JPS586712B2 - 耐熱性高強度接合体の製造方法 - Google Patents
耐熱性高強度接合体の製造方法Info
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- JPS586712B2 JPS586712B2 JP51077077A JP7707776A JPS586712B2 JP S586712 B2 JPS586712 B2 JP S586712B2 JP 51077077 A JP51077077 A JP 51077077A JP 7707776 A JP7707776 A JP 7707776A JP S586712 B2 JPS586712 B2 JP S586712B2
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- carbon
- materials
- silicon
- metal
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属材料、セラミックス材料、力一ボン材料
のうちから選ばれる何れか少なくとも1種の材料の2個
以上を接合剤を用いて接合させてなる接合体の製造方法
に関するものである。
のうちから選ばれる何れか少なくとも1種の材料の2個
以上を接合剤を用いて接合させてなる接合体の製造方法
に関するものである。
特に本発明は、接合剤として炭素とケイ素を主な骨格成
分とする有機ケイ素高分子化合物を用いることを特徴と
する耐熱性高強度接合体の製造方法に関するものである
。
分とする有機ケイ素高分子化合物を用いることを特徴と
する耐熱性高強度接合体の製造方法に関するものである
。
電球、放電燈、機構部品、通信機、電子管、半導体用外
囲器、IC用基板、各種パッケージ等には、金属.セラ
ミックス、炭素などを接合させた接合体が使用されてお
り、近年さらに多くの分野での用途が拡大されつつある
。
囲器、IC用基板、各種パッケージ等には、金属.セラ
ミックス、炭素などを接合させた接合体が使用されてお
り、近年さらに多くの分野での用途が拡大されつつある
。
しかしながら従来知られた接合体の製造方法によれば優
れた耐熱性と強い接合強度を有する接合体を得ることが
困難であり、かつ製造工程が複雑であるため、その製造
コストが大きく、したがってその用途は限られていた。
れた耐熱性と強い接合強度を有する接合体を得ることが
困難であり、かつ製造工程が複雑であるため、その製造
コストが大きく、したがってその用途は限られていた。
従来の代表的な接合方法としては第1表に示すようにテ
レフンケン法、ソルダガラス法、活性金属法、Mo蒸着
法などが知られている。
レフンケン法、ソルダガラス法、活性金属法、Mo蒸着
法などが知られている。
テレフンケン法あるいはMo蒸着法によるものは接合強
度は太きいが、これらの方法は、金属以外の例えばセラ
ミックスを一旦加湿ガス中で加熱してMoなどの金属で
メタライジング(表面層の金属化処理)した上で、さら
にろう材を用いて目的とする金属とろう付けするという
複雑な工程を経ることが必要であり、製造コストが極め
て高いという欠点がある。
度は太きいが、これらの方法は、金属以外の例えばセラ
ミックスを一旦加湿ガス中で加熱してMoなどの金属で
メタライジング(表面層の金属化処理)した上で、さら
にろう材を用いて目的とする金属とろう付けするという
複雑な工程を経ることが必要であり、製造コストが極め
て高いという欠点がある。
また、ソルダガラス法はPbOAl203,CaOなど
を主成分とするソルダを例えばセラミックスと金属の間
に入れた後、加熱処理して接合する方法であるが、これ
らのソルダは最適接合温度範囲が比較的狭いので、被接
合体に合った処理温度を的確に制御する必要がある上に
、ソルダの表面状態によっても接合性能が敏感に変化す
るためソルタ泪体の品質管理が難しいという欠点を有し
ている。
を主成分とするソルダを例えばセラミックスと金属の間
に入れた後、加熱処理して接合する方法であるが、これ
らのソルダは最適接合温度範囲が比較的狭いので、被接
合体に合った処理温度を的確に制御する必要がある上に
、ソルダの表面状態によっても接合性能が敏感に変化す
るためソルタ泪体の品質管理が難しいという欠点を有し
ている。
また、活性金属法は活性金属であるTi,Zrなどとこ
れと低融点の合金を作るNi.Cu.Agなどを共晶組
成になるようにして例えばセラミックスーセラミックス
あるいはセラミックスー金属間に介装したものを、真空
中または不活性ガス中で加熱して接合体とする比較的簡
便な方法であるが、この方法により得られる接合体は第
1表に見る如く接合強度は弱く、また耐熱性も極めて劣
るため、得られた接合体の使用範囲は限られざるを得な
いという欠点があった。
れと低融点の合金を作るNi.Cu.Agなどを共晶組
成になるようにして例えばセラミックスーセラミックス
あるいはセラミックスー金属間に介装したものを、真空
中または不活性ガス中で加熱して接合体とする比較的簡
