JPS5854652A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5854652A JPS5854652A JP56154192A JP15419281A JPS5854652A JP S5854652 A JPS5854652 A JP S5854652A JP 56154192 A JP56154192 A JP 56154192A JP 15419281 A JP15419281 A JP 15419281A JP S5854652 A JPS5854652 A JP S5854652A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- solder
- back surface
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P54/00—Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、裏面に半田層を有する半導体装置の製造方
法に関する。
法に関する。
一般に、トランジスタ等の半導体装置は、加熱したステ
ムあるいはリードフレーム等の放熱板上に半田片を供給
してこの半田片を溶融せしめておき、溶融半田トに裏面
にオーミック金属層を有する半導体ペレットを載置して
、この半導体ペレットを半田層を介して放熱板に固着し
て製造されている。ところで、このように半田片を溶融
してから半導体ペレットを供給する方法は、溶融した半
田層の表面に酸化膜等が形成されて、単に溶融半田層上
に半導体ペレットを供給するのみでは、半導体ペレット
と放熱板との固着が不完全になる。
ムあるいはリードフレーム等の放熱板上に半田片を供給
してこの半田片を溶融せしめておき、溶融半田トに裏面
にオーミック金属層を有する半導体ペレットを載置して
、この半導体ペレットを半田層を介して放熱板に固着し
て製造されている。ところで、このように半田片を溶融
してから半導体ペレットを供給する方法は、溶融した半
田層の表面に酸化膜等が形成されて、単に溶融半田層上
に半導体ペレットを供給するのみでは、半導体ペレット
と放熱板との固着が不完全になる。
このため、従来はスクラブと称して半導体ペレットを溶
融半田層上に載置したのち？〜３回回動動作を与えたり
、あるいけ半導体ペレットを供給する直前に溶融半田層
の表面を引掻俸で引掻いて・酸化膜等を除去するように
している。しかＬながら、このような方法では半導体ベ
レット固着工程に時間がかかり、量産上問題があった。
融半田層上に載置したのち？〜３回回動動作を与えたり
、あるいけ半導体ペレットを供給する直前に溶融半田層
の表面を引掻俸で引掻いて・酸化膜等を除去するように
している。しかＬながら、このような方法では半導体ベ
レット固着工程に時間がかかり、量産上問題があった。
そこで、最近半導体ベレットの裏面に予備半田層を形成
しておき、この半導体ペレットをその裏面を下側に向け
て加熱された放熱板上に供給して、前記半導体ペレット
によるスクラブ動作または引Ｊ棒による引掻き動作なし
に半導体ペレットを放＾板に固着する方法が提案されて
いる。
しておき、この半導体ペレットをその裏面を下側に向け
て加熱された放熱板上に供給して、前記半導体ペレット
によるスクラブ動作または引Ｊ棒による引掻き動作なし
に半導体ペレットを放＾板に固着する方法が提案されて
いる。
上記のような裏面に半田層を有する半導体ペレットを製
造する場合、予め半導体ウェーへの裏面全面に半田層を
形成し又おくと、これを個々の半導体ペレットに切断分
離するのは容易でない。何故なら、半導体ウェーハを薄
いブレードを用いて完全切断しようとする場合、半導体
ウェーハの裏面全面に半田層を形成しておくと、半田層
は軟らかいのと、表面電極に比較し１相当に厚いため、
ブレードが目詰りし、切断が不可能ないし著しく困鑓に
なるからである。一方、″半導体ウェーへの表面側から
半導体ウェーへの厚さの中途まで溝を形成したのち、半
導体ウェー八に撓屈力を作用させて半導体ペレットを製
造しようとする場合は、軟らかくてしかも厚い半田層が
うまく切断できず、半導体ペレット同士が半田層を介し
て連結した。
造する場合、予め半導体ウェーへの裏面全面に半田層を
形成し又おくと、これを個々の半導体ペレットに切断分
