JPS5862890A - 主記憶装置メモリリフレツシユ制御方式 - Google Patents
主記憶装置メモリリフレツシユ制御方式Info
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- JPS5862890A JPS5862890A JP56159924A JP15992481A JPS5862890A JP S5862890 A JPS5862890 A JP S5862890A JP 56159924 A JP56159924 A JP 56159924A JP 15992481 A JP15992481 A JP 15992481A JP S5862890 A JPS5862890 A JP S5862890A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、主記憶装置メモリリフレッシ^制御方式、特
に、メモリリフレッシ−を必要とする主記憶装置とキャ
ッシュメモリを有する情報処理装置における主記憶装置
メモ171Jフレッシ二制御側方に関する。
に、メモリリフレッシ−を必要とする主記憶装置とキャ
ッシュメモリを有する情報処理装置における主記憶装置
メモ171Jフレッシ二制御側方に関する。
従来の主記憶装置メモ91Jフレッシュ制制御式は、。
メモリアドレスを含むメモリアクセス要求を出力する中
央処理装置と、前記メモリアクセス要求が供給されたと
きに前記メモリアドレスで指示されるデータがキャッシ
ュメモリに格納されていなければ主記憶装置をアクセス
するためのメインメモリアクセス要求を出力するキャッ
シュメモリ制御装置と、一定周期ごとにり7レツシ為要
求を発生しこのリフレッシ凰要求の発生後一定時間以内
にリフレッシェ実行信号が供給されないときにリフレッ
シュ最」先要求を発生するメモリリフレッシュ要求発生
装置と、前記リフレッシュ最優先要求が供給されたとき
および前記メインメモリアクセス要求がなくて前記リフ
レッシ凰要求が供給されたときに前i己主記憶装置をリ
フレッシユさせるための前記リフレッシxW行信号を発
生する優先順面側N装置とをきんで構成される。
央処理装置と、前記メモリアクセス要求が供給されたと
きに前記メモリアドレスで指示されるデータがキャッシ
ュメモリに格納されていなければ主記憶装置をアクセス
するためのメインメモリアクセス要求を出力するキャッ
シュメモリ制御装置と、一定周期ごとにり7レツシ為要
求を発生しこのリフレッシ凰要求の発生後一定時間以内
にリフレッシェ実行信号が供給されないときにリフレッ
シュ最」先要求を発生するメモリリフレッシュ要求発生
装置と、前記リフレッシュ最優先要求が供給されたとき
および前記メインメモリアクセス要求がなくて前記リフ
レッシ凰要求が供給されたときに前i己主記憶装置をリ
フレッシユさせるための前記リフレッシxW行信号を発
生する優先順面側N装置とをきんで構成される。
すなわち、従来の主記憶装置メモリリフレッシュ制御方
式は、主配憶装置に記憶されている情報の一部を一時的
に記憶し主記憶装置の代多に中央処理装置との間で情報
の授受を行うキャッシュメモリと、中央処理装置が要求
したメモリアドレスがキャッジ為メモリに登録されてい
るか否かをチェックし登録されていなければ主記憶装置
をアクセスするキャッシュメモリ制御装置と、中央処理
装置からのメモリアクセス要求およびリフレッシュ要求
発生装置からのり7レツシエ要求に対する主記憶装置の
アクセス状態に応じてリフレッシュ要求とメモリアクセ
ス要求との優先順位を決定する優先順位制御装置と、主
記憶装置に対するリフレッシ−要求を一定周期毎に前記
優先順位制御装置に送出するメモリリフレッシュ要求発
生装置とから構成されている。
式は、主配憶装置に記憶されている情報の一部を一時的
に記憶し主記憶装置の代多に中央処理装置との間で情報
の授受を行うキャッシュメモリと、中央処理装置が要求
したメモリアドレスがキャッジ為メモリに登録されてい
るか否かをチェックし登録されていなければ主記憶装置
をアクセスするキャッシュメモリ制御装置と、中央処理
装置からのメモリアクセス要求およびリフレッシュ要求
発生装置からのり7レツシエ要求に対する主記憶装置の
アクセス状態に応じてリフレッシュ要求とメモリアクセ
ス要求との優先順位を決定する優先順位制御装置と、主
記憶装置に対するリフレッシ−要求を一定周期毎に前記
