JPS6332305A - 光位置検出素子 - Google Patents
光位置検出素子Info
- Publication number
- JPS6332305A JPS6332305A JP61175108A JP17510886A JPS6332305A JP S6332305 A JPS6332305 A JP S6332305A JP 61175108 A JP61175108 A JP 61175108A JP 17510886 A JP17510886 A JP 17510886A JP S6332305 A JPS6332305 A JP S6332305A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical position
- resistance layer
- transparent resistance
- position detecting
- detecting element
- Prior art date
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- Granted
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Optical Transform (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光位置検出素子に関するものである。
（従来の技術）
従来入力される光位置検出素子としては例えば第４図に
示すようなものがある。同図に示されるようにこの光位
置検出素子はガラスから成る基板１の上に透明抵抗層３
を形成し、その上にｐｉｎ形太陽電池５を形成し、その
上に透明抵抗層７を形成し、さらにアルミニウムから成
る金属電極９゜１１を透明抵抗層３，７上に形成する。
示すようなものがある。同図に示されるようにこの光位
置検出素子はガラスから成る基板１の上に透明抵抗層３
を形成し、その上にｐｉｎ形太陽電池５を形成し、その
上に透明抵抗層７を形成し、さらにアルミニウムから成
る金属電極９゜１１を透明抵抗層３，７上に形成する。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながらこのような光位置検出素子ではｐｉｎ型太
陽電池５を有しておりこのｐｉｎ型太陽電池５は内部に
ｐ層とｎ層を有する３層構造であるので構造が複雑であ
り又、製造にも時間を要するという問題があった。
陽電池５を有しておりこのｐｉｎ型太陽電池５は内部に
ｐ層とｎ層を有する３層構造であるので構造が複雑であ
り又、製造にも時間を要するという問題があった。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものでその
目的とするところは構造が簡単な光位置検出素子を提供
することにある。
目的とするところは構造が簡単な光位置検出素子を提供
することにある。
（問題点を解決するための手段）
前記目的を達成するために本発明はアモルファスシリコ
ン真性半導体膜の上下面に少なくとも一方が透明抵抗層
からなる抵抗層をそれぞれ形成し、前記２つの抵抗層に
夫々電電を設けることを特徴とする。
ン真性半導体膜の上下面に少なくとも一方が透明抵抗層
からなる抵抗層をそれぞれ形成し、前記２つの抵抗層に
夫々電電を設けることを特徴とする。
（作用）
この光位置検出素子は２つの抵抗１の間にアモルファス
シリコン真性半導体膜を形成しておりこのアモルファス
シリコン真性半導体膜は一層であるので、この光位置検
出素子の構造が簡単となる。
シリコン真性半導体膜を形成しておりこのアモルファス
シリコン真性半導体膜は一層であるので、この光位置検
出素子の構造が簡単となる。
（実施例）
以下図面に基づいて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本実施例に係る光位置検出素子の形成過程を示
すもので形成中の光位置検出素子の平面図を示している
。第１図（ａ）に示すようにガラスから成る基板１上に
下面透明抵抗層３を形成する。次に第１図（ｂ）に示す
ようにこの上にアモルファスシリコン真性半導体膜１３
を形成する。
すもので形成中の光位置検出素子の平面図を示している
。第１図（ａ）に示すようにガラスから成る基板１上に
下面透明抵抗層３を形成する。次に第１図（ｂ）に示す
ようにこの上にアモルファスシリコン真性半導体膜１３
を形成する。
次に第１図（Ｃ）に示すように上面透明抵抗層７を形成
する。さらに第１図（ｄ）に示すように上面透明抵抗層
７及び下面透明抵抗層３に夫々電極１１ａ、１１ｂ、９
ａ、９ｂを形成する。
する。さらに第１図（ｄ）に示すように上面透明抵抗層
７及び下面透明抵抗層３に夫々電極１１ａ、１１ｂ、９
ａ、９ｂを形成する。
第２図はこの光位置検出素子の第１図（ｄ）のＡ−Ａに
よる断面図である。このようにして本実施例に係る光位
置検出素子が形成される。
よる断面図である。このようにして本実施例に係る光位
置検出素子が形成される。
従って本実施例によれば下面透明抵抗層３を上面透明抵
抗層７の間には一層のアモルファスシリコン真性半導体
膜１３を形成するだけでよく、従来のように三層のｐｉ
ｎ型太陽電池を用いることがなくなったので光位置検出
素子の構成を簡単にすることができ製造時間等の短縮を
図ることができる。
抗層７の間には一層のアモルファスシリコン真性半導体
膜１３を形成するだけでよく、従来のように三層のｐｉ
ｎ型太陽電池を用いることがなくなったので光位置検出
素子の構成を簡単にすることができ製造時間等の短縮を
図ることができる。
第３図はこの光位置検出素子による光点検出の原理を示
すものである。簡単のために同図においては上面透明抵
抗層７．アモルファスシリコン真性半導体膜１３．下面
透明抵抗層３は一体化しである。上面透明抵抗層７の電
極１１ａ、１１ｂには等しい正の電圧が加えられ下面透
明抵抗層３の電極９ａ、９ｂには等しい負の電圧が加え
られるか、あるいはアースされる。
すものである。簡単のために同図においては上面透明抵
抗層７．アモルファスシリコン真性半導体膜１３．下面
透明抵抗層３は一体化しである。上面透明抵抗層７の電
極１１ａ、１１ｂには等しい正の電圧が加えられ下面透
明抵抗層３の電極９ａ、９ｂには等しい負の電圧が加え
られるか、あるいはアースされる。
上面透明抵抗層７の点Ｂにスポット光が入射するとアモ
ルファスシリコン真性半導体膜１３の電気抵抗が下がり
電気伝導度が上がるので上面抵抗層７と下面透明抵抗層
３とが点Ｂを含む鉛直軸上でショート状態になる。この
鉛直軸が下面透明抵抗層を貴く点Ｃとする。
