JPS5859617A - 弾性表面波素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、特性的に優れた新しい構造の弾性表弾性表面
波（Ｓｕｒ　ｆ　ａｃｅ　Ａｃｏｕｓ　ｔ　ｉ　ｃ　Ｗ
ａｖｅ　）を利用することにより各種の電気的信号を扱
うための弾性表面波素子を構成する構造（基板）として
は従来、ｌ、圧電体基板のみの構造（圧電体単結晶基板
、圧電セラミックス基板等）、 ２、非圧電体基板上に圧電膜を形成した構造３、半導体
基板上に圧電膜を形成した構造、等が知られている。

これらのうち、同一半導体基板上に集積回路と共に弾性
表面波素子を形成することができる３のモノリシック構
造が用途上有利であり、今後発展していくと思われる。

ところで上述の３．のモノリシック構造としては、現在
のところシリコン（、Ｓｉ）単結晶基板上にスパッタリ
ング法等［工り酸化亜鉛膜（ＺｎＯ）膜を形成した構造
がよく知られているが、このＺｎＯ膜は以下のような欠
点が存在するために実用上にあたっては問題がある。

１、　電圧印加により電気的不安定性が生ずる。

２、　良質な膜が形成しにくいため、比抵抗、圧電性等
の点で十分再現性のあるものが得られない。

３、　シリコン単結晶基板上に保護膜（８ｉ０ｚ　）を
必要とする。

４、高周波領域において弾性表面波の伝播損失が多い。

５゜　弾性表面波伝播特性において分布が大きい。

６、通常のシリエンＩＣプロセスと合致シない。

本発明はこれらの問題点に対処してなされたものであり
、シリコン単結晶層上に窒化アルミニウム単結晶エピタ
キシャル層を形成した弾性体構造（基板）を用いること
を根本的特徴とするもので、特［（００１）結晶面から
成るシリコン単結晶層を用いた弾性表面波素子を提供す
ることを目的とするものである。以下図面を参照して本
発明実施例を説明する。

第１図は本発明実施例による弾性表面波素子を示す断面
図で、ｌはシリコン単結晶基板で（００１）結晶面もし
くはこれと等価な面でカットされたものから成り、２は
その上に形成された窒化アルミニウム（ＡｌＮ）単結晶
エピタキシャル層でその圧電軸は上記シリコン単結晶基
板１面に直角になるように形成される。号、４は上記窒
化アルミニウム単結晶エピタキシャル層２表面に形成さ
れたくし型状から成る弾性表面波発生用電極および検出
用電極で、ｈＨ窒化アルミニウム単結晶エピタキシャル
層２の膜厚である。

以上の構造の弾性表面波素子に対しそのシリコン単結晶
基板１の（１１０）軸方向と等価な方向へ弾性表面波を
励振（伝播）させた時、第５図に示すような弾性表面波
の速度分散特性が得られた。

同図において横＠は窒化アルミニウム単結晶エピタキシ
ャル膜２の膜厚りの規格化された厚さを２πｈ／λ（こ
こでλは弾性表面波の波長）で示し、縦軸は弾性表面波
の位相速度Ｖｐを示すものである。同図から明らかなよ
うに２πｈ／λが約５．０１で弾性表面波としてのモー
ドは消失しなかった。

しかし２πｈ／λのＯ〜５，０の範囲に対応したＶｐは
約５０８３　Ｉｎ　／　ｓ　ｅ　ｃから約５６００ｍ／
ｓｅｃまで右上りに上昇しており、この変化は大きな位
相速度を保持した変化であり、また膜厚に対する分散は
小さかった。

第６図は電気機械結合係数の特性曲線を示すもので、横
軸は第５図と同様な２πｈ／λで示し、縦軸は電気機械
結合係数にの二乗値Ｋを百分率で示すものである。同図
において曲線Ａが第１図の構造に対応した特性で、規格
化膜厚２πｈ／λの３１近傍においてＫ［約０．５％が
得られた。この値は通常弾性表面波を発生および検出さ
せるに充分な値である。

