JPS5866828A - 焦電体チツプ及びその製造方法 - Google Patents
焦電体チツプ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS5866828A JPS5866828A JP56166913A JP16691381A JPS5866828A JP S5866828 A JPS5866828 A JP S5866828A JP 56166913 A JP56166913 A JP 56166913A JP 16691381 A JP16691381 A JP 16691381A JP S5866828 A JPS5866828 A JP S5866828A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pyroelectric
- groove
- self
- elements
- support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、各種の赤外線センサまたは赤外線温度計等（
：使用される自己補償型の焦電体テップ及びその製造方
法（二関する。
：使用される自己補償型の焦電体テップ及びその製造方
法（二関する。
焦電体素子乞用いて赤外線検出器を構成する場合、検出
器の周囲の温度変化や外装ケース等を通して与えられる
振動等に伴うノイズン自己補償し、動作の信頼性、安定
性を確保するため、従来より自己補償型の焦電体チップ
が知られている。第１図は従来の自己補償型焦電体チッ
プを組込んだ赤外線検出器の斜視図である。焦Ｑ体テッ
プ１は、第２図にも拡大して示すように、一枚の焦電、
体素体２の同−平曲上に赤外線吸収用の電極３と自己補
償用のｉｌ電極とを間隔をおいて並設すると共【二１表
曲に削配′＠極５．４に対して共通となる共通喝極５娶
被看形成した構造となっている。この焦電体テップ１は
、セラミック等で成る絶縁断熱支持板６の一面上に接置
等の手段で向暑し、支持板６は、蓋体７と共に外装ケー
スＶ＊成するベース８上に植設したリード端子９．１０
および１１砿：よって支持する。リード端子９〜１１の
うち、リード端子９にはリード線１２によって電極５１
￥：接続し、リード端子１０にはリード線１５によって
電極４を接続し、またリード端子１１にはリード線１４
によってＩｌ電極を接続しである。なお、１５．１６は
リード端子９．１０とベース８との間に介在された絶縁
物であり、例えば絶縁ガラスによって構成されている。
器の周囲の温度変化や外装ケース等を通して与えられる
振動等に伴うノイズン自己補償し、動作の信頼性、安定
性を確保するため、従来より自己補償型の焦電体チップ
が知られている。第１図は従来の自己補償型焦電体チッ
プを組込んだ赤外線検出器の斜視図である。焦Ｑ体テッ
プ１は、第２図にも拡大して示すように、一枚の焦電、
体素体２の同−平曲上に赤外線吸収用の電極３と自己補
償用のｉｌ電極とを間隔をおいて並設すると共【二１表
曲に削配′＠極５．４に対して共通となる共通喝極５娶
被看形成した構造となっている。この焦電体テップ１は
、セラミック等で成る絶縁断熱支持板６の一面上に接置
等の手段で向暑し、支持板６は、蓋体７と共に外装ケー
スＶ＊成するベース８上に植設したリード端子９．１０
および１１砿：よって支持する。リード端子９〜１１の
うち、リード端子９にはリード線１２によって電極５１
￥：接続し、リード端子１０にはリード線１５によって
電極４を接続し、またリード端子１１にはリード線１４
によってＩｌ電極を接続しである。なお、１５．１６は
リード端子９．１０とベース８との間に介在された絶縁
物であり、例えば絶縁ガラスによって構成されている。
しかしながら、従来の自己補償型焦電体チップ１は、同
一の焦電体素体２の一平面上に赤外線吸収用の電極５と
自己補償用の電極４とを並べて設けであるため、電極５
−４間の断熱が充分でなく、相互干渉を生じてしまうと
いう難点があった。
一の焦電体素体２の一平面上に赤外線吸収用の電極５と
自己補償用の電極４とを並べて設けであるため、電極５
−４間の断熱が充分でなく、相互干渉を生じてしまうと
いう難点があった。
また、相互干渉ｔできるだけ少なくするためには、１１
極３−４間の間隔ンでさるだけ太さくしなけｎはならず
、このため焦電体素体２の表面積の利用効率が低下し、
小形化ン図るのに不利Ｃ二なる欠点もあった。
極３−４間の間隔ンでさるだけ太さくしなけｎはならず
、このため焦電体素体２の表面積の利用効率が低下し、
小形化ン図るのに不利Ｃ二なる欠点もあった。
史にｔ焦電体テップ１を絶縁断熱支持板６上Ｃ二輪極５
が対接するようＣニジて接電固定する構造であるため、
電極５の外部への導出が困難６：なること、焦一体チッ
