JPS5856324A - 気相成長方法 - Google Patents
気相成長方法Info
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- JPS5856324A JPS5856324A JP56154635A JP15463581A JPS5856324A JP S5856324 A JPS5856324 A JP S5856324A JP 56154635 A JP56154635 A JP 56154635A JP 15463581 A JP15463581 A JP 15463581A JP S5856324 A JPS5856324 A JP S5856324A
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- JP
- Japan
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- vapor phase
- phase growth
- gas
- growth method
- alloy
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
- H10P14/3421—Arsenides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体等の製造に対して酸素の影響を極めて低
くするために、製造に用いるガスに不純物として存在す
るＨ、０，０．、ＧＯ等の酸素分をＭあるいはＭｇ等極
めて酸化しや丁い晶酸化性金”異材料の性質を利用して
低減Ｔる方法である。
くするために、製造に用いるガスに不純物として存在す
るＨ、０，０．、ＧＯ等の酸素分をＭあるいはＭｇ等極
めて酸化しや丁い晶酸化性金”異材料の性質を利用して
低減Ｔる方法である。
トリメチ少ガリウムＴＭＧ、）リメチＩレアルミニ１７
Ａ ＴＭＡ Ｉ トＡｓＨ，を用いた０ ＠ Ａ Ｉ
Ａ ＠０）ＭＯ−ＣＶＤによる気相エビ成長ではＡＩ
の存在のためにＧ―結晶中に電子トラップが多量に混入
することが知られており、これは、ＡＩが酸化しや丁い
ことと関係していると考えられる。気相成長に用いるキ
ャリヤーガスにはＣＯ、Ｈ，０，０，等のａｌ１票を含
む不純書が考えられ、用いるガスの純化が計られている
が、現在のところ不完全である。ＭＯ−ＣＶＤ装置のガ
ス配管系の配管内壁・に吸着したＣＯ，Ｈ，０゜０、或
いは純化装置が存在しない人ｍＨｓガス等からのＯ嘗が
原因であると考えられる。キャリヤーガス自身について
は、はぼ完全な純度が期待されるＰｄ拡敏膜を利用した
純化装置かあるが、前記原因によるものは装置の長期に
渡る使用等により改善が考えられるが、成長装置の酸素
のリーク等もあり、不完全である。
Ａ ＴＭＡ Ｉ トＡｓＨ，を用いた０ ＠ Ａ Ｉ
Ａ ＠０）ＭＯ−ＣＶＤによる気相エビ成長ではＡＩ
の存在のためにＧ―結晶中に電子トラップが多量に混入
することが知られており、これは、ＡＩが酸化しや丁い
ことと関係していると考えられる。気相成長に用いるキ
ャリヤーガスにはＣＯ、Ｈ，０，０，等のａｌ１票を含
む不純書が考えられ、用いるガスの純化が計られている
が、現在のところ不完全である。ＭＯ−ＣＶＤ装置のガ
ス配管系の配管内壁・に吸着したＣＯ，Ｈ，０゜０、或
いは純化装置が存在しない人ｍＨｓガス等からのＯ嘗が
原因であると考えられる。キャリヤーガス自身について
は、はぼ完全な純度が期待されるＰｄ拡敏膜を利用した
純化装置かあるが、前記原因によるものは装置の長期に
渡る使用等により改善が考えられるが、成長装置の酸素
のリーク等もあり、不完全である。
謳１図は従来公知であるＧａＡｌＡｓのエビ成長装置の
