JPS5867005A - 磁性体の微細処理方法 - Google Patents
磁性体の微細処理方法Info
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- JPS5867005A JPS5867005A JP56165357A JP16535781A JPS5867005A JP S5867005 A JPS5867005 A JP S5867005A JP 56165357 A JP56165357 A JP 56165357A JP 16535781 A JP16535781 A JP 16535781A JP S5867005 A JPS5867005 A JP S5867005A
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- Japan
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- magnetic body
- magnetic
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁性体の微細加工方法に関するものである。
磁気異方性の一部を或す、成長誘導磁気異方性は）磁性
体の作成時に発生するものであ）、成長誘導磁気異方性
を変化させることにより、磁気異方性を制御することは
、各種磁性体素子の構成に重要なものである〇 従来、磁性体の成長誘導磁気異方性を低下させる方法と
しては、主に高温度の炉の中で加熱する方法が用いられ
てきた。しかし、この方法では、磁性体全体の温度が一
様に上昇するため磁性体の一部分の成長誘導磁気異方性
を低下さ（ることは不可能であった。又レーザ光を用い
て、磁性体の温度を、非常に短い時間内ｃ〜ｌ０ｍ５）
に上昇・下降させ、急激な冷却効果によって、磁気的性
質の変化を得る方法も知られているが、この方法では、
磁気異方性の変化は、殆ど無視される程度の量であった
。
体の作成時に発生するものであ）、成長誘導磁気異方性
を変化させることにより、磁気異方性を制御することは
、各種磁性体素子の構成に重要なものである〇 従来、磁性体の成長誘導磁気異方性を低下させる方法と
しては、主に高温度の炉の中で加熱する方法が用いられ
てきた。しかし、この方法では、磁性体全体の温度が一
様に上昇するため磁性体の一部分の成長誘導磁気異方性
を低下さ（ることは不可能であった。又レーザ光を用い
て、磁性体の温度を、非常に短い時間内ｃ〜ｌ０ｍ５）
に上昇・下降させ、急激な冷却効果によって、磁気的性
質の変化を得る方法も知られているが、この方法では、
磁気異方性の変化は、殆ど無視される程度の量であった
。
本発明は、従来の方法の欠点を解消するためになされた
もので、磁性体にレーザ光を照射し希望する磁気異方性
の異なったパターンを簡単に形成する方法を提供するも
のである０本発明に至った技術的経緯を簡単に説明する
。
もので、磁性体にレーザ光を照射し希望する磁気異方性
の異なったパターンを簡単に形成する方法を提供するも
のである０本発明に至った技術的経緯を簡単に説明する
。
本発明者は、磁性体にレーザ光を照射し、そ“の磁気的
性質の変化について種々研究を進めてきた結果レーサ゛
光を照射した部分の成長誘導磁気異方性が低下すること
を見出し、この方法を用いることによって、磁性体に磁
気異方性の異なったパターンを形成しうることが判明し
、本発明に至ったものである０ 以下、本発明につ≠て説明する。第１図は本発明のため
の装置の原理図である０移動台１の上に置かれた炉２の
中に、磁性体８を置き、レーザ４の光をレンズ５で集光
し、磁性体８に照射する。移動台ｌは磁性体８に磁気異
方性の異なるパターンを形成する場合に用いられ、目的
によっては不要である。又炉２は、レーザ光の照射によ
り磁性体８の温度が局所的に上昇し１周囲との熱膨張の
差によって歪が生ずるのを防止するために、磁性体８の
全体の温度を適当な温度に保つために用いられるもので
あり、炉２自体は本質的なものではない。レーザ４／ｆ
ｉ、磁性体８の温度を上昇させるに十分な光出力のある
ものであれば、何でも良い。炉２の温度、レーザ４の光
出力およびレンズ５の磁性体８からの距離を変化させ、
磁性体８の光が照射されている部分の大きさと温度を適
当に選び、一定の時間レーザ光の照射を行なった後、磁
性体８の温度を下げる。温度が高いほど、一定量の磁気
異方性）変化を得るに必要な時間は短くなるので、磁性
体８の破損が起こる以下の適当な温度を選ぶ。上記の構
成に於て、磁性体８のレーザ光が照射された部分は、レ
ーザ光を吸収することにより、その温度を上昇させる。
性質の変化について種々研究を進めてきた結果レーサ゛
光を照射した部分の成長誘導磁気異方性が低下すること
を見出し、この方法を用いることによって、磁性体に磁
気異方性の異なったパターンを形成しうることが判明し
、本発明に至ったものである０ 以下、本発明につ≠て説明する。第１図は本発明のため
の装置の原理図である０移動台１の上に置かれた炉２の
中に、磁性体８を置き、レーザ４の光をレンズ５で集光
し、磁性体８に照射する。移動台ｌは磁性体８に磁気異
方性の異なるパターンを形成する場合に用いられ、目的
によっては不要である。又炉２は、レーザ光の照射によ
り磁性体８の温度が局所的に上昇し１周囲との熱膨張の
