JPS5855830A - 表面応力測定装置 - Google Patents
表面応力測定装置Info
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- JPS5855830A JPS5855830A JP15374581A JP15374581A JPS5855830A JP S5855830 A JPS5855830 A JP S5855830A JP 15374581 A JP15374581 A JP 15374581A JP 15374581 A JP15374581 A JP 15374581A JP S5855830 A JPS5855830 A JP S5855830A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/24—Measuring force or stress, in general by measuring variations of optical properties of material when it is stressed, e.g. by photoelastic stress analysis using infrared, visible light, ultraviolet
- G01L1/241—Measuring force or stress, in general by measuring variations of optical properties of material when it is stressed, e.g. by photoelastic stress analysis using infrared, visible light, ultraviolet by photoelastic stress analysis
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は#1うろう製品、陶磁器製品等表面「ニガラス
質釉薬の飾石れた製品の表面応力を非破壊的に測定し得
る表面応力測定装置の改良C二関する。
質釉薬の飾石れた製品の表面応力を非破壊的に測定し得
る表面応力測定装置の改良C二関する。
上記の製品は表面を強化するために基体の表面(二釉薬
な被着させている。しかしながらこの基体と釉薬との間
i二はわずかではあるが熱膨張差があり、これを全く無
視することは出来ないのでなるべく近似されることが行
なわれているが同−Cユすることは現在の技術では不可
能で若干の差が生ずることは避けられない。特5:上記
釉薬の焼付時の面に平行表方向に応力が生ずる。この応
力の絶対値は膨張差の大小に比例し、応力が圧縮力かあ
るいは張力かは釉薬と基体との熱膨張の差の大きさによ
って決定する。
な被着させている。しかしながらこの基体と釉薬との間
i二はわずかではあるが熱膨張差があり、これを全く無
視することは出来ないのでなるべく近似されることが行
なわれているが同−Cユすることは現在の技術では不可
能で若干の差が生ずることは避けられない。特5:上記
釉薬の焼付時の面に平行表方向に応力が生ずる。この応
力の絶対値は膨張差の大小に比例し、応力が圧縮力かあ
るいは張力かは釉薬と基体との熱膨張の差の大きさによ
って決定する。
釉薬の表面応力が張力であると、釉薬は自発的C二きれ
つを生ずるか、あるいは経時的にきれつを生ずるか、あ
るいは外力や衝撃によってきれつを生じやすく、実使用
上に不都合であるかあるいは商品価値を失ってしまう。
つを生ずるか、あるいは経時的にきれつを生ずるか、あ
るいは外力や衝撃によってきれつを生じやすく、実使用
上に不都合であるかあるいは商品価値を失ってしまう。
表面応力が大きな圧縮力であると、釉薬層は自発的なは
がれを起しやすい。
がれを起しやすい。
表面応力が適当な大きさの圧縮力であると、#1つろう
または陶磁器製品は、機械的にも化学的にも強く、製造
時の歩留り向上と使用時の耐久性向上という望ましい効
果がある〇 従って、製造g−当っては、釉薬が適当な大きさの圧縮
力C二なるよう(二、基体と釉薬とを組合わせに特に注
意はらって行なわれている。
または陶磁器製品は、機械的にも化学的にも強く、製造
時の歩留り向上と使用時の耐久性向上という望ましい効
果がある〇 従って、製造g−当っては、釉薬が適当な大きさの圧縮
力C二なるよう(二、基体と釉薬とを組合わせに特に注
意はらって行なわれている。
しかしながら上記においても多少の差を生じるのでこの
製造工程の管理が必要であり、この管理を非破壊的ζ二