概略である。キャリヤーガスにはＰ″′ｄ拡歓膜式の純
化装置９により超高ＭＩ Ｊ［ａ）ｋｌ 、ガス、純化
装置として過通なものがない、ＡｓＨ，Ｈ，８を含むＨ
，ガスが各々ボンベ７Ｉｒｊｊンベ８から供給される。
概略である。キャリヤーガスにはＰ″′ｄ拡歓膜式の純
化装置９により超高ＭＩ Ｊ［ａ）ｋｌ 、ガス、純化
装置として過通なものがない、ＡｓＨ，Ｈ，８を含むＨ
，ガスが各々ボンベ７Ｉｒｊｊンベ８から供給される。
原料（１）ＴＭＧ、ＴＭＡ、Ｌ）ＭＺｎ（Ｚｎ（ＣＨｓ
）鵞）は各々ボンベ式のバブラー３．４．５により気化
され成長反応管１２に供給される。反応管１３内のサヤ
ブタ−１５を高周波コイＩし１４で誘導加熱してサセプ
ター１５上に於れた基板１１を加熱して、熱分解反応に
よりＧａＡｌＡｓをエビ成長するもである。ガス配管等
ガスの通路は主にステンレスパイプが使用されている。
）鵞）は各々ボンベ式のバブラー３．４．５により気化
され成長反応管１２に供給される。反応管１３内のサヤ
ブタ−１５を高周波コイＩし１４で誘導加熱してサセプ
ター１５上に於れた基板１１を加熱して、熱分解反応に
よりＧａＡｌＡｓをエビ成長するもである。ガス配管等
ガスの通路は主にステンレスパイプが使用されている。
ここで、ＨＩ３．Ａａｆ（、は高純度な水素をベースに
作られたガスを使用するが、残貿分として、又、ボンベ
７．８ガス配管バイブ１１１１圧器ｌＯ流量計２バーレ
ブ６等の内壁には成長装置の組立時に多量のＨｌＯ，Ｏ
□ＣＯ等が吸着し、容易に脱着することなし長期に渡り
Ｈ，ガス中のＨ，０，０□ＣＯｖ源となる。ざらに成長
装置の各機器からのＯｔのリークが考えられ、良質のＧ
ａＡｌＡｓがエビ成長しない。低キャリヤー濃度の結晶
は得られず、エビ層は高抵抗化しやすく、易動度は低い
。Ｇａ０．７ＡＩ０．３人ＳはＧ ａ Ａ ｓ Ｏ）易
動度の１／２以下である。
作られたガスを使用するが、残貿分として、又、ボンベ
７．８ガス配管バイブ１１１１圧器ｌＯ流量計２バーレ
ブ６等の内壁には成長装置の組立時に多量のＨｌＯ，Ｏ
□ＣＯ等が吸着し、容易に脱着することなし長期に渡り
Ｈ，ガス中のＨ，０，０□ＣＯｖ源となる。ざらに成長
装置の各機器からのＯｔのリークが考えられ、良質のＧ
ａＡｌＡｓがエビ成長しない。低キャリヤー濃度の結晶
は得られず、エビ層は高抵抗化しやすく、易動度は低い
。Ｇａ０．７ＡＩ０．３人ＳはＧ ａ Ａ ｓ Ｏ）易
動度の１／２以下である。
本発明は上述の点に鑑みてなされたものでガス中の酸素
分を低減するため、酸化しやすい物質を酸化反応が進行
しやすい状態に保持しざらに酸化しやすい物質の酸化生
成物が、目的である気相処理に障害を与えないようにし
て利用丁６方法を提供するものである。
分を低減するため、酸化しやすい物質を酸化反応が進行
しやすい状態に保持しざらに酸化しやすい物質の酸化生
成物が、目的である気相処理に障害を与えないようにし
て利用丁６方法を提供するものである。
本発明は、ＡＩやＭｇ等の極めて酸化しやＴい資質に処
理して用いるガスＪｉ−接触させることによりガス中の
不純物であるＯ、 Ｈ，ＣＯＣｏ、等を除去下へ通常の
反応では上記ＡＩ、Ｍｇ等の表面に酸化膜が形成Ｔ＾た
め、酸化反応が停止あるいは低下してしまう。従って、
酸化膜の影響を低減Ｔるために、本発明者は上記物質を
合金化丁ればよいと舊う着想を得た。上記金属とＧａ、
Ｉｎ、Ｓｏ等の低融点金属との合金では比較的低温で、
液体状態となる。液体金属では、安定な酸化膜が形成さ
れない０なおＡＩ、Ｍｇを合金化することなしに高温に
加熱しても同様の効果を期待丁にとが可能テあるｆ；）
１、ＧａＡｌＡｓの成長を考えた場合、原料ガス中のＡ
ｓＨ，ＴＭＡ （ＡＩ（ＣＨｓ）ａ）等の分解反応が通
行し、ＧａＡｌＡｌの成長制御が困難となる障害を生じ
