JPH0347728B2 - - Google Patents
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- JPH0347728B2 JPH0347728B2 JP56154635A JP15463581A JPH0347728B2 JP H0347728 B2 JPH0347728 B2 JP H0347728B2 JP 56154635 A JP56154635 A JP 56154635A JP 15463581 A JP15463581 A JP 15463581A JP H0347728 B2 JPH0347728 B2 JP H0347728B2
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- material gas
- alloy
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
- H10P14/3421—Arsenides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は−族化合物半導体を製造する方法
に係わり、−族化合物半導体の電気的特性に
好ましくない影響を及ぼす酸素分を低減するため
に、製造に用いる反応性出発原料ガス中に不純物
として存在するH2O、O2、CO、CO2の酸素分を
低減する方法の分野に属する。
に係わり、−族化合物半導体の電気的特性に
好ましくない影響を及ぼす酸素分を低減するため
に、製造に用いる反応性出発原料ガス中に不純物
として存在するH2O、O2、CO、CO2の酸素分を
低減する方法の分野に属する。
トリメチルガリウムTMG、トリメチルアルミ
ニウムTMAとAsH3を用いたGaAlAsのMO−
CVDによる気相エピ成長ではAlの存在のために
GaAlAs結晶中に電子トラツプが多量に混入する
ことが知られており、これは、Alが酸化しやす
いことと関係していると考えられる。気相成長に
用いるキヤリヤーガスにはH2O、O2、CO、CO2
の酸素を含む不純物が考えられ、用いるガスの純
化が計られているが、現在のところ不完全であ
る。MO−CVD装置のガス配管系の配管内壁に
吸着したH2O、O2、CO、CO2或いは純化装置が
存在しないAsH3、H2SガスからのO2が原因であ
ると考えられる。キヤリヤーガス自身について
は、ほぼ完全な純度が期待されるPd拡散膜を利
用した純化装置があるが、前記原因によるものは
装置の長期に渡る使用により改善が考えられる
が、成長装置の酸素のリークもあり、不完全であ
る。
ニウムTMAとAsH3を用いたGaAlAsのMO−
CVDによる気相エピ成長ではAlの存在のために
GaAlAs結晶中に電子トラツプが多量に混入する
ことが知られており、これは、Alが酸化しやす
いことと関係していると考えられる。気相成長に
用いるキヤリヤーガスにはH2O、O2、CO、CO2
の酸素を含む不純物が考えられ、用いるガスの純
化が計られているが、現在のところ不完全であ
る。MO−CVD装置のガス配管系の配管内壁に
吸着したH2O、O2、CO、CO2或いは純化装置が
存在しないAsH3、H2SガスからのO2が原因であ
ると考えられる。キヤリヤーガス自身について
は、ほぼ完全な純度が期待されるPd拡散膜を利
用した純化装置があるが、前記原因によるものは
装置の長期に渡る使用により改善が考えられる
が、成長装置の酸素のリークもあり、不完全であ
る。
第１図は従来公知であるGaAlAsのエピ成長装
置の概略である。キヤリヤーガスにはPb拡散膜
式の純化装置９により超高純度のH2ガスが供給
され、純化装置として適当なものがない、
AsH3、H2Sを含むH2ガスが各々ボンベ７、ボン
ベ８から供給される。原料のTMG、TMA、
DMZn（Zn（CH3）2）は各々ボンベ式のバブラー
３，４，５により気化され成長反応管１３に供給
される。反応管１３内のサセプター１５を高周波
コイル１４で誘導加熱してサセプター１５上に置
れた基板１１を加熱して、熱分解反応により
GaAlAsをエピ成長するものである。ガス配管等
ガスの通路は主にステンレスパイプが使用されて
いる。ここで、H2S、AsH3は高純度な水素をベ
ースに作られたガスを使用するが、残留分とし
て、又、ボンベ７，８、ガス配管パイプ１、調圧
器１０、流量計２、バルブ６の内壁には成長装置
の組立時に多量のH2O、O2、CO、CO2が吸着し、
容易に脱着することなく長期に渡りH2ガス中の
