JPS5856411A - レ−ザ・アニ−ル方法 - Google Patents

レ−ザ・アニ−ル方法

Info

Publication number
JPS5856411A
JPS5856411A JP56155512A JP15551281A JPS5856411A JP S5856411 A JPS5856411 A JP S5856411A JP 56155512 A JP56155512 A JP 56155512A JP 15551281 A JP15551281 A JP 15551281A JP S5856411 A JPS5856411 A JP S5856411A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser beam
reflection mirror
total reflection
polycrystalline silicon
single crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP56155512A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0353771B2 (ja
Inventor
Seiichiro Kawamura
河村　誠一郎
Haruhisa Mori
森　治久
Tsutomu Ogawa
力 小川
Takashi Matsumoto
隆 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP56155512A priority Critical patent/JPS5856411A/ja
Publication of JPS5856411A publication Critical patent/JPS5856411A/ja
Publication of JPH0353771B2 publication Critical patent/JPH0353771B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/38—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by treatments done after the formation of the materials
    • H10P14/3802—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H10P14/3808—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
    • H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3451—Structure
    • H10P14/3452—Microstructure
    • H10P14/3458—Monocrystalline
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/38—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by treatments done after the formation of the materials
    • H10P14/3802—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H10P14/3808—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H10P14/381—Beam shaping, e.g. using a mask

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、例えば多結晶シリコンを単結晶化する場合な
どに好適なレーザ・アニール方法に関する。
近年、絶縁膜上に多結晶シリコン膜を形成し、その多結
晶シリコン膜を単結晶化するのにレーザ・ビームを照射
してアニールを行ない多結晶シ１ノコンを一旦溶融する
ようにしている。
ところが、レーザ・ビームは、通常、第１図に記号ＬＢ
で指示しであるように２次元的には円形であり、３次元
的に見た場合のビーム強度分布は同じく記号ＢＳで指示
しであるようにガウシャン分布になる。
そこで、このようなレーザ・ビームで、半導体ウェハを
走査すると帯状にアニールが行なわれ、そして、冷却は
帯のエツジ部分から始まる。即ち、外側から内側に向っ
て固化（単結晶化）が進行することになる。従って、単
結晶のグレイン成長が中央部分で衝合し、妨げられるこ
とになり、大きなグレインを得ることができない。
本発明は、レーザ・アニールを行なった場合に、冷却が
中央部分から外方に向って進行するようにして、例えば
多結晶シリコンを単結晶化する際にグレインが犬である
単結晶を得られるようにするものであり、以下これを詳
細に説明する。
本発明の目的を達成するには、レーザ・ビームの強度を
中央部分で低く、外方で高くなるような分布にすれば良
い。そのようにするには種々の手段が考えられるが、実
施するに際し、装置が簡単で、経済的なもので、なけれ
ばならない。
そこで、本発明では、単一のレーザ光源から放射された
１本のレーザ・ビームを光学的に２本に分岐し、その２
本のレーザ・ビームを近接させて照射することに依シア
ニールを行なうようにしている。次に、その実施例を説
明する。
第２図は、ハーフ・ミラーと全反射ミラーを使用して１
本のレーザ・ビームを２本に分岐した実施例を表わして
いる。
第２図に於いて、１はレーザ光源、２は全反射ミラー、
３はハーフ・ミラー、４は全反射ミラー、ＬＢ′は２次
元的なレーザ・ビーム・ノくターン、Ｂ１１は５次元的
なレーザ・ビーム強度分布をそれぞれ示している。
このようカレーザ・ビームで矢印Ａ方向にスキャンニン
グしてアニールを行なうと、中央部分から外方に向って
冷却が進行するので、多結晶シリコンを単結晶化する場
合もその方向に沿って行なわれることになる。
第３図は、模型ミラーと全反射ミラーを使用して１本の
レーザ・ビームを２本に分岐する実施例を表わし、第２
図に関して説明した記号と同一の記号は同じ部分を指示
している。
第５図に於いて、５は模型ミラー、６及び７は全反射ミ
ラーをそれぞれ示している。
本実施例に依って分岐された２本のレーザ・ビームの２
次元的なパターンは純粋なものではないが、半球状をな
している。
この実施例に依ってアニールを行なった場合も中央部分
から外方に向って冷却が進行することはそのビーム強度
分布から明らかである。
以上の鯨明で判るように、本発明に依れば、中央部分の
エネルギ密度が小で、周辺部分のそれが大であるレーザ
・ビームにて半導体ウェハをアニールすることができる
ので、多結晶シリコンを単結晶化する場合は、単結晶化
が中央部分から外方に向って進行し、グレインが大であ
る単結晶を得ることができる。そして、そのようなレー
ザ・ビームを作るには、１本のレーザ・ビームを若干の
光学系で２本に分岐し、それを近接して照射することに
依って達成されるので装置の構成は極めて簡単である。
【図面の簡単な説明】
第１図はレーザ・ビームの照射ノ（ターンと強度分布を
説明する為の線図、第２図及び第５図は本発明のそれぞ
れ異なる実施例の説明図である。 図に於いて、１はレーザ光源、２は全反射ミラー、５は
ハーフ・ミ２−１４は全反射ミ２−１５は模型ミラー、
６，７は全反射ミラーである。 特許出願人富士通株式会社 代理人弁理士玉　蟲久五部（外３名） 第１図 第２図　　　　　　　第３図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １本のレーザ・ビームを光学系にて２本に分岐し、該２
    本のレーザ・ビームを近接して半導体ウェハに照射して
    アニールを行なうことを特徴とするレーザ・アニール方
    法。
JP56155512A 1981-09-30 1981-09-30 レ−ザ・アニ−ル方法 Granted JPS5856411A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56155512A JPS5856411A (ja) 1981-09-30 1981-09-30 レ−ザ・アニ−ル方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56155512A JPS5856411A (ja) 1981-09-30 1981-09-30 レ−ザ・アニ−ル方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5856411A true JPS5856411A (ja) 1983-04-04
JPH0353771B2 JPH0353771B2 (ja) 1991-08-16