る。
理して用いるガスＪｉ−接触させることによりガス中の
不純物であるＯ、 Ｈ，ＣＯＣｏ、等を除去下へ通常の
反応では上記ＡＩ、Ｍｇ等の表面に酸化膜が形成Ｔ＾た
め、酸化反応が停止あるいは低下してしまう。従って、
酸化膜の影響を低減Ｔるために、本発明者は上記物質を
合金化丁ればよいと舊う着想を得た。上記金属とＧａ、
Ｉｎ、Ｓｏ等の低融点金属との合金では比較的低温で、
液体状態となる。液体金属では、安定な酸化膜が形成さ
れない０なおＡＩ、Ｍｇを合金化することなしに高温に
加熱しても同様の効果を期待丁にとが可能テあるｆ；）
１、ＧａＡｌＡｓの成長を考えた場合、原料ガス中のＡ
ｓＨ，ＴＭＡ （ＡＩ（ＣＨｓ）ａ）等の分解反応が通
行し、ＧａＡｌＡｌの成長制御が困難となる障害を生じ
る。
、以下本発明の実施例について説明する。
１ｇ２図（ａｌは本発明を利用して作られた成長装置の
概略である。従来の１ｌＩ１図のものとの違いは、反応
管内に於て、本発明の易酸化性金属と低融点金−との合
金のを入れた合金ポートに出来るだけ近接し、ガスを纂
２図（ｂｌに４１！、部を示す如く吹き付けるようにし
た点である＠ １ｇ２図においても第１図と同一物には同符号で示した
・ ｇ２１１には反応管１３内にポー１−２０が配設され、
ポート２０には処理用ガスを吹き付けてガス中の不純物
である酸累分を除去Ｔる人１．Ｍ１等の易酸化性金属と
Ｇａ、Ｉｎ、ａｎ、Ｐｂ等の低融点金属との合金が充填
されている＠反応管１３内部又は外部のヒーター１８に
より加熱されたボート２０内の合金１９は液体となって
おり、ガスを吹き付けることにより、液体は流動し、酸
化膜は除去されやＴくなっている。加熱温度は例えば合
金としｒＡ Ｉ ｔｆｉ ３０ ａｔｏｍｉｃ ＸのＧ
ａ−ＡＩ（３０Ｘ）合金を用いると約３００℃に加熱す
ることにより液体合金となるＯＧａ中のＡＩは選択的に
酸化されるのでＧａ、０．等の気化しゃ丁い酸化物は生
成しない・又目的で、ｙ）４．ＧａＡｌＡｓのエビ成長
の原料であ４ Ａ ＠ Ｈ＠ ｅ Ｔ Ｍ Ｇ （Ｇ
ａ （ＣＨｍ ） ｓ ） ＊ ＴＭ’（” （ｃＨｓ
）ｉ）は熱分解反応には温度低いので分解することはな
い。従ってほぼ原料及びそのキャリヤーガス中に含まれ
るＣＯＨ，０，０，ＣＯ，等の酸素は合金中のＡＩと結
合Ｔ６ためにガス中の酸素分はほぼ完全に除去これ従り
て、ＧａＡｌＡｓの特性は酸素が混入されないために著
しく向上する。Ｇａ ０．７ ＡＩＯ，！ＩＡ＄の結晶
の鳥動度として、 Ｇａ、Ａｓの約９０％以上のものが
得られるようになりた。又ＧａＡｓの成長に於ても、酸
素の低減により、カーボンの混入の楊度が低減し、不純
物濃度としてｌＱｌ’ｃ１１−１一度のものが得られる
ようになった。これは炭素の混入に対して酸素が重要な
作用があるものと考えられ、ＧａＡｓの成長にも有効で
あることが判った。
概略である。従来の１ｌＩ１図のものとの違いは、反応
管内に於て、本発明の易酸化性金属と低融点金−との合
金のを入れた合金ポートに出来るだけ近接し、ガスを纂
２図（ｂｌに４１！、部を示す如く吹き付けるようにし
た点である＠ １ｇ２図においても第１図と同一物には同符号で示した
・ ｇ２１１には反応管１３内にポー１−２０が配設され、
ポート２０には処理用ガスを吹き付けてガス中の不純物
である酸累分を除去Ｔる人１．Ｍ１等の易酸化性金属と
Ｇａ、Ｉｎ、ａｎ、Ｐｂ等の低融点金属との合金が充填
されている＠反応管１３内部又は外部のヒーター１８に
より加熱されたボート２０内の合金１９は液体となって
おり、ガスを吹き付けることにより、液体は流動し、酸
化膜は除去されやＴくなっている。加熱温度は例えば合
金としｒＡ Ｉ ｔｆｉ ３０ ａｔｏｍｉｃ ＸのＧ
ａ−ＡＩ（３０Ｘ）合金を用いると約３００℃に加熱す