便な方法であるが、この方法により得られる接合体は第
1表に見る如く接合強度は弱く、また耐熱性も極めて劣
るため、得られた接合体の使用範囲は限られざるを得な
いという欠点があった。
本発明は、前記従来方法に見られる諸欠点を除去した耐
熱性高強度の接合体を安価に製造することのできる製造
方法を提供することを目的とするものであり、炭素のケ
イ素を主な骨格成分とする有機ケイ素高分子化合物を主
成分とする接合剤を介装された2個以上の被接合体を非
酸f性雰囲気中で高温に加熱する接合体の製造方法に関
するものである。
熱性高強度の接合体を安価に製造することのできる製造
方法を提供することを目的とするものであり、炭素のケ
イ素を主な骨格成分とする有機ケイ素高分子化合物を主
成分とする接合剤を介装された2個以上の被接合体を非
酸f性雰囲気中で高温に加熱する接合体の製造方法に関
するものである。
次に、本発明の製造方法を詳細に説明する。
本発明に使用することのできる被接合体は、800℃以
上の融点を有する金属材科、セラミックス材料、カーボ
ン材料のうちから選ばれる少くとも1種の材料の2個以
上から構成される。
上の融点を有する金属材科、セラミックス材料、カーボ
ン材料のうちから選ばれる少くとも1種の材料の2個以
上から構成される。
すなわち金属一金属、金属−セラミックス、セラミック
スーセラミックス、セラミックスーカーボン、カーボン
ー金属、カーボンーカーボンなど前記諸材料を必要によ
り炭素とケイ素を主な骨格成分とする有機ケイ素高分子
化合物を主成分とする接合剤で自在に接合して接合体を
得ることができる。
スーセラミックス、セラミックスーカーボン、カーボン
ー金属、カーボンーカーボンなど前記諸材料を必要によ
り炭素とケイ素を主な骨格成分とする有機ケイ素高分子
化合物を主成分とする接合剤で自在に接合して接合体を
得ることができる。
本発明において用いる接合剤は前述の如く炭素とケイ素
を主な骨格成分とする有機ケイ素高分子化合物を主成分
とするものであり、この有機ケイ素高分子化合物は本発
明者らが既に発明し、特許出願した下記の特願昭50〜
50223号、特願昭50〜50529号、特願昭50
〜52471号、特願昭50〜52472号、特願昭5
0〜58033号、特願昭50〜58034号、特願昭
50〜70302号、特願昭50〜70303号、特願
昭50〜77219号、特願昭50〜79972号、特
願昭50〜107371号、特願昭50〜132718
号、特願昭50〜132719号、特願昭50〜146
267号および特願昭50〜149468号の明細書に
詳細に説明されているものであり、以下にこの化合物の
製造方法を述べる。
を主な骨格成分とする有機ケイ素高分子化合物を主成分
とするものであり、この有機ケイ素高分子化合物は本発
明者らが既に発明し、特許出願した下記の特願昭50〜
50223号、特願昭50〜50529号、特願昭50
〜52471号、特願昭50〜52472号、特願昭5
0〜58033号、特願昭50〜58034号、特願昭
50〜70302号、特願昭50〜70303号、特願
昭50〜77219号、特願昭50〜79972号、特
願昭50〜107371号、特願昭50〜132718
号、特願昭50〜132719号、特願昭50〜146
267号および特願昭50〜149468号の明細書に
詳細に説明されているものであり、以下にこの化合物の
製造方法を述べる。
本発明に用いるケイ素と炭素とを主な骨格成分とする有
機ケイ素高分子比合物の出発原料として使用することの
できる有機ケイ素化合物は下記(1)〜(10)の型式
に分類されるものから選ばれる何れか4種または2種以
上からなるものである。
機ケイ素高分子比合物の出発原料として使用することの
できる有機ケイ素化合物は下記(1)〜(10)の型式
に分類されるものから選ばれる何れか4種または2種以
上からなるものである。
(1)Si−C結合のみをふくむヒ合物 シラ炭化水素
(siIahydrocarbon)とよばれるR4S
t+R3St(R’StR2)nR’SiR3などとそ
の炭素一官能性誘導体がこれに属する。
(siIahydrocarbon)とよばれるR4S
t+R3St(R’StR2)nR’SiR3などとそ
の炭素一官能性誘導体がこれに属する。
例(CH3)4Si,(CH2=CH)4St.(CH
3)38iC二CSi(CH3)a,(CH2)58i
(CH2)4,(C2H5)38icH2CH2C4(
C6H5)3sicO2H.(2)Si−C結合のほか
にSi−H結合をふくむ化合物モノー,ジー,およびト
リオルガノシランなどがこれに属する。
3)38iC二CSi(CH3)a,(CH2)58i
(CH2)4,(C2H5)38icH2CH2C4(
C6H5)3sicO2H.(2)Si−C結合のほか
にSi−H結合をふくむ化合物モノー,ジー,およびト
リオルガノシランなどがこれに属する。
例(C2H5)2Si,(CH2)5SiH2,(CH
3)3SicH2Si(CH3)2H.CICH2Si
