JPS5855586B2 - バブルメモリデバイス - Google Patents
バブルメモリデバイスInfo
- Publication number
- JPS5855586B2 JPS5855586B2 JP15103678A JP15103678A JPS5855586B2 JP S5855586 B2 JPS5855586 B2 JP S5855586B2 JP 15103678 A JP15103678 A JP 15103678A JP 15103678 A JP15103678 A JP 15103678A JP S5855586 B2 JPS5855586 B2 JP S5855586B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble memory
- memory device
- lead
- terminals
- lead pins
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は外形を小形化したバブルメモリデバイスに関す
る。
る。
バブルメモリデバイスは、通常上として、非磁性ガーネ
ット表面にLPE法などで形成した磁性ガーネット層、
この層中のバブルの発生、複写その他の制御用電流を流
す導体パターン層、バブル転送路等のための軟強磁性体
パターン層、前記諸層に対する絶縁、保護などのための
シリカ層などよりなるバブルメモリチップと、このチッ
プを取付けるアルミナあるいはガラスエポキシなどを材
料とするデバイス基板と、この基板上などに設けられか
つ前記チップと外部周辺回路に接続されるデバイス外方
へ突出したリードピンとの間の信号伝搬を行うリード線
と、前記チップに対しバブル転送用に水平な回転磁界を
与える直交する一対の駆動コイルと、バブルを安定に存
在させるためにチップに対して垂直なバイアス磁界を与
える永久磁石などから構成されている。
ット表面にLPE法などで形成した磁性ガーネット層、
この層中のバブルの発生、複写その他の制御用電流を流
す導体パターン層、バブル転送路等のための軟強磁性体
パターン層、前記諸層に対する絶縁、保護などのための
シリカ層などよりなるバブルメモリチップと、このチッ
プを取付けるアルミナあるいはガラスエポキシなどを材
料とするデバイス基板と、この基板上などに設けられか
つ前記チップと外部周辺回路に接続されるデバイス外方
へ突出したリードピンとの間の信号伝搬を行うリード線
と、前記チップに対しバブル転送用に水平な回転磁界を
与える直交する一対の駆動コイルと、バブルを安定に存
在させるためにチップに対して垂直なバイアス磁界を与
える永久磁石などから構成されている。
第1図は従来のバブルメモリデバイスの一例の基板にリ
ードピンを取付けた状態を示す図である。
ードピンを取付けた状態を示す図である。
1はガラスエポキシなどを材料とするデバイス基板(以
後単に基板という)で、この基板のほぼ中央に設けられ
た凹部にはバブルメモリチップ2が取付けられている。
後単に基板という)で、この基板のほぼ中央に設けられ
た凹部にはバブルメモリチップ2が取付けられている。
基板1には回転磁界発生用駆動コイルの一方5bと係合
する2個所の切欠きがあり、これらの切欠きの外側には
端子配列部1 a tlbがあり、ここにリードピン4
.4a、4bが固定されている。
する2個所の切欠きがあり、これらの切欠きの外側には
端子配列部1 a tlbがあり、ここにリードピン4
.4a、4bが固定されている。
外部回路(図示せず)とバブルメモリチップ2との間の
信号を伝搬するために各リードピン4の基部からバブル
メモリチップ2のポンディングパッド近傍まで、基板1
の表面に信号線3が印刷配線手法などにより形成されて
いる。
信号を伝搬するために各リードピン4の基部からバブル
メモリチップ2のポンディングパッド近傍まで、基板1
の表面に信号線3が印刷配線手法などにより形成されて
いる。
メモリチップ2は、基板1の凹部に固着し、そのポンデ
ィングパッドとそれぞれ所定の信号線3の端部とをワイ
ヤボンディングなどにより接続して取付けを終る。
ィングパッドとそれぞれ所定の信号線3の端部とをワイ
ヤボンディングなどにより接続して取付けを終る。
基板1にメモリチップ2を取付けたのち、第2図に示す
ように、それぞれX方向に駆動コイル5a、ついでY方
向に駆動コイル5bを嵌装し、両コイルの端子をそれぞ
れ前記リードピン4a 、4bに接続する。
ように、それぞれX方向に駆動コイル5a、ついでY方
向に駆動コイル5bを嵌装し、両コイルの端子をそれぞ
れ前記リードピン4a 、4bに接続する。
さらにバブルメモリチップ2に垂直方向にバイアス磁界
を与えるための板状の一対の永久磁石板(図示せず)お
よび整磁板等を配置し、第3図に示すようにシールドヨ
ーク6内に収納し、リードピンが配列された両側周面に
樹脂7を充填してバブルメモリデバイスを完成する。
を与えるための板状の一対の永久磁石板(図示せず)お
よび整磁板等を配置し、第3図に示すようにシールドヨ
ーク6内に収納し、リードピンが配列された両側周面に
樹脂7を充填してバブルメモリデバイスを完成する。
上記の様な従来のバブルメモリデバイスは、方の側にメ
モリチップ2への信号用リードピン4と駆動コイルへの
リードピン4a、4bなど多数のリードピンが配列され
ているために、他方の側には比較的少数のメモリチップ
2へのリードピンが配列されているだけであるにもかか