ることにより液体合金となるＯＧａ中のＡＩは選択的に
酸化されるのでＧａ、０．等の気化しゃ丁い酸化物は生
成しない・又目的で、ｙ）４．ＧａＡｌＡｓのエビ成長
の原料であ４ Ａ ＠ Ｈ＠ ｅ Ｔ Ｍ Ｇ （Ｇ
ａ （ＣＨｍ ） ｓ ） ＊ ＴＭ’（” （ｃＨｓ
）ｉ）は熱分解反応には温度低いので分解することはな
い。従ってほぼ原料及びそのキャリヤーガス中に含まれ
るＣＯＨ，０，０，ＣＯ，等の酸素は合金中のＡＩと結
合Ｔ６ためにガス中の酸素分はほぼ完全に除去これ従り
て、ＧａＡｌＡｓの特性は酸素が混入されないために著
しく向上する。Ｇａ ０．７ ＡＩＯ，！ＩＡ＄の結晶
の鳥動度として、 Ｇａ、Ａｓの約９０％以上のものが
得られるようになりた。又ＧａＡｓの成長に於ても、酸
素の低減により、カーボンの混入の楊度が低減し、不純
物濃度としてｌＱｌ’ｃ１１−１一度のものが得られる
ようになった。これは炭素の混入に対して酸素が重要な
作用があるものと考えられ、ＧａＡｓの成長にも有効で
あることが判った。
ＧａＡｓＧａＡｌＡｓ等の化合物半導体の成長に適用丁
にとを目的の発明であり従って実施例で合金とじｒＧａ
−Ａｓ合金を用いたが、Ｐ形の０１リムの場合にはＧａ
−Ｍｇ−ＡＩ合金を、ｎ形の結晶に対してハＧａ−８
ｎ −ＡＩ ８ｎ −ＡＩ 、 Ｐｂ−Ａｌ等の合金を
使用丁れば嵐い。他の物質の気相成長に対して不純物と
しての影響を考慮した合金を使用することが可能である
。
にとを目的の発明であり従って実施例で合金とじｒＧａ
−Ａｓ合金を用いたが、Ｐ形の０１リムの場合にはＧａ
−Ｍｇ−ＡＩ合金を、ｎ形の結晶に対してハＧａ−８
ｎ −ＡＩ ８ｎ −ＡＩ 、 Ｐｂ−Ａｌ等の合金を
使用丁れば嵐い。他の物質の気相成長に対して不純物と
しての影響を考慮した合金を使用することが可能である
。
また本実施例ではガス中のｌ！素分を除却する方法とし
て、反応管内に溶融合金を置いたが、場合によっては、
ガス配管系の内部あるいは前部に置設することも可能で
あり、善に純化装置を通じないＡｓＨ１ガスやドーピン
グのためのＨ，８ガスについて重点的に脱酸処理するこ
とも有効である。
て、反応管内に溶融合金を置いたが、場合によっては、
ガス配管系の内部あるいは前部に置設することも可能で
あり、善に純化装置を通じないＡｓＨ１ガスやドーピン
グのためのＨ，８ガスについて重点的に脱酸処理するこ
とも有効である。
又、上記合金には酸化膜が形Ｊｉｌｃ７５れこれが酸化
反応を低減する左用を成丁。従りて、反応ガスを吹付け
るだけでは合金表面に形成される酸化膜を除去Ｔるのに
不十分であるような場合には積極的に、機械的に合金ａ
ｍを攪拌もしくは、融液上面に形成された酸化膜をスク
イズし、常時合金の清浄面を与えるようにすることは、
本発明の作用をより有効にすることが出来る。
反応を低減する左用を成丁。従りて、反応ガスを吹付け
るだけでは合金表面に形成される酸化膜を除去Ｔるのに
不十分であるような場合には積極的に、機械的に合金ａ
ｍを攪拌もしくは、融液上面に形成された酸化膜をスク
イズし、常時合金の清浄面を与えるようにすることは、
本発明の作用をより有効にすることが出来る。
１．０ａ又はＩｎ、Ｐｂ、８ａ等低融点金属とアルミニ
ウム（Ａ１）あるいはマグネシウム（Ｍｇ）との合金を
室温又は室温から約ＳＯＯ℃ｍ度の温度に加熱し、半導
体処理あるいは半導体成長に用いる、Ｈ□Ａｒ 、Ｈｅ
、Ｎ、等の牛ヤリャガス或いはＡ魯Ｈａ ｅＨａＳｓ
Ｇ”（ＣＨｓ）ｍ ｓλｌ（ＣＨｓ）ｓ−２ｎ（ＣＨｓ
）ｍ等の反応性のガスを接触させて該ガス中に不純物と
して存在する酸素分を、ＡＩ又はＭｇの酸化物として一
定し、該ガス中より除去丁６方法。
ウム（Ａ１）あるいはマグネシウム（Ｍｇ）との合金を
室温又は室温から約ＳＯＯ℃ｍ度の温度に加熱し、半導
