JPS5863784A

JPS5863784A - バイパス制御システム

Info

Publication number: JPS5863784A
Application number: JP57119681A
Authority: JP
Inventors: カ−ル・エツチ・ギアリ−・ジユニア
Original assignee: Carrier Corp
Current assignee: Carrier Corp
Priority date: 1981-10-13
Filing date: 1982-07-09
Publication date: 1983-04-15
Also published as: TR21344A; JPS6228998B2; DE3273821D1; ES8308102A1; DE77222T1; BR8203098A; US4392345A; MX164946B; ES8401269A1; ES512186A0; ES516794A0; EP0077222A3; EP0077222B1; EP0077222A2; CA1168171A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】重質石油留分の流動接触分解（ＦＣＣ）法においては、
予め加熱しておいた高分子量炭化水素液体及び蒸気を高
温の触媒粒子に接触させ、そして低分子量炭化水素が所
望程度まで分解するのに十分な時間高温で流動状態か分
散状態に維持する。このＦＣＣ法では、かなりの炭素質
物質すなわち「コークス」が触媒粒子に付着するため、
触媒の有効度が低下する。触媒からコークス付着物を燃
焼除去すると、触媒を再生できる。コークスの燃焼によ
り生じる高温ガスは少なくともひどつのサイクロン分離
手段に送って、混入している再生触媒粒子を回収する。

再生触媒はプロセスに戻すが、浄化された′に、温ガス
は例えば触媒回収システムに回す。

触媒回収システムの作業員にとって大きな開−となるの
はプロセスの乱れ（ｐｒｏｃｅｓｓ　ｕｐｓｅｔｓ）で
ある。このプロセスの乱れの原因には原料と触媒の圧力
差、燃焼後の急冷圧力の蓄積、再生装置の圧力解除や、
一般には新設のＦｃｃプラントの運転開始時に生じるが
、その他の時期にも起こる他の故障などがある。

触媒（ロ）収エギスバンダ−（ｅｘｐａｎｄｅｒ　）に
対して息影春を及はすと考えられる唯一のプロセス乱れ
は再生装置の急激な圧力低下によって引き起コされる触
媒の急激な放下（ｃａｔａｌｙｓ目ｏａｄｄｕｍｐ）で
ある。これの原因となるｍ構にはいくつかあり、（１）
バイパスパルプの急激な開放、（２（バイパスパルプ制
御信号の誤動作、（３）バイパスパルプやスロットルバ
ルブに至る信号線の誤動作、（４）スロットルバルブの
急激な１６Ｊ　放、（５）　スロットルバルブとバイパ
スパルプとの間のシーケンス連絡の欠如、（６）原料の
再生装置への逆流−こｈは急激な燃焼及び次の水による
急冷を起こす−などがある。触媒の落下が生じると、流
動層全体か失なわれる。というのは、いったんサイクロ
ンのディップパイプが露出すると、触媒全体が散逸する
からである。触媒の放下量は再生装置の大きさにもよる
が、１５〜５０分間で２０トンから１００トン以上にな
ることもある。

触媒の全部がエキスパンダーに行くわけではなく、その
大部分はバイパス管路を通って廃熱ボイラーに行く。こ
のような事態になると、触媒が廃熱ボイラーの立て管か
ら巨大なしん雲となって流出し、ちょうど火山灰のよう
に辺りに広がり、そこに積る。大気条件に異常がなけれ
ば、触媒の降下には数日間かかる。一方、触媒はシリカ
−アルミナなどのようにシリカを含んでいるので、エキ
スパンダー内を触媒が流れると、単段エキスパンダーの
場合には腐食が激しくなり、また二段エキスパンダーの
場合には、その第２段目に目粘りが生じ、この結果第１
段のロータ羽根が摩耗してしまう。

一方、プロセス乱れにより触媒の急激が落下が生じた場
合、エキスパンダーに流入するのを防ぐために、多鰍の
落下触媒をバイパスする。

勿論、触媒を回収できる場所にバイパスするのが好まし
いか、装置を改装する場合には、エキスパンダーのみを
保護して、触媒を廃熱ボイラーにバイパスする必要があ
る。好適な実施態様では、エキスパンダー供給管路の９
００ベンドの中間部に接線方向に触媒バイパス路を設け
て、触媒バイパス路の一部を形成する。触媒の急激な放
下に応じて触媒バイパス管路のパルプが開くと、触媒が
触媒バイパス管路にバイパスされる。触媒バイパス管路
内に触媒回収装置を設けるのが好ましい。