わらず、前記多数のリードピンを配列するために要する
長い寸法L1に合せて基板1を非対称形にし、したがっ
てメモリデバイスのリードピン配列方向の寸法をいたず
らに長くしなければならないという問題があった。
モリチップ2への信号用リードピン4と駆動コイルへの
リードピン4a、4bなど多数のリードピンが配列され
ているために、他方の側には比較的少数のメモリチップ
2へのリードピンが配列されているだけであるにもかか
わらず、前記多数のリードピンを配列するために要する
長い寸法L1に合せて基板1を非対称形にし、したがっ
てメモリデバイスのリードピン配列方向の寸法をいたず
らに長くしなければならないという問題があった。
このような問題をさけるために、バブルメモリデバイス
に必要な全リードピンを半数ずつ対称に両針側に配列で
きるような対称形基板を用いることも従来から行われて
いた。
に必要な全リードピンを半数ずつ対称に両針側に配列で
きるような対称形基板を用いることも従来から行われて
いた。
しかしこの場合、第2図から容易に判るように、一対の
駆動コイル中の一方5aの内側幅は、基板のリードピン
配列方向の辺の長さより長くする必要があるから、非対
称形基板を用いる場合よりもコイル5aの内側幅は大き
くなる。
駆動コイル中の一方5aの内側幅は、基板のリードピン
配列方向の辺の長さより長くする必要があるから、非対
称形基板を用いる場合よりもコイル5aの内側幅は大き
くなる。
コイルのインダクタンスはコイルの幅が大きくなれば(
巻回数や内側厚さ一定の場合)それに比例して増大し、
駆動コイル電源の負担を大きくするという別の問題が発
生する。
巻回数や内側厚さ一定の場合)それに比例して増大し、
駆動コイル電源の負担を大きくするという別の問題が発
生する。
本発明は前記の従来のバブルメモリデバイスの問題点を
解消した、バブルメモリデバイスを提供することを目的
とする。
解消した、バブルメモリデバイスを提供することを目的
とする。
上記目的を達成するために本発明においては、駆動コイ
ルの一方を中央付近のバブルメモリチップ取付部に嵌装
するためチップ取付部と等幅で少数端子を配列する短い
端子配列部を一針側に、従来の場合よりは少ないが、多
数端子を配列する長い端子配列部を他外側に有する非対
称形基板を用い、かつバブルメモリチップからの端子と
駆動コイル端子とを適宜分散して、デバイス両外側に半
数ずつ対称に配設するリードピンに接続するようにした
。
ルの一方を中央付近のバブルメモリチップ取付部に嵌装
するためチップ取付部と等幅で少数端子を配列する短い
端子配列部を一針側に、従来の場合よりは少ないが、多
数端子を配列する長い端子配列部を他外側に有する非対
称形基板を用い、かつバブルメモリチップからの端子と
駆動コイル端子とを適宜分散して、デバイス両外側に半
数ずつ対称に配設するリードピンに接続するようにした
。
この様Iこすれば、駆動コイルのインダクタンスが大き
くならずにすみ、しかも−外側に他外側よりも多くのリ
ードピンが配列されてデバイスのリードピン配列方向の
寸法がいたずらに長くなるという問題もなくなる。
くならずにすみ、しかも−外側に他外側よりも多くのリ
ードピンが配列されてデバイスのリードピン配列方向の
寸法がいたずらに長くなるという問題もなくなる。
駆動コイルの端子中基板に取付けられないものが生ずる
が、この点は後述の如く例えば製造工程の途中まで全リ
ードピンを一体化したリードフレームとして扱えば、製
造上困難は全くない。
が、この点は後述の如く例えば製造工程の途中まで全リ
ードピンを一体化したリードフレームとして扱えば、製
造上困難は全くない。
以下第4〜7図により本発明一実施例につき詳説する。
第4図は本実施例に係る基板1′を示し、長い方の端子
配列部1a′には1.駆動コイルの端子は1個だけしか
配列されていないから、この部の長さL2は、第1.2
図に示した従来の基板1の端子配列部1aの長さLlよ
りも駆動コイル端子3個分の長さだけ短い。
配列部1a′には1.駆動コイルの端子は1個だけしか
配列されていないから、この部の長さL2は、第1.2
図に示した従来の基板1の端子配列部1aの長さLlよ
りも駆動コイル端子3個分の長さだけ短い。
具体的にはリードピンのピッチが2.54間の場合、従
来はLlが22.86mtrtあったのに対し、本発明
実施例によりL2が15.24mmに短縮される。
来はLlが22.86mtrtあったのに対し、本発明
実施例によりL2が15.24mmに短縮される。
他方両側にそれぞれ7個ずつ端子を配列する端子配列部
を備えた対称形基板を用いる場合に比し、嵌挿する駆動
コイル5aの内側幅は7.62mm狭くてすみコイルの
インダクタンスも低減される。
を備えた対称形基板を用いる場合に比し、嵌挿する駆動
コイル5aの内側幅は7.62mm狭くてすみコイルの
インダクタンスも低減される。
第5図はリードピン14本を7本ずつ対称に配列して一
体化した本実施例用リードフレーム8を示す。
体化した本実施例用リードフレーム8を示す。
基板1a′に一対の駆動コイル5a 、5bを組合せた
のち、第6図1こ示すようにリードフレーム8のメモリ
チップ用リード4基部の曲った爪を基板1′の端子配列
部の穴りに差込み、図示してないが、第1図に示した基
板1の場合同様、基板上にメモリチップの信号用に設け
た信号線3の各端子に、はんだ等を用いて電気的ならび
に機械的に接続し、さらに駆動コイル5aの端子をリー
ドピン4a′の基部に、コイル5bの端子をピン4 b
/の基部に接続する。