行なえるように発明者は先に表面化測定感度を史に向上
させるべく検討を重ねたものである。すなわち上記表面
応カ計はその感度(精度)として1呻/−程度を有して
おり、これはほうろう、工業用あるいは工業用の一部C
ユ用いられる陶磁器等の狭面応力が5〜20に4/−程
度範囲の大きな応力がある場合C二は有効に適用出来る
が例えば測定精度がo、ib/−を要求される高級食器
@においては、測定困難となる場合がある。
製造工程の管理が必要であり、この管理を非破壊的ζ二
行なえるように発明者は先に表面化測定感度を史に向上
させるべく検討を重ねたものである。すなわち上記表面
応カ計はその感度(精度)として1呻/−程度を有して
おり、これはほうろう、工業用あるいは工業用の一部C
ユ用いられる陶磁器等の狭面応力が5〜20に4/−程
度範囲の大きな応力がある場合C二は有効に適用出来る
が例えば測定精度がo、ib/−を要求される高級食器
@においては、測定困難となる場合がある。
本発明は上記の測定精度を十分Cユ保持できるようC二
したもので被測定物の表面を平行C二走行するレーザビ
ームを励起し、このビームを取り出しこの射出ビームC
二生ずる光弾性的ビーム路の差の測定をセナルモン補正
器の原理を用いて精度を向上させた表面応力測定装置を
提供する。
したもので被測定物の表面を平行C二走行するレーザビ
ームを励起し、このビームを取り出しこの射出ビームC
二生ずる光弾性的ビーム路の差の測定をセナルモン補正
器の原理を用いて精度を向上させた表面応力測定装置を
提供する。
第1図は本発明表面応力測定装置の原理的説明図であっ
て基体(1)の表面I:釉薬層(2)が形成されている
。この釉薬層の表面(81ijがなりの粗面となってい
る。この釉薬層の表面には、この屑より屈折率の高い光
学ガラス製の入射プリズム(4)及び透光板(5)を挾
んで入射プリズム(4)と同特性を有する射出プリズム
(6)が夫々付設されている。また上記各プリズム(4
)及び(6)の下面と上記釉薬層(2)の表面(組との
わずかなすき間C二は上記プリズムと屈折率を近似させ
た液体(7)が注入しである。この液体(7)は、光学
的接触を助けるため(−用いられる。
て基体(1)の表面I:釉薬層(2)が形成されている
。この釉薬層の表面(81ijがなりの粗面となってい
る。この釉薬層の表面には、この屑より屈折率の高い光
学ガラス製の入射プリズム(4)及び透光板(5)を挾
んで入射プリズム(4)と同特性を有する射出プリズム
(6)が夫々付設されている。また上記各プリズム(4
)及び(6)の下面と上記釉薬層(2)の表面(組との
わずかなすき間C二は上記プリズムと屈折率を近似させ
た液体(7)が注入しである。この液体(7)は、光学
的接触を助けるため(−用いられる。
上記C二おいて予め集光されたレーザビーム(81ti
偏光板(第1図1′−は図示せず。第2図32bで示す
。)によってすで6−直線偏光に表っておりほぼ釉薬層
表面(111で焦点を結びかつ入射点(j)cおける垂
線翰に対し全反射臨界角(ψ0)をなすように投射され
る。
偏光板(第1図1′−は図示せず。第2図32bで示す
。)によってすで6−直線偏光に表っておりほぼ釉薬層
表面(111で焦点を結びかつ入射点(j)cおける垂
線翰に対し全反射臨界角(ψ0)をなすように投射され
る。
そして偏光面は入射面に対し45°の角度をなすよう6
二なっている。また釉薬層(2)内≦二人射されたビー
ムの一部はこの表面(8)の弦に沿って伝播されてビー
ム+121 Q81等となって進行し、再び表面(8)
の各射出点541(2))から射出ビーム(至)(ロ)
となって放射される。
二なっている。また釉薬層(2)内≦二人射されたビー
ムの一部はこの表面(8)の弦に沿って伝播されてビー
ム+121 Q81等となって進行し、再び表面(8)
の各射出点541(2))から射出ビーム(至)(ロ)
となって放射される。
例えば上記釉薬層(2)内部1:応力があり、その応力
は表面(8)からの深さC二はよらないと近似できる条
件で考えた場合、上記入射ビーム(8)の直線偏光は釉
薬層(2)内に入射後その表面に平行及び垂直方向Cそ
れぞれ振動する2つの直線偏光成分にわかれて進み、応
力による光弾性効果i二より2つの成分量C−ビームの
光路差が生ずることになる。この光路差をRとすれば光
弾性の公式(二より釉薬層の光弾性定数をCとすればF
を応力として釉薬層内のビーム(2)冨二生ずる光路差
(R) = c y x(入射点(9)と射出点に)と
の距離)。
は表面(8)からの深さC二はよらないと近似できる条
件で考えた場合、上記入射ビーム(8)の直線偏光は釉