Ha,(3)Si−Ha13結合を有するヒ合物 オル
ガノハロゲンシランである。
3)3SicH2Si(CH3)2H.CICH2Si
Ha,(3)Si−Ha13結合を有するヒ合物 オル
ガノハロゲンシランである。
例CH2二CHSsFs,C2H5SiHC12,(C
H3)2(C6CH2)SiSi(CH3)2C6.(
C6H5)3SsB2. (4)Si−N結合を有するヒ合物 シリルアミン等が
これにふくまれる。
H3)2(C6CH2)SiSi(CH3)2C6.(
C6H5)3SsB2. (4)Si−N結合を有するヒ合物 シリルアミン等が
これにふくまれる。
(5)Si−ORオルガノアルコキシ(またはアロキシ
)シランである。
)シランである。
例(CHs)2si(CH2H5)2.C2H5SiC
62(QC2H5),P−C606H4OSi(CH3
)3, (6)Si−OH結合を有する化合物 オルガノシラノ
ール類 例(C2Hs)3SiOH,(CH3)2si(OH)
2,C6HsSi(OH)s,(HO)(CH,)2s
iCH2si(CH3)2(OH). (7)Si−Si結合をふくむ化合物 例(CH3)3Stsi(CH3)2CJ,(CH3)
38iSi(CH3)3,(C6H5)38iSi(C
6H5)2si(c6H5)2cg,(8)Si−0−
Si結合をふくむ化合物 オルガノシロキサンである。
62(QC2H5),P−C606H4OSi(CH3
)3, (6)Si−OH結合を有する化合物 オルガノシラノ
ール類 例(C2Hs)3SiOH,(CH3)2si(OH)
2,C6HsSi(OH)s,(HO)(CH,)2s
iCH2si(CH3)2(OH). (7)Si−Si結合をふくむ化合物 例(CH3)3Stsi(CH3)2CJ,(CH3)
38iSi(CH3)3,(C6H5)38iSi(C
6H5)2si(c6H5)2cg,(8)Si−0−
Si結合をふくむ化合物 オルガノシロキサンである。
例(CH3)3siOsi(CH3)3,HO(CHs
)2SiOSt(CH3)20H.Ce2(CH3)S
tOS+(CH3)CIOSi(CH3)CI2,((
CaH5)2SiO)4, CH2=C(CH3)C02CH2St’(CH3)2
CH202C(CH3)(9)有機ケイ素化合物エステ
ル;シラノールと酸から形成されると考えられるエステ
ルで、(CHs)2Si(OCOCHs)2などがこれ
に属する。
)2SiOSt(CH3)20H.Ce2(CH3)S
tOS+(CH3)CIOSi(CH3)CI2,((
CaH5)2SiO)4, CH2=C(CH3)C02CH2St’(CH3)2
CH202C(CH3)(9)有機ケイ素化合物エステ
ル;シラノールと酸から形成されると考えられるエステ
ルで、(CHs)2Si(OCOCHs)2などがこれ
に属する。
(10)有機ケイ素化合物過酸化物:(CHs)3Si
00c・(CH3)3,(CH3)3si00si(C
H3)3など。
00c・(CH3)3,(CH3)3si00si(C
H3)3など。
上記(1)〜(10)の分子構造においてRはアルキル
基,アリール差を示している。
基,アリール差を示している。
本発明において、前記原料より、ケイ素と炭素とを主な
骨格成分とする有機ケイ素高分子化合物、例えば下記の
如き分子構造を有する化合物を生成させる。
骨格成分とする有機ケイ素高分子化合物、例えば下記の
如き分子構造を有する化合物を生成させる。
ニ)前記(イ)〜(ハ)記載の骨格構成を鎖状および三
次元構造のうち少なくとも一つの部分構造として含むも
のまたは(イ)(口)(ハ)の混合物。
次元構造のうち少なくとも一つの部分構造として含むも
のまたは(イ)(口)(ハ)の混合物。
前記の分子構造を有する化合物には例えば次の如きもの
がある。
がある。
nニ1,ポリ(シルメチレンシロキサン)nニ2,ポリ
(シルエチレンシロキサン)n=6,ポリ(シルフエニ
レンシロキサン)n二1,ポリ(メチレンオキシシロキ
サン)n−2,ポリ(エチレンオキシシロキサン)n=
5.ポリ(フエニレンオキシシロキサン)n=12,ポ
リ(ジフエニレンオキシシロキサン)n二1,ポリシル
メチレン n−2,ポリシルエチレン n−3,ポリシルトリメチレン r二6.ポリシレフエニレン n二12,ポリシルジフエニレン (ニ)前記(イ)〜(ハ)記載の骨格成分を鎖状、環状
および三次元構造のうち少なくとも一つの部分構造とし
て含むもの、または(イ)(ロ)(ハ)の混合物。
(シルエチレンシロキサン)n=6,ポリ(シルフエニ
レンシロキサン)n二1,ポリ(メチレンオキシシロキ
サン)n−2,ポリ(エチレンオキシシロキサン)n=
5.ポリ(フエニレンオキシシロキサン)n=12,ポ
リ(ジフエニレンオキシシロキサン)n二1,ポリシル
メチレン n−2,ポリシルエチレン n−3,ポリシルトリメチレン r二6.ポリシレフエニレン n二12,ポリシルジフエニレン (ニ)前記(イ)〜(ハ)記載の骨格成分を鎖状、環状
および三次元構造のうち少なくとも一つの部分構造とし
て含むもの、または(イ)(ロ)(ハ)の混合物。
