜1,1を横切って照射さ
れ、光導電膜1,1の長さ方向(矢印)にO〜1の位置
まで移動する。
れ、光導電膜1,1の長さ方向(矢印)にO〜1の位置
まで移動する。
なお、6は抵抗膜2の電極である。本発明1こよる光導
電素子は以上のような構成を有し、実際の製造は、例え
ばガラス又はセラミックよりなる基板(図示せず)上)
(m、先ず光導電膜1をcds−cdse 等の蒸着
をこより作り、次いでその上にN i −Cr 、 S
i O−Cr等の蒸着により抵抗膜2を作り、更に同
じく蒸着法により金属膜3、電極膜5,6を作ることに
よって製造することができる。
電素子は以上のような構成を有し、実際の製造は、例え
ばガラス又はセラミックよりなる基板(図示せず)上)
(m、先ず光導電膜1をcds−cdse 等の蒸着
をこより作り、次いでその上にN i −Cr 、 S
i O−Cr等の蒸着により抵抗膜2を作り、更に同
じく蒸着法により金属膜3、電極膜5,6を作ることに
よって製造することができる。
このよう(こ構成された本発明による光導電素子は第3
図に示すような出力特性が得られる。
図に示すような出力特性が得られる。
いま、画素子A、Bは夫々同一条件で製造されたものと
し、光ビーム4の位置はS(但しO<Sく1)とすると
、画素子A、Bの入力端子0.Rとアース端子GND間
に夫々+Vsの入力電圧Vsを印加されると、出力端子
P、Qとアース端子GND間1こ発生する電圧VeA、
VeBは、となり、出力端子P、Q間の出力電圧■。
し、光ビーム4の位置はS(但しO<Sく1)とすると
、画素子A、Bの入力端子0.Rとアース端子GND間
に夫々+Vsの入力電圧Vsを印加されると、出力端子
P、Qとアース端子GND間1こ発生する電圧VeA、
VeBは、となり、出力端子P、Q間の出力電圧■。
は、となる。
すなわち、第3図(こ示すような出力特性(縦軸は出力
電圧、横軸は光ビームの位置)が得られる。
電圧、横軸は光ビームの位置)が得られる。
光ビームの位置は最大S−0よりS=1まで変化し、S
=−を中心にして−Vsより+Vsまで直線的に変化す
る出力電圧が得られる。
=−を中心にして−Vsより+Vsまで直線的に変化す
る出力電圧が得られる。
即ち平衡型の光導電素子が得られたことになる。
本素子を駆動する時は、例えば光ビームがある点を中心
にして振動していれば、その点まで素子の基熟点(出力
電圧■。
にして振動していれば、その点まで素子の基熟点(出力
電圧■。
−0)を動かしてセットすることにより、光ビームの振
れは士の出力電圧で表現される。
れは士の出力電圧で表現される。
従って本発明による素子は光学的電位差計、光位置検知
器、光スィッチ等の用途の他に光振動の検知(こも用い
ることができる。
器、光スィッチ等の用途の他に光振動の検知(こも用い
ることができる。
第1図は従来の光導電素子、第2図は本発明1こよる平
衡型光導電素子、第3図は本発明(こよる素子の出力特
性を示している。 図中、1・・・・・・光導電膜、2・・・・・・抵抗膜
、3・・・・・・金属膜、4・・・・・・光ビーム、5
,6・・・・・・電極膜、O2P、Q、R,GND・・
・・・・夫々電極端子。
衡型光導電素子、第3図は本発明(こよる素子の出力特
性を示している。 図中、1・・・・・・光導電膜、2・・・・・・抵抗膜
、3・・・・・・金属膜、4・・・・・・光ビーム、5
,6・・・・・・電極膜、O2P、Q、R,GND・・
・・・・夫々電極端子。
Claims (1)
- 1 光導電膜の両側)(m抵抗膜と金属膜を平行1こ形
成した素子の両抵抗膜を直列にし、接続点を接地すると
ともをこ、光ビームにより画素子の光電膜を同時に照射
し、画素子の金属膜から出力を得ることを特徴とする平
衡型光導電素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51160634A JPS5853724B2 (ja) | 1976-12-29 | 1976-12-29 | 平衡型光導電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51160634A JPS5853724B2 (ja) | 1976-12-29 | 1976-12-29 | 平衡型光導電素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5384792A JPS5384792A (en) | 1978-07-26 |
| JPS5853724B2 true JPS5853724B2 (ja) | 1983-12-01 |
Family
ID=15719157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51160634A Expired JPS5853724B2 (ja) | 1976-12-29 | 1976-12-29 | 平衡型光導電素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5853724B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6169112U (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-12 |
-
1976
- 1976-12-29 JP JP51160634A patent/JPS5853724B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5384792A (en) | 1978-07-26 |
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