薬層(2)内に入射後その表面に平行及び垂直方向Cそ
れぞれ振動する2つの直線偏光成分にわかれて進み、応
力による光弾性効果i二より2つの成分量C−ビームの
光路差が生ずることになる。この光路差をRとすれば光
弾性の公式(二より釉薬層の光弾性定数をCとすればF
を応力として釉薬層内のビーム(2)冨二生ずる光路差
(R) = c y x(入射点(9)と射出点に)と
の距離)。
釉薬層内のビーム(至)に生ずる光路差(R) = o
v x(入射点(9)と射出点(ロ)との距II)で
ある。これ等の光路差(R)は、それぞれ射出光(至)
(1’F)C保存されて光弾性的手段で測定される。
v x(入射点(9)と射出点(ロ)との距II)で
ある。これ等の光路差(R)は、それぞれ射出光(至)
(1’F)C保存されて光弾性的手段で測定される。
この測定によって上記ビーム(2)及びα糧の間での光
路差(R)の差は、cyx[(入射点(9)と射出点(
至)の距離)−(入射点(9)と射出点に)の距離)〕
である。入射点(9)と射出点(ロ)及び(至)との間
の距離が釉薬層の表面(8)の曲率半径l二比較して十
分l二手さければ上記式の中括弧内は射出点に)と射出
点(至)の間の距離は等しいと近似できる。
路差(R)の差は、cyx[(入射点(9)と射出点(
至)の距離)−(入射点(9)と射出点に)の距離)〕
である。入射点(9)と射出点(ロ)及び(至)との間
の距離が釉薬層の表面(8)の曲率半径l二比較して十
分l二手さければ上記式の中括弧内は射出点に)と射出
点(至)の間の距離は等しいと近似できる。
従って
上記ビーム(2)及びαB)の間での光路差只の差キ0
FX(射出点(2)邸)の距離)が成立し、Fが算出で
きること5二なる。
FX(射出点(2)邸)の距離)が成立し、Fが算出で
きること5二なる。
本発明は五記原理に基づき、光路差の測定をセナルモン
補整器を利用して完成させたもので、以下その実施例を
第2図を参照して詳細に説明する。
補整器を利用して完成させたもので、以下その実施例を
第2図を参照して詳細に説明する。
基板−は全体を支持する支持台であって固定された足他
1)と、水平調整が行なえる可動足(転)とが付設され
ている。
1)と、水平調整が行なえる可動足(転)とが付設され
ている。
上記基板(社)の一部に固定されたプリズム支持枠−は
中央に遮光板−を背にして入射プリズム(7)及び射出
プリズム■)が保持されている。なお上記各フリスム例
(財))は直角三角形を呈し、斜面をビームが通過する
ようになり、かつ直角短辺が被測定物に当接する測定面
となるよう構成される。投射p“構cnは支持体□□□
)とレーザ光源−1と調量可能な第2反射プリズム■)
とから成り、レーザ光源−は支持体ζ二平行に固定され
第1反射プリズム−は、支持子i8])を介して上記支
持体@)に固定されている。また上記レーザ光源−の一
部f二はレーザビームを射出する射出部−が設けてあり
、この射出部−内にはレーザビームを光学的5二集光す
る凸レンズ−A及び偏光板−Bが付設されている。更C
第1反射プリズム例は直角三角形の直角面を上記射出部
−に対向せしめその斜面(二よって上記レーザビームを
反射変換するようになっている。なおl[i81はレー
ザ光源の傾斜調整金具で調整ねじe@C二よって上記支
持体(至)の傾斜が自由に変えられるよう1″−表って
いる。185)は上記支持体例の一部I:固定された固
定子で上記基板−の一部に回動自在C−枢着され支点−
を中心1:支持体鄭)は傾斜角度が調整出来る。
中央に遮光板−を背にして入射プリズム(7)及び射出
プリズム■)が保持されている。なお上記各フリスム例
(財))は直角三角形を呈し、斜面をビームが通過する
ようになり、かつ直角短辺が被測定物に当接する測定面
となるよう構成される。投射p“構cnは支持体□□□
)とレーザ光源−1と調量可能な第2反射プリズム■)
とから成り、レーザ光源−は支持体ζ二平行に固定され
第1反射プリズム−は、支持子i8])を介して上記支
持体@)に固定されている。また上記レーザ光源−の一
部f二はレーザビームを射出する射出部−が設けてあり
、この射出部−内にはレーザビームを光学的5二集光す
る凸レンズ−A及び偏光板−Bが付設されている。更C
第1反射プリズム例は直角三角形の直角面を上記射出部
−に対向せしめその斜面(二よって上記レーザビームを
反射変換するようになっている。なおl[i81はレー
ザ光源の傾斜調整金具で調整ねじe@C二よって上記支
持体(至)の傾斜が自由に変えられるよう1″−表って
いる。185)は上記支持体例の一部I:固定された固