差によって歪が生ずるのを防止するために、磁性体８の
全体の温度を適当な温度に保つために用いられるもので
あり、炉２自体は本質的なものではない。レーザ４／ｆ
ｉ、磁性体８の温度を上昇させるに十分な光出力のある
ものであれば、何でも良い。炉２の温度、レーザ４の光
出力およびレンズ５の磁性体８からの距離を変化させ、
磁性体８の光が照射されている部分の大きさと温度を適
当に選び、一定の時間レーザ光の照射を行なった後、磁
性体８の温度を下げる。温度が高いほど、一定量の磁気
異方性）変化を得るに必要な時間は短くなるので、磁性
体８の破損が起こる以下の適当な温度を選ぶ。上記の構
成に於て、磁性体８のレーザ光が照射された部分は、レ
ーザ光を吸収することにより、その温度を上昇させる。
その−ため、磁性体８の成長誘導磁気異方性は、温度お
よび磁性体δの種類、作成方法に依存した速度で減少す
る。よってレーザ４の光出力、炉２の温度、レンズ５の
磁性体８からの距離およびレーザ光の照射時間を適当に
選ぶことにより、希望する量の磁気異方性の変化を、希
望する大きさの部分に起こすことができる。更に移動台
１により、磁気異方性の異なるパターンを形成できる０
次に本発明による実施例について説明する。
よび磁性体δの種類、作成方法に依存した速度で減少す
る。よってレーザ４の光出力、炉２の温度、レンズ５の
磁性体８からの距離およびレーザ光の照射時間を適当に
選ぶことにより、希望する量の磁気異方性の変化を、希
望する大きさの部分に起こすことができる。更に移動台
１により、磁気異方性の異なるパターンを形成できる０
次に本発明による実施例について説明する。
本実施例で用いた磁性体は、 Ｇｄａ Ｇａｓ （ｈｓ
基板の両面に（ＹＢｉ）ｓ ｆｆｅＧａ） １１０１１
を液相エピタキシー成長させたものであり、成長誘導磁
気異方性に帰因する、基板面に垂直な一軸磁気異方性を
持つものである。磁性体を１ｏｏｏ″Ｃに保たれた炉・
２の中ＫＩき、アルゴンイオン・レーザの３Ｗの光を
、磁性体から２０！；’Ｘの距離に置いた焦点距離２０
０％ のレンズで集光し、２分間照射した。第２図は
、ファラデー効果を利用して求めた、磁性体の偏光能の
空間分布を、レーザ光が照射された部分を横断する直線
に沿って示したものである。レーザ光の照射された部分
６の偏光能は、レーザ光の照射されない部分７の偏光能
の振巾の中間にある。このことは、レーザ光の照射され
た部分の磁化が、レーザ光の照射されなかった部分の磁
化に比べ、大畠〈面内に傾いていることを示している。
基板の両面に（ＹＢｉ）ｓ ｆｆｅＧａ） １１０１１
を液相エピタキシー成長させたものであり、成長誘導磁
気異方性に帰因する、基板面に垂直な一軸磁気異方性を
持つものである。磁性体を１ｏｏｏ″Ｃに保たれた炉・
２の中ＫＩき、アルゴンイオン・レーザの３Ｗの光を
、磁性体から２０！；’Ｘの距離に置いた焦点距離２０
０％ のレンズで集光し、２分間照射した。第２図は
、ファラデー効果を利用して求めた、磁性体の偏光能の
空間分布を、レーザ光が照射された部分を横断する直線
に沿って示したものである。レーザ光の照射された部分
６の偏光能は、レーザ光の照射されない部分７の偏光能
の振巾の中間にある。このことは、レーザ光の照射され
た部分の磁化が、レーザ光の照射されなかった部分の磁
化に比べ、大畠〈面内に傾いていることを示している。
第３図には、レーザ光の照射されなかった部分の磁化曲
線を、又第１図にはレーザ光の照射された部分の磁化曲
線を示した。飽和磁化の大きさく磁化曲線の縦軸の振巾
に比例する）は、レーザ光の照射された部分と、照射さ
れなかった部分とでは、殆ど変化がない。よって、レー
ザ光が照射された部分で、成長誘導異方性によ−る一軸
磁気異方性が変化し、その部分の磁化が面内方向に大き
く傾いたことがわかる。
線を、又第１図にはレーザ光の照射された部分の磁化曲
線を示した。飽和磁化の大きさく磁化曲線の縦軸の振巾
に比例する）は、レーザ光の照射された部分と、照射さ
れなかった部分とでは、殆ど変化がない。よって、レー
ザ光が照射された部分で、成長誘導異方性によ−る一軸
磁気異方性が変化し、その部分の磁化が面内方向に大き
く傾いたことがわかる。
第５図は７アテデ〜効果を利用してＩｌ！測したレーザ
光の照射された部分の磁気ドメインを示す顕微鏡写真で
ある。レーザ光の照射された部分がコントラストの弱い
スポット８として見られる。
光の照射された部分の磁気ドメインを示す顕微鏡写真で
ある。レーザ光の照射された部分がコントラストの弱い
スポット８として見られる。
以上述べたように、本発明は磁性体にレーザ光を照射す
ることにより、希望する量の磁気異方性の変化を、希望
する大きさの部分に起こすことができるものであり、こ
れまでに知られていない、全く新しい技術である。本発
明は、光アイソレータ、磁気バブル、磁気メモリなどの
各種素子の構成に大きく貢献するものである。
ることにより、希望する量の磁気異方性の変化を、希望
する大きさの部分に起こすことができるものであり、こ
れまでに知られていない、全く新しい技術である。本発
明は、光アイソレータ、磁気バブル、磁気メモリなどの
各種素子の構成に大きく貢献するものである。
ｌＩ１図は、本発明のための装置の原理図、第２図は、
本発明の方法により得られた成長誘導磁気異方性の低下
した部分の偏光能を、レーザ光が照射されなかった部分