プ１が非常に小さく、かつ薄いため、これを支持板５上
に接置する作業が困難で、量産性が低く、品質の安定し
たものを歩留まり艮く装造することが困難であること等
々の欠点があった。
が対接するようＣニジて接電固定する構造であるため、
電極５の外部への導出が困難６：なること、焦一体チッ
プ１が非常に小さく、かつ薄いため、これを支持板５上
に接置する作業が困難で、量産性が低く、品質の安定し
たものを歩留まり艮く装造することが困難であること等
々の欠点があった。
本発明は上述する従来の欠点を除去し、小形でありなが
ら、赤外線吸収部分と自己補償部分との間の相互干渉が
小さく、シかも１１極の導出、切断加工等の製造が容易
で、量産性Ｃ二冨む自己補償型の焦電体テップを提供す
ること、及びこの焦電体チップｙ１／製造するにあた嶋
バ一定尚品質のものを能率良くｔ産し得る製造方法ン提
供することを目的とする。
ら、赤外線吸収部分と自己補償部分との間の相互干渉が
小さく、シかも１１極の導出、切断加工等の製造が容易
で、量産性Ｃ二冨む自己補償型の焦電体テップを提供す
ること、及びこの焦電体チップｙ１／製造するにあた嶋
バ一定尚品質のものを能率良くｔ産し得る製造方法ン提
供することを目的とする。
上記目的を連成するため、本発明Ｃ二係る焦電体チップ
は、支持ペースの一面に凹溝を設け、該凹溝の両０ｌｌ
ｌに焦電体素子をそれぞれ装置したことを特徴とする。
は、支持ペースの一面に凹溝を設け、該凹溝の両０ｌｌ
ｌに焦電体素子をそれぞれ装置したことを特徴とする。
また、本発明６二係る焦電体テップの製造方法は、シー
ト状の、を持ペース上：：焦電体ウェハーを接置した後
、前記焦電体ウェハー側から削配叉持ベースに達する複
数本の溝を間隔をおいて設け、この後に少なくとも前記
溝間でＩｌ！′ｉ］配焦一体ウニバーと前記支持ペース
とを切断することを特徴とする。
ト状の、を持ペース上：：焦電体ウェハーを接置した後
、前記焦電体ウェハー側から削配叉持ベースに達する複
数本の溝を間隔をおいて設け、この後に少なくとも前記
溝間でＩｌ！′ｉ］配焦一体ウニバーと前記支持ペース
とを切断することを特徴とする。
以下実施例たる添付図面ン参照し、本発明の内容ン具体
的に説明する。＠３図は本発明に係る焦電体チップの斜
視図、＠４図は同じくその正面断面図である。この実施
例では、矩形平板状に形成された支持ペース１７の一面
上に、該面を略２等分する如く１条状の凹溝ＩＥｌ’設
け、該凹溝１８の両側の平面上に、該平面とほぼ等しい
平面積の焦電体素子１９．２０Ｙ：それぞれ接電固定し
である。焦電体素子１９．２０はそれぞれ赤外線吸収用
または自己補償用として使用される０例えは焦電体素子
１９Ｙ亦外碌吸収用として用いる場合は、焦電体素子２
０は自己補償用として用いる。これらの焦電体素子１９
．２０の厚み方向の両面には細極（２１，２２＋及び（
２１２４）Ｙそれぞれ設けてあり、表面側の′＠電極２
．２４を支持ベース１７上に接電固定しである。
的に説明する。＠３図は本発明に係る焦電体チップの斜
視図、＠４図は同じくその正面断面図である。この実施
例では、矩形平板状に形成された支持ペース１７の一面
上に、該面を略２等分する如く１条状の凹溝ＩＥｌ’設
け、該凹溝１８の両側の平面上に、該平面とほぼ等しい
平面積の焦電体素子１９．２０Ｙ：それぞれ接電固定し
である。焦電体素子１９．２０はそれぞれ赤外線吸収用
または自己補償用として使用される０例えは焦電体素子
１９Ｙ亦外碌吸収用として用いる場合は、焦電体素子２
０は自己補償用として用いる。これらの焦電体素子１９
．２０の厚み方向の両面には細極（２１，２２＋及び（
２１２４）Ｙそれぞれ設けてあり、表面側の′＠電極２
．２４を支持ベース１７上に接電固定しである。
上述のように、支持ペース１７上に凹溝１８を設け、そ
の両側に焦電体系子１９．２０をそれぞれ装置する構造
であると、凹溝１８が優れた断熱層として機能すること
、焦一体素子１９−２０間の実實的な沿面距離が、両者
１９−２０間の空間距離Ｃ凹溝１８の幅）に対して凹溝
１８の深さを２倍した長さを加算した寸法まで拡大され
ることから、焦電体素子１９−２０間の相互干渉が非常
に小さくなｉハノイズに対する自己補償作用、動作の信
頼性及び安定性が同上する。しかも、焦電体系子１９−
２０間の空間距離を短かくしても、凹溝１８の泳さを適
当（：選定することにより、焦電体系子１９−２０間の
笑實的な沿面距離を増大させることもでさるから、小形
でありながら、焦電体系子１９−２０間の相互干渉の非
常に小さい焦電体チップを実現することができる。また
、支持ペース１７の半面の略全曲を利用して焦電体テッ
プ１９．２０を装着することができるので、支持ペース
１７の平面の利用効率が高くな壷ハよりｍ−の小形化が
可能になる。更に、無電体素子１９％２０の全面を支持