また、本発明において使用することのできるケイ素、炭
素、水素、酸素以外の異種元素を含有する有機ケイ素高
分子化合物として下記(ホ)〜(ト)を挙げることがで
きる。
素、水素、酸素以外の異種元素を含有する有機ケイ素高
分子化合物として下記(ホ)〜(ト)を挙げることがで
きる。
(g)カルボラン核を有するポリマー
前記異種元素を含有する有機ケイ素高分子化合物は公知
の方法で合成することができる。
の方法で合成することができる。
前記公知の方法で合成される異種元素を含有する有機ケ
イ素化合物以外に、本発明者らの発明になる特願昭50
〜149468号の明細書に記載された製造方法によっ
ても製造することができる。
イ素化合物以外に、本発明者らの発明になる特願昭50
〜149468号の明細書に記載された製造方法によっ
ても製造することができる。
すなわち、前記(1)〜(10)の有機ケイ素化合物に
、下記(11)〜(19)の有機金属化合物のうちから
選ばれる少なくとも一種以上の有機金属化合物を添加し
、非酸化性雰囲気で200〜1500℃の温度範囲に加
熱してケイ素、炭素、水素、酸素以外の異種元素を含有
する有機ケイ素高分子化合物を合成することができる。
、下記(11)〜(19)の有機金属化合物のうちから
選ばれる少なくとも一種以上の有機金属化合物を添加し
、非酸化性雰囲気で200〜1500℃の温度範囲に加
熱してケイ素、炭素、水素、酸素以外の異種元素を含有
する有機ケイ素高分子化合物を合成することができる。
(11)窒素を含有する有機ケイ素化合物例(C2H5
)3SiNH2,(CH3)3SiNHSi(CH3)
3.(CHs)3si(CN),(CHs)3StNc
O,(CH3)3SiNCS (12)第I族金属を含む有機金属化合物(含配位化合
物) 例CH3Li.C2H5Na.C6H5Li.Na〔(
CH3)2Li),KCH3+AgCH3.AuC3H
g (13)第■族金属を含む有機金属化合物(含配位化合
物) 例BeC2H6,MgCH2.CaC2H6,BaC2
H6.ZnC4H10.CdC2T6.HgCH3Br
,SrC2H6(14)第■族金属を含む有機金属化合
物(含配位化合物) 例BCH502.BC3H9,AlC2H7.GaCH
30.InC2H8N,InC3H9,TIC3H9.
SC(CH3COCHCOH3)3,La(CH3CO
CHCOCH3)3,Ce(CH3COCHCOCH3
)4,Pr(CH3COCHCOCH3)3.Nd(C
H3COCHCOOCH3)3、Sm(CH3COCH
COCH3)3.Eu(CH3COCHCOCH3)3
.Gd(CH3COCHCOCH3)3、Tb(CH3
COCHCOCH3)3,Py(CH3COCHCOC
H3)3.Ho(CH3COCHCOCH3)3.Er
(CH3COCH3)3,Tm(CH3COCHCOC
H3)3,Yb(CH3COCHCOCH3)3,Ln
(CH3COCHCOCH3)3 (15)第■族金属を含む有機金属化合物(含配位化合
物) 例HfC1oH10Cl2,CaC2H8,SnC2H
8,PbC2H8(16)第V族金属を含む有機金属化
合物(含配泣化合物) 例VC606,NbC606.Tac606,C4H4
N,PC2H505.PC2H7.ASCH3S.As
C2H7,SbC2H7,B+C3Hg (17)第■族金属を含む有機金属化合物(含配位化合
物) 例WC4H6C3.C2H5SH,SeCH2.TeC
2H6,PoC2H6 (18)第■族金属を含む有機金属化合物(含配位化合
物) 例MnC12H10,TCCIOHIO+ReC6H3
05(19)第■族金属を含む有機金属化合物(含配位
化合物) 例FeC10H1o*CoC6H503,NtC6H1
0,RuC1oH1o,RhCgH13,PdCgH1
o,Pdc5H5cl.OsC1oH10.IrC30
3,PtC+H12 このようにして合成される前記(イ)〜(ニ)に示され
る主としてケイ素と炭素とを主な骨格成分とする有機ケ
イ素高分子化合物と、前記(ホ)〜(ト)と、(1)〜
(19)までに示される2種以上の化合物から造られる
ケイ素、炭素、水素、酸素以外の異種元素を含有する有
機ケイ素高分子化合物のうちから選ばれる少くとも一種
以上の有機ケイ素高分子化合物を、本発明の接合剤とし
て使用することができる。
)3SiNH2,(CH3)3SiNHSi(CH3)
3.(CHs)3si(CN),(CHs)3StNc
O,(CH3)3SiNCS (12)第I族金属を含む有機金属化合物(含配位化合
物) 例CH3Li.C2H5Na.C6H5Li.Na〔(
CH3)2Li),KCH3+AgCH3.AuC3H
g (13)第■族金属を含む有機金属化合物(含配位化合
物) 例BeC2H6,MgCH2.CaC2H6,BaC2
H6.ZnC4H10.CdC2T6.HgCH3Br
,SrC2H6(14)第■族金属を含む有機金属化合
物(含配位化合物) 例BCH502.BC3H9,AlC2H7.GaCH
30.InC2H8N,InC3H9,TIC3H9.