体処理あるいは半導体成長に用いる、Ｈ□Ａｒ 、Ｈｅ
、Ｎ、等の牛ヤリャガス或いはＡ魯Ｈａ ｅＨａＳｓ
Ｇ”（ＣＨｓ）ｍ ｓλｌ（ＣＨｓ）ｓ−２ｎ（ＣＨｓ
）ｍ等の反応性のガスを接触させて該ガス中に不純物と
して存在する酸素分を、ＡＩ又はＭｇの酸化物として一
定し、該ガス中より除去丁６方法。
１ 上記低融点金属と、ム■又はＭｇとの合金を１１１
ｍ１状態として、酸素分を不純物として含むガスを接触
させ６方法。
ｍ１状態として、酸素分を不純物として含むガスを接触
させ６方法。
３、上記溶融状態の合金上に生成したＡＩ、Ｍｇの酸化
物の表面形成物を該溶融金属を攪拌もしくは表面をスク
イズして、除去しつつ、半導体処理用ガスを接触せしめ
る方法。
物の表面形成物を該溶融金属を攪拌もしくは表面をスク
イズして、除去しつつ、半導体処理用ガスを接触せしめ
る方法。
４、トリノ千少ガリウム、トリメチフレアＩＬ／にラム
等の■族元素の有機金属化合物と、ＡａＨ，ＰＨ。
等の■族元素の有機金属化合物と、ＡａＨ，ＰＨ。
等のＶ族元素の水素化物を用いてｆｆ−Ｖ族化合物中導
体を熱分解して気相成長する成長法に於て、ガスを上記
方法で処理する。
体を熱分解して気相成長する成長法に於て、ガスを上記
方法で処理する。
不発明の超高純度ガス処理法番こより下記効果が得らす
る。
る。
１、ガス中の酸素分をほぼ完全に除去することが可能で
ある。
ある。
２、 ９素分除去の効果を持続的に利用出来る・３、酸
素を結合しや丁い物質とそれと温合する物質を選ぶこと
により目的の処理に対して悪影響を与えることはない。
素を結合しや丁い物質とそれと温合する物質を選ぶこと
により目的の処理に対して悪影響を与えることはない。
４．良質のＡＩあるいはＭｇを含みかつ酸素の混入が障
害となる物質の気相感層が可能である・５、 ｊＬ質
のＧａ ＡＩ Ａ＠の気相エビ成長が可能である・
害となる物質の気相感層が可能である・５、 ｊＬ質
のＧａ ＡＩ Ａ＠の気相エビ成長が可能である・
第１図は従来の気相成長装置を説明する図、票２図は本
発明の気相成長装置を説明する図である。
発明の気相成長装置を説明する図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）ｆｆ−Ｖ族化合物中溝体を気相成長する気相成長
方法に於て気相成長用ガスを易酸化性金属或いはその合
金Ｉこ接触させ、該ガス中に不純物として存在する酸素
外を、咳易酸化性金属の酸化物として固定し、該ガス中
より除去することを特徴とする気相成長方法。 （２）上記易酸化性金属がアｌレミニウム、マグネシウ
ムであるこｔ８特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
気相成長方法。 （３）上記合金を形成する金属が低融点金属であること
を特徴とする特許請求の範囲第１１１記載の気相成長方
法。 （４）上記低融点金属がＧａ、Ｉｎ、Ｐｂ又は８ｎであ
ることを特徴とする特許請求の範囲ｗｃａ項記載の気相
成長方法。 （均 上記ガスが不活性ガス又は反応性ガスであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の気相成長方法
。 （６）易酸化性金属或いはその合金に被処理ガスを所定
の温度で接触させることをＩＦ＃徽とする特許請求の範
囲第１項記載の気相成長方法◎（７）上記温度を反応性
ガスの分解温度より低温とすることを特徴とするＩ￥＃
杵請求の範囲６項記載の気相成長方法。 （８）易酸化性金属と低融金属との合金を溶融状態とす
ることを％黴とする！ｆ＃杵請求の範囲１８１項記載の
気相成長方法。 （９）上記Ｓ融状態の合金融液上に生成する咳酸化智の
表面形成物を、該合金融液を攪拌或いは表面をスクイズ