定子で上記基板−の一部に回動自在C−枢着され支点−
を中心1:支持体鄭)は傾斜角度が調整出来る。
mlは第2反射プリズム−を固定したプリズム固定体で
基板−の一部f二回動自在g二枢着されその一部I:F
i、棒体から成る可動伝達素子−)が固定されこの素子
は長い棒でその自由端は基1帽二沿って配設されると共
に変心されて回動する変心カム閣の外表面I:液接触て
上下C二変化するようi二なっている。々お変心カム閣
は基板−の一部5二回動自在C二固定されている。なお
上記可動伝達素子−は変心カム閣を回転することによっ
て矢印方向に移動(上下動)シ、第1反射プリズム■を
微調整することが出来るよう$二なっている。−)は顕
微鏡であってその先端は上記基板−の一部C回動自在C
枢着されると共C二この開口部は上記射出プリズムm)
の斜面(二正対するようになっている。この顕微鏡閣内
には対物レンズ−・偏光板−と四分の一波長板鯛及び接
眼レンズ鵠が組込まれている。この場合四分の一波長板
一)と検光板−)〔下記で説明〕とは、偏光板1321
Bと共に光弾性学でのセナルモン補整器を形成するよう
に光学的軸を一致して配置し組み込まれている。なお必
要があれば上記対物レンズ圏により実像の生ずる位置に
尺度−を介在してもよい。また接眼レンズ−に対向して
角度目盛板−が付設されると共に検光板WI)が回転自
在に固定され、史に顕歇鏡間の傾斜角度を調整する調整
機構部;を付設して表面応力測定装置間i′−構成して
成る。
基板−の一部f二回動自在g二枢着されその一部I:F
i、棒体から成る可動伝達素子−)が固定されこの素子
は長い棒でその自由端は基1帽二沿って配設されると共
に変心されて回動する変心カム閣の外表面I:液接触て
上下C二変化するようi二なっている。々お変心カム閣
は基板−の一部5二回動自在C二固定されている。なお
上記可動伝達素子−は変心カム閣を回転することによっ
て矢印方向に移動(上下動)シ、第1反射プリズム■を
微調整することが出来るよう$二なっている。−)は顕
微鏡であってその先端は上記基板−の一部C回動自在C
枢着されると共C二この開口部は上記射出プリズムm)
の斜面(二正対するようになっている。この顕微鏡閣内
には対物レンズ−・偏光板−と四分の一波長板鯛及び接
眼レンズ鵠が組込まれている。この場合四分の一波長板
一)と検光板−)〔下記で説明〕とは、偏光板1321
Bと共に光弾性学でのセナルモン補整器を形成するよう
に光学的軸を一致して配置し組み込まれている。なお必
要があれば上記対物レンズ圏により実像の生ずる位置に
尺度−を介在してもよい。また接眼レンズ−に対向して
角度目盛板−が付設されると共に検光板WI)が回転自
在に固定され、史に顕歇鏡間の傾斜角度を調整する調整
機構部;を付設して表面応力測定装置間i′−構成して
成る。
次弧二測定操作について第2図乃至第4図を参照して説
明する。
明する。
第3図は接眼レンズ1441により被検面A(第2図番
二手す釉薬層)の実像を観察した状況を示すものであり
、図面i二おける下方の暗部(311)は遮光板−の照
像である。またこの照像の辿縁(312)から射出光に
よって形成される光条(313)は細い帯状を呈する。
二手す釉薬層)の実像を観察した状況を示すものであり
、図面i二おける下方の暗部(311)は遮光板−の照
像である。またこの照像の辿縁(312)から射出光に
よって形成される光条(313)は細い帯状を呈する。
なお光の進行方向は矢印(314)で示され、また尺度
間が付設されている場合には目盛(315)が写し出さ
れる。釉薬層表面A上の実長はこの目盛(315)を用
いて測定することが出来るし、校正することによって随
時決定するのに便利である。
間が付設されている場合には目盛(315)が写し出さ
れる。釉薬層表面A上の実長はこの目盛(315)を用
いて測定することが出来るし、校正することによって随
時決定するのに便利である。
すなわち、第2図に示すようCニレーザ光源−から放射
されたレーザビーム(8)は集光レンズ1321 A
I−よって集光されると共に偏光板−Bによって偏光さ
れ反射プリズム(1101に射突して反射され、る。こ
の反射ビームは第2反射プリズム−に進行しここで更(
=反射されて入射プリズム傾C二人射する。そしてこの
入射プリズムリ)を通過したレーザビームは光学的接触
をよくするための液体を通り被測定物Bの釉薬層表面A
に当達し、この釉薬層内を第1図に示すと同様に進行し
てその一部は射出プリズム□内を通過し顕微鏡−)の対
物レンズ馳−四分の一波長板一一接眼しンズNを経て検
光板−)より上記の第3図に示す通り検出することが出