H2O、O2、CO、CO2の源となる。さらに成長装
置の各機器からのO2のリークが考えられ、良質
のGaAlAsがエピ成長しない。高キヤリヤー濃度
の結晶は得られず、エピ層は高抵抗化しやすく、
易動度は低い。Ga0.7A10.3AsはGaAsの易動度の
１／２以下である。
置の概略である。キヤリヤーガスにはPb拡散膜
式の純化装置９により超高純度のH2ガスが供給
され、純化装置として適当なものがない、
AsH3、H2Sを含むH2ガスが各々ボンベ７、ボン
ベ８から供給される。原料のTMG、TMA、
DMZn（Zn（CH3）2）は各々ボンベ式のバブラー
３，４，５により気化され成長反応管１３に供給
される。反応管１３内のサセプター１５を高周波
コイル１４で誘導加熱してサセプター１５上に置
れた基板１１を加熱して、熱分解反応により
GaAlAsをエピ成長するものである。ガス配管等
ガスの通路は主にステンレスパイプが使用されて
いる。ここで、H2S、AsH3は高純度な水素をベ
ースに作られたガスを使用するが、残留分とし
て、又、ボンベ７，８、ガス配管パイプ１、調圧
器１０、流量計２、バルブ６の内壁には成長装置
の組立時に多量のH2O、O2、CO、CO2が吸着し、
容易に脱着することなく長期に渡りH2ガス中の
H2O、O2、CO、CO2の源となる。さらに成長装
置の各機器からのO2のリークが考えられ、良質
のGaAlAsがエピ成長しない。高キヤリヤー濃度
の結晶は得られず、エピ層は高抵抗化しやすく、
易動度は低い。Ga0.7A10.3AsはGaAsの易動度の
１／２以下である。
本発明の課題はガス中の酸素分を低減するた
め、酸化しやすい物質を反応性の出発原料ガスの
分解温度より低い温度で、且つ、酸化反応が進行
しやすい液体状態に保持し反応性の出発原料ガス
を処理する方法を提供するものである。
め、酸化しやすい物質を反応性の出発原料ガスの
分解温度より低い温度で、且つ、酸化反応が進行
しやすい液体状態に保持し反応性の出発原料ガス
を処理する方法を提供するものである。
上記課題を解決するため、本発明は有機金属化
合物を原料として用い−族化合物半導体を気
相成長する気相成長法に於いて、該半導体の処理
或いは該半導体の成長に用いる少なくとも該有機
金属化合物を含む反応性の出発原料ガスを室温な
いし該反応性の出発原料ガスの分解温度より低い
温度に加熱された、アルミニウムあるいはマグネ
シウムから選択される易酸化性金属とGa、In、
Pb、Snから選択される低融点金属との合金融液
に接触させ、該反応性の出発原料ガス中に不純物
として存在する酸素分を、該易酸化性金属の酸化
物として固定し、該反応性の出発原料ガス中より
除去する手段を講じた。
合物を原料として用い−族化合物半導体を気
相成長する気相成長法に於いて、該半導体の処理
或いは該半導体の成長に用いる少なくとも該有機
金属化合物を含む反応性の出発原料ガスを室温な
いし該反応性の出発原料ガスの分解温度より低い
温度に加熱された、アルミニウムあるいはマグネ
シウムから選択される易酸化性金属とGa、In、
Pb、Snから選択される低融点金属との合金融液
に接触させ、該反応性の出発原料ガス中に不純物
として存在する酸素分を、該易酸化性金属の酸化
物として固定し、該反応性の出発原料ガス中より
除去する手段を講じた。
〔作用〕
本発明は、AlやMgの極めて酸化しやすい物質
に、処理して用いるガスを接触させることにより
ガス中の不純物であるH2O、O2、CO、CO2を除
去する。通常の反応では上記Al、Mgの表面に酸
化膜が形成するため、酸化反応が停止あるいは低
下してしまう。ところで、上記物質を合金化すれ
ば酸化膜の影響が低減化されることとなる。上記
物質とGa、In、Sn、Pbと低融点金属との合金で
は比較的低温で、液体状態となる。液体金属で
は、安定な酸化膜が形成されない。なおAl、Mg
を合金化することなしに高温に加熱しても同様の
効果を期待することが可能であるが、GaAlAsの
成長を考えた場合、原料ガス中のAsH3、TMA
（Al（CH3）3）の分解反応が進行し、GaAlAsの成
長制御が困難となる障害を生じる。
に、処理して用いるガスを接触させることにより
ガス中の不純物であるH2O、O2、CO、CO2を除
去する。通常の反応では上記Al、Mgの表面に酸
化膜が形成するため、酸化反応が停止あるいは低
下してしまう。ところで、上記物質を合金化すれ
ば酸化膜の影響が低減化されることとなる。上記
物質とGa、In、Sn、Pbと低融点金属との合金で
は比較的低温で、液体状態となる。液体金属で