離するのは容易でない。何故なら、半導体ウェーハを薄
いブレードを用いて完全切断しようとする場合、半導体
ウェーハの裏面全面に半田層を形成しておくと、半田層
は軟らかいのと、表面電極に比較し１相当に厚いため、
ブレードが目詰りし、切断が不可能ないし著しく困鑓に
なるからである。一方、″半導体ウェーへの表面側から
半導体ウェーへの厚さの中途まで溝を形成したのち、半
導体ウェー八に撓屈力を作用させて半導体ペレットを製
造しようとする場合は、軟らかくてしかも厚い半田層が
うまく切断できず、半導体ペレット同士が半田層を介し
て連結した。
いわゆるアベック不良を生じるからである。
そｎゆえに、この発明の主たる目的は、裏面に半田層を
有する半導体ペレットを能率良く製造する方法を提供す
ることである。
有する半導体ペレットを能率良く製造する方法を提供す
ることである。
この発明を要約すると、半導体ウェーへの裏面の各半導
体素子に切断分離する線に沿ってフォトレジスト膜を形
成したのち、このフォトレジスト膜上を含む半導体ウェ
ーへの裏面全面にオーミック金属層を形成し、このオー
ミック金属層の上に半田ペースト層を形成し、半導体ウ
ェーハを加熱して前記半田ペースト層を加熱溶融して半
田層を形成してから、半導体ウェーハを前記線に沿って
切断分離して半導体ペレットを得るようにしたことを特
徴とするものである。
体素子に切断分離する線に沿ってフォトレジスト膜を形
成したのち、このフォトレジスト膜上を含む半導体ウェ
ーへの裏面全面にオーミック金属層を形成し、このオー
ミック金属層の上に半田ペースト層を形成し、半導体ウ
ェーハを加熱して前記半田ペースト層を加熱溶融して半
田層を形成してから、半導体ウェーハを前記線に沿って
切断分離して半導体ペレットを得るようにしたことを特
徴とするものである。
以Ｆ１この発明の一実施例を図面により説明する。まず
、第１図に示すように、多数の半導体素子２を形成した
半導体ウェーハｌを用意し、その表面１ａの各半導体素
子２，２間の切断分離予定機の一部にレーザービームを
照射して裏面１ｂに達する貫通孔３を設け、この貫通孔
３を基準にして裏面１ ｂ４ｍの切断予定梅を割り出し
１この切断予定線に沿ってフォトレジスト膜４を格子状
に形成する。このフォトレジスト膜４はスクリーン印刷
法等によって直接格子状に形成してもよいし、周知のよ
うに半導体ウェー八ｌの裏面１ｂの全面にフォトレジス
ト膜を形成したのち、露光および現像処理によって格子
状にフォトレジスト膜４を一存せしめて形成してもよい
。次に第２図に示すように、この半導体ウェー八１の裏
面１ｂの全面にオーミック金属層５を形成する。このオ
ーミツ゛り金属層５は従来と同様のものでよく、例えば
クロム、ニラクル＋ ｍ ｌ銀を順次蒸着して形成する
ことができる。こののち、第３図に示すように１半導体
ウェーハｌの裏面１ｂの全面に半田ペーストをスクリー
ン印刷等により均一の厚さに塗布して半田ペースト層６
を形成する。次■で、この半導体ウェーハｌを半田ペー
スト層６の溶融温度。
、第１図に示すように、多数の半導体素子２を形成した
半導体ウェーハｌを用意し、その表面１ａの各半導体素
子２，２間の切断分離予定機の一部にレーザービームを
照射して裏面１ｂに達する貫通孔３を設け、この貫通孔
３を基準にして裏面１ ｂ４ｍの切断予定梅を割り出し
１この切断予定線に沿ってフォトレジスト膜４を格子状
に形成する。このフォトレジスト膜４はスクリーン印刷
法等によって直接格子状に形成してもよいし、周知のよ
うに半導体ウェー八ｌの裏面１ｂの全面にフォトレジス
ト膜を形成したのち、露光および現像処理によって格子
状にフォトレジスト膜４を一存せしめて形成してもよい
。次に第２図に示すように、この半導体ウェー八１の裏
面１ｂの全面にオーミック金属層５を形成する。このオ
ーミツ゛り金属層５は従来と同様のものでよく、例えば
クロム、ニラクル＋ ｍ ｌ銀を順次蒸着して形成する
ことができる。こののち、第３図に示すように１半導体
ウェーハｌの裏面１ｂの全面に半田ペーストをスクリー
ン印刷等により均一の厚さに塗布して半田ペースト層６
を形成する。次■で、この半導体ウェーハｌを半田ペー
スト層６の溶融温度。
例えば３５０℃程度で加熱して、半田ペースト層６を溶
融しバインダ成分を焼失せしめて、第４ｖ！１に示すよ
うに、半田層７を形成する。このとき、前記加熱温度に
よつぞフォトレジスト膜番が焼失して、その上のオーミ