優先順位制御装置に送出するメモリリフレッシュ要求発
生装置とから構成されている。
次に、従来の主記憶装置メモIJ 17フレツシ二制御
方式について、図面を参照して詳細に説明する。
方式について、図面を参照して詳細に説明する。
第1図は従来の一例を示すブ日ツク図であシ、第2図は
第1図に示す従来例の一動作を説明するためのタイミン
グチャートである。
第1図に示す従来例の一動作を説明するためのタイミン
グチャートである。
第1図に示す主記憶装置メモリリフレッシ為制御方式に
おいて、中央処理装置1,1′は一連の命令を実行中に
記憶したデータへのアクセスを行うと色にはキャッシュ
メモリ制御装置2,2′にメモリアドレスを含むメモリ
アクセス要求a、a’を送出する。キャッシュメモリ制
御装置2,2′は、供給されたメモリアドレスが登録さ
れていればヒツト状態であるので、キャッジ1メモリ3
,3′にキャッシェメモリアクセス要求す、b’を出方
して前記メモリアドレスにもとづいてアクセスし、中央
処理装置1,1′とキャッジ為メモリ3,3′との間で
データを送受する。
おいて、中央処理装置1,1′は一連の命令を実行中に
記憶したデータへのアクセスを行うと色にはキャッシュ
メモリ制御装置2,2′にメモリアドレスを含むメモリ
アクセス要求a、a’を送出する。キャッシュメモリ制
御装置2,2′は、供給されたメモリアドレスが登録さ
れていればヒツト状態であるので、キャッジ1メモリ3
,3′にキャッシェメモリアクセス要求す、b’を出方
して前記メモリアドレスにもとづいてアクセスし、中央
処理装置1,1′とキャッジ為メモリ3,3′との間で
データを送受する。
しかし、供給されたメモリアドレスがキャッシュメモリ
制御装置2,2′に登録されていなければ、ミスヒツト
状態であるので、キャッジ為メそり制御装置2,2′は
メインメモリアクセス要求c、c’を優先順位制御装置
4に出力して、主記憶装置6へのメモリアクセスを行う
。メモリリフレッシ。
制御装置2,2′に登録されていなければ、ミスヒツト
状態であるので、キャッジ為メそり制御装置2,2′は
メインメモリアクセス要求c、c’を優先順位制御装置
4に出力して、主記憶装置6へのメモリアクセスを行う
。メモリリフレッシ。
順位制御装置4に供給して主記憶装置6のメモリリフレ
ッシ瓢を行なわせる。このとIEE才り7レツシ諷要求
fとメインメモリアクセス要求C#C’とが競合すれば
優先順位制御装置4はメインメモリアクセス要求c、c
’を優先する。すなわち、優先順位制御装置4は、中央
処理装置1.1’からのメモリアクセス要求c、c’が
ないときはリフレッシ−要求fを6け主記憶装置6のメ
モIJ IJフレッシ凰を実行する。
ッシ瓢を行なわせる。このとIEE才り7レツシ諷要求
fとメインメモリアクセス要求C#C’とが競合すれば
優先順位制御装置4はメインメモリアクセス要求c、c
’を優先する。すなわち、優先順位制御装置4は、中央
処理装置1.1’からのメモリアクセス要求c、c’が
ないときはリフレッシ−要求fを6け主記憶装置6のメ
モIJ IJフレッシ凰を実行する。
しかし、リフレッシ−要求f力;発生1.てから一定時
間以内(例えばす7レクシ工周期の百クロック前まで)
にメモリリフレッシュが実行されるときに供給されるり
7レツシ一実行信号が供給されなければ、す7レツシエ
要求発生装置5はリフレッシュ最優先要求gを優先順位
制御装置4に供給してメインメモリアクセス要求c 、
c lの有無にかかわらず主記憶装置6のメモリリフ
レッシュを敢行する。
間以内(例えばす7レクシ工周期の百クロック前まで)
にメモリリフレッシュが実行されるときに供給されるり
7レツシ一実行信号が供給されなければ、す7レツシエ
要求発生装置5はリフレッシュ最優先要求gを優先順位
制御装置4に供給してメインメモリアクセス要求c 、
c lの有無にかかわらず主記憶装置6のメモリリフ
レッシュを敢行する。
次に1第2図を用いて、第1図に示す従来の主記憶装置
のメモリリフレッシュ制御方式の動作を説明する。
のメモリリフレッシュ制御方式の動作を説明する。
タイミングTOでタスクが更新されたものとする。
タイミングT1で出されたメモリアクセス要求a、a’
はともにキャッシェメ毛す3にデータが格納されている
丸めキャッジ為メモリアクセス要求す、b’が出される
。
はともにキャッシェメ毛す3にデータが格納されている
