JPS622390B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS622390B2 JPS622390B2 JP58090204A JP9020483A JPS622390B2 JP S622390 B2 JPS622390 B2 JP S622390B2 JP 58090204 A JP58090204 A JP 58090204A JP 9020483 A JP9020483 A JP 9020483A JP S622390 B2 JPS622390 B2 JP S622390B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- magnetic
- coil
- substrate
- bubble memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は量産化に適した磁気バブルメモリ装置
の実装構造に関する。
の実装構造に関する。
(b) 技術の背景
磁気バブルメモリ装置（以下略してバブルメモ
リ装置）においては磁気バブルメモリチツプ（以
下チツプ）に一様な強さのバイアス磁界を常に印
加しておくために永久磁石が用いられており、磁
気バブル（以下バブル）を転送パターンに沿つて
伝播させるためチツプと水平に回転磁界を加える
構成法がとられている。こゝで回転磁界を発生さ
せるには直交する１対のコイルを用いこれに正弦
波電流又は三角波電流を90度位相をずらせてコイ
ル駆動回路に流す方法が用いられる。こゝでコイ
ルの構造には２個のソレノイドを直交させる方法
と２個の平面コイルを直交させる方法があり、前
者の構造が通常用いられている。すなわちソレノ
イドは磁界面積効率（有効回転磁界面積／コイル
の大きさ）、磁界電流効率（単位電流当りの回転
磁界の強さ）が良い。然しチツプ位置の四方がコ
イルの壁に囲まれているのでチツプの挿入、取出
し、リード線の引出しなどが不便で通常磁気基板
の中央にチツプを固定し基板に設けた切り込みを
用いてＸコイルおよびＹコイルを挿入固定してい
るが、コイル装着後のチツプ交換は事実上不可能
である。一方後者は互に直交した平面コイルを銅
板のような導体基板と平行に配置した構造であ
り、このような配置にすると映像効果により導体
板の表面に回転磁界を作ることができる。この構
造の特徴はチツプの位置が導体板の表面で四方が
開いているための設計、組立が容易であり、コイ
ルを作る際にプリント配線技術が使われるので量
産が容易であることが挙げられる。本発明は平面
コイルを用いたバブルメモリ装置の構造に関する
ものである。
リ装置）においては磁気バブルメモリチツプ（以
下チツプ）に一様な強さのバイアス磁界を常に印
加しておくために永久磁石が用いられており、磁
気バブル（以下バブル）を転送パターンに沿つて
伝播させるためチツプと水平に回転磁界を加える
構成法がとられている。こゝで回転磁界を発生さ
せるには直交する１対のコイルを用いこれに正弦
波電流又は三角波電流を90度位相をずらせてコイ
ル駆動回路に流す方法が用いられる。こゝでコイ
ルの構造には２個のソレノイドを直交させる方法
と２個の平面コイルを直交させる方法があり、前
者の構造が通常用いられている。すなわちソレノ
イドは磁界面積効率（有効回転磁界面積／コイル
の大きさ）、磁界電流効率（単位電流当りの回転
磁界の強さ）が良い。然しチツプ位置の四方がコ
イルの壁に囲まれているのでチツプの挿入、取出
し、リード線の引出しなどが不便で通常磁気基板
の中央にチツプを固定し基板に設けた切り込みを
用いてＸコイルおよびＹコイルを挿入固定してい
るが、コイル装着後のチツプ交換は事実上不可能
である。一方後者は互に直交した平面コイルを銅
板のような導体基板と平行に配置した構造であ
り、このような配置にすると映像効果により導体
板の表面に回転磁界を作ることができる。この構
造の特徴はチツプの位置が導体板の表面で四方が
開いているための設計、組立が容易であり、コイ
ルを作る際にプリント配線技術が使われるので量
産が容易であることが挙げられる。本発明は平面
コイルを用いたバブルメモリ装置の構造に関する
ものである。
(c) 従来技術と問題点
発明者は既に平面コイルを用いたバブルメモリ
装置を提案している（IEEE Transactions on
Magnetics、Vol.Mag―11、no.5 Sept.1975）。第
１図はこの構成を示す従来の断面構造また第２図
はこの斜視図である。すなわち複数個（この場合
４個）のチツプ１は表面が絶縁化された導体基板
２の上に搭載されており、この絶縁皮膜上に形成
されたプリント配線を通じて導体基板２の周辺に
設けられている端子部まで回路接続がなされる。
例えば導体基板２としては銅板を用いこの表面に
二酸化硅素（SiO2）を蒸着するか或はポリイミド
などを被覆して絶縁し、これにプリント配線を施
したものにチツプを接着し相互にボンデイング接