第２図（ａｌ、（ｂｌ　’ｌｄ本発明の他の実施例を示
す断面図で、（ａｌはシリコン単結晶基板１の表面部に
弾性表面波発生用電極３お工び検出用電極４を形成し□
た後、これらを覆うように窒化アルミニウム単結晶エピ
タキシャル層２を形成した構造を示し、（ｂｌは上記シ
リコン単結晶基板１表面部に部分的に高抵抗層７もしく
は空乏層を形成し、これらの層に低抵抗シリコンから成
るくし型状の弾性表面波発生用電極５および検出用電極
６を埋込み形成した後にこれ−らを覆うように窒化アル
ミニウム単結晶ある。

以上の構造の弾性表面波素子に対し第１図の構造と同様
にシリコン単結晶基板１のＣ１１０）軸方向と等価な方
向へ弾性表面波を励伽、１せることにより、第５図に示
すような速度分散特性が得られ、窒化アルミニウム単結
晶エビクキ、シャル層２の規格化膜厚２πｈ／λに対し
て分散が小さいことがわかった。。

また第６図の曲線Ｂは電気機械結合係数の二乗値に特性
を示Ｔ敏ので、規格化膜厚２πｈ／λの３．１近傍にお
いてＫに約０．６１％が得られた。このばは通常弾性表
面波を発生および検出させるに充分な値である。

第３図（ａｌ、（ｂｌは本発明のその他の実施例を示す
もので、・（ａｃｉｄシリコン単結晶基板１０表面部に
部分的に第２電極として一対のしやへい電極８を形成し
た後、これらを覆うように窒化アルミニウム単結晶エピ
タキシャル層２を形成しこの表面ｖｃｗ１電極として弾
性表面波検出用電極３お工び検出用電極４を形成した構
造を示し、（ｂ）は上記シリコン単結晶基板１衣面部に
部分的に低抵抗シリコン層９を形成した後、これらを覆
うように窒化シリコン単結晶エピタキシャル層２を形成
しこの異面に第１電極として上記発生用電極３お工び検
出用電極４を形成した構造を示すものである。

以上の構造の弾性表面波素子に対し第１図の構造と同様
にシリコン単結晶基板１の〔１１０〕軸方向と等価な方
向へ弾性表面波を励珈させることに工り、第５図に示す
ような速度分散特性が得られ、窒化アルミニウム単結晶
エピタキシャル層２の規格化膜厚２πｈ／λに対して分
散が小さいことがわかった。

また第６図の曲線Ｃは電気機械結合係数の二乗ｒ［Ｋ特
性を示すもので、規格化膜厚２πｈ／λの０．２９近傍
においてＫは約０．３４％が得られ、さらｖｃ２πｈ／
λの４１近傍においてＫは約０．４４％が得られいわゆ
るダブルピーク特性が得られた。

特に前者の第１ピークを与える薄い膜厚においては分散
は非常に少なく、超高周波、低分散特性に優れているこ
とがわがった。これらにおけるに２値は通常弾性表面波
を発生および検出させるに充分な値である。

第４図（ａ）、（ｂｌは本発明のその他の実施例を示す
もので、（ａ）はシリコン単結晶基板１表面部に第１電
極として弾性表面波発生用電極３および検出用電極４を
形成した後、これらを復うに窒化アルミニウム単結晶エ
ピタキシャル層２を形成、ｔ、、コノ表面に部分的に第
２電極として一対のしゃへい電極８を形成した構造を示
し、（ｂ）は上記シリコン単結晶基板１表面部に部分的
に高低抵抗層７もしくは空乏層を形成し、これらの層に
低抵抗シリコンから成るくし型状の第１電極としての上
記発生用電極５および検出用電極６を埋め込み形成した
後、これらを覆うエラに窒化アルミニウム単結晶エピタ
キシャル層２を形成しこの表面に第２電極として一対の
しやへい電極８を形成した構造を示すものである。

以上の構造の弾性表面波素子に対し第１図の構造と同様
にシリコン単結晶基板ｌのＣ１１０）軸方向と等価な方
向へ弾性表面波を励珈させることにより、第５図に示す
ような速度分散特性が得られ、窒化アルミニウム単結晶
エピタキシャル層２の規格化膜厚２πｈ／λに対して分
散が小さいことがわかった。

