JPS5854728A - バイポ−ラトランジスタによるモノリシツク集積d/aコンバ−タ - Google Patents
バイポ−ラトランジスタによるモノリシツク集積d/aコンバ−タInfo
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- JPS5854728A JPS5854728A JP57157969A JP15796982A JPS5854728A JP S5854728 A JPS5854728 A JP S5854728A JP 57157969 A JP57157969 A JP 57157969A JP 15796982 A JP15796982 A JP 15796982A JP S5854728 A JPS5854728 A JP S5854728A
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- FPIPGXGPPPQFEQ-OVSJKPMPSA-N all-trans-retinol Chemical compound OC\C=C(/C)\C=C\C=C(/C)\C=C\C1=C(C)CCCC1(C)C FPIPGXGPPPQFEQ-OVSJKPMPSA-N 0.000 claims 2
- 239000011717 all-trans-retinol Substances 0.000 claims 1
- 235000019169 all-trans-retinol Nutrition 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M1/00—Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
- H03M1/66—Digital/analogue converters
- H03M1/74—Simultaneous conversion
- H03M1/742—Simultaneous conversion using current sources as quantisation value generators
- H03M1/745—Simultaneous conversion using current sources as quantisation value generators with weighted currents
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Analogue/Digital Conversion (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はMT(z範囲で高速rノタルーアナログ(以
下D / Aと記載する)変換を行なうための、電流源
トランジスタおよびスイッチングトランジスタとしてパ
イ71ヒーラトランジスタを使用した集積されたD /
Aコン・ぐ一タに関するも5一 のである。一般によく知られているようにモノリシック
集積回路においてはそのようなコンバータの形式を選択
するファクタの1つは半導体ウェハ上の必要面積量であ
る。何故ガらば単位ウエハ当りの利益は必要面積量が少
なくなるほど増加するからである。
下D / Aと記載する)変換を行なうための、電流源
トランジスタおよびスイッチングトランジスタとしてパ
イ71ヒーラトランジスタを使用した集積されたD /
Aコン・ぐ一タに関するも5一 のである。一般によく知られているようにモノリシック
集積回路においてはそのようなコンバータの形式を選択
するファクタの1つは半導体ウェハ上の必要面積量であ
る。何故ガらば単位ウエハ当りの利益は必要面積量が少
なくなるほど増加するからである。
重みを付した電流源を備えた形式のD/Aコンパータに
対して、この問題は西ドイツ特許公報D E − A
S 2803099号においては、電流源の重み付けに
対応する同様の並列接続された成る数(7) t R源
トランジスタのみならず、同様に並列接続された同様の
スイッチングトランジスタユニットから成るスイッチン
グトランジスタを使用することによって解決されている
。ここに使用されている「同様」とは各領域が同時に製
作されるときに得られるような同一寸法、同一不純物分
布プロフィル(ドーピングプロフィル)を有する半導体
装置の場合を意味するものである。
対して、この問題は西ドイツ特許公報D E − A
S 2803099号においては、電流源の重み付けに
対応する同様の並列接続された成る数(7) t R源
