JPS5856514A - 表面弾性波素子 - Google Patents
表面弾性波素子Info
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- JPS5856514A JPS5856514A JP56153826A JP15382681A JPS5856514A JP S5856514 A JPS5856514 A JP S5856514A JP 56153826 A JP56153826 A JP 56153826A JP 15382681 A JP15382681 A JP 15382681A JP S5856514 A JPS5856514 A JP S5856514A
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- JP
- Japan
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- acoustic wave
- surface acoustic
- silicon substrate
- zinc oxide
- oxide film
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高効率で呻作し得る構造の表面弾性波素子に
関するものである。
関するものである。
弾性体表面に沿って伝播する表面弾性波を利用した各□
種表面弾性波素子が最近盛んに開発されつつある。この
理由としては、第１に表面弾性波は物質表面に集中して
伝播する波動であること。第２にその伝播速度は電磁波
速度の約１０−５倍であり。
種表面弾性波素子が最近盛んに開発されつつある。この
理由としては、第１に表面弾性波は物質表面に集中して
伝播する波動であること。第２にその伝播速度は電磁波
速度の約１０−５倍であり。
素子の小型化と高密度化が口■能であること。第３にＩ
Ｃと組み合わせた新らしい素子の実現が期待できること
、等が挙げられる。
Ｃと組み合わせた新らしい素子の実現が期待できること
、等が挙げられる。
第１図は従来の表面弾性波素子の一例を示すもので、ｌ
はＩ、ｌＮｂＯ３から成る圧電性単結晶基板、２．３は
その表面に設けられた（し型電極であり。
はＩ、ｌＮｂＯ３から成る圧電性単結晶基板、２．３は
その表面に設けられた（し型電極であり。
例えば２は入力電極、３は出力電極として使用される。
ここで入力電極２から励振された表面弾性波は上記ＬＩ
ＮｂＯ３圧電性単結晶基板１表面を伝播して出力電極３
から取り出される。
ＮｂＯ３圧電性単結晶基板１表面を伝播して出力電極３
から取り出される。
以上の構造の表面弾性波素子は、電気機械結合係数Ｋが
大きいため、くし型電極を備えたフィルタ等に適用した
場合は広帯域特性が実現でき、マツチングが取り易く、
押入損失も小さくできまたくし型電極のくしの数も少な
くできるので、素子の小型化が実現できてコストダウン
が削れる等の多くの利点を有している。しかしながらそ
の反面、基板がＩｉ ＩＮ ｂ０３単一材料から構成さ
れているために、素子の伝播速度および電気機械結合係
数が表面の＆１、晶軸方向、それに対する表面弾性波の
伝播方向によって固定化されてしまう欠点を有（−てい
る。
大きいため、くし型電極を備えたフィルタ等に適用した
場合は広帯域特性が実現でき、マツチングが取り易く、
押入損失も小さくできまたくし型電極のくしの数も少な
くできるので、素子の小型化が実現できてコストダウン
が削れる等の多くの利点を有している。しかしながらそ
の反面、基板がＩｉ ＩＮ ｂ０３単一材料から構成さ
れているために、素子の伝播速度および電気機械結合係
数が表面の＆１、晶軸方向、それに対する表面弾性波の
伝播方向によって固定化されてしまう欠点を有（−てい
る。
この欠点を除去し特性に柔軟性を持たせる試みとして１
例えば第２図あるいは第３図のように酸化亜鉛膜／シリ
コン構造の素子が提案されている。
例えば第２図あるいは第３図のように酸化亜鉛膜／シリ