基本的には、再生装置からの燃焼生成物を搬込する管に
横断方向にビームを照射し、このビームを光センサーに
よって感知する。感知された入射光の強度は管内を流れ
る流れの粒状物濃度のひとつの目安であり、これを示す
信号がＦＣＣ法を制御する□マイクロプロセッサに送ら
れる。触媒の急激な放下を示す信号はオーバーライド信
号として曽き、ロックホッパーの吐出パルプを開く。こ
の吐出パルプが開くと、ロックホッパーと触媒バイパス
管内に圧力差が生じる。

触媒バイパス管路は９０°ベンドの中間点に対して接線
方向にあるので、触媒が触媒バイパス管路を通って、ロ
ックホッパーに集められる。プロセス条件が再設定され
ると、マイクロプロセッサに送られるレーザーセンサー
信号により、ロックホッパーの吐出パルプが閉じ、エキ
スパンダーにガスが流れる。

以下、本発明を添付図面について説明する。

第１図に示す従来のＦＣＣ装置１の触媒回収はマイクロ
プロセッサかコンピュータ１０によって制御する。コー
クス化触媒すなわち廃触媒はパルプ１２ｂを含む管路１
２ａを通じて反応器１２から再生装［１４に連続的に供
給する。再生装置１４では、触媒からコークスが燃焼す
る。それぞれ第１段分離器サイクロン１５及び第２段分
離器サイクロン１６に触媒が混入している燃焼生成物を
送って、ガス流れから粒径の大きい触媒を回収する。再
生触媒は再生装置１４から管路１４暑を介して反応器１
２に戻すが、この管路はパルプ１４ｂを備え、供給反応
器１２に至る原料供給管路１１に通じている。反応器１
２に通じる管路１４ａと管路１１の圧力のバランスを取
るためにパルプ１４ｂと一緒に制御されるパルプ１１ａ
を原料供給管路１１に設ける。燃焼ガスは再生装置１４
から管路１７を通じて第３段分離器１８に流れ、ここで
回収された粒径の小さい触媒粒子は管路１８ｍ及び管路
２４ａを通じて抽気（ｂｌｏｗ　ｄｏｗｎ　）として廃
熱ボイラー２１に送られる。まだ触媒粒子か混入してい
るガス流れは管路１９を通って触媒回収エキスパンダー
２４に送られるか、バイパス管路２ｏに導びがれる。

この動力回収エキスパンダー２４は一連のモーター／発
亀Ｉａ２５、空気圧ｉ機２６及び蒸気タービン２７を有
する。例えば、エキスパンダー２４は空気圧縮機２６を
駆動して管路２８を通じて再生装置１２に供給するため
に使用される。

ガスはエキスパンダー２４を通って、管路２４ｍに流れ
、そしてバイパスされて管路２ｏからくるガスと管路１
８ａからの抽気と合流して、熱回収装置、例えばＣＯす
なわち廃熱ボイラー２１に送られる。バイパス管路２０
は、それぞれ管路１９及び２０に設けられた、マイクロ
プロセッサ１０により制御された再生装置圧力に応答す
るパルプ２０．２３と共に、再生装置圧力を維持し、か
つ触媒同数ユニットを脱負荷するために、触媒回収ユニ
ットにとって必要なオンライン化を達成するものである
。正常な運転条件下では、スｐットルバルプ２０が完全
に開いているので、第５段分離器１８からの全流れのほ
ぼ９０％がエキスパンダー２４に送られる。残りの１０
％は線制御（１ｉｎｅａｒ　ｃｏｎｔｒｏｌ）のために
恐らく１５°開いているバイパスパルプ２３によって廃
熱ボイラー２１に送られる。なぜなら、パルプ２２．２
５は共にバタフライバルブであるからである。パルプ２
２．２５は油圧ノ（ルプアクチュエータ２２ｂ及び２５
ｂを通じてマイプロセッサ１０によって制御され、しか
も分割制御されるので、パルプ２２が閉じ始めると、パ
ルプ２３が開き始めるため、再生装置の圧力をｌ２ｐｓ
Ｌの範囲内に維持できる。マイクロプロセッサ１０は再
生装置１４の圧力か、管路６１を通じて供給される第３
段分離器１８の上流側の燃焼ガスの圧力に応答してパル
プ２２及び２３を制御する。電気的負荷の減衰によって
モータ７発１１Ｌｓ２５の速度が超過速度になると、速
度れる。超過速度信号に応答して、マイクロプロセッサ
１０によりパルプ２２が閉じ、そしてパルプ２３か開く
。