トランジスタのみならず、同様に並列接続された同様の
スイッチングトランジスタユニットから成るスイッチン
グトランジスタを使用することによって解決されている
。ここに使用されている「同様」とは各領域が同時に製
作されるときに得られるような同一寸法、同一不純物分
布プロフィル(ドーピングプロフィル)を有する半導体
装置の場合を意味するものである。
重みを付した電流源形式のD/Aコン・々一タ6−
は約5ビツト程度の小さいビット数に対してさえも所要
面積量したがってキャパシタンスが高速D/A変換に対
して大きくガる欠点を生じる。
面積量したがってキャパシタンスが高速D/A変換に対
して大きくガる欠点を生じる。
同じことはU 、 TletzeおよびCh、 5ch
enk両氏著” Halbleiter−8chalu
tungstechnlk ” (1980年)第63
5ないし第637頁に記載された抵抗回路網を具備する
D/Aコンバータについても云うことができる。もしも
この形式のD/Aコンバータがモノリシック集積回路技
術を使用して構成されるならば、抵抗を実現するために
必要な面積量は、単調なコンバータ特性不二得るために
同じ構造および不純物濃度プロフィルの並列或は直列接
続された抵抗が使用される」ハ合にはビット数の増加お
よびRe積と共に増加する。
enk両氏著” Halbleiter−8chalu
tungstechnlk ” (1980年)第63
5ないし第637頁に記載された抵抗回路網を具備する
D/Aコンバータについても云うことができる。もしも
この形式のD/Aコンバータがモノリシック集積回路技
術を使用して構成されるならば、抵抗を実現するために
必要な面積量は、単調なコンバータ特性不二得るために
同じ構造および不純物濃度プロフィルの並列或は直列接
続された抵抗が使用される」ハ合にはビット数の増加お
よびRe積と共に増加する。
回路網中の多数の抵抗のために大きな面積が必要なモノ
リシック集積D/Aコンバータ1dPN接合容量だけを
考えても動作が遅くなることは明らかである。高速D/
Aコンバータにおいてはコレクタ回路中の個々の電圧の
合計はRe梯子(1adder )回路網に対する影響
ができるだけ小さくなるようにし々ければならない。そ
のよう々回路網はコンバータの周波数範囲を制限する。
リシック集積D/Aコンバータ1dPN接合容量だけを
考えても動作が遅くなることは明らかである。高速D/
Aコンバータにおいてはコレクタ回路中の個々の電圧の
合計はRe梯子(1adder )回路網に対する影響
ができるだけ小さくなるようにし々ければならない。そ
のよう々回路網はコンバータの周波数範囲を制限する。
また、高速D/Aコンバータにおいては故障を生じない
ようにするためにビット当りのスイッチング時間を等し
くすることが望ましい。それ故、この問題の解決はこの
発明の技術的範囲に含まれる。
ようにするためにビット当りのスイッチング時間を等し
くすることが望ましい。それ故、この問題の解決はこの
発明の技術的範囲に含まれる。
この発明の目的は、特に5以上のビット数に対して通常
のコンバータの前述の欠点を太幅に避けることのできる
出力におけるRe積ができるだけ小さいモノリシック集
積D / Aコンバータを提供することである。
のコンバータの前述の欠点を太幅に避けることのできる
出力におけるRe積ができるだけ小さいモノリシック集
積D / Aコンバータを提供することである。
この発明は、Eugene R,Hnatek著[ユー
ザ用モノリシック集積り’/Aコンバータを発展させた
ものであり、そのコンバータは同様の並列接続された電
流源トランジスタユニットの一部を構成するバイポーラ
電流源トランジスタを具備し、それ等のベースは基準電
圧に接続されている。このモノリシック集積D/Aコン
バータにおいては差動増巾器を構成する1対のバイデー
ラスイツチングトランジスタのそれぞれの第2のトラン
ジスタのコレクタ端子は直接コンノ々−タの出力端子に
接続されている。それに対して、この発明によるコンバ
ータにおいては/々イボーラスイツチングトランジスタ
対の第2のトランジスタの全コレクタ端子はコンバータ
出力端子へ直接接続されていない。
ザ用モノリシック集積り’/Aコンバータを発展させた
ものであり、そのコンバータは同様の並列接続された電
流源トランジスタユニットの一部を構成するバイポーラ
電流源トランジスタを具備し、それ等のベースは基準電
圧に接続されている。このモノリシック集積D/Aコン
バータにおいては差動増巾器を構成する1対のバイデー
ラスイツチングトランジスタのそれぞれの第2のトラン
ジスタのコレクタ端子は直接コンノ々−タの出力端子に
