JPS5854728A - バイポ−ラトランジスタによるモノリシツク集積d/aコンバ−タ - Google Patents

バイポ−ラトランジスタによるモノリシツク集積d/aコンバ−タ

Info

Publication number
JPS5854728A
JPS5854728A JP57157969A JP15796982A JPS5854728A JP S5854728 A JPS5854728 A JP S5854728A JP 57157969 A JP57157969 A JP 57157969A JP 15796982 A JP15796982 A JP 15796982A JP S5854728 A JPS5854728 A JP S5854728A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
converter
pair
transistors
current source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57157969A
Other languages
English (en)
Inventor
マンフレツド・ランク
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Micronas GmbH
ITT Inc
Original Assignee
Deutsche ITT Industries GmbH
ITT Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Deutsche ITT Industries GmbH, ITT Industries Inc filed Critical Deutsche ITT Industries GmbH
Publication of JPS5854728A publication Critical patent/JPS5854728A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
    • H03M1/66Digital/analogue converters
    • H03M1/74Simultaneous conversion
    • H03M1/742Simultaneous conversion using current sources as quantisation value generators
    • H03M1/745Simultaneous conversion using current sources as quantisation value generators with weighted currents

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Analogue/Digital Conversion (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はMT(z範囲で高速rノタルーアナログ(以
下D / Aと記載する)変換を行なうための、電流源
トランジスタおよびスイッチングトランジスタとしてパ
イ71ヒーラトランジスタを使用した集積されたD /
 Aコン・ぐ一タに関するも5一 のである。一般によく知られているようにモノリシック
集積回路においてはそのようなコンバータの形式を選択
するファクタの1つは半導体ウェハ上の必要面積量であ
る。何故ガらば単位ウエハ当りの利益は必要面積量が少
なくなるほど増加するからである。
重みを付した電流源を備えた形式のD/Aコンパータに
対して、この問題は西ドイツ特許公報D E − A 
S 2803099号においては、電流源の重み付けに
対応する同様の並列接続された成る数(7) t R源
トランジスタのみならず、同様に並列接続された同様の
スイッチングトランジスタユニットから成るスイッチン
グトランジスタを使用することによって解決されている
。ここに使用されている「同様」とは各領域が同時に製
作されるときに得られるような同一寸法、同一不純物分
布プロフィル(ドーピングプロフィル)を有する半導体
装置の場合を意味するものである。
重みを付した電流源形式のD/Aコン・々一タ6− は約5ビツト程度の小さいビット数に対してさえも所要
面積量したがってキャパシタンスが高速D/A変換に対
して大きくガる欠点を生じる。
同じことはU 、 TletzeおよびCh、 5ch
enk両氏著” Halbleiter−8chalu
tungstechnlk ” (1980年)第63
5ないし第637頁に記載された抵抗回路網を具備する
D/Aコンバータについても云うことができる。もしも
この形式のD/Aコンバータがモノリシック集積回路技
術を使用して構成されるならば、抵抗を実現するために
必要な面積量は、単調なコンバータ特性不二得るために
同じ構造および不純物濃度プロフィルの並列或は直列接
続された抵抗が使用される」ハ合にはビット数の増加お
よびRe積と共に増加する。
回路網中の多数の抵抗のために大きな面積が必要なモノ
リシック集積D/Aコンバータ1dPN接合容量だけを
考えても動作が遅くなることは明らかである。高速D/