続することによりチツプへの配線接続が行われて
いる。次に導体基板２の上にはＸコイル３とＹコ
イル４からなる平面コイルが直交して設けられて
いる。こゝで導体基板２はこれらの平面コイルに
対して映像効果を生じていると共に放熱にも寄与
している。すなわち短絡された２次コイルのよう
に働らき実効的なコイルのインダクタンスを減少
させている。次にチツプ１にバイアス磁界を加え
る永久磁石５は鉄板などからなるヨーク６の両側
に設けられており、磁界効率を上げるために設け
られているフエライト板７とによりチツプ１に垂
直磁界を与えている。このような平面コイルを用
いたバブルメモリ装置は高い周波数での使用に適
し、チツプの温度上昇が少くまた誘導ノイズなど
の発生が少い長所をもつているが、第１図および
第２図に示した構造のバブルメモリ装置は量産工
程に適した構造であるとは言い得なかつた。
装置を提案している（IEEE Transactions on
Magnetics、Vol.Mag―11、no.5 Sept.1975）。第
１図はこの構成を示す従来の断面構造また第２図
はこの斜視図である。すなわち複数個（この場合
４個）のチツプ１は表面が絶縁化された導体基板
２の上に搭載されており、この絶縁皮膜上に形成
されたプリント配線を通じて導体基板２の周辺に
設けられている端子部まで回路接続がなされる。
例えば導体基板２としては銅板を用いこの表面に
二酸化硅素（SiO2）を蒸着するか或はポリイミド
などを被覆して絶縁し、これにプリント配線を施
したものにチツプを接着し相互にボンデイング接
続することによりチツプへの配線接続が行われて
いる。次に導体基板２の上にはＸコイル３とＹコ
イル４からなる平面コイルが直交して設けられて
いる。こゝで導体基板２はこれらの平面コイルに
対して映像効果を生じていると共に放熱にも寄与
している。すなわち短絡された２次コイルのよう
に働らき実効的なコイルのインダクタンスを減少
させている。次にチツプ１にバイアス磁界を加え
る永久磁石５は鉄板などからなるヨーク６の両側
に設けられており、磁界効率を上げるために設け
られているフエライト板７とによりチツプ１に垂
直磁界を与えている。このような平面コイルを用
いたバブルメモリ装置は高い周波数での使用に適
し、チツプの温度上昇が少くまた誘導ノイズなど
の発生が少い長所をもつているが、第１図および
第２図に示した構造のバブルメモリ装置は量産工
程に適した構造であるとは言い得なかつた。
(d) 発明の目的
本発明の目的は平面コイルを用いた大量生産に
適するバブルメモリ装置の構造を提供するにあ
る。
適するバブルメモリ装置の構造を提供するにあ
る。
(e) 発明の構成
この本発明の目的は、基板中央部に磁気バブル
メモリチツプ収容用の窓開け部を有し、該窓開け
部を中心として印刷配線が基板外周部のリード端
子まで導出している絶縁基板と、 前記メモリチツプが上面側中央に接着固定さ
れ、且つ該メモリチツプが前記窓開け部内に位置
するように、前記絶縁基板の裏面に固着される非
磁性金属導体板と、 前記絶縁基板の外側表面に形成された凹部に積
層して収容される平面コイルおよび整磁板と、 前記導体板の外側表面に形成された凹部に積層
して収容される永久磁石および整磁板と、 固着された前記絶縁基板と前記導体板のそれぞ
れの凹部に前記平面コイルと前記整磁板および前
記永久磁石と前記整磁板を設けた状態で、その周
囲を覆うシールドケースとを少なくとも具備して
なる磁気バブルメモリデバイスにより達成するこ
とができる。
メモリチツプ収容用の窓開け部を有し、該窓開け
部を中心として印刷配線が基板外周部のリード端
子まで導出している絶縁基板と、 前記メモリチツプが上面側中央に接着固定さ
れ、且つ該メモリチツプが前記窓開け部内に位置
するように、前記絶縁基板の裏面に固着される非
磁性金属導体板と、 前記絶縁基板の外側表面に形成された凹部に積
層して収容される平面コイルおよび整磁板と、 前記導体板の外側表面に形成された凹部に積層
して収容される永久磁石および整磁板と、 固着された前記絶縁基板と前記導体板のそれぞ
れの凹部に前記平面コイルと前記整磁板および前
記永久磁石と前記整磁板を設けた状態で、その周
囲を覆うシールドケースとを少なくとも具備して
なる磁気バブルメモリデバイスにより達成するこ
とができる。
(f) 発明の実施例
第３図は本発明に係る磁気バブルメモリ装置の
実装構造断面図、第４図は製品外観を示す斜視
図、また第５図Ａ〜Ｇは本メモリ装置の組み立て
工程を説明するための構成品の斜視図である。以
下図面により具体的な実装形態に係る本発明を説
明する。デユアルインライン構造をとるため複数
個のリード端子８を両側に備えたセラミツク基板
９は中央部に角穴１０があり、角穴１０の周辺部
の段差部１１にはボンデイングパツトが設けられ
多層配線により各ボンデイングパツドとリード端
子８とはそれぞれ回路接続されている。またセラ
ミツク基板９の上面は周囲に段差のある凹部１２
となつていて、この凹部内部に複数個の薄板（後