と共に示す図、第３図は、レーザ光を照射していない部
分の磁化曲線、第１／−図は、本発明の方法により得ら
れた、成長誘導磁気異方性の低下した部分の磁化曲線、
Ｃ第３７１Ｊと第１図の磁化＃１線の縦軸のスケールは
同一である）、第５図は、第２図に示した偏光能の空間
分布に対応する顕ｇ１鏡写真である〇図中、１ｔＩ′ｉ
移動台、２は炉、８は磁性体、会はレーザ、５はレンズ
、６はレーザ光の照射された部分、７はレーザ光の照射
されなかった部分、８は成長誘導磁気異方性の低下のた
めに、磁化が、その周囲の磁化に較べ、大きく面内方向
に傾いた領域である。 カ２図 ７３図 第４図
本発明の方法により得られた成長誘導磁気異方性の低下
した部分の偏光能を、レーザ光が照射されなかった部分
と共に示す図、第３図は、レーザ光を照射していない部
分の磁化曲線、第１／−図は、本発明の方法により得ら
れた、成長誘導磁気異方性の低下した部分の磁化曲線、
Ｃ第３７１Ｊと第１図の磁化＃１線の縦軸のスケールは
同一である）、第５図は、第２図に示した偏光能の空間
分布に対応する顕ｇ１鏡写真である〇図中、１ｔＩ′ｉ
移動台、２は炉、８は磁性体、会はレーザ、５はレンズ
、６はレーザ光の照射された部分、７はレーザ光の照射
されなかった部分、８は成長誘導磁気異方性の低下のた
めに、磁化が、その周囲の磁化に較べ、大きく面内方向
に傾いた領域である。 カ２図 ７３図 第４図
Claims (1)
- 磁性体にレーザ光を照射するととによシ、前記磁性体の
成長誘導磁気異方性を低下せしめることを特徴とする磁
性体の微細加工方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56165357A JPS5867005A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 磁性体の微細処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56165357A JPS5867005A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 磁性体の微細処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5867005A true JPS5867005A (ja) | 1983-04-21 |
| JPS6222243B2 JPS6222243B2 (ja) | 1987-05-16 |
Family
ID=15810824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56165357A Granted JPS5867005A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 磁性体の微細処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5867005A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2611970A1 (fr) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Thomson Csf | Procede de realisation d'une tete magnetique en couches minces et application a une tete d'enretistrement/lecture |
| US5601662A (en) * | 1989-06-30 | 1997-02-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of introducing magnetic anisotropy into magnetic material |
-
1981
- 1981-10-16 JP JP56165357A patent/JPS5867005A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2611970A1 (fr) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Thomson Csf | Procede de realisation d'une tete magnetique en couches minces et application a une tete d'enretistrement/lecture |
| US5601662A (en) * | 1989-06-30 | 1997-02-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of introducing magnetic anisotropy into magnetic material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6222243B2 (ja) | 1987-05-16 |
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