来る。
されたレーザビーム(8)は集光レンズ1321 A
I−よって集光されると共に偏光板−Bによって偏光さ
れ反射プリズム(1101に射突して反射され、る。こ
の反射ビームは第2反射プリズム−に進行しここで更(
=反射されて入射プリズム傾C二人射する。そしてこの
入射プリズムリ)を通過したレーザビームは光学的接触
をよくするための液体を通り被測定物Bの釉薬層表面A
に当達し、この釉薬層内を第1図に示すと同様に進行し
てその一部は射出プリズム□内を通過し顕微鏡−)の対
物レンズ馳−四分の一波長板一一接眼しンズNを経て検
光板−)より上記の第3図に示す通り検出することが出
来る。
釉、薬層Aに応力がない場合には検光板に)を回転する
と光条(313)は、その全体の明るさが一様に変化し
て明るく光ったり、暗くηつたりする。
と光条(313)は、その全体の明るさが一様に変化し
て明るく光ったり、暗くηつたりする。
一方釉薬層A C応力が生じた場合には、検光IIi、
w)を回転すると、第4図に示すように光条(313)
の一部に極小にくびれた部分(316)が観測出来る。
w)を回転すると、第4図に示すように光条(313)
の一部に極小にくびれた部分(316)が観測出来る。
また検光板の回転角は、角度目盛板−C二側まれた目盛
を用いて読み取ることによって算出される。
を用いて読み取ることによって算出される。
すなわち暗部(311)は上記検光板(転)の回転θ(
SL二より移動する○この暗部(311)の移動を測定
することにより応力の測定を下記のように計算すること
が出来る。
SL二より移動する○この暗部(311)の移動を測定
することにより応力の測定を下記のように計算すること
が出来る。
なお上記説明では、四分の一波長板の前後に偏光板gz
B Mを用いたが、使用ビーム、例えば、レーザビー
ムの中に偏光成分があるもの直二ついては1個の偏光板
でセナルモンの補整器を構成することも可能である。
B Mを用いたが、使用ビーム、例えば、レーザビー
ムの中に偏光成分があるもの直二ついては1個の偏光板
でセナルモンの補整器を構成することも可能である。
上記検光板q)の回転θ6=応じ、暗部(311)がA
mだけ移動したとすると、セナルモン法での公知の式菖
二より、移動距離の両端C二おける光路差の差はである
から、これが(、FX(移動距離)(二等しいことがわ
かり、Fを算出することができる。たとえばHe −H
eレーザーの光(波長633nm)を使い、検光板−が
3°回転したとき、暗部が0.5 ffi移動したとし
、釉薬の光弾性常数を2. s (nm/”)/(V−
)とすれば、光路差の差は 3゜ 633nm X −−= 10.6 nm800 従って10.6 nm= 2.5 (nm/m)/(K
f/eIi)XFXo、5” からF = B、5t4/ai = 0.085麺/−
となり、非常C:低い応力をも検出しつることがわかる
。
mだけ移動したとすると、セナルモン法での公知の式菖
二より、移動距離の両端C二おける光路差の差はである
から、これが(、FX(移動距離)(二等しいことがわ
かり、Fを算出することができる。たとえばHe −H
eレーザーの光(波長633nm)を使い、検光板−が
3°回転したとき、暗部が0.5 ffi移動したとし
、釉薬の光弾性常数を2. s (nm/”)/(V−
)とすれば、光路差の差は 3゜ 633nm X −−= 10.6 nm800 従って10.6 nm= 2.5 (nm/m)/(K
f/eIi)XFXo、5” からF = B、5t4/ai = 0.085麺/−
となり、非常C:低い応力をも検出しつることがわかる
。
本発明表面応力測定装置−は上記のように構成すること
C=よって次のような作用効果を奏するものである。
C=よって次のような作用効果を奏するものである。
レーザ光源を用い、この光源から放射されるレーザビー
ムを被測定物の表面付近をこの表面ご一平行に走るビー
ムを励起し、このビームを射出させると共C二この射出
ビームに生ずる光弾性的光路差を、上記ビームの通路シ
ー設けた偏光板9321Bと四分の一波長板とで成るセ
ナルモンの補整器を構成することにより、検光板にその
像を極めて感度よく写し出すことが出来る。
ムを被測定物の表面付近をこの表面ご一平行に走るビー
ムを励起し、このビームを射出させると共C二この射出
ビームに生ずる光弾性的光路差を、上記ビームの通路シ
ー設けた偏光板9321Bと四分の一波長板とで成るセ
ナルモンの補整器を構成することにより、検光板にその
像を極めて感度よく写し出すことが出来る。
このよう(二高感度で写し出された映倫は検光板を回転