述する平面コイルと銅板）が位置決めして装着さ
れる（第５図Ａ）。次にセラミツク基板９の下に
はこれと等面積のアルミニウムダイキヤスで作ら
れた導体板１３があり、この導体板１３の上面に
は平面コイルの映像効果を生ずるための銅
（Cu）メツキ１４が50〜100〔μｍ〕の厚さに施
されている（第５図Ｂ）。また導体板１３の下面
には一定の傾斜角をもつ凹部１５があつて整磁板
１６と永久磁石１７とが嵌入される（第５図Ｃ）
すなわち導体板１３の下面の凹部１５はチツプに
ホールド磁界を加えるためホールド磁界印加方向
に数度の傾きをもつてダイキヤストされている。
こゝでセラミツク基板９と導体板１３とは密着さ
れハンダペーストなどにより加熱封止される。次
にセラミツク基板９の角穴１０を通じて導体板１
３の上の銅メツキ１４面にチツプ１９がダイボン
デイングされ段差部１１に設けてあるボンデイグ
パツドとワイヤボンデイングされる。第５図Ｄは
この状態を示すものでこの実施例の場合はチツプ
１９が４個装着されており、この角穴１０の上部
はチツプ１９の装着後例えばセラミツクシーラな
どの封止材２０で溶着封止することによりチツプ
１９はハーメチツクシールされる。次に窓枠構造
１２をとるセラミツク基板９の上面凹部に消去コ
イル２１、Ｘコイル２２、Ｙコイル２３を構成す
る平面コイルを順次挿入し（第５図Ｅ）、更にそ
の上に中央に長方形の角穴２４があいた厚さ0.5
〜１〔mm〕の銅板２５を挿入し、また角穴２４の
部分に等厚のフエライト板２６を嵌合させる（第
５図Ｆ，Ｇ）。ここで銅板２５は平面コイル２１
〜２４の不要部の磁束を短絡してコイルのインダ
クタンスを下げるためであり、またフエライト板
２６は平面コイル２１〜２３のフラツクスキーパ
ーとして働らき交流磁束の外部漏洩を防ぎ渦電流
によるコイルの負荷を低減すると共に更にバイア
ス磁界を効率的に与える効果をもつ。次にこのよ
うにセラミツク基板９を中心として一体化した後
はシールドケース２７に格納することによりバブ
ルメモリ装置はでき上る。第４図はシールドケー
ス２７に格納し磁気シールドを施した完成体の斜
視図である。
実装構造断面図、第４図は製品外観を示す斜視
図、また第５図Ａ〜Ｇは本メモリ装置の組み立て
工程を説明するための構成品の斜視図である。以
下図面により具体的な実装形態に係る本発明を説
明する。デユアルインライン構造をとるため複数
個のリード端子８を両側に備えたセラミツク基板
９は中央部に角穴１０があり、角穴１０の周辺部
の段差部１１にはボンデイングパツトが設けられ
多層配線により各ボンデイングパツドとリード端
子８とはそれぞれ回路接続されている。またセラ
ミツク基板９の上面は周囲に段差のある凹部１２
となつていて、この凹部内部に複数個の薄板（後
述する平面コイルと銅板）が位置決めして装着さ
れる（第５図Ａ）。次にセラミツク基板９の下に
はこれと等面積のアルミニウムダイキヤスで作ら
れた導体板１３があり、この導体板１３の上面に
は平面コイルの映像効果を生ずるための銅
（Cu）メツキ１４が50〜100〔μｍ〕の厚さに施
されている（第５図Ｂ）。また導体板１３の下面
には一定の傾斜角をもつ凹部１５があつて整磁板
１６と永久磁石１７とが嵌入される（第５図Ｃ）
すなわち導体板１３の下面の凹部１５はチツプに
ホールド磁界を加えるためホールド磁界印加方向
に数度の傾きをもつてダイキヤストされている。
こゝでセラミツク基板９と導体板１３とは密着さ
れハンダペーストなどにより加熱封止される。次
にセラミツク基板９の角穴１０を通じて導体板１
３の上の銅メツキ１４面にチツプ１９がダイボン
デイングされ段差部１１に設けてあるボンデイグ
パツドとワイヤボンデイングされる。第５図Ｄは
この状態を示すものでこの実施例の場合はチツプ
１９が４個装着されており、この角穴１０の上部
はチツプ１９の装着後例えばセラミツクシーラな
どの封止材２０で溶着封止することによりチツプ
１９はハーメチツクシールされる。次に窓枠構造
１２をとるセラミツク基板９の上面凹部に消去コ
イル２１、Ｘコイル２２、Ｙコイル２３を構成す
る平面コイルを順次挿入し（第５図Ｅ）、更にそ
の上に中央に長方形の角穴２４があいた厚さ0.5
〜１〔mm〕の銅板２５を挿入し、また角穴２４の
部分に等厚のフエライト板２６を嵌合させる（第
５図Ｆ，Ｇ）。ここで銅板２５は平面コイル２１
〜２４の不要部の磁束を短絡してコイルのインダ
クタンスを下げるためであり、またフエライト板
２６は平面コイル２１〜２３のフラツクスキーパ
ーとして働らき交流磁束の外部漏洩を防ぎ渦電流
によるコイルの負荷を低減すると共に更にバイア
ス磁界を効率的に与える効果をもつ。次にこのよ
うにセラミツク基板９を中心として一体化した後
はシールドケース２７に格納することによりバブ
ルメモリ装置はでき上る。第４図はシールドケー
ス２７に格納し磁気シールドを施した完成体の斜
視図である。
(g) 発明の効果
本発明に係る実装形態の採用により平面コイル
を駆動コイルとして使用する磁気バブルメモリ装