は、安定な酸化膜が形成されない。なおAl、Mg
を合金化することなしに高温に加熱しても同様の
効果を期待することが可能であるが、GaAlAsの
成長を考えた場合、原料ガス中のAsH3、TMA
（Al（CH3）3）の分解反応が進行し、GaAlAsの成
長制御が困難となる障害を生じる。
以下本発明の実施例について説明する。
第２図ａは本発明を利用して作られた成長装置
の概略である。従来の第１図のものとの違いは、
反応管内において、本発明の易酸化金属と低融点
金属との合金を入れた合金ボートに出来るだけ近
接し、ガスを第２図ｂに要部を示す如く吹き付け
るようにした点である。
の概略である。従来の第１図のものとの違いは、
反応管内において、本発明の易酸化金属と低融点
金属との合金を入れた合金ボートに出来るだけ近
接し、ガスを第２図ｂに要部を示す如く吹き付け
るようにした点である。
第２図においても第１図と同一物には同符号で
示した。
示した。
第２図には反応管１３内にボート２０が配設さ
れ、ボート２０には処理用ガスを吹き付けてガス
中の不純物である酸素分を除去するAl、Mgの易
酸化性金属とGa、In、Sn、Pbの低融点金属との
合金が充填されている。反応管１３内部又は外部
のヒーター１８により加熱されたボート２０内の
合金１９は液体となつており、ガスを吹き付ける
ことにより、液体は流動し、酸化膜は除去されや
すくなつている。加熱温度は例えば合金として
Alが30atomic％のGa−Al（30％）合金を用いる
と約300℃に加熱することにより液体合金となる。
Ga中のAlは選択的に酸化されるのでGa2O3等の
気化しやすい酸化物は生成しない。又目的である
GaAlAsのエピ成長の原料であるAsH3、TMG
（Ga（CH3）3）、TMA（Al（CH3）3）は熱分解反応
には温度が低いので分解することはない。従つて
はぼ原料及びそのキヤリヤーガス中に含まれる
H2O、O2、CO、CO2の酸素は合金中のAlと結合
するためにガス中の酸素分はほぼ完全に除去され
従つて、GaAlAsの特性は酸素が混入されないた
めに著しく向上する。Ga0.7Al0.3Asの結晶の易
動度として、GaAsの約90％以上のものが得られ
るようになつた。又GaAsの成長に於いても、酸
素の低減により、カーボンの混入の程度が低減
し、不純物濃度とした1014cm-3程度のものが得ら
れるようになつた。これは炭素の混入に対して酸
素が重要な作用があるものと考えられ、GaAsの
成長にも有効であることが判つた。
れ、ボート２０には処理用ガスを吹き付けてガス
中の不純物である酸素分を除去するAl、Mgの易
酸化性金属とGa、In、Sn、Pbの低融点金属との
合金が充填されている。反応管１３内部又は外部
のヒーター１８により加熱されたボート２０内の
合金１９は液体となつており、ガスを吹き付ける
ことにより、液体は流動し、酸化膜は除去されや
すくなつている。加熱温度は例えば合金として
Alが30atomic％のGa−Al（30％）合金を用いる
と約300℃に加熱することにより液体合金となる。
Ga中のAlは選択的に酸化されるのでGa2O3等の
気化しやすい酸化物は生成しない。又目的である
GaAlAsのエピ成長の原料であるAsH3、TMG
（Ga（CH3）3）、TMA（Al（CH3）3）は熱分解反応
には温度が低いので分解することはない。従つて
はぼ原料及びそのキヤリヤーガス中に含まれる
H2O、O2、CO、CO2の酸素は合金中のAlと結合
するためにガス中の酸素分はほぼ完全に除去され
従つて、GaAlAsの特性は酸素が混入されないた
めに著しく向上する。Ga0.7Al0.3Asの結晶の易
動度として、GaAsの約90％以上のものが得られ
るようになつた。又GaAsの成長に於いても、酸
素の低減により、カーボンの混入の程度が低減
し、不純物濃度とした1014cm-3程度のものが得ら
れるようになつた。これは炭素の混入に対して酸
素が重要な作用があるものと考えられ、GaAsの
成長にも有効であることが判つた。
GaAs、GaAlAs等の化合物半導体の成長に適
用する発明であり実施例で合金としてGa−Al合
金を用いたが、Ｐ形のGaAlAsの場合にはGa−
Mg−Al合金を、ｎ形の結晶に対してはGa−Sn
−Al、Sn−Al、Pb−Alの合金を使用すれば良
い。他の物資の気相成長に対して不純物としての
影響を考慮した合金を使用することが可能であ
る。
用する発明であり実施例で合金としてGa−Al合
金を用いたが、Ｐ形のGaAlAsの場合にはGa−
Mg−Al合金を、ｎ形の結晶に対してはGa−Sn