接続されている。それに対して、この発明によるコンバ
ータにおいては/々イボーラスイツチングトランジスタ
対の第2のトランジスタの全コレクタ端子はコンバータ
出力端子へ直接接続されていない。
この発明の基本的なアイディアは、半導体ウェハ上の所
要面積量を減少させるためにコン/?−タを重み付は抵
抗を有する第1のコンノ々−タ・セクションと重み付け
された電流を有する第2ノコンパータ・セクションに分
割した点にある。
要面積量を減少させるためにコン/?−タを重み付は抵
抗を有する第1のコンノ々−タ・セクションと重み付け
された電流を有する第2ノコンパータ・セクションに分
割した点にある。
この発明によれば、出力端子におけるRe積の小さいモ
ノリシック集&D/Aコン/(−夕を提供するという上
述の目的は特許請求の範囲第1項に記載した構成によシ
達成される。
ノリシック集&D/Aコン/(−夕を提供するという上
述の目的は特許請求の範囲第1項に記載した構成によシ
達成される。
9−
〔発明の実施例〕
以下この発明を添付図面を参照に詳細に説明する。
第1図にはこの発明のコンバータと類似している従来の
技術によるD / Aコンバータが示されておシ、それ
はバイポーラ電流源トランジスタT1々いしT、4を具
備し、LSB (最低桁ビット)に対する電流源トラン
ジスタを除いて電流分配のための電流源トランジスタユ
ニットT、lに分けられている。電流源トランジスタT
、1ないしTq4および電流源トランジスタユニットT
、lのベース領域は基準電圧Urに接続され、それによ
ってスイッチング電流の大きさ、したがってコンバータ
の出力電圧Vaが固定される。電流源トランジスタT、
1ないしT、4のエミッタ領域は異なる値のエミッタ抵
抗Rqヲ通ってpnp電流源トランランタTq1にいし
T、4に関しては正の極性の電原子U、に接続されてい
る。各電流源トランジスタのコレクタはバイポーラ・ス
イッチングトランソスタTl 、T2:T7’、T2’
対−1〇− に接続され、これ等各スイッチングトランジスタ対は差
動増巾器を構成している。電流分配のためにスイッチン
グトランジスタTI、T2の対もスイッチングトランジ
スタユニットTI’。
技術によるD / Aコンバータが示されておシ、それ
はバイポーラ電流源トランジスタT1々いしT、4を具
備し、LSB (最低桁ビット)に対する電流源トラン
ジスタを除いて電流分配のための電流源トランジスタユ
ニットT、lに分けられている。電流源トランジスタT
、1ないしTq4および電流源トランジスタユニットT
、lのベース領域は基準電圧Urに接続され、それによ
ってスイッチング電流の大きさ、したがってコンバータ
の出力電圧Vaが固定される。電流源トランジスタT、
1ないしT、4のエミッタ領域は異なる値のエミッタ抵
抗Rqヲ通ってpnp電流源トランランタTq1にいし
T、4に関しては正の極性の電原子U、に接続されてい
る。各電流源トランジスタのコレクタはバイポーラ・ス
イッチングトランソスタTl 、T2:T7’、T2’
対−1〇− に接続され、これ等各スイッチングトランジスタ対は差
動増巾器を構成している。電流分配のためにスイッチン
グトランジスタTI、T2の対もスイッチングトランジ
スタユニットTI’。
T2’対に分けられている。一方各対の第1のトランジ
スタTI、TI’のベース端子はビット線に接続され、
第2のトランジスタT2.T2’のベース端子はしきい
値電圧Ujに接続され、そのしきい値電圧はスイッチン
グトランジスタ対で形成された差動増巾器のスイッチン
グ電圧を決定する。したがって、電流源トランジスタT
9の個々の電流は接地電位U。にあるラインとコンバー
タの出力Aとの間で切り換えられる。
スタTI、TI’のベース端子はビット線に接続され、
第2のトランジスタT2.T2’のベース端子はしきい
値電圧Ujに接続され、そのしきい値電圧はスイッチン
グトランジスタ対で形成された差動増巾器のスイッチン
グ電圧を決定する。したがって、電流源トランジスタT
9の個々の電流は接地電位U。にあるラインとコンバー
タの出力Aとの間で切り換えられる。
第1図から明らかなように従来のモノリシック集積D
/ Aコンバータに必要な面積の景が、同様のトランジ
スタユニットおよび抵抗ユニ。
/ Aコンバータに必要な面積の景が、同様のトランジ
スタユニットおよび抵抗ユニ。
トだけを使用するという原貝りに従う限りはビット数の
増加と共に指数関数的に増加する。しかしながらもしも
単調か特性が得られなければならない場合にはそのよう
な同様なユニットを使用することを止、めることけでき
々い。