コン構造の素子が提案されている。
同図において４はシリコン基板で（１００）面と等価な
面でカントされたもの、また表面弾性波を伝播させる方
向はシリコンの（１，００）軸方向と等価な方向である
。６．７はこのシリコン基板４上に設けられた電極、５
は電極６．７およびシリコン基板４表面に形成された酸
化亜鉛膜、８はこの酸化亜鉛膜５表面に形成された金属
膜である。
面でカントされたもの、また表面弾性波を伝播させる方
向はシリコンの（１，００）軸方向と等価な方向である
。６．７はこのシリコン基板４上に設けられた電極、５
は電極６．７およびシリコン基板４表面に形成された酸
化亜鉛膜、８はこの酸化亜鉛膜５表面に形成された金属
膜である。
しかしながら以上の構造の素子においても、電気機械結
合係数Ｋが第１図構造の素子に比べて小さい欠点がある
。
合係数Ｋが第１図構造の素子に比べて小さい欠点がある
。
本発明は以上の問題に対処してなされたもので、基板材
料として（１１，０）面と等価な面でカットされたシリ
コンを用い、このシリコン基板上に電極を設け、この電
極表面を含む上記シリコン基板表面に酸化亜鉛膜を形成
するようにした構造の表面弾性波素子を提供するもので
ある。以下図面を参照して本発明実施例を説明する。
料として（１１，０）面と等価な面でカットされたシリ
コンを用い、このシリコン基板上に電極を設け、この電
極表面を含む上記シリコン基板表面に酸化亜鉛膜を形成
するようにした構造の表面弾性波素子を提供するもので
ある。以下図面を参照して本発明実施例を説明する。
第４図は本発明実施例による表面弾性波素子を示す断面
図で、４Δはシリコン基板で（１１０）面と等価な面で
カットされたものから成り、６．７はこのシリコン基板
４Ａ上に設けられたくし型電極。
図で、４Δはシリコン基板で（１１０）面と等価な面で
カットされたものから成り、６．７はこのシリコン基板
４Ａ上に設けられたくし型電極。
５はくし型電極６．７表面を含む上記シリコン基板４Ａ
表面に形成され圧電軸がシリコン基板４Ａ面に垂直にな
るように形成された酸化亜鉛膜である。
表面に形成され圧電軸がシリコン基板４Ａ面に垂直にな
るように形成された酸化亜鉛膜である。
以上の構造の表面弾性波素子の入力電極６に対し、上記
シリコンの〔００］〕軸方向と等価な方向に表面弾性波
としてセザワ波を励振させる。これにより表面弾性波は
酸化亜鉛膜５表面を伝播して出力電極７に至る。
シリコンの〔００］〕軸方向と等価な方向に表面弾性波
としてセザワ波を励振させる。これにより表面弾性波は
酸化亜鉛膜５表面を伝播して出力電極７に至る。
第５図は以上の本発明実施例によって舟られた特性曲線
を示すもので、横軸は酸化亜鉛膜５の膜厚）１の規格化
された厚さを２πｈ／λ（ここでλは表面弾性波の波長
）で示し、縦軸は電気機械結合係数にの二乗値Ｋを百分
率で示す。酸化亜鉛膜５の膜厚りの変化に応じてに値は
曲線へのような変化をする。なおこの曲線Ａは表面弾性
波のうち上記のようなセザワ波についての曲線を示して
いる。
を示すもので、横軸は酸化亜鉛膜５の膜厚）１の規格化
された厚さを２πｈ／λ（ここでλは表面弾性波の波長
）で示し、縦軸は電気機械結合係数にの二乗値Ｋを百分
率で示す。酸化亜鉛膜５の膜厚りの変化に応じてに値は
曲線へのような変化をする。なおこの曲線Ａは表面弾性
波のうち上記のようなセザワ波についての曲線を示して
いる。
また曲線Ｂ（・ま第２図のように（１００）面と等価な
面でカントされたシリコン基板４を用いた素子に対して
、シリコンの〔００１〕軸方向と等価な方向にセザワ波
を励振させた場合のに特性を示すものである。
面でカントされたシリコン基板４を用いた素子に対して
、シリコンの〔００１〕軸方向と等価な方向にセザワ波
を励振させた場合のに特性を示すものである。
第５図の特性から明らかなように、シリコンの（００１
）軸方向と等価な方向に表面弾性波を伝播させた場合、
酸化亜鉛膜５の膜厚りを１．２ （２πｈ／λ〈３，０
の範囲となるように選ぶことにより、高効率で動作さ