SC(CH3COCHCOH3)3,La(CH3CO
CHCOCH3)3,Ce(CH3COCHCOCH3
)4,Pr(CH3COCHCOCH3)3.Nd(C
H3COCHCOOCH3)3、Sm(CH3COCH
COCH3)3.Eu(CH3COCHCOCH3)3
.Gd(CH3COCHCOCH3)3、Tb(CH3
COCHCOCH3)3,Py(CH3COCHCOC
H3)3.Ho(CH3COCHCOCH3)3.Er
(CH3COCH3)3,Tm(CH3COCHCOC
H3)3,Yb(CH3COCHCOCH3)3,Ln
(CH3COCHCOCH3)3 (15)第■族金属を含む有機金属化合物(含配位化合
物) 例HfC1oH10Cl2,CaC2H8,SnC2H
8,PbC2H8(16)第V族金属を含む有機金属化
合物(含配泣化合物) 例VC606,NbC606.Tac606,C4H4
N,PC2H505.PC2H7.ASCH3S.As
C2H7,SbC2H7,B+C3Hg (17)第■族金属を含む有機金属化合物(含配位化合
物) 例WC4H6C3.C2H5SH,SeCH2.TeC
2H6,PoC2H6 (18)第■族金属を含む有機金属化合物(含配位化合
物) 例MnC12H10,TCCIOHIO+ReC6H3
05(19)第■族金属を含む有機金属化合物(含配位
化合物) 例FeC10H1o*CoC6H503,NtC6H1
0,RuC1oH1o,RhCgH13,PdCgH1
o,Pdc5H5cl.OsC1oH10.IrC30
3,PtC+H12 このようにして合成される前記(イ)〜(ニ)に示され
る主としてケイ素と炭素とを主な骨格成分とする有機ケ
イ素高分子化合物と、前記(ホ)〜(ト)と、(1)〜
(19)までに示される2種以上の化合物から造られる
ケイ素、炭素、水素、酸素以外の異種元素を含有する有
機ケイ素高分子化合物のうちから選ばれる少くとも一種
以上の有機ケイ素高分子化合物を、本発明の接合剤とし
て使用することができる。
以上述べた炭素とケイ素を主な骨格成分とし、必要によ
り金属元素をその骨格に含有する有機ケイ素高分子化合
物は、比較的簡便安価な製造方法により得ることができ
、このものは室温において固体または粘稠液であり、固
体状のものは300℃以上の加熱により液状となるので
、液状のもの固体状のもの何れをも本発明の接合剤とし
て使用することができる。
り金属元素をその骨格に含有する有機ケイ素高分子化合
物は、比較的簡便安価な製造方法により得ることができ
、このものは室温において固体または粘稠液であり、固
体状のものは300℃以上の加熱により液状となるので
、液状のもの固体状のもの何れをも本発明の接合剤とし
て使用することができる。
なお、被接合体は予めサンドブラスト、酸洗い、高周波
洗浄などの方法により表面を清浄にしたり、ある程度の
粗さを付加しておくことは良好な接合体を得るために有
利である,また、必要により前記有機ケイ素化合物に金
属、セラミックス、カーボンのうちから選ばれる1種ま
たは2種以上の粉粒体を被接合材の種類によって適切に
選択して添加することができる。
洗浄などの方法により表面を清浄にしたり、ある程度の
粗さを付加しておくことは良好な接合体を得るために有
利である,また、必要により前記有機ケイ素化合物に金
属、セラミックス、カーボンのうちから選ばれる1種ま
たは2種以上の粉粒体を被接合材の種類によって適切に
選択して添加することができる。
かかる粉粒体を前記有機ケイ素高分子化合物に添加した
接合剤を使用する場合には、この接合剤が加熱されると
、この接合剤中の有機ケイ素高分子化合物の熱分解過程
でSiC、遊離炭素、遊離ケイ素を生じ、ざらに粉粒体
中に金属元素がある場合にはこの金属元素と化合して金
属炭素物、金属ケイ化物を生成し、また粉粒体中にカー
ボンがある場合には、このカーボンと遊離ケイ素が化合
してさらにSiCを生成する。
接合剤を使用する場合には、この接合剤が加熱されると
、この接合剤中の有機ケイ素高分子化合物の熱分解過程
でSiC、遊離炭素、遊離ケイ素を生じ、ざらに粉粒体
中に金属元素がある場合にはこの金属元素と化合して金
属炭素物、金属ケイ化物を生成し、また粉粒体中にカー
ボンがある場合には、このカーボンと遊離ケイ素が化合
してさらにSiCを生成する。
したがって前記粉粒体を添加して接合剤の熱分解生成物
の熱膨脹率を、単に有機ケイ素高分子化合物だけからな
る接合剤の熱分解生成物すなわち主としてSiCの熱膨
脹率より大きいか、あるいは小さい熱膨脹率とすること
が必要に応じて自在に調整できるので、例えば2種の被
接合体を本発明方法により接合させる場合前記2種の被
接合体のそれぞれの熱膨脹率の中間に位する熱膨脹率に
なるように、前記接合剤中に添加する粉粒体の種類およ
び量を加減することによって、加熱と冷却が繰返されて
も剥離することが少なく、かつ高温においても接着強度
の高い接合体を製造することができる。
の熱膨脹率を、単に有機ケイ素高分子化合物だけからな
る接合剤の熱分解生成物すなわち主としてSiCの熱膨
脹率より大きいか、あるいは小さい熱膨脹率とすること
が必要に応じて自在に調整できるので、例えば2種の被
接合体を本発明方法により接合させる場合前記2種の被
接合体のそれぞれの熱膨脹率の中間に位する熱膨脹率に
なるように、前記接合剤中に添加する粉粒体の種類およ
び量を加減することによって、加熱と冷却が繰返されて
も剥離することが少なく、かつ高温においても接着強度
の高い接合体を製造することができる。
接合剤中に好適な粉粒体を好適量添加したものでは加熱
による激しい熱分解反応が粉粒体の存在によって適当に
制御されるので、SiC、遊離炭素あるいは遊離ケイ素
が金属に固溶した中間固溶体、金属炭化物、金属ケイ化
物の生成が単に加熱温度を制御して行った場合より比較
的徐々に行われるため、前記SiC、中間固溶体、金属
炭化物、金属ケイ化物の生成がより併進的に起り、これ
