JPS5858820B2 - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
- Publication number
- JPS5858820B2 JPS5858820B2 JP51007974A JP797476A JPS5858820B2 JP S5858820 B2 JPS5858820 B2 JP S5858820B2 JP 51007974 A JP51007974 A JP 51007974A JP 797476 A JP797476 A JP 797476A JP S5858820 B2 JPS5858820 B2 JP S5858820B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- electrode lead
- receiving element
- emitting element
- photoelectric conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光電変換素子にかかり、特に耐湿性にすぐれた
樹脂封止型の光電変換素子の構造を提供するものである
。
樹脂封止型の光電変換素子の構造を提供するものである
。
従来の光電変換素子における一例のフォトカプラ(Ph
oto coupler)に第1図に断面図で示す如き
構造のものがある。
oto coupler)に第1図に断面図で示す如き
構造のものがある。
これは発光素子1と受光素子2とが配設された夫々のリ
ード(1a、1a’・・・、2a、2a′・・・)が対
向して配置され、画素子は透光性の合成樹脂3(一例の
シリコンレジン)によって連続して被包され、さらに前
記リードの一部を含めて遮光性の合成樹脂4(一例のエ
ポキシレジン)によりモールド形成されてなる。
ード(1a、1a’・・・、2a、2a′・・・)が対
向して配置され、画素子は透光性の合成樹脂3(一例の
シリコンレジン)によって連続して被包され、さらに前
記リードの一部を含めて遮光性の合成樹脂4(一例のエ
ポキシレジン)によりモールド形成されてなる。
そして一般に画素子は夫々のリードのモールド端のほぼ
中央に位置する。
中央に位置する。
上記従来のフォトカプラの構造は耐湿性に欠ける重大な
欠点がある。
欠点がある。
即ち、発光素子はGaP。GaAs、GaAsPの如き
でなり、一方受光素子はシリコンフォトトランジスタ、
シリコンフォトダイオードの如きでシリコンまたはゲル
マニウム等でなるため、材質面で後者は耐湿性に劣る。
でなり、一方受光素子はシリコンフォトトランジスタ、
シリコンフォトダイオードの如きでシリコンまたはゲル
マニウム等でなるため、材質面で後者は耐湿性に劣る。
これは各半導体のバンドキャップに起因するもので、例
えばSi :111eV、 Ge :0.66eV、
GaP:2.25 eV、 GaAs : 1.47e
Vである。
えばSi :111eV、 Ge :0.66eV、
GaP:2.25 eV、 GaAs : 1.47e
Vである。
しかるにモールド形成後のフォトカプラにおいては夫々
の素子はリードとモールド(樹脂)体、またはエンキャ
ップ(透光性の前記−例のシリコンレジン)との界面沿
いに外気、湿気等の浸入する機会がある。
の素子はリードとモールド(樹脂)体、またはエンキャ
ップ(透光性の前記−例のシリコンレジン)との界面沿
いに外気、湿気等の浸入する機会がある。
製品について耐湿性試験を施すと本質的に耐湿性の劣る
受光素子の劣化、就中耐圧BVCEO(ベース開放、コ
レクタ、エミッタ間耐圧)の低下、暗電流ID(ダーク
カレント)の増大などの現象を生ずるという重大な欠点
がある。
受光素子の劣化、就中耐圧BVCEO(ベース開放、コ
レクタ、エミッタ間耐圧)の低下、暗電流ID(ダーク
カレント)の増大などの現象を生ずるという重大な欠点
がある。
また、かかる光電変換素子が用いられる回路には不所望
に異常(サージ)電圧が印加されることがあるが、この
場合にも受光素子は反対方向の接合を有するためダメー
ジを受けやすい欠点がある。
に異常(サージ)電圧が印加されることがあるが、この
場合にも受光素子は反対方向の接合を有するためダメー
ジを受けやすい欠点がある。
本発明は上記従来の欠点を除去する光電変換素子の改良
された構造を提供するものである。
された構造を提供するものである。
本発明にかかる光電変換素子は1端部に発光素子を配設
した発光素子の電極導出部材群と、1端部に受光素子を
配設した受光素子の電極導出部材群とを外囲器内に対向
突入し発光素子と受光素子とを対面せしめた光電変換素
子において、受光素子側の電極導出部材と外囲器との封
止沿面長を発光素子の前記封止沿面長よりも大きくした
ことを特徴とするものである。
した発光素子の電極導出部材群と、1端部に受光素子を
配設した受光素子の電極導出部材群とを外囲器内に対向
突入し発光素子と受光素子とを対面せしめた光電変換素
子において、受光素子側の電極導出部材と外囲器との封
止沿面長を発光素子の前記封止沿面長よりも大きくした
ことを特徴とするものである。
以下本発明の一実施例のフォトカプラにつき図面を参照
して詳細に説明する。
して詳細に説明する。
実施例 1
第2図に断面図で示すフォトカプラは発光素子11と受
光素子12との対面部(光学中心)A−A′を外囲詣(
合成樹脂モールド)14の中心B−B’より発光素子側
に近接せしめたものである。
光素子12との対面部(光学中心)A−A′を外囲詣(
合成樹脂モールド)14の中心B−B’より発光素子側
に近接せしめたものである。
即ち受光素子側の電極導出部材の封止沿面長(はぼD)
を、発光素子側の電極導出部材の封止沿面長(はぼd)
よりも犬D)dならしめた構造である。
を、発光素子側の電極導出部材の封止沿面長(はぼd)
よりも犬D)dならしめた構造である。
なお図における13は透光性の一例のシリコンレジンの
エンキャップ部を示す。
エンキャップ部を示す。