置の量産化が可能となる。
を駆動コイルとして使用する磁気バブルメモリ装
置の量産化が可能となる。
第１図と第２図は平面コイルを用いた磁気バブ
ルメモリ装置の従来構造で第１図は正面断面図、
第２図は斜視図、第３図〜第５図は本発明に係る
構造で、第３図は正面断面図、第４図は完成体を
示す斜視図、第５図Ａ〜Ｇは構成形態を示す斜視
図である。 図において、１，１９はチツプ、３，２２はＸ
コイル、４，２３はＹコイル、５，１７は永久磁
石、１３は導体板、１４は銅メツキ。
ルメモリ装置の従来構造で第１図は正面断面図、
第２図は斜視図、第３図〜第５図は本発明に係る
構造で、第３図は正面断面図、第４図は完成体を
示す斜視図、第５図Ａ〜Ｇは構成形態を示す斜視
図である。 図において、１，１９はチツプ、３，２２はＸ
コイル、４，２３はＹコイル、５，１７は永久磁
石、１３は導体板、１４は銅メツキ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板中央部に磁気バブルメモリチツプ収容用
の窓開け部を有し、該窓開け部を中心として印刷
配線が基板外周部のリード端子まで導出している
絶縁基板と、 前記メモリチツプが上面側中央に接着固定さ
れ、且つ該メモリチツプが前記窓開け部内に位置
するように、前記絶縁基板の裏面に固着される非
磁性金属導体板と、 前記絶縁基板の外側表面に形成された凹部に積
層して収容される平面コイルおよび整磁板と、 前記導体板の外側表面に形成された凹部に積層
して収容される永久磁石および整磁板と、 固着された前記絶縁基板と前記導体板のそれぞ
れの凹部に前記平面コイルと前記整磁板および前
記永久磁石と前記整磁板を設けた状態で、その周
囲を覆うシールドケースとを少なくとも具備して
なる磁気バブルメモリデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58090204A JPS59217285A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | 磁気バブルメモリデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58090204A JPS59217285A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | 磁気バブルメモリデバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59217285A JPS59217285A (ja) | 1984-12-07 |
| JPS622390B2 true JPS622390B2 (ja) | 1987-01-19 |
Family
ID=13991955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58090204A Granted JPS59217285A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | 磁気バブルメモリデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59217285A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0648594B2 (ja) * | 1985-04-26 | 1994-06-22 | 株式会社日立製作所 | 磁気バブルメモリ装置の組立方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5846791B2 (ja) * | 1976-04-30 | 1983-10-18 | 富士通株式会社 | 磁気バブル装置 |
| US4027300A (en) * | 1976-05-24 | 1977-05-31 | International Business Machines Corporation | Bubble memory package |
| JPS5368929A (en) * | 1976-12-02 | 1978-06-19 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble driving device |
| JPS6022434B2 (ja) * | 1978-05-31 | 1985-06-01 | 富士通株式会社 | 磁気バブル装置 |
-
1983
- 1983-05-23 JP JP58090204A patent/JPS59217285A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59217285A (ja) | 1984-12-07 |
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