プロセスに大きな乱れが生じている間、サイクロン１５
．１６は完全に運転不能な状態になる。というのは、こ
れらはある決った量の触媒混入ガスを処理するように設
計されているからである。この結果、中断が生じ、多量
の粒径の大きい粒子が第３段分離器１８を通ってエキス
パンダー２４に流れ込み、混乱か生じる。大半の触媒混
入ガスはバイパス管路２０を通って廃熱ボイラー及び大
気中に送られるけれども、エキスパンダー２４に遠する
触媒の量はエキスパンダーに目詰りを起こし、そして羽
根を侵食するのに十分である０従来のシステムでは、こ
のような触媒の損失をそのままでは感知できず、従って
圧力や温度を制御することによって他のプロセス乱れと
して処理していた。また、これは例えばエキスパンダー
か破損するまで確認できなかった。

第１図における再生装置システム１を第２図に示すよう
に改装すれば、本発明を既存のＦＣＣ装置に適用刃きる
。第２図においてミ改装した部分は第１図の対応する部
材の番号に１００をプラスして示す。また、全く新しい
部材も１００番台の番号で示す。第３段分離器１Ｂとエ
キス、＜ンダー２４を結ぶ管路に光学センサー１５０を
設ける。できるならば、管路１９と管路２０をＴ字形接
続して、管路１９が水平から垂直下方に延びるようにし
て、バイパス流路が直線形になるようにする。この理由
については後述する。

第５図からよく判るように、光学センサー１５０の７ラ
ンジ３１及び３２は管路１９の対応する７ランジ１９ｍ
及び１９ｂにセンサー１３０を着脱自在に取付けること
ができるようになってしする。

前述したように、作動流体として触媒回収エキスパンダ
ー２４に送られるガス流れにＧｔある決った物質が混入
している。エキス／くンダー２４の上流にレーザー光源
３４を設け、給電装置５６により給電する。このレーザ
ー光源５４＆ま矢印４０によって示されるガス流れの流
路に対して直角に矢印５８によって示される光の（可）
干渉性ビームを伝達する。センサーへウジング部４２の
正反対側に、細長い円筒形の第１部材４４と第２部材４
５を設ける。これら第１部材４４と第２部材４５はハウ
ジング部４２の内面にそれぞれオリアイス即ち開口４６
及び４７を形成するものである。

レーザー光源３４からの光ビーム５８はレーザー窓５４
ｍ　、圧力維持オリフィス５１を有するパージ構造体５
０、部材４４、透孔５６、横断するガス流れ４０、透孔
４７、部材４５、圧力維持オリフィス５５及びセンサー
要素５４の前に位置するレンズ５４ａを通過する。レー
ザー窓５４ａとレンズ５４ａはいずれも耐熱性の点から
石英ガラスで構成するのが好ましく、また空気漏れを防
ぐために封着する。レーザー窓５４ｍ及びレンズ５４ａ
の封着の細部については第４図をみられたい。レーザー
窓５４Ｂの焦点距離は無限であるが、レンズ５４ａは光
ビーム３８にセンサー要素５４に合焦させる。このセン
サー要素５４はレーザー３４からの光ビームを光変換器
５６伝送する繊維光学装置で構成するのが好ましく、上
記光変換器は次に電気信号をマイクロプロセッサ１１０
に送る。パルプ６０によって空気などの加圧流体の浄化
構造体５０への流れを制御して、円筒形部材４４によっ
て構成されるチャンバーを加圧し、これにより開口４６
を介して該チャンバーに粒状物が流入することを防ぐ。