増加と共に指数関数的に増加する。しかしながらもしも
単調か特性が得られなければならない場合にはそのよう
な同様なユニットを使用することを止、めることけでき
々い。
従来のコンバータは別の欠点も有している。
それはスイッチングトランジスタユニットTJ。
T2;T1’、T2’が等しい電流を開閉せず、そのた
め異なるスイッチング時間が得られることである。しか
しながら故障が生じないようにするためには等しいスイ
ッチング時間が必要である。
め異なるスイッチング時間が得られることである。しか
しながら故障が生じないようにするためには等しいスイ
ッチング時間が必要である。
それに比較して、第2図に示すこの発明のD / Aコ
ンバータはビット当シ等電流を開閉することができる。
ンバータはビット当シ等電流を開閉することができる。
何故ならば同様のスイッチングトランジスタユニットお
よびスイッチングトランジスタT7’ 、 T2’およ
びTI 、T2は同様の電流源トランジスタユニット或
は電流源トランジスタT′およびT1ないしTq5から
の等しq い電流を開閉するからであシ、それ等電流源トランジス
タユニットおよび電流源トランジスタのエミッタ端子は
等しい値の抵抗R,ヲ介して負極性電圧源−町に接続さ
れる。
よびスイッチングトランジスタT7’ 、 T2’およ
びTI 、T2は同様の電流源トランジスタユニット或
は電流源トランジスタT′およびT1ないしTq5から
の等しq い電流を開閉するからであシ、それ等電流源トランジス
タユニットおよび電流源トランジスタのエミッタ端子は
等しい値の抵抗R,ヲ介して負極性電圧源−町に接続さ
れる。
従来のコンバータに比較してこの発明によるコンバータ
においては、重みを付された抵抗を備えたNビットの第
]のコンバータ・セクションIと、重みを付された電流
を有するMビットの第2のコンバータセクション■とに
コンバータを分割することによって所要面積量を著しく
減少させることが可能である。一方第2のコンバータセ
クションHの第2のトランジスタT2′のコレクタ端子
は直接コンバータの出力端子Aに接続され、第1のコン
バータセクション■の対応する第2のトランジスタT2
のコレクタ端子は出力端の1個を除いて抵抗R2ないし
Rn(第2図の実施例ではR2ないしR5)の少なくと
も1個を通ってこの出力端子Aに接続される。抵抗R2
ないしR5は抵抗Rノと共に接地電位U。と出力端子A
との間に直列に接続され、それ等の抵抗の値はRn=2
1−2・Roになるように選ばれている。ここでnは2
ないしnで6.D、Roは抵抗R1の値である。5ビツ
トのコンバータ・セクションIに対してはR1=32Ω
。
においては、重みを付された抵抗を備えたNビットの第
]のコンバータ・セクションIと、重みを付された電流
を有するMビットの第2のコンバータセクション■とに
コンバータを分割することによって所要面積量を著しく
減少させることが可能である。一方第2のコンバータセ
クションHの第2のトランジスタT2′のコレクタ端子
は直接コンバータの出力端子Aに接続され、第1のコン
バータセクション■の対応する第2のトランジスタT2
のコレクタ端子は出力端の1個を除いて抵抗R2ないし
Rn(第2図の実施例ではR2ないしR5)の少なくと
も1個を通ってこの出力端子Aに接続される。抵抗R2
ないしR5は抵抗Rノと共に接地電位U。と出力端子A
との間に直列に接続され、それ等の抵抗の値はRn=2
1−2・Roになるように選ばれている。ここでnは2
ないしnで6.D、Roは抵抗R1の値である。5ビツ
トのコンバータ・セクションIに対してはR1=32Ω
。
R2=32Ω、R3=64Ω、R4=128Ω。
13−
R5=256Ωの5個の抵抗が設けられ、それ等の接続
点にスイッチングトランジスタ対の1つの第2のトラン
ジスタT2のコレクタ端子が接続されている。最後の抵
抗R5の出力端子A側の端子は直接出力端子Aに接続さ
れると共にスイッチングトランジスタの第5番目の対の
第2のトランジスタのコレクタに接続されている。
点にスイッチングトランジスタ対の1つの第2のトラン
ジスタT2のコレクタ端子が接続されている。最後の抵
抗R5の出力端子A側の端子は直接出力端子Aに接続さ
れると共にスイッチングトランジスタの第5番目の対の
第2のトランジスタのコレクタに接続されている。
順次変化した値のn個の直列接続された抵抗の代りにR
/、?R回路網を使用することが知られている。何故な
らばそのような回路網は同様の拡散抵抗によって容易に
製造することができ、それ故製造の際の変動がビット値
に同じように影響するからである。同様の効果はこの発