ベース１７で支える構造であるので、支持安定性が高く
、機械的強度が大で、振動、衡撃に対して強い焦電体チ
ップを実現することができる。
の両側に焦電体系子１９．２０をそれぞれ装置する構造
であると、凹溝１８が優れた断熱層として機能すること
、焦一体素子１９−２０間の実實的な沿面距離が、両者
１９−２０間の空間距離Ｃ凹溝１８の幅）に対して凹溝
１８の深さを２倍した長さを加算した寸法まで拡大され
ることから、焦電体素子１９−２０間の相互干渉が非常
に小さくなｉハノイズに対する自己補償作用、動作の信
頼性及び安定性が同上する。しかも、焦電体系子１９−
２０間の空間距離を短かくしても、凹溝１８の泳さを適
当（：選定することにより、焦電体系子１９−２０間の
笑實的な沿面距離を増大させることもでさるから、小形
でありながら、焦電体系子１９−２０間の相互干渉の非
常に小さい焦電体チップを実現することができる。また
、支持ペース１７の半面の略全曲を利用して焦電体テッ
プ１９．２０を装着することができるので、支持ペース
１７の平面の利用効率が高くな壷ハよりｍ−の小形化が
可能になる。更に、無電体素子１９％２０の全面を支持
ベース１７で支える構造であるので、支持安定性が高く
、機械的強度が大で、振動、衡撃に対して強い焦電体チ
ップを実現することができる。
前記支持ベース１７は導電性焼結体で構成するのが望ま
しい。この場合の導電性焼結体としては、例えは導電性
フェライト等の酸化物焼結体が適当である。支持ペース
１７を導電性焼結体で構成すると、次のような効果を得
ることができるからである。
しい。この場合の導電性焼結体としては、例えは導電性
フェライト等の酸化物焼結体が適当である。支持ペース
１７を導電性焼結体で構成すると、次のような効果を得
ることができるからである。
（イ１ 焦電体素子１９．２０を導電性焼結体を用いて
支持べ、−ス１７上（二接着することによ蚤ハ支持べ轡
ス１７を焦電体素子１９．２０の各義ｔｈｌ電極２２．
２４区二対するリード導体として兼用することができる
。このため、＆ｔｈ］９ＪＪの′＃Ａ他２２．２４の導
出が非常に容易になる。
支持べ、−ス１７上（二接着することによ蚤ハ支持べ轡
ス１７を焦電体素子１９．２０の各義ｔｈｌ電極２２．
２４区二対するリード導体として兼用することができる
。このため、＆ｔｈ］９ＪＪの′＃Ａ他２２．２４の導
出が非常に容易になる。
（ロ）焦電体素子１９．２０と支持ペース１７とが共に
焼結体となるから、同一の刃物を用いて。
焼結体となるから、同一の刃物を用いて。
同一工程内で、切削加工を施すことができる０このため
、量産性が同上する〇 （ハ）支持ペース１７が焼結体であると断熱性が向上す
る０このため、焦電体素子１９．２０の相互干渉が抑制
されると共に、低周波での応答性が向上する。
、量産性が同上する〇 （ハ）支持ペース１７が焼結体であると断熱性が向上す
る０このため、焦電体素子１９．２０の相互干渉が抑制
されると共に、低周波での応答性が向上する。
に）支持ペース１７が焼結体であると、凹溝１８の加工
が容易である＠ 第５図は不発明に係る焦電体チップを組込んだ赤外線検
出器の斜視図である。図に８いて、第１因と同一の参照
符号は同一性ある構成部分を示している・この実施例は
、支持ペース１７を導電性焼結体で構成した場合を示し
、支持ペース１７を導電性焼結体を用いて金属で成るペ
ース８上に直接接電した構造となっている０ペース８に
は、アース端子１１を導通接続させてあり、焦電体素子
１９．２０の各電極２２．２４は支持ペース１７、ペー
ス８を介してアース端子１１から外部へ導出される。
が容易である＠ 第５図は不発明に係る焦電体チップを組込んだ赤外線検
出器の斜視図である。図に８いて、第１因と同一の参照
符号は同一性ある構成部分を示している・この実施例は
、支持ペース１７を導電性焼結体で構成した場合を示し
、支持ペース１７を導電性焼結体を用いて金属で成るペ
ース８上に直接接電した構造となっている０ペース８に
は、アース端子１１を導通接続させてあり、焦電体素子
１９．２０の各電極２２．２４は支持ペース１７、ペー
ス８を介してアース端子１１から外部へ導出される。
次に、第６図（ａ）〜（ｆ）を参照して、不発明に係る
焦電体チップの製造方法を説明する。
焦電体チップの製造方法を説明する。
まず、第６図（ａ）に示すように、分極軸に垂直な両面
に電極２５．２６を形成した焦電体ウェハー２７と、こ
れとほぼ同一軸、同一長さのシート状の支持ペース２８
とを用意し、焦電体ウニ八−２７または支持ペース２８
の片面に導電性接着剤２９を塗布し、両者２７．２８を
第６図（ｂｌに示すように片ｉｉｌ接看接着口前記支持
ベース２８は前述した如く、導電性焼結体で構成するこ
とが望ましい。
に電極２５．２６を形成した焦電体ウェハー２７と、こ