すること≦二よって被測定物の表面の応力を容易C−劇
定出来、これを角度目盛板で読みとり、セナルモン法で
計算することによってその応力が算出される。
すること≦二よって被測定物の表面の応力を容易C−劇
定出来、これを角度目盛板で読みとり、セナルモン法で
計算することによってその応力が算出される。
以上のようC二被測定物の表面を本発明装置の入射プリ
ズム傾1及び射出プリズム−の底面2二当接するのみで
測定物をWL壊することなくその個々の応力を測定する
ことが出来るから、例えば高感度で表示される映像を映
像センサーと併用すればその測建物例えば高級ガラスの
製造工程(二取り付けて工程の品質管理i二利用するこ
とが可能となり、高品質のガラス生産が出来る。
ズム傾1及び射出プリズム−の底面2二当接するのみで
測定物をWL壊することなくその個々の応力を測定する
ことが出来るから、例えば高感度で表示される映像を映
像センサーと併用すればその測建物例えば高級ガラスの
製造工程(二取り付けて工程の品質管理i二利用するこ
とが可能となり、高品質のガラス生産が出来る。
また光源から放出されるレーザビームは、反射プリズム
131Jl l&# l二よって調整することが出来、
これも1i1i1贅も変心カム等の回転により自由C=
シかも微調整が可能である。すなわち長い棒体とした可
動伝達素子1891と変心カム菊との相乗によりこの先
端に付設された反射プリズムa91を極めて微細(二調
整することか出来る。
131Jl l&# l二よって調整することが出来、
これも1i1i1贅も変心カム等の回転により自由C=
シかも微調整が可能である。すなわち長い棒体とした可
動伝達素子1891と変心カム菊との相乗によりこの先
端に付設された反射プリズムa91を極めて微細(二調
整することか出来る。
上記では、入射および射出プリズムと透光板は一体2二
なった実施例を用いたが、これらがたがい直二離れて構
成されていても、効果は同じである。
なった実施例を用いたが、これらがたがい直二離れて構
成されていても、効果は同じである。
レーザー光の入射の光学系にも、また光の入射角度や顕
微鏡の傾角の調整と 固定の機構C二も、上記説明と異なるものを使用できる
。また、顕微鏡の対物レンズ、対眼レンズ、四分の一波
長板、検光板の配列順序も、セナルモンの補整器の働き
を崩さす1:数種の変形を与えうるものである。また、
はうろうや陶磁器製品が曲面を持つことが多いので、上
記の利点はさらC二強まる。
微鏡の傾角の調整と 固定の機構C二も、上記説明と異なるものを使用できる
。また、顕微鏡の対物レンズ、対眼レンズ、四分の一波
長板、検光板の配列順序も、セナルモンの補整器の働き
を崩さす1:数種の変形を与えうるものである。また、
はうろうや陶磁器製品が曲面を持つことが多いので、上
記の利点はさらC二強まる。
第1図は本発明p面応力測定装置の原理を説明するため
の説明図、第2図は本発明表面応力測定装置を用いて表
面応゛力を測定している状態を示す側面図、第3図及び
第4図は第3図の測定状態を検光板(−て検出し、これ
を拡大して示す夫々の顕微鏡拡大図である。 (2)ト・・基板 (転)1・・・プリズム支持枠 −
・・・遮光板a!5)・・・入射プリズム @J・・・
射出プリズム翰・・・レーザ光源 に))・・・第1反
射プリズムuB、14g1・・・偏光板 −・・・調整
ねじ−・・・@2反射プリズム …・・・可動伝達素子
閤・・・fig整変心カム □□□・・・対物レンズ−
・・・四分の一波長板 ■・・・接眼レンズ−・・・角
度目盛板 −j・・・検光板代理人 弁理士 則 近
憲 佑 (ほか1名) 第 1 図 第2図 第 3 図
の説明図、第2図は本発明表面応力測定装置を用いて表
面応゛力を測定している状態を示す側面図、第3図及び
第4図は第3図の測定状態を検光板(−て検出し、これ
を拡大して示す夫々の顕微鏡拡大図である。 (2)ト・・基板 (転)1・・・プリズム支持枠 −
・・・遮光板a!5)・・・入射プリズム @J・・・
射出プリズム翰・・・レーザ光源 に))・・・第1反
射プリズムuB、14g1・・・偏光板 −・・・調整
ねじ−・・・@2反射プリズム …・・・可動伝達素子
閤・・・fig整変心カム □□□・・・対物レンズ−
・・・四分の一波長板 ■・・・接眼レンズ−・・・角
度目盛板 −j・・・検光板代理人 弁理士 則 近
憲 佑 (ほか1名) 第 1 図 第2図 第 3 図
Claims (1)
- レーザ光源及びこの光源からのレーザビームを集光する
光学系及び偏光板を有するビーム投射機構と、この投射
