JPS607139A - ボンデイング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体チップ（以下チップと称す）のボンデ
ィングバット（以下パッドと称す）と基板電極（以下リ
ードと称す）を接続するボンディング方法に関するもの
である。

従来例の構成とその問題点 従来のボンディング方法は第１図に具体例を示すように
、３ｉ、Ｇｅ等のチ、ノブ１に素子間を接続し、外部へ
導出するだめのアルミニウム膜で形成された所望形状の
パッド２を設け、更にとの＜ン２　・　− ド２とチンプ１の表面を低温で形成されたＣＶＤＳｉ○
２　膜３で覆い、前記パッド２の伺近のみをウェットエ
ツチングあるいはドライエツチングにより開孔し１次い
で例えばＣｒ、Ｃｕから成る２層膜４を真空蒸着法によ
り被着し、パッド２の部分のみ残し他を除去する。次い
で感光性樹脂等を用いて１０〜１５μ７７Ｉの高さにＡ
ｕ、半田等の金属を電着せしめ、バンプ５を形成させる
。一方リード６はポリイミドを補強材としてＣｕ箔Ｔ上
にＳｎ又はＡｕ　メッキ層８を形成したもので、このリ
ード６の図示せざる一方の端部は他の電子回路に接続さ
れるものとする。上述のバンプ５とリード６とを熱圧着
等の方法によりボンディングしていた。

しかしながら上記のような方法では、チップ上にバンプ
を形成する工程において、バンプの形成速度が小さく、
所定の厚さのバンプを形成するのにかなりの時間を要し
、工程時間が長くなる。またチップが長時間にわたり加
熱、エツチングその他バンプ形成のための各種工程を経
ることにより、３゜ チップの性能に悪影響が及ぶという欠点を有していた。

発明の目的 本発明は上記欠点に鑑み、工程時間を短縮し。

寸たチップの性能劣化が少ないボンディング方法を提供
するものである。

発明の構成 本発明は、バンプをリード−Ｈの所定位置に形成し、リ
ートにのバンプブにチンツブをボンディングすることか
ら構成されており、バンプ形成工程をボンディング工程
と別ラインに設け、バンプ形成をボンディング工程と並
行して行うことにより、工程時間を短縮でき、斗た加熱
、エツチングその他バンブ形成の各種工程はリードに対
して行われるだめ、チップがボンディング工程を経るこ
とにより発生するチップの性能劣化が少ないという特有
の効果を有する。

実施例の説明 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。

第２図は本発明の一実施例におけるボンディング方法の
工程順を示すものである。

（ａ）　Ｓｉ基板９上のチタン・パラジウム膜１０」二
に形成されたＡｕバンプ１１をリード１２に熱圧着工具
１３により熱圧着する。

（ｂｌ）　Ａｕバンプ１１をリード１２に転写する。

（ｃ）Ｓｉチップ１３のパッド１４を上記Ａｕバンプ１
１の上方に移送する。

（ｄ）　Ｓｉ　チップ１３上のバント１４を上記バンプ
１１にボンディングする。

以上のように本実施例によれば、バンプをチ。

プ上でなくリード上に形成することにより、工程時間を
短縮でき、捷たチップの性能劣化が少ない。

発明の効果 以」二のように本発明は、バンプ材料とリード材料との
結合力よりもバンプ材料との結合力の弱い材料の上に形
成したバンプをリードに転写し、前記リードをチップに
ボンディングすることにより。

工程時間を短縮し、またチップの性能劣化を少なくする
のに有効であり、その実用的効果は犬なる６／、　− ものがある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のボンディング装置の断面図、第２図（ａ
）〜（ｄ）は本発明の一実施例におけるボンディング装
置の各工程における断面図である。 １．１３　・・チップ、２，１４・・・・パッド、５．
１１　・　・バンプ、６．１２・・・・・ＩＪ　−ト。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. バンプ材料と基板電極材料との結合力よりもバンプ材料
   との結合力の弱い材料の」二に形成し７たバンプを基板
   電極に転写し、基板電極上の前記バンプに半導体チップ
   をボンディングするボンディング方法。