Aコンバータにおいてはコレクタ回路中の個々の電圧の
合計はRe梯子(1adder )回路網に対する影響
ができるだけ小さくなるようにし々ければならない。そ
のよう々回路網はコンバータの周波数範囲を制限する。
また、高速D/Aコンバータにおいては故障を生じない
ようにするためにビット当りのスイッチング時間を等し
くすることが望ましい。それ故、この問題の解決はこの
発明の技術的範囲に含まれる。
〔発明の概要〕
この発明の目的は、特に5以上のビット数に対して通常
のコンバータの前述の欠点を太幅に避けることのできる
出力におけるRe積ができるだけ小さいモノリシック集
積D / Aコンバータを提供することである。
この発明は、Eugene R,Hnatek著[ユー
ザ用モノリシック集積り’/Aコンバータを発展させた
ものであり、そのコンバータは同様の並列接続された電
流源トランジスタユニットの一部を構成するバイポーラ
電流源トランジスタを具備し、それ等のベースは基準電
圧に接続されている。このモノリシック集積D/Aコン
バータにおいては差動増巾器を構成する1対のバイデー
ラスイツチングトランジスタのそれぞれの第2のトラン
ジスタのコレクタ端子は直接コンノ々−タの出力端子に
接続されている。それに対して、この発明によるコンバ
ータにおいては/々イボーラスイツチングトランジスタ
対の第2のトランジスタの全コレクタ端子はコンバータ
出力端子へ直接接続されていない。
この発明の基本的なアイディアは、半導体ウェハ上の所
要面積量を減少させるためにコン/?−タを重み付は抵
抗を有する第1のコンノ々−タ・セクションと重み付け
された電流を有する第2ノコンパータ・セクションに分
割した点にある。
この発明によれば、出力端子におけるRe積の小さいモ
ノリシック集&D/Aコン/(−夕を提供するという上
述の目的は特許請求の範囲第1項に記載した構成によシ
達成される。
9− 〔発明の実施例〕 以下この発明を添付図面を参照に詳細に説明する。
第1図にはこの発明のコンバータと類似している従来の
技術によるD / Aコンバータが示されておシ、それ
はバイポーラ電流源トランジスタT1々いしT、4を具
備し、LSB (最低桁ビット)に対する電流源トラン
ジスタを除いて電流分配のための電流源トランジスタユ
ニットT、lに分けられている。電流源トランジスタT
、1ないしTq4および電流源トランジスタユニットT
、lのベース領域は基準電圧Urに接続され、それによ
ってスイッチング電流の大きさ、したがってコンバータ
の出力電圧Vaが固定される。電流源トランジスタT、
1ないしT、4のエミッタ領域は異なる値のエミッタ抵
抗Rqヲ通ってpnp電流源トランランタTq1にいし
T、4に関しては正の極性の電原子U、に接続されてい
る。各電流源トランジスタのコレクタはバイポーラ・ス
イッチングトランソスタTl 、T2:T7’、T2’
対−1〇− に接続され、これ等各スイッチングトランジスタ対は差
動増巾器を構成している。電流分配のためにスイッチン
グトランジスタTI、T2の対もスイッチングトランジ
スタユニットTI’。
T2’対に分けられている。一方各対の第1のトランジ
スタTI、TI’のベース端子はビット線に接続され、
第2のトランジスタT2.T2’のベース端子はしきい
値電圧Ujに接続され、そのしきい値電圧はスイッチン
グトランジスタ対で形成された差動増巾器のスイッチン
グ電圧を決定する。したがって、電流源トランジスタT
9の個々の電流は接地電位U。にあるラインとコンバー
タの出力Aとの間で切り換えられる。
第1図から明らかなように従来のモノリシック集積D 
/ Aコンバータに必要な面積の景が、同様のトランジ
スタユニットおよび抵抗ユニ。
トだけを使用するという原貝りに従う限りはビット数の
増加と共に指数関数的に増加する。しかしながらもしも
単調か特性が得られなければならない場合にはそのよう
な同様なユニットを使用することを止、めることけでき
々い。
従来のコンバータは別の欠点も有している。
それはスイッチングトランジスタユニットTJ。
T2;T1’、T2’が等しい電流を開閉せず、そのた
め異なるスイッチング時間が得られることである。しか
しながら故障が生じないようにするためには等しいスイ
ッチング時間が必要である。
それに比較して、第2図に示すこの発明のD / Aコ
ンバータはビット当シ等電流を開閉することができる。
何故ならば同様のスイッチングトランジスタユニットお
よびスイッチングトランジスタT7’ 、 T2’およ
びTI 、T2は同様の電流源トランジスタユニット或
は電流源トランジスタT′およびT1ないしTq5から
の等しq い電流を開閉するからであシ、それ等電流源トランジス
タユニットおよび電流源トランジスタのエミッタ端子は
等しい値の抵抗R,ヲ介して負極性電圧源−町に接続さ
れる。
従来のコンバータに比較してこの発明によるコンバータ
においては、重みを付された抵抗を備えたNビットの第
]のコンバータ・セクションIと、重みを付された電流
を有するMビットの第2のコンバータセクション■とに
コンバータを分割することによって所要面積量を著しく
減少させることが可能である。一方第2のコンバータセ
クションHの第2のトランジスタT2′のコレクタ端子