−Al、Sn−Al、Pb−Alの合金を使用すれば良
い。他の物資の気相成長に対して不純物としての
影響を考慮した合金を使用することが可能であ
る。
また本実施例ではガス中の酸素分を除去する方
法として、反応管内に溶融合金を置いたが、場合
によつては、ガス配管系の内部あるいは前部に置
設することも可能であり、特に純化装置を通じな
いAsH3ガスやドーピングのためのH2Sガスにつ
いて重点的に脱酸処理することも有効である。
又、上記合金には酸化膜が形成されこれが酸化反
応を低減する作用を成す。従つて、反応ガスを吹
き付けるだけでは合金表面に形成される酸化膜を
除去するのに不十分であるような場合には積極的
に、機械的に合金融液を撹拌もしくは、融液上面
に形成された酸化膜をスクイズし、常時合金の清
浄面を与えるようにすることは、本発明の作用を
より有効にすることが出来る。
法として、反応管内に溶融合金を置いたが、場合
によつては、ガス配管系の内部あるいは前部に置
設することも可能であり、特に純化装置を通じな
いAsH3ガスやドーピングのためのH2Sガスにつ
いて重点的に脱酸処理することも有効である。
又、上記合金には酸化膜が形成されこれが酸化反
応を低減する作用を成す。従つて、反応ガスを吹
き付けるだけでは合金表面に形成される酸化膜を
除去するのに不十分であるような場合には積極的
に、機械的に合金融液を撹拌もしくは、融液上面
に形成された酸化膜をスクイズし、常時合金の清
浄面を与えるようにすることは、本発明の作用を
より有効にすることが出来る。
本発明の態様は以下のとおりである。
１ Ga又はIn、Pb、Snの低融点金属とアルミニ
ウム（Al）あるいはマグネシウム（Mg）との
合金を室温又は室温から約500℃程度の温度に
加熱し、半導体処理あるいは半導体成長に用い
る、H2、Ar、He、N2のキヤリヤガス或いは
AsH3、H2S、Ga（CH3）3、Al（CH3）3、Zn
（CH3）2の反応性のガスを接触させて該ガス中
に不純物として存在する酸素分を、Al又はMg
の酸化物として固定し、該ガス中より除去する
方法。
ウム（Al）あるいはマグネシウム（Mg）との
合金を室温又は室温から約500℃程度の温度に
加熱し、半導体処理あるいは半導体成長に用い
る、H2、Ar、He、N2のキヤリヤガス或いは
AsH3、H2S、Ga（CH3）3、Al（CH3）3、Zn
（CH3）2の反応性のガスを接触させて該ガス中
に不純物として存在する酸素分を、Al又はMg
の酸化物として固定し、該ガス中より除去する
方法。
２ 上記低融点金属と、Al又はMgとの合金を溶
融状態として、酸素分を不純物として含むガス
を接触させる方法。
融状態として、酸素分を不純物として含むガス
を接触させる方法。
３ 上記溶融状態の合金上に生成したAl、Mgの
酸化物の表面形成物を該溶融金属を撹拌もしく
は表面をスクイズして、除去しつつ、半導体処
理用ガスを接触せしめる方法。
酸化物の表面形成物を該溶融金属を撹拌もしく
は表面をスクイズして、除去しつつ、半導体処
理用ガスを接触せしめる方法。
４ トリメチルガリウム、トルメチルアルミニウ
ムの族元素の有機金属化合物と、AsH3、
PH3等の族元素の水素化物を用いて−族
化合物半導体を熱分解して気相成長する成長法
に於いて、ガスを上記方法で処理する。
ムの族元素の有機金属化合物と、AsH3、
PH3等の族元素の水素化物を用いて−族
化合物半導体を熱分解して気相成長する成長法
に於いて、ガスを上記方法で処理する。
本発明の超高純度ガス処理法により下記効果が
得られる。
得られる。
１ ガス中の酸素分をほぼ完全に除去することが
可能である。
可能である。
２ 酸素分除去の効果を持続的に利用出来る。
３ 酸素を結合しやすい物質とそれと混合する物
質を選ぶことにより反応性の出発原料ガス自体
には何ら悪影響を与えることはない。
質を選ぶことにより反応性の出発原料ガス自体
には何ら悪影響を与えることはない。
４ 良質のAlあるいはMgを含みかつ酸素の混入
が障害となる物質の気相処理が可能である。
が障害となる物質の気相処理が可能である。
５ 良質のGaAlAsの気相エピ成長が可能であ
る。
る。
第１図は従来の気相成長装置を説明する図、第
２図は本発明の実施例に係わる気相成長装置を説
明する図である。 １：配管、２：ガス流量制御装置、３：Ga
（CH3）3バブラー、４：Al（CH3）3バブラー、５：
Zn（CH3）2バブラー、６：バルブ、７：H2S＋H2
ボンベ、８：AsH3＋H2ボンベ、９：Pd水素精