ック金属層５４１消失してしまい半導体ウェー７１１の
シリコン素地カミ露出するので、溶融半田がシリコン素
地に対し又は濡れないこと、およびオーミック金属層６
上の溶融半田の凝集力によって、溶融半田がオーミック
金属層５上にのみ凝集する結果、そのま−冷却すると、
半田層７はオーミック金属層５上にのみに島状に。
融しバインダ成分を焼失せしめて、第４ｖ！１に示すよ
うに、半田層７を形成する。このとき、前記加熱温度に
よつぞフォトレジスト膜番が焼失して、その上のオーミ
ック金属層５４１消失してしまい半導体ウェー７１１の
シリコン素地カミ露出するので、溶融半田がシリコン素
地に対し又は濡れないこと、およびオーミック金属層６
上の溶融半田の凝集力によって、溶融半田がオーミック
金属層５上にのみ凝集する結果、そのま−冷却すると、
半田層７はオーミック金属層５上にのみに島状に。
−ｒなわち各半導体素子２の形状にしたカミって独立状
に形成され、切断予定線上にはオーミック金属層５およ
び半田層７がない米導体つェー／％１力監得られる。最
後に、この半導体ウヱーノ１１を切断予定騨の中心、す
なわち第４図の−・点鎖線位置カミら切断分離すると、
第５図に示すような、裏面に半田層７を有する半導体ペ
レット２ａ力；得られる。
に形成され、切断予定線上にはオーミック金属層５およ
び半田層７がない米導体つェー／％１力監得られる。最
後に、この半導体ウヱーノ１１を切断予定騨の中心、す
なわち第４図の−・点鎖線位置カミら切断分離すると、
第５図に示すような、裏面に半田層７を有する半導体ペ
レット２ａ力；得られる。
このとき１半導体ウエーノ箋１の切断予定線上にオーミ
ック金属層５および半田層７カ；存在しないので、ダイ
シングブレードにより半導体ウエーノ１１を完全に切断
するにしても、半田層７を切断する場合ノｊ−うなダイ
シングブレードの目詰りの問題を生じないで極めて容易
に切断できるし、あるいは半導体ウェーハｌの厚さの中
途までの溝を形成したのち半導体ウェーハｌに撓屈力を
作用させて前記溝部分から切断するにしても、軟い半田
層７によって半導体ベレン）２ａ同士が連結する。いわ
ゆるアベック不良も皆無となる。
ック金属層５および半田層７カ；存在しないので、ダイ
シングブレードにより半導体ウエーノ１１を完全に切断
するにしても、半田層７を切断する場合ノｊ−うなダイ
シングブレードの目詰りの問題を生じないで極めて容易
に切断できるし、あるいは半導体ウェーハｌの厚さの中
途までの溝を形成したのち半導体ウェーハｌに撓屈力を
作用させて前記溝部分から切断するにしても、軟い半田
層７によって半導体ベレン）２ａ同士が連結する。いわ
ゆるアベック不良も皆無となる。
なお、上記実施例においては、半導体ウェーハ１の裏面
１ｂのオーミック金属層５上全面に半田ペースト層６を
形成する場合について説明したが（第３図参照）、この
ようにすれば半田ペースト層６を形成する際に、目合せ
作業が不要になる利点がある。ただし、もし必要ならば
、目合せを行なって半田ペーストをフォトレジスト膜４
の上部分を除いて塗布して１島状の半田レジスト層６を
形成するようにしてもよい。
１ｂのオーミック金属層５上全面に半田ペースト層６を
形成する場合について説明したが（第３図参照）、この
ようにすれば半田ペースト層６を形成する際に、目合せ
作業が不要になる利点がある。ただし、もし必要ならば
、目合せを行なって半田ペーストをフォトレジスト膜４
の上部分を除いて塗布して１島状の半田レジスト層６を
形成するようにしてもよい。
この発明は以りのように、多数の半導体素子を形成した
半導体ウエーノ１の裏面のＬ記各半導体素子に切断分離
する線に沿ってフォトレジスト膜を形成°す為工程と、
この半導体ウェーへの前記フォトレジスト膜上を含む裏
面全面にオーミック金属層を形成する工程と、前記オー
ミック金属層の上に半田ペースト層を形成する工程と、
半導体ウェーハを加熱して前記半田ペースト層を溶融し
て半田層を形成する工程と、半導体ウエーノ１を前記線
に沿って切断分離して半導体ペレットを得る工程とを含
むから、裏面に半田層を有する半導体ペレットを容易に
製造できるという効果を奏する。
半導体ウエーノ１の裏面のＬ記各半導体素子に切断分離
する線に沿ってフォトレジスト膜を形成°す為工程と、
この半導体ウェーへの前記フォトレジスト膜上を含む裏