オリフィス５１はパルプ６０と一緒に作動して、円筒形
部材４４によって構成されるチャンバー内の新値の正圧
を維持する。なお、浄イヒ用空気を使用するので、例え
図示のようにレーザー窓５４ｍを管路１９の下方に設け
た場合でも、円筒形部材４４によって構成されるチャン
バ−内に粒体が侵入し、そこに沈着すること各まなし）
。即ち、浄化用空気はレーザー窓３４ａの汚れを取り除
くというよりは、むしろそれが汚れなしＡようにするも
のであるＯ同様に、オリフィス５５はバルブ６２と一緒に作動して
、円筒形部材４５によって構成されるチャンバー内の圧
力を所望値に維持することによって、開口４７を介して
粒状物が該チャンバー内に侵入することを防止する。加
えて、オリフィス５３及び５１は、ビーム３８の光路部
分を構成し、ビーム３８の横断面を制限しかつ外部から
の光を遮断することによって、光散乱のセンサー５４の
影１を著しく抑える作用をもつ。これは特にレーザー以
外の光源を使用する場合に重要である。

運転時、レーザー６４はガス流れ４０の流路に対して直
角に伝送される光３８のビームを発生する０ガス流れに
混入している粒状物に光３８のビームが衝突すると、ガ
ス流れの粒状物密度や濃度に応じて光が分散する。即ち
、ガス流れの粒状物含有量が比較的少ない場合には、光
ビー４の散乱は最小であり、従って比較的強い光のビー
ムが開口５Ｓを通ってセンサー５４に達する。一方、粒
状物の濃度が比較的高い場合には、開口５５を経てセン
サー５４に達する光のビームが比較的弱くなるか、完全
にブロックされることさえある。また、粒状物の濃度が
濃い場合には、光の大半か全部が分散するか、ビーム５
８によって構成される光路から逸れてしまうので、光の
検出の必要性から、−口５３とセンサー５４を整合する
。

繊維光学センサー５４からの光はこれに入射するビーム
の強度に直接応じて変化する強度で光変換器５６に入る
。従って、比較的弱い光ビームが光変換器５６に送られ
ると、これ５よって発生する信号も比較的弱い。同様に
、光変換器５６に伝えられる光ビームが比較的強い場合
には、これによって発生する信号の大きさも比較的大き
い。前にも述べたように、光ビームの強度なガス流れに
混入している粒状物の濃度即ち密度に応じて変化する。

発生した信号は光変換器５６からマイクロプロセッサ１
１０に送られ、プロセス乱れによる触媒の急激な放下を
検知したら、パルプ２２．２５及び１１１ａを制御する
。

ガス流れ内の粒状物濃度が触媒の急激な放下を示す調節
可能な設定レベルを越えると、ノぐルブ２２と１１１鳳
が閉じ、そして管路６１に支えられる再生装置圧力信号
が触媒の急激な放下を示すと、光変換器５６からの信号
に応答してマイクロプロセッサ１１０によってバルブ２
３か完全に開く。触媒の急激な放下は再生装置の圧力降
下に関係があるので、ＦＣＣ装置を運転停止する前に、
誘導圧力センサーか制御器によって求めた再生器内の圧
力、好ましくは圧力変化が触媒の急激な放下を示さなけ
ればならない。このように、圧力降下ではなく、触媒あ
るいは粒状物のみの感知に応答して、バルブ２２がただ
ちに閉じて、エキスパンダーを保護すると共に、警報が
鳴り、従って作業員が救済ｍｔを取ることができる。た
だし、運転は中止しなくてもよい。

