JPS5863165A - 多層電極構造を有した半導体装置 - Google Patents

多層電極構造を有した半導体装置

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Publication number
JPS5863165A
JPS5863165A JP56161353A JP16135381A JPS5863165A JP S5863165 A JPS5863165 A JP S5863165A JP 56161353 A JP56161353 A JP 56161353A JP 16135381 A JP16135381 A JP 16135381A JP S5863165 A JPS5863165 A JP S5863165A
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JP
Japan
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film
semiconductor device
resistance
substrate
electrode structure
Prior art date
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Pending
Application number
JP56161353A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuya Okumura
勝弥 奥村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS5863165A publication Critical patent/JPS5863165A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/83—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は多層電極構造を有した半導体装置に関する。
半導体装置は現在、高速高密度化のため高融点金属のシ
リサイド膜をポリシリコンのかわシに使用しようという
開発が行なわれている。ここでいう高融点金属としては
ＭｏとＷが多く研究されてお９、以下Ｍｏを例にと９記
述するがＷでもほとんど同じ傾向が得られている。そし
て、ＭＯのシリサイド膜（以下、ＭｏＳｉ２膜と記述す
る）は低シート抵抗性、耐熱性、耐薬品性、エツチング
特性、付着強度等電極金属膜としての特性はほぼ満足し
ているが、シリコンの接触抵抗が充分に低くできないと
いう大きな欠点があった。
この発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的
はＭｏ５ｔ２膜とシリコンとの接触抵抗を減少させるた
め、この両者の間にＰｔ　、　Ｐｄ　。
１４等遷移金属シリサイド膜を挿入することにより接触
抵抗の低減化を計る多層電極構造を有した半導体装置を
提供することにある。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第１図（４）において、１１はＳｉ　単結晶基板で、こ
のＳｉ単結晶基板１１上に酸化膜１２が厚く形成されて
おシ、ソース・ドレイン等の拡散層領域１３が必要に応
じて形成されている。次に、同図（Ｂ）に示すように１
０００Ｘの厚さのＴｉ膜１４を電子ビーム加熱蒸着装置
で真空蒸着する。次に、３０分間４５０℃で熱処理全行
なうとＴｊ膜１４と５ｉＪｌ！ｌＫ結晶板１１が接触し
ているところにチタンシリサイド１５が形成される。そ
の後、Ｉ（Ｆでエツチングするとチタンシリサイドにな
っていないチタンは総て除去されてしまい、同図（Ｃ）
に示すようにチタンシリサイド１５が自己整合で形成さ
れる。次に、同図（２）に示すようにＭｏ５Ｚ２膜１６
をスパッタリング法で３０００Ｘの厚さに膜形成する。
このようにチタンシリサイド１５をＭｏＳ＄２膜１６と
Ｓｉ単結晶基板１１との間に挿入した場合、接合比抵抗
は１０−６Ω・α２のオーダにまで減少してその後の高
温熱処理工程を経てもその抵抗値の増大はみられない。
次に、第２図は従来方法（Ｍｏ５ｔ２膜のみを用いた場
合）と本発明方法（チタンシリサイド層を挿入した場合
）とを熱処理温度を変化させて接触抵抗を測定した結果
を示す。ここで、雰囲気は０２で時間は２０分である。
図に示されるように、従来方法によれば、１０００℃の
熱処理で１０倍以上の接触抵抗の増大がみられたが、こ
の発明によればほとんど抵抗の増大はみられていない。
なお、上記した実施例で用いｆｉｃＴｉ（チタン）の他
にＰｔ１＊　Ｐｄ　ｌＮｉ　、Ｃｏ　ｔ　Ｚｒ　ｈ　Ｈ
ｆ　＊　Ｆｅ　＊Ｒｈ　＋　Ｍｎ　＊　Ｉｒ　ａ　Ｖ　
＋　Ｎｂ　ｒ　Ｔａ等を用いても同様の効果が得られる
。
以上詳述したようにこの発明によれば、Ｍｏ　Ｓ　ｓ　
２膜とシリコンとの接触抵抗を減少させるため、この両
者の間にｐｔ、　ｐａ　、　Ｔａ特の遷移金属シリサイ
ド膜を挿入することによシ接触抵抗の低減化を計る多層
電極構造を有した半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明の一実施例を示すもので、第１図は半導
体装置の製造工程を示す図、第２図は熱処理温度と接触
抵抗との関係を示す図である。　　　　　　　・１： １１・・・Ｓｉ単結晶基板、１２・・・酸化膜、１３・
・・拡散層領域、１４・・・Ｔｉ膜、１６・・・チタン
シリサイド。 ’；３　　　　　　　　　　　　。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　　シリコンとモリブデンまたはタングステンの
    シリサイドの間に遷移金属のシリサイド層を挿入した多
    層電極構造を有した半導体装置。
  2. （２）上記遷移金属をＰｔ　、　Ｐｄ　、　Ｎｉ　、　
    Ｃｏ　。 Ｔｉ　、　Ｚｒ　、　Ｈｆ　、　Ｆｅ　、　Ｒｈ　、　
    Ｍｎ　、　Ｉｒ　＊　Ｖ　＋　Ｎｂ　。 Ｔａおよびこれらの合金にした特許請求の範囲第１項記
    載の多層電極構造を有した半導体装置。
JP56161353A 1981-10-09 1981-10-09 多層電極構造を有した半導体装置 Pending JPS5863165A (ja)

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