また第６図の曲線りは電気機械結合係数の二乗値に特性
を示すもので、規格化膜厚２πｈ／λの０．１９近傍に
おいてＫは約０．２６％が得られ、さらｖｃ２πｈ／λ
の３．６近傍においてＫは約０．５４％が得られダブル
ビーク特性が得られた。特に前者の第１ピークを与える
薄い膜厚においてに分散は非蕪に少なく、超島周波、低
分散性に優れていることがわかった。これらにおけるＫ
［に通常弾性波を発生および検出式せるに充分な値であ
る。

第１図乃至第４図（ａ）、　（ｂｌの構造において、特
に窒化アルミニウム単結晶エピタキシャル層２をこの圧
電軸がシリコン単結晶基板１面に平行かつその（１１０
）軸と等価な方向になるように形成した場合の本発明の
その他の実施例について以下説明する。

子を用意し、そのシリコン単結晶基板１の（１１０：］
軸方向と等価な方向へ弾性表面波を励珈させた時、第７
図に示すような弾性表面波の速度分散特性が得られた。

同図において横軸および縦軸は第５図と同一であり、規
格化膜厚２πｈ／λが約５．０−１で弾性表面波として
のモードに消失しなかった。

しかし２πｈ／λの０〜八、０の範囲に対応した位相速
度Ｖｐは約５０８３ｍ／ｓｅｃから約５５７０　ｍ　／
　ｓｅｃ　１で右上りに上昇しており、この変化は大き
な位相速度を保持した変化であり、また膜厚に対する分
散は小さかった。特に２πｈ／λが１．０近傍では分散
は極小値をとるため非常に小でくなった。

また２πｈ／λが０．２近傍でも分散に極大値をとるた
め小さくなった。

第８図の曲線Ａｆｉ電気機械結合係数の二乗値に２特性
を示すもので、規格化膜厚２πｈ／λの２．５近傍にお
いてＫは約０．９５％が得られた。また速度分散の小さ
い１．０近傍でも０．６５％が得られた。

これらの［は通常弾性表面波を発生および検出させるに
充分な値である。

次に第２図（ａ）、（ｂｌと同一構造に形成した弾性表
面波素子を用意し、そのシリコン単結晶基板１の（１１
０”ｌ軸方向と等価な方向へ弾性表面波を励娠させるこ
とにエリ、第７図に示すような速度分散特性が褥られ、
窒化アルミニウム単結晶エピタキシャル層２の規格化膜
厚２πｈ／λに対して分散が小さいことがわかった。

また第８図の曲線Ｂは電気機械結合係数の二乗値に特性
を示すもので、規格化膜厚２πｈ／λの０．３９近傍に
おいてに２は約０．１５％が得られ、′さゝ　２ ら［２πｈ／λの富、０近傍に、おいてＫは約０．５％
が得られダブルピーク特性が得られた。これらのに２値
に通常弾性表面波を発生および検出式せるに充分な値で
ある。

次に第３図（ａ）、（ｂｌと同一構造に形成した弾性表
面波素子を用意し、そのシリコン単結晶基板１の（１１
０）軸方向と等価な方向へ弾性表面波を励奈させること
にエリ、第７図に示すような速度分散特性が得られ、窒
化アルミニウム単結晶エピタキシャル層２の規格化膜厚
２πｈ／λに対して分散が小さいことがわかった。

また第８図の曲線Ｃは電気機械結合係数の二乗［Ｋ２特
性を示すもので、規格化膜厚２πｈ／λの２．０近傍に
おいてＫは約１，１％が得られた。

特に第７図において２πｈ／λが１．０近傍の速度分散
が小さいところで約０．８％のＫが得られた。

これらの直は通常弾性表面波を発生および検出させるに
充分な値である。

次に第４図（ａ）・、（ｂｌと同一構造に形成した弾性
表面波を用意し、そのシリコン単結晶基板１の〔１１０
〕軸方向と等価な方向へ弾性表面波を励奈させるこ。

とに工り、第７図に示すような速度分布特性が得られ、
窒化アルミニウム単結晶エピタキシャル層２の規格化膜
厚２πｈ／λに対して分散が小さいことがわかった。

また第８図の曲線りは電気機械結合係数の二乗１ｉＫ特
性を示すもので、規格化膜厚２πｈ／λの２．７近傍に
おいてに２　、約０．５６％のピー〉が得られた。

特に速度分散の小さい２πｈ／λが１．０近傍で約０．
１２％のＫが得られた。これらの値に通常弾性表面波を
発生および検出させるに充分な値である。

第１図乃至第４図（ａｌ、（ｂｌの構造の弾性表面波素
子において、そのシリコン単結晶基板１の〔１００〕軸
方向と等価な方向へ弾性表面波を励娠させた場合の本発
明のその４他め実施例について以下説明する。