丸めキャッジ為メモリアクセス要求す、b’が出される
。
タイミングT3ではり7レツシ凰要求fが出されるとと
もにメモリアクセス要求51 、 H/が出されるが、
ともにキャッシェメモリ3,3′にデータが格納されて
いないために、メインメモリアクセス要求c 、 c
1が出され、す7レツシ凰要求fは待たされることとな
る。
もにメモリアクセス要求51 、 H/が出されるが、
ともにキャッシェメモリ3,3′にデータが格納されて
いないために、メインメモリアクセス要求c 、 c
1が出され、す7レツシ凰要求fは待たされることとな
る。
これはタイミングT4でも同じである。
タイミングT5ではメモリアクセス要求a 、 a 1
がともにないため、リフレッシ轟要求fが受は付けられ
てリフレッシ為実行信号dが出方されタイミングT5〜
Tllまでの間主記憶装置6のメモリリフレッシュが行
なわれる。メモリリフレッシ。
がともにないため、リフレッシ轟要求fが受は付けられ
てリフレッシ為実行信号dが出方されタイミングT5〜
Tllまでの間主記憶装置6のメモリリフレッシュが行
なわれる。メモリリフレッシ。
タメ、タイミングT5〜’I’llの間に出されたメモ
リアクセス要求a、a’は待たされて、タイはフグT1
2以後に処理されることとな今。
リアクセス要求a、a’は待たされて、タイはフグT1
2以後に処理されることとな今。
ここで、キャッシェメモリのミスヒツトは中央処理装置
のタスクが更新された直後のタイミングTO〜T17で
バースト状態となって頻繁に起ζるしかし、このような
従来の主記憶装置メモリリフレッシュ制御方式は、ミス
ヒツトが頻繁に起こるバースト状態の時でも、メモリリ
フレッシュ要求fがだされ、メモリリフレッシュが行わ
れる。
のタスクが更新された直後のタイミングTO〜T17で
バースト状態となって頻繁に起ζるしかし、このような
従来の主記憶装置メモリリフレッシュ制御方式は、ミス
ヒツトが頻繁に起こるバースト状態の時でも、メモリリ
フレッシュ要求fがだされ、メモリリフレッシュが行わ
れる。
この丸め、メモリリフレッシュが行われている時に、頻
繁に起こるミスヒツトのために中央処理装置から主記憶
装置にだされるメモリアクセス要求鳳、1′は待たされ
ることになシ、その結果命令処理時間が長くなる。
繁に起こるミスヒツトのために中央処理装置から主記憶
装置にだされるメモリアクセス要求鳳、1′は待たされ
ることになシ、その結果命令処理時間が長くなる。
すなわち、従来の主記憶装置メモリリフレッシュ制御方
式は命令処理時間が長くなるという欠点があり九。
式は命令処理時間が長くなるという欠点があり九。
本発明の目的は命令処理時間を短縮できる主記憶装置メ
モリリフレッシュ制御方式を提供することにある。
モリリフレッシュ制御方式を提供することにある。
すなわち、本発明の目゛的は命令処理時間に影響を与え
ることを少なくして、主記憶装置メモリリフレッシ、を
行うことのできる主記憶装置メモリリフレッシ具制御方
式を提供することにある。
ることを少なくして、主記憶装置メモリリフレッシ、を
行うことのできる主記憶装置メモリリフレッシ具制御方
式を提供することにある。
本発明の主記憶装置メモリリフレッシ為制側方式ハ、メ
モリアドレスを含むメモリアクセス要求を出力する中央
処理装置と、前記メモリアクセス要求が供給されたとき
に前記メモリアドレスで指示されるデータがキャッジ、
エメモリに格納されていなければ主記憶装置をアクセス
するためのメインメモリアクセス要求を出力するキャッ
シュメモリ制御装置と、一定周期ごとに第1のりフレッ
シー要求を発生しこの第1のリフレッ゛シュ要求o発生
後一定時間以内にリフレッシ為実行信号が供給されない
ときにリフレッシュ最優先要粂を発生するメモリリフレ
ッシュ要求発生装置と、前記第1のリフレッシュ要求が
供給されたときに連賃する所定回数の前記メモリアクセ
ス要求に対し一度も前記メインメモリアクセス要求が発
生していなければ第2のリフレッシュ要求を出力するメ
そリリフレッシ為制御装置と、前記リフレッシ為最優先
要求が供給されたときおよび前記メインメそりアクセス
要求がなくて前記第2のりフレクシ。1!求が供給され
たときに前記主記憶装置をリフレッシ為させるための前
配り7レツシ工実行信号を発生する優先[4制御装置と
を含んで構成される。
モリアドレスを含むメモリアクセス要求を出力する中央