面全面にオーミック金属層を形成する工程と、前記オー
ミック金属層の上に半田ペースト層を形成する工程と、
半導体ウェーハを加熱して前記半田ペースト層を溶融し
て半田層を形成する工程と、半導体ウエーノ１を前記線
に沿って切断分離して半導体ペレットを得る工程とを含
むから、裏面に半田層を有する半導体ペレットを容易に
製造できるという効果を奏する。
第１（２）ないし第６図はこの発明の一実施例を説明す
るための各段階における半導体ウエーノ１ないし半導体
ペレットの断面図である。 １・・・・・・半導体ウェーハ、 １ｂ・・・・・・裏面、 ２・・・・・・半導体素子１ ４・・・・・・フォトレジスト膜、 ５・・・・・・オーミック金属層、 ６０．９１１．半田ペースト層、 ヴ・・・・・・半田層。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 ａ ノ
るための各段階における半導体ウエーノ１ないし半導体
ペレットの断面図である。 １・・・・・・半導体ウェーハ、 １ｂ・・・・・・裏面、 ２・・・・・・半導体素子１ ４・・・・・・フォトレジスト膜、 ５・・・・・・オーミック金属層、 ６０．９１１．半田ペースト層、 ヴ・・・・・・半田層。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 ａ ノ
Claims (1)
- 多数の半導体素子を形成した半導体ウエーノ＼の裏面の
上記各半導体素子に切断分離する線に沿ってフォトレジ
スト膜を形成する工程と、この半導体ウェーへの前記フ
オトレジス）Ｍｌ上を含む裏面にオーミック金属層を形
成する工程と、前記オーミック金属層の上に半田ペース
ト層を形成する工程′と、半導体ウエーノ・を加熱して
前記半田ペースト層を溶融して半田層を形成する工程と
、半導体ウェーハｔ−ｍ配線に沿って切断分離し又半導
体ベレットを得る工程とを含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154192A JPS5854652A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154192A JPS5854652A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5854652A true JPS5854652A (ja) | 1983-03-31 |
Family
ID=15578843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56154192A Pending JPS5854652A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5854652A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03234033A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-18 | Rohm Co Ltd | Ｄｈｄ型ダイオードの製造方法 |
| JP2013157343A (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-15 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ処理方法及びシステム |
-
1981
- 1981-09-28 JP JP56154192A patent/JPS5854652A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03234033A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-18 | Rohm Co Ltd | Ｄｈｄ型ダイオードの製造方法 |
| JP2013157343A (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-15 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ処理方法及びシステム |
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