ら化合物が緻密に結合した接合層を形成し、かつ被接合
体と接合層との接着強度も大きいという特徴を有する。
による激しい熱分解反応が粉粒体の存在によって適当に
制御されるので、SiC、遊離炭素あるいは遊離ケイ素
が金属に固溶した中間固溶体、金属炭化物、金属ケイ化
物の生成が単に加熱温度を制御して行った場合より比較
的徐々に行われるため、前記SiC、中間固溶体、金属
炭化物、金属ケイ化物の生成がより併進的に起り、これ
ら化合物が緻密に結合した接合層を形成し、かつ被接合
体と接合層との接着強度も大きいという特徴を有する。
このような添加粉末の有機ケイ素高分子化合物に対する
添加比率は、被接合材とSiCとのぬれ性や反応性の程
度によって異なり、ぬれ性が悪い場合や反応性が激しい
場合は多量に添加する方が有利である。
添加比率は、被接合材とSiCとのぬれ性や反応性の程
度によって異なり、ぬれ性が悪い場合や反応性が激しい
場合は多量に添加する方が有利である。
このような添加粉末の好適な例としては、Ae203−
Cr系に対するCr203,TIC−Co系に対するM
o,SiC−Si3N4系に対するSi.BN−SiC
系に対するBNなどが挙げられる。
Cr系に対するCr203,TIC−Co系に対するM
o,SiC−Si3N4系に対するSi.BN−SiC
系に対するBNなどが挙げられる。
本発明によればこのような好適な添加粉末を必要に応じ
て添加することができる。
て添加することができる。
本発明によれば、前記接合剤を被接合体の間に介装した
後、真空、不活性ガス、COガス、水素ガス、有機化合
物ガスのうちから選ばれる1種または2種以上よりなる
雰囲気中において、減圧、常圧、加圧のうちいずれかの
圧力下のもとで、800〜1800℃の温度範囲で加熱
する。
後、真空、不活性ガス、COガス、水素ガス、有機化合
物ガスのうちから選ばれる1種または2種以上よりなる
雰囲気中において、減圧、常圧、加圧のうちいずれかの
圧力下のもとで、800〜1800℃の温度範囲で加熱
する。
加熱方法としては、例えば通常用いられる常気圧下の焼
結加熱法あるいはホットプレス法等を用いることができ
る。
結加熱法あるいはホットプレス法等を用いることができ
る。
前記接合剤を介装した被接合体が加熱される際に生起す
る化学反応及び変化について以下に述べる。
る化学反応及び変化について以下に述べる。
本発明で用いる有機ケイ素高分子化合物は700℃以上
の加熱により徐々にSiCと少量の遊離炭素と遊離ケイ
素とに転換し800℃以上で、この転換が完了するので
本発明における加熱温度は800℃以上が好適である。
の加熱により徐々にSiCと少量の遊離炭素と遊離ケイ
素とに転換し800℃以上で、この転換が完了するので
本発明における加熱温度は800℃以上が好適である。
次に、この加熱過程で遊離あるいは揮発する有機基など
の構成分子、離己遊離炭素および遊離ケイ素は、被接合
体の双方を強固に接合させるのに有効な、例えばぬれ性
を増大させるなどの機能を有する。
の構成分子、離己遊離炭素および遊離ケイ素は、被接合
体の双方を強固に接合させるのに有効な、例えばぬれ性
を増大させるなどの機能を有する。
特に遊離炭素と遊離ケイ素は、被接合体の一方もしくは
双方が金属の場合には、この金属の表面に炭化物、ケイ
化物を形成し接着性を高める働きをするので極めて有効
である。
双方が金属の場合には、この金属の表面に炭化物、ケイ
化物を形成し接着性を高める働きをするので極めて有効
である。
本発明の接合体の接合界面には主としてSiCのほか金
属炭化物、金属ケイ化物、前記中間固溶体などが介在し
て相互に強着結合しており、かつ被接合体に強着結合し
ており、さらに前記介在物は特に高温においても機械強
度が大きく、また耐酸化性および耐食性などにも優れて
いるので、本発明の接合体は特に高温においても有利に
使用することができる。
属炭化物、金属ケイ化物、前記中間固溶体などが介在し
て相互に強着結合しており、かつ被接合体に強着結合し
ており、さらに前記介在物は特に高温においても機械強
度が大きく、また耐酸化性および耐食性などにも優れて
いるので、本発明の接合体は特に高温においても有利に
使用することができる。
次に、本発明を実施例について説明する。
実施例 1
15φ×2OLmm3の18−8ステンレス鋼と同寸法
のSiC自己焼結体を接合する目的で、両者をサンドプ
ラストした後、有機ケイ素高分子化合物の一種であるポ
リ力ルボシラン粉末と前記ステンレス鋼の粉末とを体積
比で1対1になるよう混合したものを、上部のステンレ
スと下部のSiCの間に約1mm厚さになるよう配設し
、さらに上部ステンレスの上に圧力源として2kgの同
種ステンレスを重ねて、Ar1気圧中で1300℃、1
時間の加熱を行なった。
のSiC自己焼結体を接合する目的で、両者をサンドプ
ラストした後、有機ケイ素高分子化合物の一種であるポ
リ力ルボシラン粉末と前記ステンレス鋼の粉末とを体積
比で1対1になるよう混合したものを、上部のステンレ
スと下部のSiCの間に約1mm厚さになるよう配設し
、さらに上部ステンレスの上に圧力源として2kgの同
種ステンレスを重ねて、Ar1気圧中で1300℃、1
時間の加熱を行なった。
この接合体の接合強度の温度変化を第2表に示す。
第2表 ステンレスーSiC接合体の接合強度上表から
明らかなように、本例による接合体は室温から高温まで
その接合強度が殆ど変ヒしない温度特性に優れた接合体
である。
明らかなように、本例による接合体は室温から高温まで
その接合強度が殆ど変ヒしない温度特性に優れた接合体
である。
この接合体の接合界面をX線マイクロアナライザーによ
り分析して、各原子の分布状態を調べた結果を図に示す
。
り分析して、各原子の分布状態を調べた結果を図に示す
。
図から明らかなように、主として18−8ステンレス中
のCrが、ポリ力ルボシランから遊離したSiやCと反
応して、クロム炭化物やクロムケイ化物として接合界面