明のコンバータの第1のコンバータ・セクション■中の
抵抗R3ないしR5のそれぞれを置換することによって
得ることができる。それ等の値は抵抗R8の同じ抵抗の
直列配置によってRoと異なる値にされる。
/、?R回路網を使用することが知られている。何故な
らばそのような回路網は同様の拡散抵抗によって容易に
製造することができ、それ故製造の際の変動がビット値
に同じように影響するからである。同様の効果はこの発
明のコンバータの第1のコンバータ・セクション■中の
抵抗R3ないしR5のそれぞれを置換することによって
得ることができる。それ等の値は抵抗R8の同じ抵抗の
直列配置によってRoと異なる値にされる。
第2図の実施例においてスイッチングトランジスタTl
、T2の各対およびトラン・ゾスタ14− TI’、T2’の各対は電流源トランジスタT91なイ
シTq5ノ1つおよび電流源トランジスタユニットT、
′の1つとそれぞれ直列に接続されている。さらに、電
流源トランジスタT、1ないしT95および電流源トラ
ンジスタユニットT、′のエミッタ端子は等しい値の抵
抗R,ヲ介して負極性電圧源−U、に接続されている。
、T2の各対およびトラン・ゾスタ14− TI’、T2’の各対は電流源トランジスタT91なイ
シTq5ノ1つおよび電流源トランジスタユニットT、
′の1つとそれぞれ直列に接続されている。さらに、電
流源トランジスタT、1ないしT95および電流源トラ
ンジスタユニットT、′のエミッタ端子は等しい値の抵
抗R,ヲ介して負極性電圧源−U、に接続されている。
したがって全スイッチングトランジスタTI、T2およ
びスイッチングトランジスタユニットTI’、T2’は
等しい内部抵抗を通る同じ電流を開閉する。何故ならば
それ等は同一寸法、同一不純物プロフィルのものである
からである。これはスイッチング時間の同一性を確保し
、そのため故障は最小の値まで減少する。
びスイッチングトランジスタユニットTI’、T2’は
等しい内部抵抗を通る同じ電流を開閉する。何故ならば
それ等は同一寸法、同一不純物プロフィルのものである
からである。これはスイッチング時間の同一性を確保し
、そのため故障は最小の値まで減少する。
既知のR728回路網の代シにこの発明によるコンバー
タ・セクションにおいて直列接続の抵抗R2ないしRn
を使用することは別の効果を生じる。すなわち入力端子
E1ないしR7にビットが供給される語の変化の場合に
チャージされ或はその電荷が逆転されなければならない
PN接合容量が非常に低くなるように構成することを可
能にする。第2図の実施例においては、この発明による
D / Aコンバータは、トランジスタT3およびT4
ガらびに抵抗RIO,R11゜R12,R13により構
成され、接地電位U。に関して無限に低い内部抵抗を有
する電圧源を具備している。この電圧源はしきい値電圧
Ujを発生し、それはスイッチングトランジスタ対の第
2のトランジスタT2.T2’のペースに供給される。
タ・セクションにおいて直列接続の抵抗R2ないしRn
を使用することは別の効果を生じる。すなわち入力端子
E1ないしR7にビットが供給される語の変化の場合に
チャージされ或はその電荷が逆転されなければならない
PN接合容量が非常に低くなるように構成することを可
能にする。第2図の実施例においては、この発明による
D / Aコンバータは、トランジスタT3およびT4
ガらびに抵抗RIO,R11゜R12,R13により構
成され、接地電位U。に関して無限に低い内部抵抗を有
する電圧源を具備している。この電圧源はしきい値電圧
Ujを発生し、それはスイッチングトランジスタ対の第
2のトランジスタT2.T2’のペースに供給される。
電圧源の無限eこ低い内部抵抗のために、共通ペース接
続形式で動作する第2のトランジスタのペースは実際的
に接地電位に接続されて高周波に対する通路を与え、第
2の抵抗を通ってスイッチの入力に及ぼす電圧の作用を
無視できるようなものにする。
続形式で動作する第2のトランジスタのペースは実際的
に接地電位に接続されて高周波に対する通路を与え、第
2の抵抗を通ってスイッチの入力に及ぼす電圧の作用を
無視できるようなものにする。
前述の説明から明らかなように、一方ではスイッチング
トランジスタユニットTI’、T2’対およびスイッチ
ングトランジスタTI、T2対、他方では電流源トラン
ジスタTqおよび電流源トランジスタユニットT、′は
同一寸法、同一不純物分布に製作される。これはそれ等
の領域が同時に形成されることを意味する。適当々製造
技術は例えばいわゆる3D技術であり、そわにおいては
領域に対する不純物は3回の順次のマスクイオン注入処
