JPS5854687A - 非晶質半導体受光装置 - Google Patents
非晶質半導体受光装置Info
- Publication number
- JPS5854687A JPS5854687A JP56154443A JP15444381A JPS5854687A JP S5854687 A JPS5854687 A JP S5854687A JP 56154443 A JP56154443 A JP 56154443A JP 15444381 A JP15444381 A JP 15444381A JP S5854687 A JPS5854687 A JP S5854687A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- amorphous semiconductor
- amorphous
- receiving element
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/103—Integrated devices the at least one element covered by H10F30/00 having potential barriers, e.g. integrated devices comprising photodiodes or phototransistors
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非晶質半導体受光装置に関する。
光を電気的に検出する受光装置、 １Ｗｒｌ１党センナ
がオプトエレクトロニクス技術の利用が活発に１にるに
りれ、＃方面に需要が拡大してｉる。従来この線受光装
置は単結晶シリコンから成る半導体基板にＰＩ接合若し
くはＰＩＮ接合を拡散形成せしめて一九が、近年低価格
の太−電池を実現するものとして（水素化］非晶質ｖ９
コン、非晶質ＶヲコンオーパイＦ１弗素化非晶貿νツコ
ン等の非晶いる。
がオプトエレクトロニクス技術の利用が活発に１にるに
りれ、＃方面に需要が拡大してｉる。従来この線受光装
置は単結晶シリコンから成る半導体基板にＰＩ接合若し
くはＰＩＮ接合を拡散形成せしめて一九が、近年低価格
の太−電池を実現するものとして（水素化］非晶質ｖ９
コン、非晶質ＶヲコンオーパイＦ１弗素化非晶貿νツコ
ン等の非晶いる。
本Ｗ上記非晶質半導体を具えると共に、同−墨板表一に
一路累子な組込んだ非晶質半導体受光１図に於ける＾−
Ａ′橡断面図、第！―は等価−路図であって、（１）唸
ガラス・アクタル樹脂等耐熱性絶縁材料から成る透光性
基板、（２）は透光性電極膜（３Ｊ、ＪＦ−晶質半導体
膜（彎及び裏面電極膜（５）の三層構造から成る受光素
子、（６）は上記受光素子（２）と同徐非晶質半導体壊
（７）を具えた上記ダイオード素子で、鈑ダイオード素
子１６）は上記非晶質半導体膜（７Ｊと、譲非晶質半導
体護（７）の表裏両面に設けられた１ルｌニクム、Ｊｌ
◆光照射を遮光Ｔる第１・第２の嶋電躾（８）（９Ｊと
、から成２ている。ＩＩｍは上記第１の４Ｉ４ＥＩＩ（
８）と受光素子（２ｊの透光性電極膜（３）とを結、３
Ｃ′導電路１１１’ＰＫ−＃在せしめられ比抵抗素子で
。
一路累子な組込んだ非晶質半導体受光１図に於ける＾−
Ａ′橡断面図、第！―は等価−路図であって、（１）唸
ガラス・アクタル樹脂等耐熱性絶縁材料から成る透光性
基板、（２）は透光性電極膜（３Ｊ、ＪＦ−晶質半導体
膜（彎及び裏面電極膜（５）の三層構造から成る受光素
子、（６）は上記受光素子（２）と同徐非晶質半導体壊
（７）を具えた上記ダイオード素子で、鈑ダイオード素
子１６）は上記非晶質半導体膜（７Ｊと、譲非晶質半導
体護（７）の表裏両面に設けられた１ルｌニクム、Ｊｌ
◆光照射を遮光Ｔる第１・第２の嶋電躾（８）（９Ｊと
、から成２ている。ＩＩｍは上記第１の４Ｉ４ＥＩＩ（
８）と受光素子（２ｊの透光性電極膜（３）とを結、３
Ｃ′導電路１１１’ＰＫ−＃在せしめられ比抵抗素子で
。
抵抗体ペーストをスクヲーシ印刷後焼成によシ形成され
る・ｌは上記ダイオード素子（６ｊを遮光封止・する遮