処理装置と、前記メモリアクセス要求が供給されたとき
に前記メモリアドレスで指示されるデータがキャッジ、
エメモリに格納されていなければ主記憶装置をアクセス
するためのメインメモリアクセス要求を出力するキャッ
シュメモリ制御装置と、一定周期ごとに第1のりフレッ
シー要求を発生しこの第1のリフレッ゛シュ要求o発生
後一定時間以内にリフレッシ為実行信号が供給されない
ときにリフレッシュ最優先要粂を発生するメモリリフレ
ッシュ要求発生装置と、前記第1のリフレッシュ要求が
供給されたときに連賃する所定回数の前記メモリアクセ
ス要求に対し一度も前記メインメモリアクセス要求が発
生していなければ第2のリフレッシュ要求を出力するメ
そリリフレッシ為制御装置と、前記リフレッシ為最優先
要求が供給されたときおよび前記メインメそりアクセス
要求がなくて前記第2のりフレクシ。1!求が供給され
たときに前記主記憶装置をリフレッシ為させるための前
配り7レツシ工実行信号を発生する優先[4制御装置と
を含んで構成される。
すなわち、本発明の主記憶装置メモリリフレッシュ制御
方式は、メモリリフレッシュを必要とする主記憶装置と
前記主記憶装置に記憶されている情報の一部を一時的に
記憶し主記憶装置の代シに中央処理装置との間で情報の
授受を行うキャッシュメモリと中央処理装置が要求した
メモリアドレスが該キャッシェメモリに登録されていれ
ば(ヒツト)#キャッシュメモリをアクセスし、登録さ
れていなければ(ミスヒツト)前記主記憶装置をアクセ
スするキャッジ島メモリ制御装置と、すべてのキャッジ
孤メモリのヒツト状態の履歴を記憶する手段と、該履歴
によシメそりす7レツシーの実行を抑制する手段とを含
んで構成される。
方式は、メモリリフレッシュを必要とする主記憶装置と
前記主記憶装置に記憶されている情報の一部を一時的に
記憶し主記憶装置の代シに中央処理装置との間で情報の
授受を行うキャッシュメモリと中央処理装置が要求した
メモリアドレスが該キャッシェメモリに登録されていれ
ば(ヒツト)#キャッシュメモリをアクセスし、登録さ
れていなければ(ミスヒツト)前記主記憶装置をアクセ
スするキャッジ島メモリ制御装置と、すべてのキャッジ
孤メモリのヒツト状態の履歴を記憶する手段と、該履歴
によシメそりす7レツシーの実行を抑制する手段とを含
んで構成される。
次に、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第3図は本発明の一実施例を示すブロック図、第4図は
JIs図に示すメモリリフレッシュ制御装置の詳細回路
図、第5図は、第3図に示す実施例の−動作を説明する
タイミングチャートである。
JIs図に示すメモリリフレッシュ制御装置の詳細回路
図、第5図は、第3図に示す実施例の−動作を説明する
タイミングチャートである。
第3図において、参照数字1〜6として示す各装置は第
1図に示す従来例の構成と同様である。
1図に示す従来例の構成と同様である。
メモリリフレッシ為制御装置7は各々の中央処理装置1
,1′からのメモリアクセス要求a、a’に含まれるメ
モリアドレスで指示されるデータが各各のキャッシュメ
モリ3,3′に登鋒されておらず、主記憶装置6にメイ
ンメモリアクセス要求c 、 c Fとメモリリフレッ
シ−要求発生装置5からの、t=aリリフレッシ8−要
求fを入力とし、メインメモリアクセス要求c 、 c
Iが所定回数のメモリアクセス要求8,1′に対して
一度も出力されないときに97レツシ具賛求Cを優先順
位制御装置4に出力する。
,1′からのメモリアクセス要求a、a’に含まれるメ
モリアドレスで指示されるデータが各各のキャッシュメ
モリ3,3′に登鋒されておらず、主記憶装置6にメイ
ンメモリアクセス要求c 、 c Fとメモリリフレッ
シ−要求発生装置5からの、t=aリリフレッシ8−要
求fを入力とし、メインメモリアクセス要求c 、 c
Iが所定回数のメモリアクセス要求8,1′に対して
一度も出力されないときに97レツシ具賛求Cを優先順
位制御装置4に出力する。
第4図に示すメモリリフレッシ為制御装置は、中央処理
装置1.1’のキャツシエメモリ制御装置2.2′に対
するメモリアクセ哀要求a、1′が発生するごとにメイ
ンメモリアクセス要求c、c’の反転信号をシフトする
フリップフロップ8,9,10゜8’ 、9’ 、10
’ とアンド回路11.11’、12.13から構成