製装置、１０：調圧器、１１：基板、１２：シー
リング、１３：反応管、１４：高周波コイル、１
５：カーボンサセプター、１６：廃ガス処理部、
１７：キヤリヤーH2、１８：ヒーター、１９：
低融点金属と易酸化性金属との合金、２０：ボー
ト、２１：ガスノズル部、：ガス供給部、：
ガス配管系、：反応部。
２図は本発明の実施例に係わる気相成長装置を説
明する図である。 １：配管、２：ガス流量制御装置、３：Ga
（CH3）3バブラー、４：Al（CH3）3バブラー、５：
Zn（CH3）2バブラー、６：バルブ、７：H2S＋H2
ボンベ、８：AsH3＋H2ボンベ、９：Pd水素精
製装置、１０：調圧器、１１：基板、１２：シー
リング、１３：反応管、１４：高周波コイル、１
５：カーボンサセプター、１６：廃ガス処理部、
１７：キヤリヤーH2、１８：ヒーター、１９：
低融点金属と易酸化性金属との合金、２０：ボー
ト、２１：ガスノズル部、：ガス供給部、：
ガス配管系、：反応部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 有機金属化合物を原料として用い−族化
合物半導体を気相成長する気相成長法に於いて、
該半導体の処理或いは該半導体の成長に用いる少
なくとも該有機金属化合物を含む反応性の出発原
料ガスを室温ないし該反応性の出発原料ガスの分
解温度より低い温度に加熱された、アルミニウム
あるいはマグネシウムから選択される易酸化性金
属とGa、In、Pb、Snから選択される低融点金属
との合金融液に接触させ、該反応性の出発原料ガ
ス中に不純物として存在する酸素分を、該易酸化
性金属の酸化物として固定し、該反応性の出発原
料ガス中より除去することを特徴とする気相成長
方法。 ２ 上記出発原料ガスがAsH3、H2S、Ga
（CH3）3、Al（CH3）3、Zn（CH3）2を含むことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の気相成長方
法。 ３ 上記−族化合物半導体がAlを構成元素
として含むことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154635A JPS5856324A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56154635A JPS5856324A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5856324A JPS5856324A (ja) | 1983-04-04 |
| JPH0347728B2 true JPH0347728B2 (ja) | 1991-07-22 |
Family
ID=15588505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56154635A Granted JPS5856324A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | 気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5856324A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7968362B2 (en) | 2001-03-27 | 2011-06-28 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
| JP4749792B2 (ja) * | 2005-08-03 | 2011-08-17 | 国立大学法人東京農工大学 | アルミニウム系ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法および結晶積層基板 |
-
1981
- 1981-09-29 JP JP56154635A patent/JPS5856324A/ja active Granted
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| APPL PHYS LETT * |
| JAPAN J APPL PHYS * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5856324A (ja) | 1983-04-04 |
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