に介在し母材と強結していることが判明した。
のCrが、ポリ力ルボシランから遊離したSiやCと反
応して、クロム炭化物やクロムケイ化物として接合界面
に介在し母材と強結していることが判明した。
この介在物の存在により、接合部の強度の向上、被接合
体間の熱膨脹率の差異の緩和など極めて有利な効果がも
たらされているこさが推察された。
体間の熱膨脹率の差異の緩和など極めて有利な効果がも
たらされているこさが推察された。
かくして、本接合体は高温機械部品、高温耐摩材などの
耐熱材料として広範囲に使用されることが期待できる。
耐熱材料として広範囲に使用されることが期待できる。
実施例 2
15φ×20Lmm3のBeOと同寸法のSt3N4を
接合するため、ポリ力ルボシラン粉末に30重量%のS
i金属粉末を混合したものを両者の間に約1mmの厚さ
で配設した。
接合するため、ポリ力ルボシラン粉末に30重量%のS
i金属粉末を混合したものを両者の間に約1mmの厚さ
で配設した。
これを黒鉛製押型に設置し10−4mmHgの真空中で
200kg/cm2の圧力をかけつつ1500℃におい
て30分間ホットプレスした。
200kg/cm2の圧力をかけつつ1500℃におい
て30分間ホットプレスした。
この接合体の接合強度の温度変化を第3表に示す。
第3表 BeO−SisN4接合体の接合強度上表から
明らかなように、1000℃以上においては接合部より
もむしろBeO本体の方が破断するようになる。
明らかなように、1000℃以上においては接合部より
もむしろBeO本体の方が破断するようになる。
これは、ポリカルボシランに添加したSi粉末がBeO
と極めてぬれ性が良いため、主にポリ力ルボシランから
生成したSiCとBeOとの接合力を強める効果を有し
ているためと考えられる。
と極めてぬれ性が良いため、主にポリ力ルボシランから
生成したSiCとBeOとの接合力を強める効果を有し
ているためと考えられる。
またSi3N4とSiCは同一のSi結合により強固に
接合するので全体として優れた接合体となったものであ
る。
接合するので全体として優れた接合体となったものであ
る。
本例の如く、BeOと比較して酸化され易いSi3N4
をBeOなどの酸化物で覆うことにより、Si3N4の
有する優れた性質を酸化性雰囲気中においても発揮せし
めることができ、本発明の方法によるこのような接合体
の応用範囲は極めて広いものと期待される。
をBeOなどの酸化物で覆うことにより、Si3N4の
有する優れた性質を酸化性雰囲気中においても発揮せし
めることができ、本発明の方法によるこのような接合体
の応用範囲は極めて広いものと期待される。
実施例 3
15φX20Lの黒鉛と同寸法のTiO2を接合するた
め、約15重量%Ti元累をその骨格成分として含有す
るポリカルボシランを両者の間に約1.5mmの厚さに
配設し、Arl気圧の雰囲気中で黒鉛製押型を用いて、
1200℃、30分間のホットプレスを行なった。
め、約15重量%Ti元累をその骨格成分として含有す
るポリカルボシランを両者の間に約1.5mmの厚さに
配設し、Arl気圧の雰囲気中で黒鉛製押型を用いて、
1200℃、30分間のホットプレスを行なった。
得られた接合体の接合強度の温度変ヒを第4表に示す。
上表から明らかなように、本接合体においては接合部に
おける破断は見られず、むしろ黒鉛もしくはTiO2に
おいて破断が発生する。
おける破断は見られず、むしろ黒鉛もしくはTiO2に
おいて破断が発生する。
これは黒鉛とTiのぬれ性が良いことおよびTi02と
Tiの間で相互拡散があり、SiCおよびTiCを介在
して、両被接合材間の強固な接合がなされているためで
ある。
Tiの間で相互拡散があり、SiCおよびTiCを介在
して、両被接合材間の強固な接合がなされているためで
ある。
本例の如き黒鉛接合体は、例えば原子炉炉心構造材料と
しても有望であり、その応用範囲は広い。
しても有望であり、その応用範囲は広い。
尚、上記実施例においては本発明の製造方法による代表
的な数例を示したにすぎないが、これ以外の種々の金属
、セラミックスおよび黒鉛の組合せによる接合体の製造
についても全く同様に優れた効果を挙げることができた
。
的な数例を示したにすぎないが、これ以外の種々の金属
、セラミックスおよび黒鉛の組合せによる接合体の製造
についても全く同様に優れた効果を挙げることができた
。
また、被接合体の組み合せ方も、単なるA−Bという型
の他に例えばA−B−A−B,A−B−C.A−B−A
−Cなどのように種々の組み合せによる接合体を同様に
製造することができる。
の他に例えばA−B−A−B,A−B−C.A−B−A
−Cなどのように種々の組み合せによる接合体を同様に
製造することができる。
以上述べたところにより、本発明によれば金属、セラミ
ックスおよび黒鉛からなる様々な組合せによる接合体を
簡便安価に製造することかでき、これら優れた耐熱性お
よび接合強度などの好特性を有する接合体は、航空宇宙
工業、自動車船舶工業、原子力工業、金属冶金工業、セ
ラミックス工業、石油化学工業、電気電子工業その他の
様々な分野において、極めて有利かつ広範囲に使用され
ることが期待される。
ックスおよび黒鉛からなる様々な組合せによる接合体を
簡便安価に製造することかでき、これら優れた耐熱性お
よび接合強度などの好特性を有する接合体は、航空宇宙
工業、自動車船舶工業、原子力工業、金属冶金工業、セ
ラミックス工業、石油化学工業、電気電子工業その他の
様々な分野において、極めて有利かつ広範囲に使用され
ることが期待される。
図はX線マイクロアナライザーにより分析したSiCと
18−8ステンレスとの接合体の接合界面における元素
分布を示す図である。
18−8ステンレスとの接合体の接合界面における元素
分布を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 金属材料、セラミックス材科、カーボン材料のうち