されている。フリップフロップ8.8′の入力には各々
キャッシェメモリ制御装置2,2′からのメインメモリ
アクセス要求c、c’が供給される。フリップフロップ
8,8′の出力は各々フリップ70ツブ9,9′の入力
に、また、フリップフロップ9,9′の出力は各々フリ
ップフロップ10゜10′の入力に接続されメモリアク
セス要求a、a’にニジシフトされる。
装置1.1’のキャツシエメモリ制御装置2.2′に対
するメモリアクセ哀要求a、1′が発生するごとにメイ
ンメモリアクセス要求c、c’の反転信号をシフトする
フリップフロップ8,9,10゜8’ 、9’ 、10
’ とアンド回路11.11’、12.13から構成
されている。フリップフロップ8.8′の入力には各々
キャッシェメモリ制御装置2,2′からのメインメモリ
アクセス要求c、c’が供給される。フリップフロップ
8,8′の出力は各々フリップ70ツブ9,9′の入力
に、また、フリップフロップ9,9′の出力は各々フリ
ップフロップ10゜10′の入力に接続されメモリアク
セス要求a、a’にニジシフトされる。
このように7リツプ70ツブ8〜10およびフリップフ
ロップ8′〜10′はキャッシュメモリ2,2′に対す
るメモリアクセス要求、i、a’に同期して動作するシ
フトレジスタを構成し、メインメモリアクセス要求C,
C″が各々フリップフロップ8,8′にセットされると
同時に7リツプフロツプ9〜10および7リツプフロツ
プ9′〜10’に格納されていたメインメモリアクセス
要求c、c’がそれぞれ1.111 ビットシフトされる。□・プント回路11.11’には
それぞれフリップフロップ8〜10の出力とフリップ7
0ツブ8′〜10′ の出力が接続され、アンド回路
11.11’の出力がアンド回路12の入力となる。
ロップ8′〜10′はキャッシュメモリ2,2′に対す
るメモリアクセス要求、i、a’に同期して動作するシ
フトレジスタを構成し、メインメモリアクセス要求C,
C″が各々フリップフロップ8,8′にセットされると
同時に7リツプフロツプ9〜10および7リツプフロツ
プ9′〜10’に格納されていたメインメモリアクセス
要求c、c’がそれぞれ1.111 ビットシフトされる。□・プント回路11.11’には
それぞれフリップフロップ8〜10の出力とフリップ7
0ツブ8′〜10′ の出力が接続され、アンド回路
11.11’の出力がアンド回路12の入力となる。
アンド回路13の入力は、アンド回路12の出力と、メ
モリリフレッシュ要求発生装置5からのりフレッシ^要
求fとなっている。アンド回路13の出力、すなわちメ
モリリフレッシ為制御装置7の出力は優先順位制御装置
4にリフレッシュ要求信号eとして出力される。
モリリフレッシュ要求発生装置5からのりフレッシ^要
求fとなっている。アンド回路13の出力、すなわちメ
モリリフレッシ為制御装置7の出力は優先順位制御装置
4にリフレッシュ要求信号eとして出力される。
第5図においてタイミングT20 hフリップフロッ
プ8〜10で所定回数である3回のメモリアクセス要求
a、a’に対し一度もメインメモリアクセス要求c、c
’が出力されなかり九ことを記憶し、アンド回路11の
出力が論理″″1”のとき連続して4クロツクヒツトし
たこと金示す。タイミングT22 もタイミングT2
0 と同様連続して4回ヒツトしたことを示す。アンド
回路11および11’の論理積とメモリリフレッシ:L
要求発生装置1ii5からのりフレッシェ費求fを入力
とするアンド回路13の出力が論理“1”となるタイミ
ングT22で優先順位制御装置4にリフレッシA要求e
が送出される。タイミング’1’20.’1’22はそ
れぞれ連続して4回ヒツトしているもので、タイミング
T3〜’I’llおよびタイミングT3〜T13 のバ
ースト状態を過ぎたヒツト状態安定期と考えられタイミ
ングT23でリフレッシ為を実行してもメモリリフレッ
シ轟実行中に各々中央処理装置1,1′からの主記憶装
置に対するメモリアクセス要求a、a’との競合が少な
いものと考えられる。
プ8〜10で所定回数である3回のメモリアクセス要求
a、a’に対し一度もメインメモリアクセス要求c、c
’が出力されなかり九ことを記憶し、アンド回路11の
出力が論理″″1”のとき連続して4クロツクヒツトし
たこと金示す。タイミングT22 もタイミングT2
0 と同様連続して4回ヒツトしたことを示す。アンド