これはエキスパンダーを保護するフェイルセーフ応答で
あり、また例えばレーザー１の故障に対する応答にもな
る。プロセス乱れによる触媒の急激な放下や再生装置の
圧力降下を示す粒状物濃度を検出すると、ただちにスロ
ットルノ（ルブ２２が閉じると共に、バイパスパルプ２
！１が開く。これはパルプ２２及び２３の正常な作動と
は異なるもので、第１図のシステムの場合である。応答
は迅速でなければならない。とν）うのは、既にプロセ
スの乱れが起きており、そして光学センサー１３０が触
媒の急激な放下を感知し、しかも圧力降下が標示されて
いるからである。はとんどといっていい程、すべての触
媒が放下する。加えて、マイクロプロセッサ１１０から
油圧パルプアクチュエータ１１１ｂに信号が送られ、装
入物供給管路１１のパルプ１１１ａが閉じるので、装入
物が再生装置に流入し、燃焼することはない。また、域
る理由で触媒の急激な放下が収まった場合には、パルプ
２２．２５及び１１１ａがただちにり七ツＦされ、正常
な運転状態になる。パルプ２２が閉じると、すべての流
れが管路２０を通って流れる。前に述べたように、管路
１９と２０が丁字形接続している場合には、触媒混入ガ
スが直線状に流れるため、触媒の廃熱ボイラーへの移行
が容易になる。

触媒の急激な放下が検知されると、すべてのガスがバイ
パスされて廃熱ボイラー２１に回されるので、触媒の一
部がエキスパンダーに行くことがないので、これが破壊
されることはない。

このような構成では、エキスパンダーは保饅されるけれ
ども、廃熱ボイラーに回される触媒は、本発明がシステ
ムに適用されていないならば、と同じように、管路６１
を介して受信される再生装置圧力信号に応答してマイク
ロプロセッサ１１０がパルプ２２及び２３を制御する。

触媒の急激な放下が生じた場合を除けば、マイクロプロ
セッサ１０は第１図システムのマイクロプロセッサ１０
と同じように機能する。従って、第２図システムと第１
図システムの構造上の差異はマイクロプロセッサ１１０
及び装入物供給管路パルプ１１１ａが違うことと、セン
サー１３ｏヲ付加したことである。機能的には、パルプ
２２゜２３及び１１１ａの制衛が、触媒の急激な放下時
のみにおいて、あるいは少なくともセンサー１３０がそ
れを検知したときにのみ、異なる。

ＦＣＣシステムの組立初期に本発明を組込む場合の代表
的な構成は第５図及び第６図に示す通りである。第５客
及び第６図において、すべての改造部は新規な構成部分
として２００台の参照符号を付けて示すが、非改造部は
第１図と同じ参照符号で示し、従って構造上からみれば
同じである。部材４４及び４５に粒状物が入り込まない
ように、管路１９の垂直部の外側にレーザー３４を配置
するが、このような構成を取った理由は別にも−あり、
これについては後述する。レーザー３４からのビームは
管路１９を横切って、レーザー５４と反対側の管路１９
側に設けられた光変換器５６に衝突する。レーザービー
ムは（可）干渉性なので、レーザー３４及び光変換器５
４に光学的に接続されたセンサー要素５４の両者を空気
パージでき、しかも多量の空気をガス流れに送り込む必
要もないので、ガスの後燃焼の心配はない。光変換器５
６からマイクロプロセッサ２１０に信号が送られるが、
触媒の急激な放下に応答して油圧パルプアクチュエータ
２６６ｂを介してロックホッパー吐出パルプ２６６、そ
して油圧パルプアクチュエータ２２ｂを介してパルプ２
２を作動させる。光変換器５６の感度を調節すれば、レ
ーザービームに対する各種の妨害を感知できる。正常な
運転状態では、光変換器５６は管路１９の触媒量の影響
を受けないけれども、例えば触媒の急激な放下が生じた
場合に起きることだが、多量の触媒がビームを通過する
と、マイクロプロセッサ２１０からの信号に応答して油
圧パルプアクチュエータ２６６ｂを介してロックホッパ
ー吐几パルプ２６６が開き、そしてパルプアクチュエー
タ２２ｂを介してパルプ２２が閉じると共に、警報信号
が発生する。吐出パルプ２６６が開くと、廃熱ボイラー
が大気と流体連絡するため、ロックホッパ２６８に圧力
降下が生じる。圧力降下の結果、エキスパンダースロッ
トルパル１２２（Ｄ前方の管路１９の垂直管路部分を流
下する多量の触媒が管路１９の９００ベンド部分をうま
く回ることができなくなるため、遠心力が発生する。