は直接コンバータの出力端子Aに接続され、第1のコン
バータセクション■の対応する第2のトランジスタT2
のコレクタ端子は出力端の1個を除いて抵抗R2ないし
Rn(第2図の実施例ではR2ないしR5)の少なくと
も1個を通ってこの出力端子Aに接続される。抵抗R2
ないしR5は抵抗Rノと共に接地電位U。と出力端子A
との間に直列に接続され、それ等の抵抗の値はRn=2
1−2・Roになるように選ばれている。ここでnは2
ないしnで6.D、Roは抵抗R1の値である。5ビツ
トのコンバータ・セクションIに対してはR1=32Ω
R2=32Ω、R3=64Ω、R4=128Ω。
13− R5=256Ωの5個の抵抗が設けられ、それ等の接続
点にスイッチングトランジスタ対の1つの第2のトラン
ジスタT2のコレクタ端子が接続されている。最後の抵
抗R5の出力端子A側の端子は直接出力端子Aに接続さ
れると共にスイッチングトランジスタの第5番目の対の
第2のトランジスタのコレクタに接続されている。
順次変化した値のn個の直列接続された抵抗の代りにR
/、?R回路網を使用することが知られている。何故な
らばそのような回路網は同様の拡散抵抗によって容易に
製造することができ、それ故製造の際の変動がビット値
に同じように影響するからである。同様の効果はこの発
明のコンバータの第1のコンバータ・セクション■中の
抵抗R3ないしR5のそれぞれを置換することによって
得ることができる。それ等の値は抵抗R8の同じ抵抗の
直列配置によってRoと異なる値にされる。
第2図の実施例においてスイッチングトランジスタTl
、T2の各対およびトラン・ゾスタ14− TI’、T2’の各対は電流源トランジスタT91なイ
シTq5ノ1つおよび電流源トランジスタユニットT、
′の1つとそれぞれ直列に接続されている。さらに、電
流源トランジスタT、1ないしT95および電流源トラ
ンジスタユニットT、′のエミッタ端子は等しい値の抵
抗R,ヲ介して負極性電圧源−U、に接続されている。
したがって全スイッチングトランジスタTI、T2およ
びスイッチングトランジスタユニットTI’、T2’は
等しい内部抵抗を通る同じ電流を開閉する。何故ならば
それ等は同一寸法、同一不純物プロフィルのものである
からである。これはスイッチング時間の同一性を確保し
、そのため故障は最小の値まで減少する。
既知のR728回路網の代シにこの発明によるコンバー
タ・セクションにおいて直列接続の抵抗R2ないしRn
を使用することは別の効果を生じる。すなわち入力端子
E1ないしR7にビットが供給される語の変化の場合に
チャージされ或はその電荷が逆転されなければならない
PN接合容量が非常に低くなるように構成することを可
能にする。第2図の実施例においては、この発明による
D / Aコンバータは、トランジスタT3およびT4
ガらびに抵抗RIO,R11゜R12,R13により構
成され、接地電位U。に関して無限に低い内部抵抗を有
する電圧源を具備している。この電圧源はしきい値電圧
Ujを発生し、それはスイッチングトランジスタ対の第
2のトランジスタT2.T2’のペースに供給される。
電圧源の無限eこ低い内部抵抗のために、共通ペース接
続形式で動作する第2のトランジスタのペースは実際的
に接地電位に接続されて高周波に対する通路を与え、第
2の抵抗を通ってスイッチの入力に及ぼす電圧の作用を
無視できるようなものにする。
前述の説明から明らかなように、一方ではスイッチング
トランジスタユニットTI’、T2’対およびスイッチ
ングトランジスタTI、T2対、他方では電流源トラン
ジスタTqおよび電流源トランジスタユニットT、′は
同一寸法、同一不純物分布に製作される。これはそれ等
の領域が同時に形成されることを意味する。適当々製造
技術は例えばいわゆる3D技術であり、そわにおいては
領域に対する不純物は3回の順次のマスクイオン注入処
理によって沈着され、沈着に続く拡散処理中に同時に半
導体中に導入される( Electronlca N 
 1975年8月7日号第101ないし106頁参照)
。同様の方法によって第2のコンバータ・セクション■
のスイッチングトランジスタ対も製作される。それ等は
四−寸法、同一不純物分布を有する並列接続された同様
のトランジスタTI’およびT2’の対から形成される
この発明は第1の、5ビツトコンバータ・セクションI
と第2の、2ビツトコンバータ・セクション■とを有す
るモノリシック集積D / A定 コンバータに特に有利に利用できる。通辛のコンバータ
と比較して、この発明によるそのような7ビツトコンパ
ータは半導体ウエノ・上の必要面積の量を著しく減少さ
せることができる。
−17=
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の基礎となっている従来のD / A
コンバータの回路図であり、第2図はこの発明によるモ
ノリシック集積1) / Aコンバータの1実施例の回
路図である。 T・・・電流源トランジスタ、T9′・・・電流源トラ
ンジスタユニットTJ 、T2・・・スイッチングトラ
ンジスタ、T1′、T2′・・・スイッチングトランジ
スタユニット、Rq・・・エミッタ抵抗。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦=18−