理によって沈着され、沈着に続く拡散処理中に同時に半
導体中に導入される( Electronlca N
1975年8月7日号第101ないし106頁参照)
。同様の方法によって第2のコンバータ・セクション■
のスイッチングトランジスタ対も製作される。それ等は
四−寸法、同一不純物分布を有する並列接続された同様
のトランジスタTI’およびT2’の対から形成される
。
トランジスタユニットTI’、T2’対およびスイッチ
ングトランジスタTI、T2対、他方では電流源トラン
ジスタTqおよび電流源トランジスタユニットT、′は
同一寸法、同一不純物分布に製作される。これはそれ等
の領域が同時に形成されることを意味する。適当々製造
技術は例えばいわゆる3D技術であり、そわにおいては
領域に対する不純物は3回の順次のマスクイオン注入処
理によって沈着され、沈着に続く拡散処理中に同時に半
導体中に導入される( Electronlca N
1975年8月7日号第101ないし106頁参照)
。同様の方法によって第2のコンバータ・セクション■
のスイッチングトランジスタ対も製作される。それ等は
四−寸法、同一不純物分布を有する並列接続された同様
のトランジスタTI’およびT2’の対から形成される
。
この発明は第1の、5ビツトコンバータ・セクションI
と第2の、2ビツトコンバータ・セクション■とを有す
るモノリシック集積D / A定 コンバータに特に有利に利用できる。通辛のコンバータ
と比較して、この発明によるそのような7ビツトコンパ
ータは半導体ウエノ・上の必要面積の量を著しく減少さ
せることができる。
と第2の、2ビツトコンバータ・セクション■とを有す
るモノリシック集積D / A定 コンバータに特に有利に利用できる。通辛のコンバータ
と比較して、この発明によるそのような7ビツトコンパ
ータは半導体ウエノ・上の必要面積の量を著しく減少さ
せることができる。
−17=
第1図はこの発明の基礎となっている従来のD / A
コンバータの回路図であり、第2図はこの発明によるモ
ノリシック集積1) / Aコンバータの1実施例の回
路図である。 T・・・電流源トランジスタ、T9′・・・電流源トラ
ンジスタユニットTJ 、T2・・・スイッチングトラ
ンジスタ、T1′、T2′・・・スイッチングトランジ
スタユニット、Rq・・・エミッタ抵抗。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦=18−
コンバータの回路図であり、第2図はこの発明によるモ
ノリシック集積1) / Aコンバータの1実施例の回
路図である。 T・・・電流源トランジスタ、T9′・・・電流源トラ
ンジスタユニットTJ 、T2・・・スイッチングトラ
ンジスタ、T1′、T2′・・・スイッチングトランジ
スタユニット、Rq・・・エミッタ抵抗。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦=18−
Claims (7)
- (1) ベース領域が基準電圧(Ur)に接続され、
エミッタ領域がそれぞれエミッタ抵抗(Rq)を通って
該エミッタ領域に対する順方向電圧源(−U、)に接続
されているバイポーラ電流源トランジスタ(Tq)を具
備し、それ等トランジスタ(Tq)は並列接続された同
様の電流源トランジスタユニットの一部全構成し、それ
等の個々のコレクタ領域は電流源トランジスタ(T、)
の個々の電流を接地電位(UO)と出力端子(A)との
間で開閉し、並列接続された同様のスイッチングトラン
ジスタユニットの対の一部を構成する少なくとも1対の
バイポーラスイッチングトランジスタのエミッタに接続
されており、スイッチングトランジスタ対の第1のトラ
ンジスタのペース端子はそれぞれビット線の1つに接続
され、それ等第1のトランジスタのコレクタ端子は接地
電位(UO)に接続され、スイッチングトランジスタ対
の第2のトランジスタのベース端子は電源の出力端子に
接続され、第2のトランジスタのコレクタ端子はコンバ
ータの出力端子(A)に接続されているモノリシック集
積D/Aコンバータにおいて、 コンバータは重み付は抵抗を有するNビットの第1のコ
ンバータ・セクション(1)と、電流の重み付けを有す
るMビットの第2のコンバータ・セクション(n)とに
分割され、第2のコンバータ・セクション(n) にお
いては第2のトランジスタ(T2’)のコレクタ端子は
直接コンバータの出力端子(A)に接続され; 重み付は抵抗を有する第1のコンバータ・セクション(
1)においてはn個の抵抗が接地電位(UO)と出力端
子(A)との間に直列に接続され、その第1の抵抗(R