Family

ID=15607666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56155512A Granted JPS5856411A (ja) 1981-09-30 1981-09-30 レ−ザ・アニ−ル方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5856411A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59151420A (ja) * 1983-02-17 1984-08-29 Agency Of Ind Science & Technol レ−ザアニ−ル装置
JPS59195819A (ja) * 1983-04-20 1984-11-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体単結晶層の形成方法
JPH04364031A (ja) * 1991-06-10 1992-12-16 Ii & S:Kk レーザアニール方法およびレーザアニール装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
APPL.PHYS.LETT=1981 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59151420A (ja) * 1983-02-17 1984-08-29 Agency Of Ind Science & Technol レ−ザアニ−ル装置
JPS59195819A (ja) * 1983-04-20 1984-11-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体単結晶層の形成方法
JPH04364031A (ja) * 1991-06-10 1992-12-16 Ii & S:Kk レーザアニール方法およびレーザアニール装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0353771B2 (ja) 1991-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7759230B2 (en) System for providing a continuous motion sequential lateral solidification for reducing or eliminating artifacts in overlap regions, and a mask for facilitating such artifact reduction/elimination
JP3033120B2 (ja) 半導体薄膜の製造方法
JPS5891422A (ja) 光ビ−ム均一化装置
JPS60257511A (ja) 熱処理方法及びそれに用いる熱処理装置
JPS5856411A (ja) レ−ザ・アニ−ル方法
EP0184290B1 (en) Process for the production of semiconductor devices using a dual peak laser beam
JPS5925215A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH11186163A (ja) 薄膜形成方法および薄膜形成装置
JPH09180997A (ja) レーザを用いた表面処理方法
JP4039306B2 (ja) 立体回路パターンの形成方法、装置、及びこれらを用いて製造される立体回路板
JPS62126630A (ja) レ−ザ加工装置
RU2111128C1 (ru) Способ формирования изображений и устройство для его осуществления "оптэкс"
JPS58103140A (ja) レ−ザアニ−ル方法
JPS59151421A (ja) レ−ザアニ−ル装置
JPS62216216A (ja) 三日月ビ−ムホモジナイザ−
JPH03289128A (ja) 半導体薄膜結晶層の製造方法
JPH0352214B2 (ja)
JPH01261820A (ja) レーザ照射装置
JP2714109B2 (ja) 結晶膜の製造方法
JPS6247114A (ja) 半導体単結晶膜の製造方法
JPH0656834B2 (ja) 単結晶薄膜の製造装置
JPH0330317A (ja) Ｓｏｉ基板製造装置
JPS58133A (ja) レ−ザアニ−リング用マスク
JPS61234088A (ja) レ−ザ光照射装置
JPS6185816A (ja) 単結晶薄膜の製造方法