せ得る大きな値の電気機械結合係数を得ることができる
。
）軸方向と等価な方向に表面弾性波を伝播させた場合、
酸化亜鉛膜５の膜厚りを１．２ （２πｈ／λ〈３，０
の範囲となるように選ぶことにより、高効率で動作さ
せ得る大きな値の電気機械結合係数を得ることができる
。
第６図は本発明の他の実施例を示すもので、酸化亜鉛膜
５表面に誘電体膜９例えば二酸化シリコンを形成した構
造を示すものである。
５表面に誘電体膜９例えば二酸化シリコンを形成した構
造を示すものである。
第７図は本発明のその他の実施例による表面弾性波素子
を示す断面図で、酸化亜鉛膜５表面に金属膜８を形成し
た構造を示すものである。
を示す断面図で、酸化亜鉛膜５表面に金属膜８を形成し
た構造を示すものである。
以上の構造の表面弾性波素子の入力電極６に対して、シ
リコンの〔００］）軸方向と等価な方向妊表面弾性波と
してセザワ波を励振させることにより第８図のような特
性曲線が得られた。第７図の構造において金属膜８の膜
厚Ｈが上記表面弾性波の波長に比べて十分小さい場合は
、酸化亜鉛膜６の膜厚りの変化に応じてに値は曲ＭＩＡ
のような変化をする。なおこの曲線Ａは表面弾性波のう
ち上記のようなセザワ波についての曲線す示している。
リコンの〔００］）軸方向と等価な方向妊表面弾性波と
してセザワ波を励振させることにより第８図のような特
性曲線が得られた。第７図の構造において金属膜８の膜
厚Ｈが上記表面弾性波の波長に比べて十分小さい場合は
、酸化亜鉛膜６の膜厚りの変化に応じてに値は曲ＭＩＡ
のような変化をする。なおこの曲線Ａは表面弾性波のう
ち上記のようなセザワ波についての曲線す示している。
また曲＃Ｂは第３図のように（１００）面と等価な面で
カントされたシリコン基板４を用いた素子に対して、シ
リコンの〔００１〕軸方向と等価な方向にセザワ波を励
振させた場合のに特性を示すものである。
カントされたシリコン基板４を用いた素子に対して、シ
リコンの〔００１〕軸方向と等価な方向にセザワ波を励
振させた場合のに特性を示すものである。
第８図の特性から明らかなように、シリコンの［００１
］軸方向と等価な方向に表面弾性波を伝播させた場合、
酸化亜鉛膜５の膜厚りを１．０（２πｈ／λ＜２．６
の範囲となるように選ぶことにより、高効率で動作させ
得る大きな値の電気機械結合係数を得ることができる。
］軸方向と等価な方向に表面弾性波を伝播させた場合、
酸化亜鉛膜５の膜厚りを１．０（２πｈ／λ＜２．６
の範囲となるように選ぶことにより、高効率で動作させ
得る大きな値の電気機械結合係数を得ることができる。
なお酸化亜鉛膜５表面に形成される金属膜８は。
くし型電極６，７の少なくとも交差幅部分の真上に位置
するように形成されればよい。
するように形成されればよい。
以上において、電気機械結合係数には酸化亜鉛膜５の膜
厚り、シリコン基板４Ａのカット面あるいは表面弾性波
の伝播軸等を変化させることにより、任意に設定するこ
とができる。
厚り、シリコン基板４Ａのカット面あるいは表面弾性波
の伝播軸等を変化させることにより、任意に設定するこ
とができる。
なお本文実施例中では酸化亜鉛膜５の圧電軸がシリコン
基板４Ａに対して垂直に形成された場合な示したが、基
板面に垂直な方向からの傾きがほぼ１０度以下の圧電軸
の場合−もほぼ同等の特性が得られることを確かめた。
基板４Ａに対して垂直に形成された場合な示したが、基
板面に垂直な方向からの傾きがほぼ１０度以下の圧電軸
の場合−もほぼ同等の特性が得られることを確かめた。
またシリコン基板４Ａのカット面および表面弾性波を励
振すべき伝播軸は、それぞれ（ＩＩＯ）面と等価な而お
よびシリコンの（００１）軸方向と等価な方向から数度
ずれている場合にもほぼ同等の特性が得られることがわ
かった。
振すべき伝播軸は、それぞれ（ＩＩＯ）面と等価な而お
よびシリコンの（００１）軸方向と等価な方向から数度
ずれている場合にもほぼ同等の特性が得られることがわ
かった。
表面弾性波を伝播させる方向はシリコンの〔００１〕軸
方向と等価な方向以外の方向に選んだ場合にもまた酸化