光体で１例えばカーポンプフックｋａ入し九シリコンＩ
Ｉｌ鮨が用いられる。青、上記受光素子（２Ｊ、抵抗素
子間、ダイオード素子（６）は直列関係になるぺ（結線
されておＪＰ、各素子（２）（１＠ １６３の両噛には
外部配線用のターはルｔａｉｔｉｔａｉ（ｆＡが設けら
れている。
る・ｌは上記ダイオード素子（６ｊを遮光封止・する遮
光体で１例えばカーポンプフックｋａ入し九シリコンＩ
Ｉｌ鮨が用いられる。青、上記受光素子（２Ｊ、抵抗素
子間、ダイオード素子（６）は直列関係になるぺ（結線
されておＪＰ、各素子（２）（１＠ １６３の両噛には
外部配線用のターはルｔａｉｔｉｔａｉ（ｆＡが設けら
れている。
上ε受光素子（２Ｊ及びダイオード素子＋６Ｊの主要部
を構成Ｔる非晶質半導体＠（４バフＪは鴫知の如（反応
ガス雰囲気中でのプラズマ反応にょシ形成１ｆ１６゜例
えば水素化非晶質νヲコンにありては、Ｆｒ１Ｉ形状に
透光性電極ＩＩ （３）及び第１の導電膜（８）が設け
られ九透光性１板（１）を、モノＶランｉｌｉｆｉｍと
ジボランｌａｍｓとの混合ガス雰囲中の対向電極１１に
配置し、該電極間に高縄波電界を印加Ｔることにょ如プ
ラズマ１ｉ応を生起せし袷瑞光性１板（１）表面にｔ型
層が形成される０次いで１１Ｈｍガスのみのプラズマ反
応にょジノンドープ（［ン層が、ｊ！にフォスフインＰ
ｍｓガスを添加することによＩＩＩ！層が順次堆積され
、ｔクロンオーダ着しくはそれ以下のＰｘｌ接合型水素
化非晶質シリコンを形成Ｔることができる。また光学的
禁止帯幅等を可ＩＲＴるＣとＩｋ−目約として、ＰＷｉ
ｉＫメタンＣＩＡガスに添加し非晶質シリコンカーバイ
ドな、同―に適亘の層に＃素ｒ１ガス ＊素Ｏ−ガス、
アンモニア１１１ｍガスｔ’添加することによりて、櫨
々の非晶質νシコンを主構成要素とする非晶質半導体ａ
ｌｌ（４）Ｐ工薦接合型水素化非晶質νヲコンを受光素
子韓）に適用した場合の最適−を実験的に求めたところ
。
を構成Ｔる非晶質半導体＠（４バフＪは鴫知の如（反応
ガス雰囲気中でのプラズマ反応にょシ形成１ｆ１６゜例
えば水素化非晶質νヲコンにありては、Ｆｒ１Ｉ形状に
透光性電極ＩＩ （３）及び第１の導電膜（８）が設け
られ九透光性１板（１）を、モノＶランｉｌｉｆｉｍと
ジボランｌａｍｓとの混合ガス雰囲中の対向電極１１に
配置し、該電極間に高縄波電界を印加Ｔることにょ如プ
ラズマ１ｉ応を生起せし袷瑞光性１板（１）表面にｔ型
層が形成される０次いで１１Ｈｍガスのみのプラズマ反
応にょジノンドープ（［ン層が、ｊ！にフォスフインＰ
ｍｓガスを添加することによＩＩＩ！層が順次堆積され
、ｔクロンオーダ着しくはそれ以下のＰｘｌ接合型水素
化非晶質シリコンを形成Ｔることができる。また光学的
禁止帯幅等を可ＩＲＴるＣとＩｋ−目約として、ＰＷｉ
ｉＫメタンＣＩＡガスに添加し非晶質シリコンカーバイ
ドな、同―に適亘の層に＃素ｒ１ガス ＊素Ｏ−ガス、
アンモニア１１１ｍガスｔ’添加することによりて、櫨
々の非晶質νシコンを主構成要素とする非晶質半導体ａ
ｌｌ（４）Ｐ工薦接合型水素化非晶質νヲコンを受光素
子韓）に適用した場合の最適−を実験的に求めたところ
。
Ｐ型層５０〜５００ム、Ｉ型層２０００ム〜１０声ｓｍ
、 履型層５０〜５００ムとの結ＭＡを得た。卸も受
光素子（：ａＪｋｉＬ応答周波数が烏（、暗電流が小さ
ｉことが要求される。上記応答周波数は受光素子（２）
の容置に反比例する為に８量を決定する各層の厚みは極
めて直装である。その意味では上記厚みは小さいことが
望ましいが、光竜流、暗電流の関係から上述む受光素子
（２）を形成するに不可決な透光性基板（１）よに例り
は上記実施例の如きダイオード素子１６）及び抵抗素子
−等のＩＩＡｗＩ素子な設けえ点にある。断る抵抗素子
菌はダイオード素子１６Ｊ、受光素子（２）と共゛に直
列１路を構成し、受光素子（２）が朧射光に応じて誘起
し走光電流を検出して−る。
、 履型層５０〜５００ムとの結ＭＡを得た。卸も受
光素子（：ａＪｋｉＬ応答周波数が烏（、暗電流が小さ
ｉことが要求される。上記応答周波数は受光素子（２）
の容置に反比例する為に８量を決定する各層の厚みは極
めて直装である。その意味では上記厚みは小さいことが