して除去しつつ処理することを特徴とする特許請求の範
囲第８項記載の気相成長方法。 （幻）上記反応性ガスが有機金属化合物、非金属元素の
水素化物、又は水素であることを特徴とする特許請求の
範囲第５項記載の気相成長方法。 （１１）上記不活性ガスがＨｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｎｌであ
ることを４１黴とＴる特許請求の範囲第５項記載の気相
成長方法◎
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154635A JPS5856324A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154635A JPS5856324A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5856324A true JPS5856324A (ja) | 1983-04-04 |
| JPH0347728B2 JPH0347728B2 (ja) | 1991-07-22 |
Family
ID=15588505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56154635A Granted JPS5856324A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5856324A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007042854A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | アルミニウム系ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法および結晶積層基板 |
| US7968362B2 (en) | 2001-03-27 | 2011-06-28 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
-
1981
- 1981-09-29 JP JP56154635A patent/JPS5856324A/ja active Granted
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| APPL PHYS LETT * |
| JAPAN J APPL PHYS * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7968362B2 (en) | 2001-03-27 | 2011-06-28 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
| US8293555B2 (en) | 2001-03-27 | 2012-10-23 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
| JP2007042854A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | アルミニウム系ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法および結晶積層基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0347728B2 (ja) | 1991-07-22 |
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