亜鉛膜を１．０＜２πｈ／λ＜３．０以外に選んだ場合
にも同様な高効率な動作が期待される。
方向と等価な方向以外の方向に選んだ場合にもまた酸化
亜鉛膜を１．０＜２πｈ／λ＜３．０以外に選んだ場合
にも同様な高効率な動作が期待される。
さらにくし型構造電極を配置しない場合で本、シリコン
基板と酸化亜鉛膜内に発生する電気的゛ポテンシャルを
利用する様な素子において、高効率で動作し得る表面弾
性波素子の実現が期待される。
基板と酸化亜鉛膜内に発生する電気的゛ポテンシャルを
利用する様な素子において、高効率で動作し得る表面弾
性波素子の実現が期待される。
以上説明して明らかなように本発明によれば。
基板材料として（１１０）面と等価な面でカットされた
シリコンを用い、このシリコン基板上に電極を設け、こ
の電極表面を含む上記シリコン基板表面に酸化亜鉛膜を
形成し、必要に応じてこの酸化亜鉛膜表面に金属膜を形
成させるように構成するものであるから、電気機械結合
係数に柔軟性を持たせることができ任意な値に設定する
ことができる。
シリコンを用い、このシリコン基板上に電極を設け、こ
の電極表面を含む上記シリコン基板表面に酸化亜鉛膜を
形成し、必要に応じてこの酸化亜鉛膜表面に金属膜を形
成させるように構成するものであるから、電気機械結合
係数に柔軟性を持たせることができ任意な値に設定する
ことができる。
したがって、くし型電極を備えたフィルタ等に適用した
場合には広帯域特性が実現でき、マツチングが取り易く
、挿入損失も小さくできまたくし型電極のくしの数も少
なくできるので、素子の小型化が実現できてコストダウ
ンが計れる等の多くの利点を維持したままで、高効率で
動作し得る表面弾性波素子を得ることができる。
場合には広帯域特性が実現でき、マツチングが取り易く
、挿入損失も小さくできまたくし型電極のくしの数も少
なくできるので、素子の小型化が実現できてコストダウ
ンが計れる等の多くの利点を維持したままで、高効率で
動作し得る表面弾性波素子を得ることができる。
本発明は特にシリコン基板として集積回路用基板と共通
の基板を用いることに、より、小型化、高密度化された
素子を得ることができるので効果的である。
の基板を用いることに、より、小型化、高密度化された
素子を得ることができるので効果的である。
第１．図乃至第３図は従来素子を示す断面図、第４図、
第６図および第７図はいずれも本発明実施例を示す断面
図、第５図および第８図は共に本発明によって得られた
結果を示す特性図である。 ４Δ・・・シリコン基板、５・・・酸化亜鉛膜、６．７
・・・（し型電極構造、８・・・金属膜、９・・・誘電
体膜。 特許出願人 クラリオン株式会社 第１図 ２３ 第３図 第４図 第６図 手続補正書（自船 昭和５７年９月１ｑ日 特許１富 若杉和大 殿 １ 事件の表示 昭和５６年特許鎗 第１５３１３２６号２ 発明の名称 ！ＩＮ１弾性波素子 ３ 補正をする者 ４、代理人〒１ｏｓ １．”、’−住 所
東京都港区芝３丁目２番１４号芝三丁目ビル５ 補正
の対象 ｖＡＩＩＢ書のＩＡＷ１４の詳細な説明の欄６ 補正の
内容 明細書第４頁第７行目の「（ｔＧｏ）軸方向」をｒ（０
０１）軸方向」−訂正する・ 手続補正書（自船 １ 事件の表示 昭和器６年％！ＦＦ１ａ ！ １ｌｓ３８２６号２
発明の名称 懺面弾性＃！素子 ３ 補正をする者 事件との関係 令許出願人 住所 名 称 （１４ｇ） タラリオン株式会社４代理人〒
１０５ 住 所 東京都港区芝３丁目２番１・１号芝三丁目ビ
ル電話（０３）４５５−８７４６番 １、 明細書第４頁第２行目乃至同頁第１４行目の記載
をＡＩＪ除する。 ２、明細書第５貴第２行目の「第４図」を「第２図」に
訂正し、同頁第す行目の「第５図」を「第３図」に訂正
する。 ３、明細書第６頁第３行日の「第２図のように」を削除
し、同頁第８行目のｒｉｓ図」を「第３図」に訂正し、
同頁第１４行目のＵ第６図」を「第４図」に訂正し、同
頁第３行目の「第７図」を「第５図」Ｋ訂正する。 ４、明ａ沓第７貞第９行目の１第３図のよ５ＫＪを削除
