JPS5857729A - 電子部品 - Google Patents

電子部品

Info

Publication number
JPS5857729A
JPS5857729A JP56154874A JP15487481A JPS5857729A JP S5857729 A JPS5857729 A JP S5857729A JP 56154874 A JP56154874 A JP 56154874A JP 15487481 A JP15487481 A JP 15487481A JP S5857729 A JPS5857729 A JP S5857729A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recess
electrode
projection
contacted
package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56154874A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuhiro Nagata
永田 光弘
Yutaka Sato
豊 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP56154874A priority Critical patent/JPS5857729A/ja
Publication of JPS5857729A publication Critical patent/JPS5857729A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30Die-attach connectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/073Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/073Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07331Connecting techniques
    • H10W72/07337Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 リコン!Ift素子体を絢いた電子f+(3品に関する
0一般に、skL、scル等の@F部品は、〃1図に示
すように例えばセラきツクAの外I引器ill内≦=。
伺えばシリコンクエバからなる半導体素子(2)を気密
に収容して構成されている。
半導体素子(2:の片面には、m1J・らなる亀憤(5
1が。
また半導体素子(2)の他の面にはモリブデンあるいは
タングステンからなる支持体(3)およびモリブデンあ
るいはアルイエりムからなるm(引を介して鋼からなる
電極(6)がそれぞれ当量されている〇電極(5)は、
セラミック覇外S器(11の上面に外周端をろう付され
た&L他支持jJl 17+にろう付けされている0 電極(61は、セラミック褒の外1ii(IIの下山に
ろう付けされた7ランジ(81の外周端に岬僧固足され
た電極支持4(9)の内周端4二ろう付けされて支持さ
れている。
このよう(二Sに、80Rの電子部品では、半導体素子
(21%性の劣化ケ防止するために気密に保っている。
ろう付けは、ろう付は一所に10円墳状1=形成された
候ろう(10) 、 (l lJ等を介挿し1glll
1図に示すように、それぞれの部品な組み立てた優、例
えば780〜900Cの水累算−慨中6=おいて、−ろ
うを溶融することによって行なわれる。
一般にセラミック展外fM−(11の場合ろう付nm所
には、あらかじめいわゆるメタライジング処理が施こさ
れている。
しかして、このような方法によりろう付けを行なうとき
には、電極(51,(61を構成する鋼中の酸素の存在
により、高温の水孝算鈍気Cpにおいて銅が水素脆化し
気密性を損ねる。
そのために電極(5)%(6)を構成する銅(=は、無
酸素鋼又は脱酸鋼かにN1される。
しかしながら、このような無酸素銅又は脱酸鋼は非宵に
錘価であるため、電子部品の製造コストが高くなるとい
う別の問題点が層・つた。
本発明はかかる事情に対処してなされたもので端部な鋼
からなる金属遮蔽体にて閉基されたセライック製外囲器
内に、a記金属C蔽体に導電接続されて封入されたアル
ミニウムからなる′IIL極を介して半導体素子を収納
してなる電子部品を提供しようとするものである。
以下・本発明の詳細な第2図に乃マ丁−実施例(二つい
て説明−「る0 なお弗2図において第1図とり(典する部分C二は。
同一符号が付されている0 1g2図において、セラミック外囲器(11の上部端面
には、セラミック外囲器(11の上面を遮蔽する鋼−か
らなる金属遮蔽板(17)がろう付けにより固設されて
おり、この金鵡遮蔽板(17)と半導体素子(2)の間
には、アルミニウムからなる電極(15)が介挿されて
いる。電極(15)の上面には凹部(18)が形成され
、かつ、金J!1i4蔽板(17)の下面の対応位置1
=#;凹部(18)に係合する凸部(19)が形成され
ており。
’41i(15)ハ、コレラ凹部(1g) ト凸# (
19) ノ保合(二より径方向への動きを規制されてい
る。
外囲器(1)の他端にはフランジ(8)がろう付けされ
かつ桐からなる金属遣蔽板(20)が7ランジ(8)の
外周端に溶接され、外囲器内部を気密(−保っている。
金j/!4s蔽板(20)の内側の面にはアルミニウム
からなる′電極(16)が啜しており、箔(4)を介し
て半導体素子に電気的に接続されている〇 金mn蔽板(20)の中央部には11L極(16)の下
面に設けられた四部(2υに係合される凸部(22)が
形成されており1電極(16)はこれらの凹部(21)
と凸部(22)との係合(二より径方向の移動が規制さ
れている0 このように構成された電子部品では、鋼からなる金属遮
蔽板(17)および7ランジ(8)をセラミック外囲器
(1)に、それぞれ高温の水素雰囲気中においてろう付
けした後、電極(15)、支持体(3)半導体素子(2
)、箔(41,@極(16)および金属屑−一(20)
を第2図に示すように装着し、セラミック外囲器(1)
内に例えば電素ガス等の不活性ガスを充填させた後、フ
ランジ(8)と金属遮蔽板(2o)と?外周面において
溶接(22)l、て、電子部品の組立を行なう。
したがって、アルミニウムから成る′電極(15)。
(16,)が酸化され、電極(15) 、 (16)表
向に酸化被膜が形成されることはなく、電極(15)。
(16)の熱伝導性および′眠気伝導性に対する影響も
なく、特性の良い電子部品を得ることができる・そして
電極(15)、(16)に比較的安価なアルミニウムを
用いることができるので、゛電子部品の大巾なコストダ
ウンを図ること、倶できる。
また、アル(ニウムは比較的遜い曾喝であるので、電子
部品の軽陰化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
N81図は、従来の電子部品の一実h11!例の縦断面
1゛り、弔2図゛ま本発明の「れ子部品の一火檜例を示
す縦斯闇図である。 ■・・・セラミック外囲器 2・・・半犀体判子 5.6.N5.16・・・・N1極 17.20・・・・・金!g4@板 (7317)代理人 弁理士  則近憲佑(4ほか1名