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  ベース領域が基準電圧(Ur)に接続され、
    エミッタ領域がそれぞれエミッタ抵抗(Rq)を通って
    該エミッタ領域に対する順方向電圧源(−U、)に接続
    されているバイポーラ電流源トランジスタ(Tq)を具
    備し、それ等トランジスタ(Tq)は並列接続された同
    様の電流源トランジスタユニットの一部全構成し、それ
    等の個々のコレクタ領域は電流源トランジスタ(T、)
    の個々の電流を接地電位(UO)と出力端子(A)との
    間で開閉し、並列接続された同様のスイッチングトラン
    ジスタユニットの対の一部を構成する少なくとも1対の
    バイポーラスイッチングトランジスタのエミッタに接続
    されており、スイッチングトランジスタ対の第1のトラ
    ンジスタのペース端子はそれぞれビット線の1つに接続
    され、それ等第1のトランジスタのコレクタ端子は接地
    電位(UO)に接続され、スイッチングトランジスタ対
    の第2のトランジスタのベース端子は電源の出力端子に
    接続され、第2のトランジスタのコレクタ端子はコンバ
    ータの出力端子(A)に接続されているモノリシック集
    積D/Aコンバータにおいて、 コンバータは重み付は抵抗を有するNビットの第1のコ
    ンバータ・セクション(1)と、電流の重み付けを有す
    るMビットの第2のコンバータ・セクション(n)とに
    分割され、第2のコンバータ・セクション(n) にお
    いては第2のトランジスタ(T2’)のコレクタ端子は
    直接コンバータの出力端子(A)に接続され; 重み付は抵抗を有する第1のコンバータ・セクション(
    1)においてはn個の抵抗が接地電位(UO)と出力端
    子(A)との間に直列に接続され、その第1の抵抗(R
    ))の抵抗値R8に対して他の抵抗(R2−Rn)はR
    n−2n−2・Roの抵抗値(ただしn = 2カいし
    n)を有しておυ;前記n個の抵抗(R1・・・Rn)
    の各接続点はスイッチングトランジスタ対の1つの第2
    のトランジスタ(T2)のコレクタ端子に接続され、出
    力端子側に位置する最後の抵抗(Rn)の端子は直接出
    力端子(A)に接続されると共にn番目のスイッチング
    トランジスタ対の第2のトランジスタ(T2)のコレク
    タに接続されそれにより出力端にあるものを除いて第1
    のコン・マーク・セクション(1)の第2のトランジス
    タ(T2)のコレクタは抵抗(R2ないしRn)の少な
    くとも1個を通って出力端子(A)に接続されているこ
    とを特徴とするモノリシック集゛積1) / Aコンバ
    ータ。
  2. (2)第3番目以下の抵抗(R3,R4・・・R11)
    が、Roと異なる抵抗値を有し、抵抗値R8の第1の抵
    抗(R1)と同一寸法、同一不純物分布を有する抵抗値
    R8の同様の抵抗の直列装置により構成されていること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のD/Aコン・
    ぐ−タ。
  3. (3)  スイッチングトランジスタおよびスイッチン
    グトランジスタユニット(TM、TL?;Tl’ 、 
    T2’ )の各対が電流源トランジスタユニット(Tq
    l・・・T、n;T、′)の1つと直列に接続され、電
    流源トランジスタ(T、1・・・T9n)および電流源
    トランジスタユニット(T、’ )のエミッタ端子が等
    しい値の抵抗(R9)を介して順方向電圧源(−Up)
    に接続されていることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項捷たけ第2項記載のD/Aコンバータ。
  4. (4)共通ペース接続形式で動作される第2のトランジ
    スタ(TM、TL?’)のベース端子が接地電位(UO
    )に対して無限に低い内部抵抗の電圧源の出力端子に接
    続されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項な
    いし第3項のいずれか記載のD / Aコンバータ。
  5. (5)一方ではスイッチングトランジスタユニット対(
    T1′、T2′)およびスイッチングトランジスタ対(
    TM、T2)が、また他方では電流源トランジスタ(T
    、)および電流源トランジスタユニツ)(T、’)が互
    に同一寸法および同一不純物分布を有することを特徴と
    する特許請求の範囲第1項ないし第4項のいずれか記載
    のD/Aコンバータ。
  6. (6)  電流の重み伺けを有する第2のコン・N?−
    タ・セレクション(U)のスイッチングトランジスタ対
    が同一寸法、同一不純物分布を有する同様のトランジス
    タ(TI’ 、 T2’ )の並列接続された対で構成
    されていることをlh−徴とする特許請求の範囲第1項
    庁いし第5項のいずれか記載のD/Aコンバータ。
  7. (7)Nが5であpXMが2であることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項ないl−第6項のいずれか記載のD
    /Aコン・Z −タ。
JP57157969A 1981-09-10 1982-09-10 バイポ−ラトランジスタによるモノリシツク集積d/aコンバ−タ Pending JPS5854728A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE812010072 1981-09-10
EP81201007A EP0074436B1 (de) 1981-09-10 1981-09-10 Monolithisch integrierter D/A-Wandler mit bipolaren Transistoren