のち、第6図1こ示すようにリードフレーム8のメモリ
チップ用リード4基部の曲った爪を基板1′の端子配列
部の穴りに差込み、図示してないが、第1図に示した基
板1の場合同様、基板上にメモリチップの信号用に設け
た信号線3の各端子に、はんだ等を用いて電気的ならび
に機械的に接続し、さらに駆動コイル5aの端子をリー
ドピン4a′の基部に、コイル5bの端子をピン4 b
/の基部に接続する。
リードフレーム8の各リードピン間の連結フレーム(以
後ダムとよぶ)は、デバイスの樹脂充填成形作業(以後
モールドとよぶ)の際に樹脂がリードピンの間から流出
しないようにする働きがある。
後ダムとよぶ)は、デバイスの樹脂充填成形作業(以後
モールドとよぶ)の際に樹脂がリードピンの間から流出
しないようにする働きがある。
モールド後ダムはプレス等により切落とし、第7図の如
き外形に完成する。
き外形に完成する。
なおリードピンを一体化したリードフレームを用いない
でも、適当な治具を用いれば本発明を容易に実施できる
ことは言うまでもない。
でも、適当な治具を用いれば本発明を容易に実施できる
ことは言うまでもない。
以上説明した如く本発明によれば、バブルメモリデバイ
スを、駆動コイルのインダクタンスの増加などを伴わず
に、小形化できる効果がある。
スを、駆動コイルのインダクタンスの増加などを伴わず
に、小形化できる効果がある。
第1〜3図は従来のバブルメモリデバイスの一例を示し
、それぞれ、基板にリードピンを取付けた状態、さらに
駆動コイルを組合せた状態、完成状態の図である。 第4〜1図は本発明一実施例を示し、それぞれ、本実施
例に係る基板、本実施例用リードフレーム、1駆動コイ
ル嵌挿およびリードフレーム取付は状態、完成外形の図
である。 1.1′・・・・・・基板、1 a + 1 a’+
1 b 、 1 b’・−、。 端子配列部、4 J 4a l 4a’l 4b l
4b’−・−・−リードピン、5a、5b・・・・・・
駆動コイル、8・・・・・・リードフレーム。
、それぞれ、基板にリードピンを取付けた状態、さらに
駆動コイルを組合せた状態、完成状態の図である。 第4〜1図は本発明一実施例を示し、それぞれ、本実施
例に係る基板、本実施例用リードフレーム、1駆動コイ
ル嵌挿およびリードフレーム取付は状態、完成外形の図
である。 1.1′・・・・・・基板、1 a + 1 a’+
1 b 、 1 b’・−、。 端子配列部、4 J 4a l 4a’l 4b l
4b’−・−・−リードピン、5a、5b・・・・・・
駆動コイル、8・・・・・・リードフレーム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 直交する一対の駆動コイルの一方を中央付近のバブ
ルメモリチップ取付部に嵌装するため、チップ取付部と
等幅で少数端子を配列する短い端子配列部を一針側に、
多数端子を配列する長い端子配列部を細針側に有する非
対称形デバイス基板を用い、かつバブルメモリチップか
らの端子と駆動コイル端子とを、デバイス両外側に半数
ずつ対称に配設するリードピンに接続するようにしたこ
とを特徴とするバブルメモリデバイス。 2 製造工程中は、対称配設するリードピンを一体化し
たリードフレームとして作業し、各リードピン基部がそ
れぞれバブルメモリデバイス外装部に固着されたのち、
リードピン各個間の連結フレームを切断除去した特許請
求の範囲第1項記載のバブルメモリデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15103678A JPS5855586B2 (ja) | 1978-12-08 | 1978-12-08 | バブルメモリデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15103678A JPS5855586B2 (ja) | 1978-12-08 | 1978-12-08 | バブルメモリデバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5580877A JPS5580877A (en) | 1980-06-18 |
| JPS5855586B2 true JPS5855586B2 (ja) | 1983-12-10 |
Family
ID=15509889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15103678A Expired JPS5855586B2 (ja) | 1978-12-08 | 1978-12-08 | バブルメモリデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5855586B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5843214A (ja) * | 1981-09-09 | 1983-03-12 | Bridgestone Corp | エンジン排ガス中のパ−テイキユレ−ト浄化体 |
-
1978
- 1978-12-08 JP JP15103678A patent/JPS5855586B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5580877A (en) | 1980-06-18 |
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