先ず第１図と同一構造の弾性表面波素手の場合、第９図
に示′ｆような弾性表面波の速度分散特性が得られた。

同図において横軸および縦軸は第５図と同一であり、規
格化膜厚２πｈ／λが約５．０まで弾性表面波としての
モードは消失しなかった。

しかし２πｈ／λのＯ〜５，０の範囲に対応した位相速
度Ｖｐは約４９２０ｍ／ｓｅｃから約５５００ｍ／ｓｅ
ｃまで右上ｖｖｃ上昇しており、この変化は大きな位相
速度を保持した変化であり、また膜厚に対する分散は小
さかった。

第１０図の曲１ｆＭＡは電気機械結合係数の二乗値３．
１近傍においてＫは約０．４９％が得られた。この値は
通常弾性表面波を発生および検出させるに充分な値であ
る。

次［第２図（ａｌ、ｌｂ）と同一構造の弾性表面波素子
の場合、第９図に示すような速度分散特性が得られ、窒
化アルミニウム単結晶エピタキシャル層２の規格化膜厚
２πｈ／λに対して分散が小さいことがわかった。

また第１０図の曲線Ｂに電気機械結合係数の二乗（Ｗ　
Ｋ　特性を示すもので、規格化膜厚２πｈ／λの３．１
近傍においてＫは約０．５７％が得られた。

この値は通常弾性表面波を発生および検出さ騒るに充分
な匝である。

次に第３図（ａｌ、ｆｂ）と同一構造の弾性表面波素子
の場合、第９図に示′ｆよつな速度分散特性が得られ、
窒化アルミニウム単結晶エピタキシャル層２の規格化膜
厚２πｈ／λに対して分散が小さいことがわかった。

また第１０図の曲線Ｃに電気機械結合係数の二Ｗ値に特
性を示すもので、規格化膜厚２πｈ／λの０．２５近傍
においてＫに約０．３５％が得られ、さらｌ／（２πｈ
／λの４，０近傍においてＫは約０４４係が得られいわ
ゆるダブルビ、−り特性が得られた。

特に前者の第１ピークを与える薄い膜厚においては分散
は非常に少なく、超高周波、低分散特性に優れているこ
とがわかった。これらにおけるに２値は通常弾性表面波
を発生および検出させるに充分な１直である。

次に第４図（ａｌ、（ｂｌと同一構造の弾性表面波素子
の場合、第９図に示″ｆような速度分散特性が得られ、
窒化アルミニウム単結晶エピタキシャル層２の規格化膜
厚２πｈ／λに対して分散が小さいＣとがわかった。

また第１０図の曲線りは電気機械結合係数の二乗値に特
性を示すもので、規格化膜厚２πｈ／λの０．２０近傍
においてＫは約０．２８％が得られ、さらに２πｈ／λ
の３．５近傍においてＫは約０．５１係が得られいわゆ
るダブルピーク特性が得られた。

特に前者の第１ピークを与える薄い膜厚においては分散
は非常に少なく、超高周波、低分散特性に優れているこ
とがわかった。これらにおけるに２ｍは通常弾性表面波
を発生および検出させるに充分な値である。

第１図乃至第４図（ａｌ、　（ｂ）の構造において、特
に窒化アルミニウム単結晶エピタキシャル層２をこの圧
電軸がシリコン単結晶基板１面に平行がっその（１００
）軸と等価な方向になるように形成゛した場合の本発明
のその他の実施例について以下説明する。

先ず第１図と同で構造に形成した弾性表面波素子を用意
し、そのシリコン単結晶基板１の［１００］軸方向と等
価な方向へ弾性表面波を励碌させた時、第１１図に示す
ような弾性表面波の速度分散特性が得られた。