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、端部な鋼からなる金属遮蔽体6二で閉4されたセラ
    ミック製外囲器内に、前記金tSS蔽体に2、半導体素
    子はシリコン!I流4子体である特許請求の範囲第1項
    に記載の1義子部品0
JP56154874A 1981-10-01 1981-10-01 電子部品 Pending JPS5857729A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56154874A JPS5857729A (ja) 1981-10-01 1981-10-01 電子部品

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56154874A JPS5857729A (ja) 1981-10-01 1981-10-01 電子部品

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5857729A true JPS5857729A (ja) 1983-04-06

Family

ID=15593814

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56154874A Pending JPS5857729A (ja) 1981-10-01 1981-10-01 電子部品

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5857729A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6448028U (ja) * 1987-09-19 1989-03-24

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6448028U (ja) * 1987-09-19 1989-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5111277A (en) Surface mount device with high thermal conductivity
US5498900A (en) Semiconductor package with weldable ceramic lid
US6932644B1 (en) Dissimilar metal hermetic connector
US5945735A (en) Hermetic sealing of a substrate of high thermal conductivity using an interposer of low thermal conductivity
US6037193A (en) Hermetic sealing of a substrate of high thermal conductivity using an interposer of low thermal conductivity
JPS5857729A (ja) 電子部品
US3528102A (en) Semiconductor header assembly and method of fabrication thereof
KR960003765B1 (ko) 집적회로 칩 밀봉체 및 그 제조방법
JPH0749152B2 (ja) 整流素子の外囲器の製造方法
JPS5855112B2 (ja) セラミツクスとAlとの鑞着構体
JPS6220358A (ja) 半導体固体撮像装置
JPS6146060B2 (ja)
JPS5821424B2 (ja) 半導体材料支持用基板の製造方法
JP3691642B2 (ja) 光モジュールパッケージの製造方法
US4196309A (en) Semiconductor device subassembly and manufacture thereof
JPS63262858A (ja) 半導体装置
JPS6118591Y2 (ja)
JPS6033624Y2 (ja) 気密端子と容器の結合体
JP2985520B2 (ja) 半導体装置封止用セラミックス構造体およびその製造方法ならびにそのふた材
JPH0346259A (ja) 半導体装置とその製造方法
JPH0268834A (ja) マグネトロンの製造方法
JPH0439776B2 (ja)
JPH0419659B2 (ja)
JPS6332255B2 (ja)
JPS5841671A (ja) ニツケル又はニツケル合金の銅ろう接方法