回路11および11’の論理積とメモリリフレッシ:L
要求発生装置1ii5からのりフレッシェ費求fを入力
とするアンド回路13の出力が論理“1”となるタイミ
ングT22で優先順位制御装置4にリフレッシA要求e
が送出される。タイミング’1’20.’1’22はそ
れぞれ連続して4回ヒツトしているもので、タイミング
T3〜’I’llおよびタイミングT3〜T13 のバ
ースト状態を過ぎたヒツト状態安定期と考えられタイミ
ングT23でリフレッシ為を実行してもメモリリフレッ
シ轟実行中に各々中央処理装置1,1′からの主記憶装
置に対するメモリアクセス要求a、a’との競合が少な
いものと考えられる。
本発明の主記憶装置メモリリフレッシュ制御方式は、メ
モリリフレッシ為制御装置を追加することによシ、所定
回数のメモリアクセス要求に対し一度もメインメモリア
クセス要求が発生しないときにリフレッシ為要求を出力
させるため、メインメモリアクセス要求があったときに
はその後にメインメモリアクセス要求を発生しないメモ
リアクセス要求が所定回数発生するまではりフレッシー
要求を抑制できるので、リフレッシ−実行中にメインメ
モリアクセス要求が発生することを少なくできるため、
命令処理時間を短縮することができるという効果がある
。
モリリフレッシ為制御装置を追加することによシ、所定
回数のメモリアクセス要求に対し一度もメインメモリア
クセス要求が発生しないときにリフレッシ為要求を出力
させるため、メインメモリアクセス要求があったときに
はその後にメインメモリアクセス要求を発生しないメモ
リアクセス要求が所定回数発生するまではりフレッシー
要求を抑制できるので、リフレッシ−実行中にメインメ
モリアクセス要求が発生することを少なくできるため、
命令処理時間を短縮することができるという効果がある
。
すなわち、本発明の主記憶装置メモリリフレッシ^制御
方式は、中央処理装置からのメモリアクセス要求がくる
確率が高いバースト状態期間を避けてメモリリフレッシ
ュを行うものでメモリリフレッシ−中の中央処理装置の
命令実行効率が改善できるという効果がある。
方式は、中央処理装置からのメモリアクセス要求がくる
確率が高いバースト状態期間を避けてメモリリフレッシ
ュを行うものでメモリリフレッシ−中の中央処理装置の
命令実行効率が改善できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の一例を示すブロック図、第2図は第1図
に示す従来例の一動作を説明するタイミングチャート、
第3図は本発明の一実施例を示すブロック図、第4図は
第3図に示すメモリリ7レッシェ制御装置の詳細回路図
、第5図は第3図に示す実施例の一動作を説明するタイ
ミングチャートである。 1.1′・・・・・・中央処理装置、2.2’・・・・
・・キャッシュメモリ制御装置、3.3’・・・・・・
中ヤッシュメモリ、4・・・・・・優先順位制御装置、
5・・・・・・メモリリフレッシ−要求発生装置、6・
・・・・・主記憶装置、7・・・・・・メモリリフレッ
シュ制御装皺、8.8’、9.9’、10゜10′・・
・・・・フリップフロップ、11.11’、12.13
・・・・・・アンド回路、’rQ−T29・・・・・・
タイミング、a、a’・・・・・・メモリアクセス要求
、b、b′・・・・・・キャッシュメモリアクセス要求
、c、c’・旧・・メインメモリアクセス要求、d、h
・・則りフレッシェ実行信号、el f・・・・・・リ
フレッシ1要求、g・・・・・・す7レツシ具最優先要
求。 篤 7 図 NZ 図 鶴 、3 図 層 4 回 舅 S 図
に示す従来例の一動作を説明するタイミングチャート、
第3図は本発明の一実施例を示すブロック図、第4図は
第3図に示すメモリリ7レッシェ制御装置の詳細回路図
、第5図は第3図に示す実施例の一動作を説明するタイ
ミングチャートである。 1.1′・・・・・・中央処理装置、2.2’・・・・
・・キャッシュメモリ制御装置、3.3’・・・・・・
中ヤッシュメモリ、4・・・・・・優先順位制御装置、
5・・・・・・メモリリフレッシ−要求発生装置、6・
・・・・・主記憶装置、7・・・・・・メモリリフレッ
シュ制御装皺、8.8’、9.9’、10゜10′・・
・・・・フリップフロップ、11.11’、12.13
・・・・・・アンド回路、’rQ−T29・・・・・・
タイミング、a、a’・・・・・・メモリアクセス要求