同図において横軸および縦軸は第５図と同一であり、規
格化膜厚２πｈ／λが約０．５１で弾性表面波としての
モードは消失したが、った。

しかし２πｈ／λのＯ〜５．０の範囲に対応した位相速
度Ｖｐは約４９２１　ｍ／　Ｓｅｃから約５６００　ｍ
　／　ｓｅｃ　１で右上りに上昇しており、この変化は
大きな位相速度を保持した変化であり、また膜厚に対す
る分散は小でかった。

第１２図の曲線Ａは電気機械結合係数の二乗値に特性を
示すもので、規格化膜厚２πｈ／λの２．５近傍におい
てＫは約０．９％のピークが得られた。特に２πｈ／λ
が１．０の近傍で約０．６％のに２が得られ、かつ第１
１図のように分散に極小点で非常に小さい。これらの値
は通常弾性表面波を発生および検出させるに充分な値で
ある。

次に第２図（ａｌ、（ｂｌと同一構造に形成した弾性表
面波素子を用意し、そのシリコン単結晶基板１の〔１０
０〕軸方向と等価な方向へ弾性表面波を励娠嘔せること
により、第１１図に示すような速度分散特性が得られ、
窒化アルミニウム単結晶エピタキシャル層２の規格化膜
厚２πｈ／λに対して分散が不埒いことがわかった。

また第１２図の曲線Ｂは電気機械結合係数の二乗ＩＩＩ
ＩＫ２特性を示すもので、規格化膜厚２πｈ／λの０，
３４近傍においてＫは約０．１５　％が得られ、係が得
られダブルピーク特性が得られた。これらのＫｌｌは通
常弾性表面波を発生および検出させるに充分な値である
。

次に第３図（ａｌ、（ｂｌと同一構造に形成した弾性表
面波素子を用意し、そのシリコン単結晶基板１の（１０
０）−軸方向と等価な方向へ弾性表面波を励珈させるこ
とにより、第１１図に示すような速度分散特性が得られ
、窒化アルミニウム単結晶エピタキシャル層２の規格化
膜厚２πｈ／λに対して分散が小さいこと功！わかった
。

また第１２図の曲線ＣＦｓ、電気機械結合係数の二乗値
に特性を示すもので、規格化膜厚２πｈ／λの２．０近
傍においてＫは約１．０％が得られた。

特［２πｈ／λカ１．０近傍１／ｍ＄−イテ、約０．７
％）に２が得られかつ第１１図のように分散は極小点で
非常に小さい。これらの値は通常弾性表面波を発生お工
ひ検出はせるに充分な値である。

次に第４図（ａｌと（ｂｌと同一構造に形成した弾性表
面波を用意し、そのシリコン単結晶基板１の（１００）
軸方向と等価な方向へ弾性表面波を励伽テせることにエ
リ、第１１図に示すような速度分布特性が得られ、窒化
アルミニウム単結晶エピタキシャル層２の規格化膜厚２
πｈ／λに対して分散が小さいことがわ力）つた。

また第１２図の曲線りは電気機械結合係数の二乗ｆ直に
２特性を示すもので、規格化膜厚２πｈ／λの２．７近
傍においてＫは約０．５５％のピークが得られた。

この値は通常弾性表面波を発生および検出きせるに充分
な値である。

以上説明して明らかなように本発明によれは；シリコン
単結晶基板（層）上に窒化アルミニウム単結晶エピタキ
シャル層′を形成した弾性体構造を用い、特Ｋ　（００
１）結晶面から成るシリコン単結晶基板を用いて弾性表
面波を伝播させるように構成するものであるから、特性
的に優れた弾性表面波素子を得ることができる。

なお本文各実施例における窒化アルミニウム単結晶エピ
タキシャル層の膜厚りの最適範囲は各特性図から明らか
であるが、各実施例ごとに示せば次表のようになる。

以上説明した本発明によれば次のような効果が得られる
。

１、　エピタキシャル膜による窒化アルミニウム膜を用
いるので、膜質が均一であり高周波での伝播損失が小さ
い。

２、弾性表面波音速が大きいため高周波での波長が大き
くなり、くし型電極等の製造が容易になる。

３、　弾性表面波音速゛の周波数分散が小さく抑えられ
るので、信号伝播に伴なう波形歪が小さくなる。

４、共通半導体基板上に集積回路および弾性表面波素子
を形成するモノリシック構造が可能となる。

５、　窒化アルミニウム膜はバンドギャップが約６．２
ｅ■と大きくまた比抵抗は１０１６Ωｍ以上のものが得
られるため、電気的に安定であり、ＭＯ−ＣＶＤ技術を
用いて容易に形成できるためシリコンのＩＣプロセスと
合致する。