れとほぼ同一軸、同一長さのシート状の支持ペース２８
とを用意し、焦電体ウニ八−２７または支持ペース２８
の片面に導電性接着剤２９を塗布し、両者２７．２８を
第６図（ｂｌに示すように片ｉｉｌ接看接着口前記支持
ベース２８は前述した如く、導電性焼結体で構成するこ
とが望ましい。
この後、支持ペース２８のもう一方の面を結電テープ等
によって固定するなどして、′ｔｉＪ＆６図（ｃ）に示
す如く、焦電体ウェハー２７側より、適当な間隔をあけ
て、一方向に、複数本の溝３０を゛切削加工によって形
成する＠溝３０の深さは、少なくとも導電性接着剤２９
を超えて、支持ペース２８に達する深さにする・この場
合、支持ペース２８を焼結体で構成すると、焦電体ウェ
ハー２７と支持ペース２８とを同一の刃物で切削するこ
とができるので、量産性が非常に高（なる。
によって固定するなどして、′ｔｉＪ＆６図（ｃ）に示
す如く、焦電体ウェハー２７側より、適当な間隔をあけ
て、一方向に、複数本の溝３０を゛切削加工によって形
成する＠溝３０の深さは、少なくとも導電性接着剤２９
を超えて、支持ペース２８に達する深さにする・この場
合、支持ペース２８を焼結体で構成すると、焦電体ウェ
ハー２７と支持ペース２８とを同一の刃物で切削するこ
とができるので、量産性が非常に高（なる。
次に、第６図（ｄ）に示すように、隣接する溝６０−３
０間を切断加工３１し、更に第６図（ｅ）に示すように
、溝６０と直交する方向に切断６２することにより、第
６図＋ｆ）に示すような本発明に係る焦電体チップが得
られる◎この切断加工に８いても、支持ペース２８が焼
結体であると、焦電体ウニ八−２７と支持ペース２８と
を同一の刃物で切断することができるので、切断加工作
業が容易になり、量産性が向上する◎ このように、不発明に係る製造方法は、長さ、幅の大き
い焦電体ウェハー２７と支持ペース２８とを接電し、こ
れに切削、切断加工を施すだけで良いので、一定尚品質
の焦電体テップを量産し得る利点がある。また、焦電体
ウェハー２７は、感度を向上させるため、５０ｐｍ以下
の極薄にする必要があり、このような極薄のものを単独
で扱うことは非常に困難であるが、不発明に８いては。
０間を切断加工３１し、更に第６図（ｅ）に示すように
、溝６０と直交する方向に切断６２することにより、第
６図＋ｆ）に示すような本発明に係る焦電体チップが得
られる◎この切断加工に８いても、支持ペース２８が焼
結体であると、焦電体ウニ八−２７と支持ペース２８と
を同一の刃物で切断することができるので、切断加工作
業が容易になり、量産性が向上する◎ このように、不発明に係る製造方法は、長さ、幅の大き
い焦電体ウェハー２７と支持ペース２８とを接電し、こ
れに切削、切断加工を施すだけで良いので、一定尚品質
の焦電体テップを量産し得る利点がある。また、焦電体
ウェハー２７は、感度を向上させるため、５０ｐｍ以下
の極薄にする必要があり、このような極薄のものを単独
で扱うことは非常に困難であるが、不発明に８いては。
これを支持ペース２８によりて裏面側から支えた状態で
処理できるので、製造工程に３ける取扱いが非常に容易
になり、生産性が向上する・以上述べたように、不発明
に係る焦電体チップは、支持ペースの一面に凹溝を設け
、該凹溝の両側に焦電体素子をそれぞれ製雪したことを
特徴とするから、小形でありながら、赤外線吸収部分と
自己補償部分との間の相互干渉が小さく、しかも電極の
導出、切断加工等の製造が容易で、ｔｇ性に富む自己補
償型の焦電体チップを提供することができる口 また、不発明に係る製造方法は、シート状の支持ペース
上に焦電体ウェハーを接宿した後、前記焦電体ウェハー
側から前記支持ペースに達する複数本の溝を間隔を８い
て設け、この後に少なくとも前記溝間で前記焦電体ウェ
ハーと前記支持ベースとを切断することを特徴とするか
ら、一定高品質の自己補償型の焦電体チップを能率良く
量産することができる。
処理できるので、製造工程に３ける取扱いが非常に容易
になり、生産性が向上する・以上述べたように、不発明
に係る焦電体チップは、支持ペースの一面に凹溝を設け
、該凹溝の両側に焦電体素子をそれぞれ製雪したことを
特徴とするから、小形でありながら、赤外線吸収部分と
自己補償部分との間の相互干渉が小さく、しかも電極の
導出、切断加工等の製造が容易で、ｔｇ性に富む自己補
償型の焦電体チップを提供することができる口 また、不発明に係る製造方法は、シート状の支持ペース
上に焦電体ウェハーを接宿した後、前記焦電体ウェハー
側から前記支持ペースに達する複数本の溝を間隔を８い
て設け、この後に少なくとも前記溝間で前記焦電体ウェ
ハーと前記支持ベースとを切断することを特徴とするか
ら、一定高品質の自己補償型の焦電体チップを能率良く
量産することができる。