パルプ２２やエキスパンダー２４の方に流れずに、触媒
は管路１９の９０°ベンドのほぼ中心点から接線方向に
流路を形成するバイパス管路２７０に渡れる。触媒はバ
イパス管路２７０を通ってロックホッパー２６８に行き
、ここに集められる。プロセス条件が回復されると、そ
の信号が光変換器５６からマイクロプロセッサ２１０に
送うレ、ロックホッパー吐出パルプ２６６が閉シ、パル
プ２２２が開くので、ガス流れが再びエキスパンダー２
４に流れる。このパルプ２６６が開いた状態は、管路６
１を介してマイクシプロセッサ２１０に送られる圧力信
号が触媒の急激な放下を示すまで続く。圧力信号により
圧力変化率が示されるのが好ましい。圧力信号が触媒の
急激な放下を示したときには、マイクロプロセッサ２１
０によりパルプ２３及び１１１ａが閉じる。パルプ２２
が閉じると、従来と同じように、ストリング速度を維持
するためにモータ／発電機２５が発動状態になる。正常
な運転条件下では、従来と同じように、再生装置圧力条
件に応答してパルプ２２及び２３が制御される。一方、
触媒が急激に放下すると、パルプ２５が開くため、エキ
スパンダーが依然として保護される。ただし、管路１９
を通る触媒部分は回収されるけれども、残りの触媒は廃
熱ボイラー２１に行く。

この場合には、前に説明したように、管路１９と２０を
丁字形接続するのが好適である０第６図からより判るよ
うに、バイパスされたガス及び触媒はロックホッパー２
６８に流れ、そこで触媒２７２が沈降する。一方、ガス
は渦流管かサイクロンに送ってから、廃熱ボイラーが大
気中に送り出される。７ツトバルブ２７４ａによってガ
スはサイクロン２７４を通って管路２６７に一方向に流
れる。従って、直接あるいは廃熱ボイラーを介して大気
中に触媒が排出されることはない。ロックホッパー２６
８内に所定のレベルまで触媒が蓄積すると、上方レベル
センサ−２７６カ作動して、マイクロプロセッサ２１０
　ニ信号を送る。この信号により次に油圧バルブアクチ
ュエータ２８０ｂが作動してロックパルプ２８０を閉じ
、またスライドバルブ２８４のバルブモータ２８２が作
動してパルプ２８４を開く。そして触媒の急激触媒放下
が生じている場合には、パルプ２５ｆｔ８＜。パルプモ
ータ２８２−例えば公知の適当なピストン式のものであ
ればよい−がスライドパルプ２８４のリンク仕掛２８６
を介してこのスライドパルプを開くと、捕集された触媒
２７２がダンプカート２９９に投下される。次に、ダン
プカート２９９により触媒を再生装置を移送して、この
流動層に触媒を再装入する。四ツクホツハー２１６８内
の触媒２７２のレベルが十分に下がると、下方レベルセ
ンサー２７８が作動して信ｆｔ−マイクロブｐセッサ２
１０に送る。この信号により次にパルプ２８０が開き、
そしてパルプモータ２８２によりパルプ２８４が閉じる
。加えて、触媒の急激な放下が生じている場合には、パ
ルプ２６が閉じる。触媒のバイパスレッグ２７０が完全
な流れを操作できなくなった場合には、圧力の上昇に応
答してパルプ２３が開き、再生装置圧力を維持するよう
になる。なお、ロックホッパー２６８から触媒２７２が
急激に放下しても、触媒のバイパス機能が止むことはな
く、管路１９を依然として流れている触媒が遠心力及び
ベクトルｍ度によってパルプ２８０の上流側の管路２７
０に運ばれる。というのは、管路２７０は長さが４０フ
イートで直径が４フイ一ト以上であるからである。しか
し、ロックホッパー２６８は触媒の急激な放下時に（ダ
ンプカートに）投下するｊ要がない程触媒の全部を収容
できる大きさのもの好適である。

ＦＣＣ法の正常な運転時、第５図及び第６図の実施態様
は別な機能も果す。ロックホッパー吐出パルプ２６６が
閉じ、ロックバルブ２８０が開いている状態では、バイ
パスレッグ２７０に渦流が生じる。管路１９の９００ベ
ンド内を通る触媒はこの渦流に取込まれて、極めてゆっ
くりとロックホッパー　２６８に落下する。事実、第５
図及び第６図のバイパス構成によって第４段分離器が形
成する。すなわち、正常な運転時エキスパンダーの羽根
を通る触媒量か減り、従って羽根の寿命か延びる。第４
段分離器の結果触媒が蓄積するが、それが十分な量に達
すると、前に説明シタように、レベルセンサー２７６か
作動するので、取込まれた触媒か投下される。

