JPS5856449A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5856449A
JPS5856449A JP56155688A JP15568881A JPS5856449A JP S5856449 A JPS5856449 A JP S5856449A JP 56155688 A JP56155688 A JP 56155688A JP 15568881 A JP15568881 A JP 15568881A JP S5856449 A JPS5856449 A JP S5856449A
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JP
Japan
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lead frame
resin
semiconductor element
epoxy resin
sealing
Prior art date
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Pending
Application number
JP56155688A
Other languages
English (en)
Inventor
Muramasu Oomori
大森　村益
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5856449A publication Critical patent/JPS5856449A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40—Leadframes
    • H10W70/456—Materials
    • H10W70/457—Materials of metallic layers on leadframes
    • H—ELECTRICITY
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    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、装置組立にリードフレームを用い、樹脂封止
した半導体装置に関する。
樹脂封止型半導体装置に使用されるリードフレームは、
鉄又は銅系の金属を素材とし、金又は銀等のメッキを施
したものを使用している。しかしながら、樹脂封止によ
る半導体装置は、金属リードフレームと封止樹脂の密着
性が劣る事に加え、熱膨張係数の差が大きく、界面よシ
容易に外気中の水分が浸入し半導体装置の特性劣化を生
じる。
本発明の目的は、上記のような金属リードフレームを用
いた耐湿性の欠点を取シ除いた、信頼性の高い半導体装
置を提供する事である。
本発明の半導体装置は、導電性樹脂からなるリードフレ
ームに半導体素子を取付け、樹脂封止して組立てられた
構成を有する。
一般に、樹脂封止にはエポキシ樹脂が使用されている。
したがって、エポキシ樹脂と熱膨張係数が近く、密着性
が良い材料としては、エポキシ樹脂自体が最も良いとい
う事になるが、エポキシ樹脂は絶縁物であるからリード
フレーム材としては使用できない。そこで、銀、銅、ニ
ッケル等の微粉末を混合した導電性エポキシ樹脂を使用
することにより、密着性がよくなシ、それと共に密着界
面から水分が浸入するのも防止され耐湿性が向上される
。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第１図は本発明の半導体装置組立のために用いられる導
電性樹脂製のリードフレームの平面図である。図におい
て、ｌは半導体素子マウント部、２はワイヤボンディン
グ部、３はリードフレーム補強のためのタイバー、４は
組立時の位置決めおよび自動送シを行うためのガイド穴
、５は外部端子半田付部である。
このようなリードフレームは、例えばつぎのようにして
作られる。すなわち、金属微粉末を加えたエポキシ樹脂
、例えば銀ペーストエボキツ樹脂を加熱成形する。それ
からワイヤボンディング部２、および、組立後プリント
板への半田付を行う外部端子半田付部５に、ニッケル、
銀、金などの金属メッキを施すか、または、金属薄板を
張シ付ける。これらの金属膜被着部は極力狭くすること
により一層の耐湿性が望める。
第２図は本発明の一実施例の上面図である。第２図にお
いて半導体素子マウント部１に半導体素子６がマウント
され、半導体素子６の電極とリードフレームのワイヤボ
ンディング部２との間に接続ワイヤ７がボンディングさ
れ、これら半導体素子６および接続ワイヤ７を含んでリ
ードフレームの先端側が封止樹脂８により封止された後
、リードフレームは個々に分断され個々の半導体装置、
本例ではトランジスタに分離されている。
本発明は、導電性および放熱性に関しそれほど必要とし
ないＭＯ８型半導体装置または小信号トランジスタなど
に適用された場合、金属製に比べ幾分導電性の劣る導電
性樹脂の弱点を露呈することなく、その勝社九密着性効
果のみが充分に発揮されるので、この種の半導体装置へ
適用することにより特に顕著な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係るリードフレームの平面図、第２図
は本発明の一実施例の平面図である。 １・・・・・・半導体素子マウント部、２・・・・・・
ワイヤボンディング部、３・・・・・・タイバー、４・
・・・・・ガイド穴、５・・・・・・外部端子半田付部
、６・・・・・・半導体素子、７・・・・・・接続ワイ
ヤ、８・・・・・・封止樹脂。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 導電性樹脂からなるリードフレームに半導体素子を取り
    付は樹脂封止して組立てたことを特徴とする半導体装置
    。
JP56155688A 1981-09-30 1981-09-30 半導体装置 Pending JPS5856449A (ja)

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JP56155688A JPS5856449A (ja) 1981-09-30 1981-09-30 半導体装置

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JPS5856449A true JPS5856449A (ja) 1983-04-04

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JP56155688A Pending JPS5856449A (ja) 1981-09-30 1981-09-30 半導体装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62217700A (ja) * 1986-03-19 1987-09-25 東芝ケミカル株式会社 電子回路装置
JPH0515278U (ja) * 1991-08-02 1993-02-26 内橋エステツク株式会社 電子部品
WO1995024732A1 (en) * 1994-03-09 1995-09-14 National Semiconductor Corporation A molded lead frame and method of making same

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