望ましいが、光竜流、暗電流の関係から上述む受光素子
（２）を形成するに不可決な透光性基板（１）よに例り
は上記実施例の如きダイオード素子１６）及び抵抗素子
−等のＩＩＡｗＩ素子な設けえ点にある。断る抵抗素子
菌はダイオード素子１６Ｊ、受光素子（２）と共゛に直
列１路を構成し、受光素子（２）が朧射光に応じて誘起
し走光電流を検出して−る。
陶１以上の脆＃４に於−ては回路素子として非晶質半導
体ＩＩＩＩＩ（７Ｊを具えたダイオード素子Ｃ６）、抵
抗素子ＷＡ＆用いえか、受光素子（鋤の崗辺−１１％−
コンデ・ 適用すれに良い。特に、非晶負半導体は受
光素子（２）の形成と同時に製造することができ作業性
に富む・ また、ｊ１党性基板（１）の−土面に上述の如き受光素
子（２）、 ＆ｇｌｔｉ素子を形成し、他の生血に発光
ダイオード、半導体シーザ等抛光素子を配置せしめて半
導体を含む受光素子な透光性基板上に形成すると共に、
該透光性基板に他の一路素子をも直接配置せしめたので
、必要不可決な安価な透光性基板を有効に利用すること
ができ受光素子の周辺−賜を安価且つ容Ｊ６に集積化Ｔ
る仁とができる。
体ＩＩＩＩＩ（７Ｊを具えたダイオード素子Ｃ６）、抵
抗素子ＷＡ＆用いえか、受光素子（鋤の崗辺−１１％−
コンデ・ 適用すれに良い。特に、非晶負半導体は受
光素子（２）の形成と同時に製造することができ作業性
に富む・ また、ｊ１党性基板（１）の−土面に上述の如き受光素
子（２）、 ＆ｇｌｔｉ素子を形成し、他の生血に発光
ダイオード、半導体シーザ等抛光素子を配置せしめて半
導体を含む受光素子な透光性基板上に形成すると共に、
該透光性基板に他の一路素子をも直接配置せしめたので
、必要不可決な安価な透光性基板を有効に利用すること
ができ受光素子の周辺−賜を安価且つ容Ｊ６に集積化Ｔ
る仁とができる。
図は本発明受光装置の一実施例を示し、第１図は正面図
、第２図は第１図に於けるムーム′繍断幽図、第３図は
等価回路図でありて、（１）は透光性基板、（２）は受
光素子、（４バフＪは非晶質半導体験、１６）はダイオ
ード素子、１１０は抵抗素子、を大々示している・
、第２図は第１図に於けるムーム′繍断幽図、第３図は
等価回路図でありて、（１）は透光性基板、（２）は受
光素子、（４バフＪは非晶質半導体験、１６）はダイオ
ード素子、１１０は抵抗素子、を大々示している・
Claims (1)
- （１３ｊｉ光性基板上に卑晶貿半導体を含む受光素子と
、該受光素子と電気ｔ１３Ｋｍ１にり九回路素子とを形
成せしめたＣとを特徴とする非晶質半導体受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154443A JPS5854687A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 非晶質半導体受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154443A JPS5854687A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 非晶質半導体受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5854687A true JPS5854687A (ja) | 1983-03-31 |
Family
ID=15584310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56154443A Pending JPS5854687A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | 非晶質半導体受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5854687A (ja) |
-
1981
- 1981-09-28 JP JP56154443A patent/JPS5854687A/ja active Pending
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