第１図は従来の焦電体チップを組込んだ赤外線検出器の
斜視図、第２因は従来の焦電体チップの正面図、第６図
は本発明に係る焦電体チップの斜視図、第４図は同じく
その正面断面図、第５図は不発明に係る焦電体チップを
組込んだ赤外線検出器の斜視図、第６図（ａ）〜（ｆ）
は不発明に係る製造方法を示す図である０ １７ ・・・支持ペース １８ ・・・凹溝 １９．２０ ・・・焦電体素子 第１図 第２図 − 第３図 ８ 第４図 片：６ （０） （ｂ） （Ｃ） （ｄ）
斜視図、第２因は従来の焦電体チップの正面図、第６図
は本発明に係る焦電体チップの斜視図、第４図は同じく
その正面断面図、第５図は不発明に係る焦電体チップを
組込んだ赤外線検出器の斜視図、第６図（ａ）〜（ｆ）
は不発明に係る製造方法を示す図である０ １７ ・・・支持ペース １８ ・・・凹溝 １９．２０ ・・・焦電体素子 第１図 第２図 − 第３図 ８ 第４図 片：６ （０） （ｂ） （Ｃ） （ｄ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）支持ベースの一面に凹溝を設け、該凹溝の両側に
焦電体素子を装着したこと全特徴とする焦電体テップ。 （２） 前記支持ベースは、導電性焼結体で成ること
全特徴とする特許請求の範囲第１項Ｃ：記戦の焦電体チ
ップ。 （５１前記焦瑠体素子は、電極の一方ｖ４亀性接看材に
よって前記支持ペース上に接着したことな特徴とする特
許請求の範囲第２項に記載の焦一体チップ。 （４）シート状の支持ベース上に焦電体ウェハーＹ接着
した後、削記焦亀体ウェハー側から肋記支持ベース（二
３！！する複数本の溝？間隔をおいて設け、その後に少
なくともｉＱ配溝間で前記叉持ペースと前記焦亀体ウェ
ハーとを切１ｒＴることを特徴とする焦電体テップの製
造方法。 （５１前記支持ベースは導電性焼結体で構成し。 該支持ベースとｌ￥ｉ］配焦亀体ウェハーとは導電性焼
結体で接着すること全特徴とする特許請求の範囲第４項
Ｃ：記載の焦電体チップの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56166913A JPS5866828A (ja) | 1981-10-17 | 1981-10-17 | 焦電体チツプ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56166913A JPS5866828A (ja) | 1981-10-17 | 1981-10-17 | 焦電体チツプ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5866828A true JPS5866828A (ja) | 1983-04-21 |
| JPH0219891B2 JPH0219891B2 (ja) | 1990-05-07 |
Family
ID=15839959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56166913A Granted JPS5866828A (ja) | 1981-10-17 | 1981-10-17 | 焦電体チツプ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5866828A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4532424A (en) * | 1983-04-25 | 1985-07-30 | Rockwell International Corporation | Pyroelectric thermal detector array |
| US4542294A (en) * | 1982-08-10 | 1985-09-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Infrared detector and method of producing the same |
| US4593456A (en) * | 1983-04-25 | 1986-06-10 | Rockwell International Corporation | Pyroelectric thermal detector array |
| JPH06186083A (ja) * | 1993-03-24 | 1994-07-08 | Murata Mfg Co Ltd | 一次元焦電型センサアレイ |
| US6121615A (en) * | 1996-09-06 | 2000-09-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Infrared radiation sensitive device |