第４段分離器の機能及び触媒回収が経済的にみて引き台
ないときや、望ましくないときには、第５図及び第６図
の実施態様からロックバルブ下流側の構造をすべて取除
くと簡略化できる。

第７図について説明すると、この実施態様では、油圧パ
ルプアクチュエータ２８０ｂによりマイクルプロセッサ
５１０からの信号に応答してロックパルプ２８０が開く
。センサー１３０が管路１９において過剰量の触媒を検
知すると、パルプ２２が閉じ、かつパルプ２８０が開く
ので、触媒がエキスパンダーに達せず、警報信号が発生
する。

管路６１を通じて送られる圧力信号により隨媒の急激な
放下がｉＩ詔されると、パルプ２５及び１１１蟲が閉じ
る。センサー１５０が再び触媒レベルが許容できること
を検知したら、パルプ２８０が閉じ、そしてパルプ２２
が開く。この実施態様では触媒が失われるが、立て管に
は流れず、廃熱ボイラーに直接流れる。エキスパンダー
の保験や触媒の急激な放下が滅多に起こらないことを考
えれば、このような局部的な浄化が起きても、容認でき
るものである。また、この実施態様は第１図のＦＣＣシ
ステムの第３段分離器の底部あるいは管路１９及び／又
は２０の垂直レッグにも適用できる。

キスパンダーに通らないようにすることによってＦＣＣ
システムの触媒回収システムを保護−するものである。

また、所定の濃度の触媒流れや粒状物流れを検知するこ
とにより触媒を保−するものである。しかし、例えば誘
導圧力センサーなどを通じて再生装置の圧力変化を感知
することによって触媒の急激な放下を確詔した場合には
、別な措置によりシステムの運転を中止することができ
る。また、エキスパンダーへの流れを中断したり、ある
いは流れの触媒部分をエキスパンダーにそらしたり、遠
心力とベクトル速度を組合せることによって流れの触媒
部分をそらしてもエキスパンダーを作置できる。触媒の
全部または一部が回収できる。例えば、センサーの故障
などによる誤まった検出によってもシステム全体の運転
を中断することなくエキスパンダーを保護できる。

本発′明の各実施態に使用できる好適なマイクロブｏ−
ｔ＝７すはＣｏ１ｏｒａｄ、　Ｆｏｒｔ　Ｃｏｆｆ１ｎ
ｓ　ノＷｏｏｄｗａｒｄ　Ｇｏｖｅｒｎｏｒ　Ｃｏｍｐ
ａｎｙ製４５０２７　ｇ電子ガバナーである。この論理
は各運転方式に応じて設定できる。パルプ用に適当な油
圧アクチュエータはｌ１ｌｉｎｏ１ｓ、Ｄｅｓ　Ｐｌａ
ｉｎｓのＭ、　Ｂ、人。