))の抵抗値R8に対して他の抵抗(R2−Rn)はR
n−2n−2・Roの抵抗値(ただしn = 2カいし
n)を有しておυ;前記n個の抵抗(R1・・・Rn)
の各接続点はスイッチングトランジスタ対の1つの第2
のトランジスタ(T2)のコレクタ端子に接続され、出
力端子側に位置する最後の抵抗(Rn)の端子は直接出
力端子(A)に接続されると共にn番目のスイッチング
トランジスタ対の第2のトランジスタ(T2)のコレク
タに接続されそれにより出力端にあるものを除いて第1
のコン・マーク・セクション(1)の第2のトランジス
タ(T2)のコレクタは抵抗(R2ないしRn)の少な
くとも1個を通って出力端子(A)に接続されているこ
とを特徴とするモノリシック集゛積1) / Aコンバ
ータ。 - (2)第3番目以下の抵抗(R3,R4・・・R11)
が、Roと異なる抵抗値を有し、抵抗値R8の第1の抵
抗(R1)と同一寸法、同一不純物分布を有する抵抗値
R8の同様の抵抗の直列装置により構成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のD/Aコン・
ぐ−タ。 - (3) スイッチングトランジスタおよびスイッチン
グトランジスタユニット(TM、TL?;Tl’ 、
T2’ )の各対が電流源トランジスタユニット(Tq
l・・・T、n;T、′)の1つと直列に接続され、電
流源トランジスタ(T、1・・・T9n)および電流源
トランジスタユニット(T、’ )のエミッタ端子が等
しい値の抵抗(R9)を介して順方向電圧源(−Up)
に接続されていることを特徴とする特許請求の範囲第1
項捷たけ第2項記載のD/Aコンバータ。 - (4)共通ペース接続形式で動作される第2のトランジ
スタ(TM、TL?’)のベース端子が接地電位(UO
)に対して無限に低い内部抵抗の電圧源の出力端子に接
続されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項な
いし第3項のいずれか記載のD / Aコンバータ。 - (5)一方ではスイッチングトランジスタユニット対(
T1′、T2′)およびスイッチングトランジスタ対(
TM、T2)が、また他方では電流源トランジスタ(T
、)および電流源トランジスタユニツ)(T、’)が互
に同一寸法および同一不純物分布を有することを特徴と
する特許請求の範囲第1項ないし第4項のいずれか記載
のD/Aコンバータ。 - (6) 電流の重み伺けを有する第2のコン・N?−
タ・セレクション(U)のスイッチングトランジスタ対
が同一寸法、同一不純物分布を有する同様のトランジス
タ(TI’ 、 T2’ )の並列接続された対で構成
されていることをlh−徴とする特許請求の範囲第1項
庁いし第5項のいずれか記載のD/Aコンバータ。 - (7)Nが5であpXMが2であることを特徴とする特
許請求の範囲第1項ないl−第6項のいずれか記載のD
/Aコン・Z −タ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE812010072 | 1981-09-10 | ||
| EP81201007A EP0074436B1 (de) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | Monolithisch integrierter D/A-Wandler mit bipolaren Transistoren |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5854728A true JPS5854728A (ja) | 1983-03-31 |
Family
ID=8188151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57157969A Pending JPS5854728A (ja) | 1981-09-10 | 1982-09-10 | バイポ−ラトランジスタによるモノリシツク集積d/aコンバ−タ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0074436B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5854728A (ja) |
| DE (1) | DE3169846D1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63133720A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-06-06 | ブルックトリー コーポレーション | デジタル値をアナログ値へ変換する装置 |