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5854728A true JPS5854728A (ja) 1983-03-31

Family

ID=8188151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57157969A Pending JPS5854728A (ja) 1981-09-10 1982-09-10 バイポ−ラトランジスタによるモノリシツク集積d/aコンバ−タ

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0074436B1 (ja)
JP (1) JPS5854728A (ja)
DE (1) DE3169846D1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63133720A (ja) * 1986-10-06 1988-06-06 ブルックトリー コーポレーション デジタル値をアナログ値へ変換する装置
WO2004100119A1 (ja) * 2003-05-07 2004-11-18 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. 電流出力型半導体回路、表示駆動用ソースドライバ、表示装置、電流出力方法
US7817149B2 (en) 2002-04-26 2010-10-19 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Semiconductor circuits for driving current-driven display and display

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3890611A (en) * 1972-01-24 1975-06-17 Analog Devices Inc Constant-current digital-to-analog converter
DE2536633A1 (de) * 1974-11-15 1976-05-20 Ibm Digital-analogkonverter
DE2532580C3 (de) * 1975-07-21 1980-06-04 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Schaltungsanordnung zur Einstellung elektrischer bzw. elektromagnetischer Größen und von durch elektrische Schaltmittel bestimmten Zeitspannen
FR2404957A1 (fr) * 1977-09-30 1979-04-27 Ibm France Convertisseur numerique-analogique et son application a un convertisseur analogique-numerique
DE2803099C3 (de) * 1978-01-25 1986-07-10 Hans-Ulrich 5810 Witten Post Digital-Analog-Umsetzer in integrierter Schaltungstechnik
US4338592A (en) * 1980-02-11 1982-07-06 Hybrid Systems Corporation High accuracy digital-to-analog converter and transient elimination system thereof

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63133720A (ja) * 1986-10-06 1988-06-06 ブルックトリー コーポレーション デジタル値をアナログ値へ変換する装置
US7817149B2 (en) 2002-04-26 2010-10-19 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Semiconductor circuits for driving current-driven display and display
WO2004100119A1 (ja) * 2003-05-07 2004-11-18 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. 電流出力型半導体回路、表示駆動用ソースドライバ、表示装置、電流出力方法
US7561147B2 (en) 2003-05-07 2009-07-14 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Current output type of semiconductor circuit, source driver for display drive, display device, and current output method

Also Published As

Publication number Publication date
EP0074436B1 (de) 1985-04-10
EP0074436A1 (de) 1983-03-23
DE3169846D1 (en) 1985-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS61210723A (ja) デジタル‐アナログ変換器
US4141004A (en) Solid state digital to analog converter
GB2251994A (en) Pulse signal generators
DE1942559A1 (de) Dioden-gekoppelter Halbleiterspeicher
US3699568A (en) Weighted ladder technique
GB1592856A (en) Semiconductor devices
JPS5854728A (ja) バイポ−ラトランジスタによるモノリシツク集積d/aコンバ−タ
US4309693A (en) Solid state digital to analog converter
CA1114510A (en) Integrated weighted current digital to analog converter
US3717777A (en) Digital to analog converter including improved reference current source
EP0090667B1 (en) Digital-to-analog converter of the current-adding type
US4596976A (en) Integrated circuit analog-to-digital converter
US4442399A (en) Current source circuit
JPH02122545A (ja) セミカスタム半導体集積回路の設計方法
JPS61264921A (ja) 集積化デイジタル・アナログ変換回路
JPH06224656A (ja) 半導体装置
JPH0269972A (ja) 半導体集積装置
JP3206138B2 (ja) 電流加算型d/a変換器
Guy et al. A sixteen-bit monolithic bipolar DAC
JPS6322647B2 (ja)
JPH08213913A (ja) 分離形成された電圧分配用の抵抗領域を有するディジタル/アナログ変換器
CN103414472B (zh) 一种n位数模转换器及其红外焦平面阵列读出电路
JP2001237705A (ja) 重みづけ定電流源およびd−a変換器
JPH0786949A (ja) デジタル・アナログ変換器
JPH0398317A (ja) D/a変換器の抵抗ラダー