Ｃｏｍｐａｎｙ製のものである。管路の大きさを考えて
、各ガス管路の流れを調節するパルプは一般にバタフラ
イバルブである。

【図面の簡単な説明】

第１図は触媒回収装置を債えた公知ＦＣＣシステムの概
略図、第２図は本発明を組込んだ改装ＦＣＣシステムの概略図
、第６図は本発明の光学センサーを示す部分概略図、第４図はレーザー窓の封止構造を示す拡大図、第５図は
本発明を適用した組立初期の構成を示す概略図、第６図は第５図に示した触媒バイパス構造の詳細図、そ
して第７図は簡略化した実施態様の概略図である。１９・・・管路２１９・・・９００ベンド２７０・・・バイパス管路２８０・・・パルプ１３０・・・センサー２１０川マイクロプロセッサ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）多蓋の粒状物を含む恐れのある燃焼ガスを動作流
体として触媒回収エキスパンダーに供給する、垂直下方
に延びる部分と９００ベンドを連続的に有する第１流体
通路手段（１９）と、該ベンドのほぼ中間点から接線方
向に延びて第１流体通路手段に流体連絡すると共に、正
常時には閉じているバルブ手段（２８０）を備えた第２
流体通路手段（２７０）と、第１流体通路手段内の燃焼
ガスの粒状物濃度を測定してこれを示す信号を発生する
手段（１１）と、そしてこの信号が第１流体通路手段内
のガスの粒状物濃度が所定レベルに達したときに、この
信号に応答して該バルブ手段（２８０）を開く手段（２
１０，２８０ｂ）からなり、該パルプ手段（２８０）が
閉じたときに、前記第２流体通路手段（２７０）がロッ
クホッパ一手段に流れる粒状物を取り除く分離器として
作用する濁流を形成するようにすると共に、該バルブ手
段（２８０）が開いたときに、圧力降下が生じて、この
圧力降下、ベクトル速度及び遠心力により粒状物が第２
流体通路手段に導ひかれて、該エキスパンダーには流入
しないようにしたことを特徴とするＭ１回収エキスパン
ダーの保饅用バイパス制御システム。
（２）第２流体通路手段がさらにロックホッパ一手段（
２６８）を備え、そしてこのロックホッパ一手段が粒状
物のレベルを検知して、これに応答して該ロックホッパ
一手段から粒状物を投下する手段（２７６、２７８）を
備えたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
バイパス制御システム。
（３）多社の粒状物を含む恐れのある燃焼ガスを触媒回
収エキスパンダーに動作流体として供給する第１流体通
路と、この第１通路内のガスの流れを制御する第１バル
ブ手段と、該エキスパンダーをバイパスするために第１
流体通路に接続した第２流体通路手段と、そして第２流
体通路手段内のガスの流れを制御する第２パルプ手段と
を有する触媒回収エキスパンダーのバイパス制御システ
ムにおいて、第１流体通路内の燃焼ガスの粒状物濃度を
測定してこれを示す信号を発生する手段（１３０）、及
びこの信号が所定の粒状物レベルを示したときにこの信
号に応答して第２パルプ手段を完全に開き、これによっ
て粒状物が該エキスパンダー、に流れ込まないようにし
た手段（１１０゜２６６）を設けたことを特徴とする上
記バイパス制御システム。
（４）第２流体通路手段を廃熱ボイラーに接続し、そし
て燃焼ガス内の粒状物が所定レベルに達したことを検知
したときに第１パルプ手段が閉じるようにしたことを特
徴とする特許請求の範囲第３項に記載のバイパス制御シ
ステム。
（５）粒状物濃度を測定する前記手段が光学センサーで
、該センサーがこれに粒状物を混入させない手段（６０
，６２）を有することを特徴とする特許請求の範囲第６
項に記載のバイパス制御システム。
（６）反応器、反応器に装入物を送る手段、そして再生
装置を有する、流動接触分解法における触媒回収エキス
パンダーを作置するバイパス制両方法において、多麺の粒状物を含有する恐れのある燃焼ガスを該再生装
置から触媒回収エキスパンダーに送る工程と、該エキス
パンダーに送られる燃焼ガスの粒状物濃度を感知（１５
０）する工程と、再生装置の圧力条件を感知（６１）す
る工程と、粒状物濃度が所定レベルに達したときに、バ
イパス管路（２７０）内の流れを調節して粒状物がエキ
スパンダーに流れ込むのを防ぐ工程と、そして圧力条件
が所定値に達したときに、装入物の供給手段（１１１ａ
）を閉じて、流動接触分解法の運転を中止する工程とか
らなることを特徴とする上記バイパス制御方法。（力　ｍ焼ガスの該エキスパンダーへの供Ｍ工程におい
て、垂直下方に延びる部分と９００ベンドを有し、この
ベンドのほぼ中間点から接線方向にバイパス管路（２７
０）を延設した、流路に該カスを送り、そしてバイパス
管路内ノｌｔすれを制御する工程において、このバイパ
ス管路内に圧力降下を起こして、この−圧力降下及び遠
心力により粒状物をバイパス管路に回すことを特徴とす
る特許請求の範囲第６項に記載のバイパス制御方法。。