し、同頁第３行目の「第８図」を１第６図」におよび「
第７図」を「１ｐＪ５図」Ｋ訂正し、同頁第１４行目の
「第８図」を「第６図」に訂正する。 ５、明細書第１０ｊｊ第５行目乃至同頁第８行目の記載
を下記のように訂正する。 記 第１図は従来素子を示す断面−１第２図、第４図および
第５図はいずれも本発明実施例を示す断面図、第３図お
よび第６ｒｇは共に本発明によって得られた結果を示す
特性図である。 ６、図面を別紙のように訂正する。
第６図および第７図はいずれも本発明実施例を示す断面
図、第５図および第８図は共に本発明によって得られた
結果を示す特性図である。 ４Δ・・・シリコン基板、５・・・酸化亜鉛膜、６．７
・・・（し型電極構造、８・・・金属膜、９・・・誘電
体膜。 特許出願人 クラリオン株式会社 第１図 ２３ 第３図 第４図 第６図 手続補正書（自船 昭和５７年９月１ｑ日 特許１富 若杉和大 殿 １ 事件の表示 昭和５６年特許鎗 第１５３１３２６号２ 発明の名称 ！ＩＮ１弾性波素子 ３ 補正をする者 ４、代理人〒１ｏｓ １．”、’−住 所
東京都港区芝３丁目２番１４号芝三丁目ビル５ 補正
の対象 ｖＡＩＩＢ書のＩＡＷ１４の詳細な説明の欄６ 補正の
内容 明細書第４頁第７行目の「（ｔＧｏ）軸方向」をｒ（０
０１）軸方向」−訂正する・ 手続補正書（自船 １ 事件の表示 昭和器６年％！ＦＦ１ａ ！ １ｌｓ３８２６号２
発明の名称 懺面弾性＃！素子 ３ 補正をする者 事件との関係 令許出願人 住所 名 称 （１４ｇ） タラリオン株式会社４代理人〒
１０５ 住 所 東京都港区芝３丁目２番１・１号芝三丁目ビ
ル電話（０３）４５５−８７４６番 １、 明細書第４頁第２行目乃至同頁第１４行目の記載
をＡＩＪ除する。 ２、明細書第５貴第２行目の「第４図」を「第２図」に
訂正し、同頁第す行目の「第５図」を「第３図」に訂正
する。 ３、明細書第６頁第３行日の「第２図のように」を削除
し、同頁第８行目のｒｉｓ図」を「第３図」に訂正し、
同頁第１４行目のＵ第６図」を「第４図」に訂正し、同
頁第３行目の「第７図」を「第５図」Ｋ訂正する。 ４、明ａ沓第７貞第９行目の１第３図のよ５ＫＪを削除
し、同頁第３行目の「第８図」を１第６図」におよび「
第７図」を「１ｐＪ５図」Ｋ訂正し、同頁第１４行目の
「第８図」を「第６図」に訂正する。 ５、明細書第１０ｊｊ第５行目乃至同頁第８行目の記載
を下記のように訂正する。 記 第１図は従来素子を示す断面−１第２図、第４図および
第５図はいずれも本発明実施例を示す断面図、第３図お
よび第６ｒｇは共に本発明によって得られた結果を示す
特性図である。 ６、図面を別紙のように訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ （１１０）面と等価な面でカットされたシリコン
基板と、このシリコン基板上に設けられた電極と、この
電極表面を含む上記シリコン基板表面に形成された酸化
亜鉛膜とを含み、上記シリコンの〔ＯＯ１〕軸方向と等
価な方向に表面弾性波を伝播させるように構成したこと
を特徴とする表面弾性波素子。 ２ 上記酸化亜鉛膜表面に形成された金属膜を含むこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の表面弾性波素
子。 ３、 上記酸化亜鉛膜の圧電軸がシリコン基板面に対し
て垂直または垂面方向に対して１０度以下の傾きを持つ
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載
の表面弾性波素子。 ４、 上記酸化亜鉛膜の膜厚りが１．０ ＜ ２πｈ／
λ〈３０（ただし、λは表面弾性波の波長を示す）の範
囲に属することを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至
第３項のいずれかに記載の表面弾性波素子。 ５ 上記電極がくし型構造をｆＴすることを特徴とする
特許請求の範囲第１項乃至第４項のいずれかに記載の表
面弾性波素子。 ６、 上記酸化亜鉛膜上の金属膜は上記シリコン基板上
