JPS587060B2 - マクノ ピンホ−ルケンテイホウホウ - Google Patents
マクノ ピンホ−ルケンテイホウホウInfo
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- JPS587060B2 JPS587060B2 JP2669975A JP2669975A JPS587060B2 JP S587060 B2 JPS587060 B2 JP S587060B2 JP 2669975 A JP2669975 A JP 2669975A JP 2669975 A JP2669975 A JP 2669975A JP S587060 B2 JPS587060 B2 JP S587060B2
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- pinhole
- silicon
- makuno
- kenteihouhou
- oxide film
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置製造過程でのシリコン酸化膜及びレ
ジスト膜のピンホールを検定する方法に関する。
ジスト膜のピンホールを検定する方法に関する。
本発明の目的は、簡易な方法でピンホール検定試料を作
製し且つ容易に膜のピンホールを識別することにある。
製し且つ容易に膜のピンホールを識別することにある。
半導体装置の生産工場では、膜のピンホール発生が半導
体装置の致命的欠陥となり、生産歩留りの低下をきたし
ている。
体装置の致命的欠陥となり、生産歩留りの低下をきたし
ている。
すなわち半導体装置のリーク現象による歩留り低下であ
る。
る。
膜のピンホールの中でもレジスト膜のそれがリーク現象
に一番起因しているものであるが、生産工場の中で、正
確な検定をしていないのが現状である。
に一番起因しているものであるが、生産工場の中で、正
確な検定をしていないのが現状である。
その最も大きな理由としては現在のピンホール検定方法
が非常に困難な事にある。
が非常に困難な事にある。
従来の膜のピンホール検定方法としては、電子顕微鏡で
検定する方法、また、リン、シリカ、ガラス（Ｐ，Ｓ，
Ｇ）を用いて検定する等の方法がある。
検定する方法、また、リン、シリカ、ガラス（Ｐ，Ｓ，
Ｇ）を用いて検定する等の方法がある。
しかし電子顕微鏡を用いて行なう方法は、まず装置を導
入するために、多額な投資を必要とする。
入するために、多額な投資を必要とする。
又試料作製及びその観察検定を行なうのには専門のオペ
レーターを置く必要があり、誰もが容易に行なう事は難
かしい。
レーターを置く必要があり、誰もが容易に行なう事は難
かしい。
Ｐ，Ｓ，Ｇ膜を利用して行なう方法は、これまた装置導
入に多額な投資を必要とし、又Ｐ，Ｓ，Ｇ膜の生成には
毒ガス（ホスフイン）を使用するため安全上好ましくな
い。
入に多額な投資を必要とし、又Ｐ，Ｓ，Ｇ膜の生成には
毒ガス（ホスフイン）を使用するため安全上好ましくな
い。
現在、企業の安全対策が問題になっている時期において
は大きな問題となる。
は大きな問題となる。
しかるに本発明はかかる欠点を全て除去したもので従来
の方法と比べ容易且つ安価でその上安全性にも優れてお
り、正確な膜のピンホール検定を行なう事ができる。
の方法と比べ容易且つ安価でその上安全性にも優れてお
り、正確な膜のピンホール検定を行なう事ができる。
ここで本発明である膜のピンホール検定方法を図を用い
ながら詳細に説明していく。
ながら詳細に説明していく。
第１図−（１）に於けるシリコン基板１を表面洗浄した
後熱酸化（１１００℃×４０分）により酸化させ第１図
−（２）の如くシリコン酸化膜２を約１０００Å成長さ
せるその後第１図−（３）の如くシリコン酸化膜２上に
検定すべきレジスト３を、レジストスピンナーにより塗
布する。
後熱酸化（１１００℃×４０分）により酸化させ第１図
−（２）の如くシリコン酸化膜２を約１０００Å成長さ
せるその後第１図−（３）の如くシリコン酸化膜２上に
検定すべきレジスト３を、レジストスピンナーにより塗
布する。
レジスト３が塗布された状態でホトエッチング工程を進
める。
める。
まずソフトベイキング、次に全面への露光を行ない、現
象、ハードベイキングを径てエッチング工程に入る。
象、ハードベイキングを径てエッチング工程に入る。
このエッチングは先のシリコン表面に成長させた酸化膜
厚を充分エッチング除去できる時間以上の浸漬を行なう
。
厚を充分エッチング除去できる時間以上の浸漬を行なう