ルファスシリコン真性半導体膜１３の電気抵抗が下がり
電気伝導度が上がるので上面抵抗層７と下面透明抵抗層
３とが点Ｂを含む鉛直軸上でショート状態になる。この
鉛直軸が下面透明抵抗層を貴く点Ｃとする。
この結果電極１１ａ、１１ｂから上面透明抵抗層７上で
点Ａに向かって電流１１ が流れ込×１・ ×２ み下面透明抵抗層３上で点Ｃから電極９ａ、９ｂに向け
て電流ＩＩ が流れ出す。
点Ａに向かって電流１１ が流れ込×１・ ×２ み下面透明抵抗層３上で点Ｃから電極９ａ、９ｂに向け
て電流ＩＩ が流れ出す。
Ｖ１′Ｖ２
電流ＩＩ の比は電極１１ａ、１１ｂから×１° ｘ
２ 点Ｂに到るまでの抵抗値の逆比であるので次式が成立す
る。
２ 点Ｂに到るまでの抵抗値の逆比であるので次式が成立す
る。
Ｉ ｘ１／ Ｉ ｘ２＝ ｊ ／ ｋ 、、・−・
・（１）但しに、Ｉは電極１１ａ、’１１ｂから点已に
到るまでの距離を表わす。同様に下面透明抵抗層３上で
次式が成立する。
・（１）但しに、Ｉは電極１１ａ、’１１ｂから点已に
到るまでの距離を表わす。同様に下面透明抵抗層３上で
次式が成立する。
１．１／ Ｉ 、２＝ ｎ ／ ｍ −−・・・・
（２）但しｍ、ｎは電極９ａ、９ｂから点Ｃに到るまで
の距離表わす。
（２）但しｍ、ｎは電極９ａ、９ｂから点Ｃに到るまで
の距離表わす。
従って第（１）式及び第（２）式により電流ＩＩ！ Ｉ
ｘｌ。
ｘｌ。
Ｉ
ｘ２．ｙｌ、’ｙ２を測定することにより点ＢのＸ座標
及びｙ座標が検出される。なぜならに＋ｊは既知であり
ｍ＋ｎも既知であるからである。
及びｙ座標が検出される。なぜならに＋ｊは既知であり
ｍ＋ｎも既知であるからである。
なお入射光を透過させる必要がない場合は、入射表面と
なる抵抗層のみを透明抵抗層とすればよい。
なる抵抗層のみを透明抵抗層とすればよい。
〔発明の効果］
以上詳細に説明したように本発明によれば光位置検出素
子の構造を簡単にすることができ製造時間の短縮及び製
造コストの低減を図ることができる。
子の構造を簡単にすることができ製造時間の短縮及び製
造コストの低減を図ることができる。
第１図は本実施例に係る光位置検出素子の製造過程を示
す図であり、各過程における光位置検出素子の平面図で
ある。第２図はこの光位置検出素子の断面図、第３図は
光点検出の原理図、第４図は従来の光位置検出素子の断
面図である。 ３・・・下面透明抵抗層、７・・・上面透明抵抗層、９
ａ、９ｂ、１１ ａ、１ ｌｂ−・・電極、１３ ・・
・アモルファスシリコン真性半導体装置 第１図 １ｆｈ 第２図 第４図
す図であり、各過程における光位置検出素子の平面図で
ある。第２図はこの光位置検出素子の断面図、第３図は
光点検出の原理図、第４図は従来の光位置検出素子の断
面図である。 ３・・・下面透明抵抗層、７・・・上面透明抵抗層、９
ａ、９ｂ、１１ ａ、１ ｌｂ−・・電極、１３ ・・
・アモルファスシリコン真性半導体装置 第１図 １ｆｈ 第２図 第４図
Claims (1)
- アモルファスシリコン真性半導体膜の上下面に少なく
とも一方が透明抵抗層からなる抵抗層をそれぞれ形成し
、前記２つの抵抗層に夫々電極を設けることを特徴とす
る光位置検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17510886A JPH0820210B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 光位置検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17510886A JPH0820210B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 光位置検出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6332305A true JPS6332305A (ja) | 1988-02-12 |
| JPH0820210B2 JPH0820210B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=15990402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17510886A Expired - Lifetime JPH0820210B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 光位置検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0820210B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0219053A (ja) * | 1988-07-07 | 1990-01-23 | Sharp Corp | 自動ダイヤル装置 |
| JPH02135851A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電話装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61132812A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-20 | Nippon Denso Co Ltd | 変位検出装置 |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP17510886A patent/JPH0820210B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61132812A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-20 | Nippon Denso Co Ltd | 変位検出装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0219053A (ja) * | 1988-07-07 | 1990-01-23 | Sharp Corp | 自動ダイヤル装置 |
| JPH02135851A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電話装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0820210B2 (ja) | 1996-03-04 |
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