機構から放射されるレーザビームの通路≦二付設されて
その射出方向を変換する1個またはOL数個の反射プリ
ズムと、この反射プリズムによって変換された上記レー
ザビームを受けてこのビームな被測定物C二対し一定角
度に入射調整する入射プリズムと、この入射プリズムに
近接して梶付設し上記被測定物からの反射ビームを検出
する射出プリズムと、この射出プリズムC二対向[7こ
の反射ビームを入射する内部6二四分の一波長板を収納
した顕微欽とさらI:前記四分の一波長板よりも光源側
から遠い部分(ユもう一つの偏光板とを具備し、上記複
数個の偏光板と四分の一波長板とを用いてセナルモンの
補整器を構成する表面応力1111定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15374581A JPS5855830A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 表面応力測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15374581A JPS5855830A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 表面応力測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5855830A true JPS5855830A (ja) | 1983-04-02 |
| JPS6244603B2 JPS6244603B2 (ja) | 1987-09-21 |
Family
ID=15569180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15374581A Granted JPS5855830A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 表面応力測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5855830A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6179109A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Toshiba Glass Co Ltd | 反射型ガラス歪検査装置 |
| KR20010063550A (ko) * | 1999-12-22 | 2001-07-09 | 권문구 | Xlpe 전력케이블 절연체 내부에 잔류하는 기계적인응력의 측정방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5682423A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-06 | Toshiba Corp | Surface stress measuring device of vitreous coating |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP15374581A patent/JPS5855830A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5682423A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-06 | Toshiba Corp | Surface stress measuring device of vitreous coating |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6179109A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-22 | Toshiba Glass Co Ltd | 反射型ガラス歪検査装置 |
| KR20010063550A (ko) * | 1999-12-22 | 2001-07-09 | 권문구 | Xlpe 전력케이블 절연체 내부에 잔류하는 기계적인응력의 측정방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6244603B2 (ja) | 1987-09-21 |
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