。
かりにレジスト膜３にピンホールを含んでいた場合はこ
のエッチングにより酸化膜２にピンホールが発生する。
のエッチングにより酸化膜２にピンホールが発生する。
エッチング工程を終了後第１図一（４）の如く、レジス
ト３をはくリし酸化膜２だけの状態にする。
ト３をはくリし酸化膜２だけの状態にする。
その後第１図−（５）に示す如く酸化膜２上面にアルミ
（Ａｌ）４を真空蒸着する。
（Ａｌ）４を真空蒸着する。
真空蒸着後は５００°Ｃ以上でシンタリングを行なう。
このシンタリングが本発明の特徴きするアルミとシリコ
ンの共晶反応をさせる工程である。
ンの共晶反応をさせる工程である。
次に最終工程のアルミ４全面エッチングをリン酸を用い
て行ない第１図−（６）の状態にし、光学顕微鏡観察に
て検定を行なう。
て行ない第１図−（６）の状態にし、光学顕微鏡観察に
て検定を行なう。
第２図は検定レジスト３にピンホールがあった場合の断
面図である。
面図である。
シンタリングの際、アルミとシリコンの反応が酸化膜を
介して行なわれ共晶状態となるがこの物質はリン酸液で
エッチングされず酸化膜上に反応痕５となって表われる
。
介して行なわれ共晶状態となるがこの物質はリン酸液で
エッチングされず酸化膜上に反応痕５となって表われる
。
この反応痕５は実際のピンホールの穴径より拡大されて
表われるため、光学顕微鏡で容易に識別できることにな
る。
表われるため、光学顕微鏡で容易に識別できることにな
る。
尚、本実施例ではレジスト膜のピンホール検定を用い説
明したが、その他シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、等
の絶縁膜についても何ら変ることなく検定することがで
きる。
明したが、その他シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、等
の絶縁膜についても何ら変ることなく検定することがで
きる。
以上説明した如く本発明は現有の半導体製造設備を用い
、誰でもが簡単に行えるため、量産工場の検定方法とし
ては最良の方法である。
、誰でもが簡単に行えるため、量産工場の検定方法とし
ては最良の方法である。
付言すれば本発明は正確且つ容易且つ安全に行なえる膜
のピンホール検定方法を広く世に提供するものである。
のピンホール検定方法を広く世に提供するものである。
第１図はピンホール検定方法の工程断面図である。
Claims (1)
- １ シリコン基板を用いた半導体装置に於いて、該半導
体装置製造過程でのシリコン基板上に生成する絶縁膜及
びフォトエッチング工程でのレジスト膜等の膜のピンホ
ール検定の際、シリコンとアルミ（Ａｌ）の共晶反応を
用いて検定することを特徴とした膜のピンホール検定方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2669975A JPS587060B2 (ja) | 1975-03-04 | 1975-03-04 | マクノ ピンホ−ルケンテイホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2669975A JPS587060B2 (ja) | 1975-03-04 | 1975-03-04 | マクノ ピンホ−ルケンテイホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51101471A JPS51101471A (en) | 1976-09-07 |
| JPS587060B2 true JPS587060B2 (ja) | 1983-02-08 |
Family
ID=12200624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2669975A Expired JPS587060B2 (ja) | 1975-03-04 | 1975-03-04 | マクノ ピンホ−ルケンテイホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS587060B2 (ja) |
-
1975
- 1975-03-04 JP JP2669975A patent/JPS587060B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51101471A (en) | 1976-09-07 |
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