以上のように本発明による構造に、特に弾性表に形成す
ることができるため広範囲の用途への適用が可能となる
。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図ｔａ）、Ｔｂ）、第３図（ａ）、（ｂｌ
オ［Ｌｉｌ！４図（ａｌ、　（ｂｌはいずれも本発明実
施例を示す断面図、第５因乃至第１２図にいずれも本発
明により得られた結果を示す特性図である。 ｌ・・・シリコン単結晶基板、２・・・窒化アルミニラ
Ａ　単結晶エピタキシャル層、３．４．５．６・・・く
し型電極、７・・・高抵抗シリコン層、８・・・しゃへ
い電極、９・・・低抵抗シリコン層。 特許出願人　御子柴　宣　夫 坪　　　内　　　オロ　　　夫 代理人　弁理士　永　１）武三部 １、事件の表示 昭和謁年特許願　第１５７５９４号 ３、　補正をする者 事件との関係　　特許出願人 ４、代理人〒１０５ 住　所　　東京都港区芝３丁目２番１４号芝三丁目ビル
昭和５７年２月ｎ日（発送日）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　　（００１）結晶面もしくはそれと等価な面がら
   成るシリコン単結晶層と、この上ｖｃ１成されがつ圧電
   軸が配向した窒化アルミニウム単結茜エピタキシャル層
   と、これら所定位置に形成された電極とを含むことを特
   徴とする弾性表面波素子。 ２、　上記窒化アルミニウム単結晶エピタキシャル層の
   圧電軸がシリコン単結晶層に垂直になるように形成され
   たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の弾性表
   面波素子。 ３、上記窒化アルミニウム単結晶エピタキシャル層の圧
   電軸がシリコン単結晶層に平行かつその〔１１０〕結晶
   軸と等価な方向になるように形成されたことを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の弾性表面波素子。 ４、上記窒化アルミニウム単結晶エピタキシャル層の圧
   電軸がシリコン単結晶層に平行かつ七の（１００）結晶
   軸と等価な方向になるように形成されたことを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の弾性表面波素子。 ５、上記シリコン単結晶層面上の（１１０）軸と等価な
   方向に弾性表面波を伝播させることを特徴とする特許請
   求の範囲第２項又は第３項記載の表面弾性波素子。 ６、上記シリコン単結晶層面上の（１００）軸と等価な
   方向に弾性表面波を伝播させることを特徴とする特許請
   求の範囲第２項又に第４項記載の表面弾性波素子。 ７、　上記窒化アルミニウム単結晶エピタキシャル層の
   膜厚りが、２πｈ／λ（５，０（ただし、λは弾性表面
   波の成長を示′Ｔ）の範囲に属することを特徴とする特
   許請求の範囲第２項乃至第６項のいずれかに記載の表面
   弾性波素子。 ８、　上記電極が窒化アルミニウム単結晶エピタキシャ
   ル層の表面部に形成されたことを特徴とする特許請求の
   範囲第１項乃至第７項のいずれかに記載の弾性底面波素
   子。 ９　上記電極がシリコン単結晶層と窒化アルミニウム単
   結晶エピタキシャル層間に形成されたことを特徴とする
   特許請求の範囲第１項乃至第７項のいずれかに記載の弾
   性表面波素子。 １０　　上記電極が窒化アルミニウム単結晶エピタキシ
   ャル層の表面部に一対の第１電極として形成され、上記
   シリコン単結晶層と窒化アルミニウム単結晶エピタキシ
   ャル層間に他に第２電極として一対のしやへい電極が形
   成されたことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第
   ７項のいずれかに記載の弾性表面波素子０− １１、　　上記電極がシリコン単結晶層と窒化アルミニ
   ウム単結晶エピタキシャル層間に一対の第１電極として
   形成され、上記窒化アルミニウム学結晶エピタキシャル
   層の表面部に他に第２電極として一対のしやへい電極が
   形成されたことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至
   第７項のいずれかに記載の弾性表面波素子。