| WO2004100119A1 (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-18 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | 電流出力型半導体回路、表示駆動用ソースドライバ、表示装置、電流出力方法 |
| US7817149B2 (en) | 2002-04-26 | 2010-10-19 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Semiconductor circuits for driving current-driven display and display |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3890611A (en) * | 1972-01-24 | 1975-06-17 | Analog Devices Inc | Constant-current digital-to-analog converter |
| DE2536633A1 (de) * | 1974-11-15 | 1976-05-20 | Ibm | Digital-analogkonverter |
| DE2532580C3 (de) * | 1975-07-21 | 1980-06-04 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Schaltungsanordnung zur Einstellung elektrischer bzw. elektromagnetischer Größen und von durch elektrische Schaltmittel bestimmten Zeitspannen |
| FR2404957A1 (fr) * | 1977-09-30 | 1979-04-27 | Ibm France | Convertisseur numerique-analogique et son application a un convertisseur analogique-numerique |
| DE2803099C3 (de) * | 1978-01-25 | 1986-07-10 | Hans-Ulrich 5810 Witten Post | Digital-Analog-Umsetzer in integrierter Schaltungstechnik |
| US4338592A (en) * | 1980-02-11 | 1982-07-06 | Hybrid Systems Corporation | High accuracy digital-to-analog converter and transient elimination system thereof |
-
1981
- 1981-09-10 DE DE8181201007T patent/DE3169846D1/de not_active Expired
- 1981-09-10 EP EP81201007A patent/EP0074436B1/de not_active Expired
-
1982
- 1982-09-10 JP JP57157969A patent/JPS5854728A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7561147B2 (en) | 2003-05-07 | 2009-07-14 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Current output type of semiconductor circuit, source driver for display drive, display device, and current output method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0074436B1 (de) | 1985-04-10 |
| EP0074436A1 (de) | 1983-03-23 |
| DE3169846D1 (en) | 1985-05-15 |
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