、b、b′・・・・・・キャッシュメモリアクセス要求
、c、c’・旧・・メインメモリアクセス要求、d、h
・・則りフレッシェ実行信号、el f・・・・・・リ
フレッシ1要求、g・・・・・・す7レツシ具最優先要
求。 篤 7 図 NZ 図 鶴 、3 図 層 4 回 舅 S 図
Claims (1)
- メモリアドレスを含むメモリアクセス要求を出力する中
央処理装置と、前記メモリアクセス要求が供給されたと
きに前記メモリアドレスで指示されるデータがキャッシ
ュメモリに格納されていなければ主記憶装置をアクセス
するためのメインメモリアクセス要求を出力するキャッ
シュメモリ制御装置と、一定周期ごとに第1のり7レツ
シ鳳要求を発生しこの第1のりフレツシエ要求の発生後
一定時間以内にリフレクシエ実行信号が供給されないと
きにリフレッシ−最優夷要求を発生するメモIJ IJ
フレッシー要求発生装置と、前記第1のリフレッシュ要
求が供給されたときに連戦する所定回数の前記メモリア
クセス要求に対し一度も前記メインメモリアクセス要求
が発生していなければ第2のリフレッシ1要求を出力す
るメモリリフレッシ為制御装置と、前記リフレッシュ最
優先要求が供給されたときおよび前記メインメモリアク
セス要求がなくて前記第2のりフレッシェ要求が供給さ
れたときに前記主記憶装置をリフレッシュさせるための
前記す7レツシ為実行信号を発生する優先1[1¥制御
装置とを含むことを特徴とする主記憶装置メモリリフレ
ッシ−制御方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56159924A JPS5862890A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 主記憶装置メモリリフレツシユ制御方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56159924A JPS5862890A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 主記憶装置メモリリフレツシユ制御方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5862890A true JPS5862890A (ja) | 1983-04-14 |
Family
ID=15704123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56159924A Pending JPS5862890A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 主記憶装置メモリリフレツシユ制御方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5862890A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63144494A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-16 | Alps Electric Co Ltd | メインメモリ−のリフレツシユ方式 |
| JPH04362593A (ja) * | 1991-06-10 | 1992-12-15 | Agency Of Ind Science & Technol | Dramのリフレッシュ制御装置 |
-
1981
- 1981-10-07 JP JP56159924A patent/JPS5862890A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63144494A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-16 | Alps Electric Co Ltd | メインメモリ−のリフレツシユ方式 |
| JPH04362593A (ja) * | 1991-06-10 | 1992-12-15 | Agency Of Ind Science & Technol | Dramのリフレッシュ制御装置 |
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