JPH01238129A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPH01238129A
JPH01238129A JP63066447A JP6644788A JPH01238129A JP H01238129 A JPH01238129 A JP H01238129A JP 63066447 A JP63066447 A JP 63066447A JP 6644788 A JP6644788 A JP 6644788A JP H01238129 A JPH01238129 A JP H01238129A
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JP
Japan
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semiconductor element
resin
semiconductor
lead frame
film
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Application number
JP63066447A
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English (en)
Inventor
Taku Nakamura
卓 中村
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、樹脂封止型半導体装置の、マウンティング構
造に関する。
〔従来の技術〕
従来の樹脂封止型半導体装置は、リードフレームに半導
体素子を搭載固着して、樹脂封止を行なう、第３図（ａ
）は従来例の、半導体素子をリードフレームに搭載した
状１ムを示す平面図、同図（ｂ）は樹脂側止断面図を示
すもので、リードフレーム２３の半導体素子搭載部２２
上にＡｇペースト等のろう材２７を用いて固着された半
導体素子２１を、リードフレーム２３の内部リード２３
ＡとＡｕ線等の金属細線２４で電気的接続をした後に、
エポキシ樹脂等の樹脂２６で月止し、成形・加工を行な
っていた。リードは折曲げて外部端子２５としている。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の樹脂封止型半導体装置では、半導体素子の寸法に
対して特定の寸法範囲の半導体素子搭載部を有するリー
ドフレームを用いなければ良好なポンディングをできな
いという欠点があり、半導体素子の寸法が異なれば金型
を別に用意しなければならなかった。さらに、半導体装
置をプリント基板に実装する際、温度が上昇するため製
造工程中もしくは室内保管中において半導体装置内に吸
着された水分が膨張し、半導体素子搭載部と樹脂の界面
の剥離あるいは半導体素子搭載部のエツジから樹脂にク
ラックを生じ、実装後の耐湿性すなわち品質を著しく劣
化させるという欠点も有している。これは半導体２に子
搭載部が、比較的に人ぷい金属板であって、封止樹脂と
の熱膨張の差が極めて大きいためである。
本発明の目的は、上記の課題を解決するために、？導体
搭載部を除去した新規な素子マウンティング構造を有す
る樹脂封止型半導体装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、封止樹脂との密着性の良好な薄
膜をその下面に形成した半導体素子を、リードフレーム
の各内部リード先端部に絶縁性接着剤を介して各内部リ
ードにまたがって固着するようにしたものである。
〔作用〕
半導体素子を内部リード先端部にまたがって固着させる
から、半導体素子の大きさが多少変っても同一のリード
フレームが使用できる。半導体素子搭載部を利用しない
ことと、さらに半導体素子下面に！４１１＝樹脂との密
着性の良好な薄膜を形成しているので、半導体素子と樹
脂との密着が良く、両面が封止樹脂に対し同−条袢にな
る。このため、実装時の半導体素子に対する内部抑圧を
均一にし、局部的に押圧が加わることがない。
〔実施例〕
以下１図面を参照して１本発明の実施例につき説明する
。第１図（ａ）はリードフレームに半導体素子を搭載し
た平面図、（ｂ）は樹脂封止断面図である。ここで同図
（ａ）はリードフレーム３の外枠部、ダムリード等をの
ぞき、要部のみ示しである。リードフレーム３は従来と
異なり半導体素子搭載部をもたず、内部リード３Ａが接
触しないように、従来と比べて中心部に延長されている
。半導体素子ｌの下面にＣＶＤ　（化学的気相成長法）
によりＳｉ３Ｎ４膜もしくはＳ　ｉ　０２膜等の半導体
素子ｌの上面と同種で封止樹脂との密着性が良好な薄膜
９を予め形成した後、内部リード３Ａの先端部上に絶縁
性接着剤８を用いて固着する。その後、半導体素子ｌの
電極とリード３Ａとの電気接続をとるためにＡｕ線等の
金属側！！４でポンディングをし、樹脂６により封止す
る。リード先端は折曲げて外部端子５としている。
上記実施例では、半導体素子を内部リードに固着する前
に、下面に薄膜を形成しているが。
固着後、薄膜を形成するようにしてもよい、第２図は同
一の形状のリードフレームを用い、樹脂封止した断面図
であって、この実施例では、先ず半導体素子１を内部リ
ード３Ａの先端部に絶縁性接着剤１８で固着した後、半
導体素子ｌの下面に液状エポキシ樹脂もしくはエポキシ
シランカップリング剤等を塗布し、乾燥することによっ
て、封止樹脂と密着性の良好な薄膜１９を形成させる。
以下、ワイヤポンディング、樹脂封止工程は全く同様に
行なう。
〔発明の効果〕
以上の゛ように、本発明は、リードフレームの半導体素
子搭載部を除去し、封止樹脂との密着性が良好な薄膜を
下面に形成した半導体素子を、絶縁性接着剤を介して内
部リード上に固着することにより、次のような効果が得
られる。
（＋）　　半導体素子搭載部が除去されているので、半
導体素子の寸法が多少異なるものに対しても、同一のリ
ードフレームが使用され個別の金型が不要となり、コス
トダウンとなる。また従来は、封止樹脂と半導体素子搭
載部との熱膨張差のため樹脂クラック等が生じていたが
、本発明では、半導体素子搭載部がなく、シかも、半導
体素子下面に封止樹脂との密着性の良い薄膜を形成し素
子上下面の密着性を均等にすることにより、実装時に発
生するパッケージ内部応力が局所に集中するのを防ぎ、
界面！１１離や樹脂クラックの発生を低減できる。
（２）　　リードフレームの内部リード先端部が半導体
素子と固定されているために、半導体素子と内部リード
とが一体となっているので、ポンディング工程後におけ
るリード、ワイヤーの変形に伴う断線会短絡不良を低減
できる。
（３）　　半導体素子搭載部を支持する吊りビンリード
が不用となるために、吊りビンリードからの水分・不純
物の侵入を防ぎ、耐湿性すなわち品質を向上できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例に関し、（ａ）が半導体素
子をリードフレームに搭載した状態を示す平面図、（ｂ
）が樹脂封止断面図、第２図は別の実施例の樹脂封止断
面図、第３図は従来例の半導体素子のリードフレーム塔
ａ乎面図、樹脂封止断面図である。 ｌ・・・半導体素子、　　　３・・・リードフレーム、
３Ａ・・・内部リード、　４・・・金属細線、６・・・
封止樹脂、 ８．１８・・・絶縁性接着剤、 ９．１９・・・薄膜。 １判鳴体木＋　３リードフレーム ３Ａ卜部リード ６枳茸ハ晶 ８．１８季り仝斗生楼１青］９．１９薄暎（ａ） フロ ３図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　樹脂封止型半導体装置において、封止樹脂との密着性
    の良好な薄膜をその下面に形成した半導体素子を、リー
    ドフレームの各内部リード先端部に絶縁性接着剤を介し
    て各内部リードにまたがって固着したことを特徴とする
    樹脂封止型半導体装置。
JP63066447A 1988-03-18 1988-03-18 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH01238129A (ja)

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JPH01238129A true JPH01238129A (ja) 1989-09-22

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ID=13316037

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0510905A1 (en) * 1991-04-22 1992-10-28 Motorola, Inc. Semiconductor package which does not delaminate or crack
US5550087A (en) * 1990-08-15 1996-08-27 Lsi Logic Corporation Process for bonding a semiconductor die to a variable die size inner lead layout

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5550087A (en) * 1990-08-15 1996-08-27 Lsi Logic Corporation Process for bonding a semiconductor die to a variable die size inner lead layout
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