上述のように形成することによって、まず、耐湿性に弱
い受光素子を外部雰囲気から隔離させ、モールド樹脂中
の電極導出部材の沿面漏洩を低減させた。
い受光素子を外部雰囲気から隔離させ、モールド樹脂中
の電極導出部材の沿面漏洩を低減させた。
次には不所望に印加されるサージ電圧に対し反対方向の
2接合を有する受光素子は常に弱いので、この電極導出
部材を長くすることによって抵抗要素を付与し保護する
ことが達成された。
2接合を有する受光素子は常に弱いので、この電極導出
部材を長くすることによって抵抗要素を付与し保護する
ことが達成された。
実施例 2
第3図に受光素子側の電極導出部材部分のみを上面平面
図で示す如く、受光素子22が配設された電極導出部材
22aをモールド樹脂体24中に平面上に屈曲せしめて
沿面長を大きくした例である。
図で示す如く、受光素子22が配設された電極導出部材
22aをモールド樹脂体24中に平面上に屈曲せしめて
沿面長を大きくした例である。
実施例 3
上記実施例1と同様に第4図に断面図で示す如く、受光
素子32が配設された電極導出部材32aをモールド樹
脂体34中にて波状に屈折せしめて沿面長を大きくした
例である。
素子32が配設された電極導出部材32aをモールド樹
脂体34中にて波状に屈折せしめて沿面長を大きくした
例である。
なお本発明は上記実施例の各種紐み合わせ、たとえば実
施例1と同側3との組み合わせて光学中心を発光素子側
に近接せしめると同時に受光素子の電極導出部材を実施
例3の如く波状に屈曲せしめるなど有効である。
施例1と同側3との組み合わせて光学中心を発光素子側
に近接せしめると同時に受光素子の電極導出部材を実施
例3の如く波状に屈曲せしめるなど有効である。
この発明によれば、耐湿性の弱い受光素子を発光素子よ
りも外部雰囲気から離隔させるモールド封止して保護す
るとともに、電極導出部材が長くなることによって電気
的の抵抗が挿入されたことになり、回路に不所望に印加
されるサージ電圧から防護するなどの顕著な利点がある
。
りも外部雰囲気から離隔させるモールド封止して保護す
るとともに、電極導出部材が長くなることによって電気
的の抵抗が挿入されたことになり、回路に不所望に印加
されるサージ電圧から防護するなどの顕著な利点がある
。
本発明によればフォトカプラの耐湿試験のためのボイリ
ングテストにおいて従来の不良発生率が一例の50個中
15個(30%)発生をみた品種のものが、本発明によ
れば50個中O個(0%)にて不良発生率について明ら
かに有意であった。
ングテストにおいて従来の不良発生率が一例の50個中
15個(30%)発生をみた品種のものが、本発明によ
れば50個中O個(0%)にて不良発生率について明ら
かに有意であった。
第1図は従来のフォトカプラの断面図、第2図は本発明
の一実施例のフォトカプラの断面図、第3図は本発明の
別の一実施例のフォトカプラの一部の平面図、第4図は
本発明のさらに別の一実施例のフォトカプラの断面図で
ある。 なお図中同一符号は同一または相当部分を夫々示すもの
とする。 11.21・・・・・・発光素子、11a、21a・・
・・・・発光素子の電極導出部材、12. 22. 3
2・・・・・・受光素子、12a、22a、32a・・
・・・・受光素子の電極導出部材、14,24,34・
・・・・・外囲据(モールド樹脂)。
の一実施例のフォトカプラの断面図、第3図は本発明の
別の一実施例のフォトカプラの一部の平面図、第4図は
本発明のさらに別の一実施例のフォトカプラの断面図で
ある。 なお図中同一符号は同一または相当部分を夫々示すもの
とする。 11.21・・・・・・発光素子、11a、21a・・
・・・・発光素子の電極導出部材、12. 22. 3
2・・・・・・受光素子、12a、22a、32a・・
・・・・受光素子の電極導出部材、14,24,34・
・・・・・外囲据(モールド樹脂)。
Claims (1)
- 11端部に発光素子を配設した発光素子の電極導出部材
群と、1端部に受光素子を配設した受光素子の電極導出
部材群とを外囲器内に対向突入し発光素子と受光素子と
を対面して封止した光電変換素子において、受光素子側
の電極導出部材と外囲器との封止沿面長を発光素子の前
記封止沿面長よりも大きくしたことを特徴とする光電変
換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51007974A JPS5858820B2 (ja) | 1976-01-29 | 1976-01-29 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51007974A JPS5858820B2 (ja) | 1976-01-29 | 1976-01-29 | 光電変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5291663A JPS5291663A (en) | 1977-08-02 |
| JPS5858820B2 true JPS5858820B2 (ja) | 1983-12-27 |
Family
ID=11680420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51007974A Expired JPS5858820B2 (ja) | 1976-01-29 | 1976-01-29 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5858820B2 (ja) |
-
1976
- 1976-01-29 JP JP51007974A patent/JPS5858820B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5291663A (en) | 1977-08-02 |
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