| WO2018012418A1 (ja) * | 2016-07-11 | 2018-01-18 | 株式会社村田製作所 | 焦電センサおよび焦電センサの製造方法 |
-
1981
- 1981-10-17 JP JP56166913A patent/JPS5866828A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4542294A (en) * | 1982-08-10 | 1985-09-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Infrared detector and method of producing the same |
| US4532424A (en) * | 1983-04-25 | 1985-07-30 | Rockwell International Corporation | Pyroelectric thermal detector array |
| US4593456A (en) * | 1983-04-25 | 1986-06-10 | Rockwell International Corporation | Pyroelectric thermal detector array |
| JPH06186083A (ja) * | 1993-03-24 | 1994-07-08 | Murata Mfg Co Ltd | 一次元焦電型センサアレイ |
| US6121615A (en) * | 1996-09-06 | 2000-09-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Infrared radiation sensitive device |
| WO2018012418A1 (ja) * | 2016-07-11 | 2018-01-18 | 株式会社村田製作所 | 焦電センサおよび焦電センサの製造方法 |
| JPWO2018012418A1 (ja) * | 2016-07-11 | 2019-03-28 | 株式会社村田製作所 | 焦電センサおよび焦電センサの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0219891B2 (ja) | 1990-05-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2836878A (en) | Electric devices employing semiconductors | |
| US2595475A (en) | Electrode support for semiconductor devices | |
| US4009516A (en) | Pyroelectric detector fabrication | |
| US4367408A (en) | Pyroelectric type infrared radiation detecting device | |
| JPH0219891B2 (ja) | ||
| JPS60175476A (ja) | 集積化半導体装置の製造方法 | |
| JP3186603B2 (ja) | 焦電型赤外線センサ素子 | |
| JPH02141833U (ja) | ||
| JPS6221954Y2 (ja) | ||
| US4183126A (en) | Process for preparing quartz oscillator | |
| JP2541863B2 (ja) | 焦電型赤外線検出器 | |
| JPS6146975B2 (ja) | ||
| JPH0129413B2 (ja) | ||
| JPS59112236A (ja) | 赤外線検出器 | |
| JPH0835880A (ja) | 赤外線検出器 | |
| JPS6120526Y2 (ja) | ||
| JPH089935Y2 (ja) | 水晶振動子の電極構造 | |
| JPS6063428A (ja) | パイロ検出器 | |
| JPS6032977B2 (ja) | 半導体外囲器 | |
| JPH0627948Y2 (ja) | 高周波グロー放電装置の電極構造 | |
| JPH0447633Y2 (ja) | ||
| JPS5927059Y2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPS6223129Y2 (ja) | ||
| JPS6216573B2 (ja) | ||
| JPH0570024U (ja) | 水晶振動子 |