に設けられたくし型電極の少な（とも交差幅部分の真上
に位置することを特徴とする特許請求の範囲第２項乃至
第５項のいずれかに記載の表面弾性波素子。
Priority Applications (16)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56031562A JPS57145419A (en) | 1981-03-05 | 1981-03-05 | Surface acoustic wave element |
| JP56139724A JPS5844806A (ja) | 1981-03-05 | 1981-09-07 | 弾性表面波用素子 |
| JP56153826A JPS5856514A (ja) | 1981-03-05 | 1981-09-30 | 表面弾性波素子 |
| JP56153825A JPS5856513A (ja) | 1981-03-05 | 1981-09-30 | 表面弾性波素子 |
| JP56153827A JPS5856515A (ja) | 1981-03-05 | 1981-09-30 | 表面弾性波素子 |
| JP56160062A JPS5861686A (ja) | 1981-03-05 | 1981-10-09 | 表面弾性波素子 |
| JP56163148A JPS5863214A (ja) | 1981-03-05 | 1981-10-12 | 表面弾性波素子 |
| US06/354,430 US4449107A (en) | 1981-03-05 | 1982-03-03 | Surface elastic wave element |
| FR8203628A FR2509927B1 (fr) | 1981-03-05 | 1982-03-04 | Element a onde elastique de surface |
| GB8206465A GB2095948B (en) | 1981-03-05 | 1982-03-04 | Surface elastic wave element |
| DE3208239A DE3208239C2 (de) | 1981-03-05 | 1982-03-05 | Oberflächenwellenbauelement |
| NL8200935A NL8200935A (nl) | 1981-03-05 | 1982-03-05 | Oppervlakte-elastisch golfelement. |
| DE19823237358 DE3237358A1 (de) | 1981-03-05 | 1982-10-08 | Element fuer elastische oberflaechenwellen |
| FR8216922A FR2514567B1 (fr) | 1981-03-05 | 1982-10-08 | Element a onde elastique de surface |
| NL8203917A NL8203917A (nl) | 1981-03-05 | 1982-10-08 | Element voor elastische oppervlaktegolven. |
| GB08228854A GB2110033B (en) | 1981-03-05 | 1982-10-08 | Surface elastic wave element |
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56031562A JPS57145419A (en) | 1981-03-05 | 1981-03-05 | Surface acoustic wave element |
| JP56139724A JPS5844806A (ja) | 1981-03-05 | 1981-09-07 | 弾性表面波用素子 |
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