から選ばれる何れか少なくとも1種の材料の2個以上を
接合剤によって接合させてなる接合体の製造方法におい
て、接合剤として炭素とケイ素を主な骨格成分とする有
機ケイ素高分子ヒ合物を用い、かつ前記接合剤を2個以
上の被接合材料の対向面間隙に介装した状態で、非酸化
性雰囲気中で800〜1800℃の温度範囲内で加熱し
、前記有機ケイ素高分子化合物を熱分解して主としてS
iCを生成させ、該SiCによって前記2個以上の被接
合材料を強固に接合せしめることを特徴とする耐熱性高
強度接合体の製造方法。 2 接合剤としてケイ素と共にケイ素以外の金属元素を
骨格成分として含有し、かつ炭素とケイ素を主な骨格成
分とする有機ケイ素化合物を使用する特許請求の範囲1
記載の耐熱性高強度接合体の製造方法。 3 接合剤として被接合材料のうちの1種または2種以
上と同種類の粉粒体を混和した炭素とケイ素を主な骨格
成分とする有機ケイ素高分子化合物を使用する特許請求
の範囲1あるいは2記載の耐熱性高強度接合体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51077077A JPS586712B2 (ja) | 1976-07-01 | 1976-07-01 | 耐熱性高強度接合体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51077077A JPS586712B2 (ja) | 1976-07-01 | 1976-07-01 | 耐熱性高強度接合体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS534020A JPS534020A (en) | 1978-01-14 |
| JPS586712B2 true JPS586712B2 (ja) | 1983-02-05 |
Family
ID=13623713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51077077A Expired JPS586712B2 (ja) | 1976-07-01 | 1976-07-01 | 耐熱性高強度接合体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS586712B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59119314U (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-11 | 株式会社土屋製作所 | オイルフイルタ |
| JPH02185498A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-19 | Abisare:Kk | プロッタの作図用紙保持方法及びその装置 |
| US10357942B2 (en) | 2015-07-16 | 2019-07-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Graphite-silicon composite and production method thereof |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56160381A (en) * | 1980-05-06 | 1981-12-10 | Kurosaki Refractories Co | Mortar composition |
| JPS5722179A (en) * | 1980-07-12 | 1982-02-05 | Seishi Yajima | Manufacture of jointed body |
| US4544091A (en) * | 1982-05-06 | 1985-10-01 | Gte Products Corporation | Target bonding process |
| US4401718A (en) * | 1982-10-29 | 1983-08-30 | General Electric Company | Process for applying a second silicone resin coating composition over a first silicone resin coating composition |
| JP2590978B2 (ja) * | 1987-12-01 | 1997-03-19 | 大日本インキ化学工業株式会社 | フッ素樹脂塗料の塗装方法 |
| JP6541123B2 (ja) * | 2015-02-09 | 2019-07-10 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 混合粒子、混合粒子を含むスラリー、および接合体 |
-
1976
- 1976-07-01 JP JP51077077A patent/JPS586712B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59119314U (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-11 | 株式会社土屋製作所 | オイルフイルタ |
| JPH02185498A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-19 | Abisare:Kk | プロッタの作図用紙保持方法及びその装置 |
| US10357942B2 (en) | 2015-07-16 | 2019-07-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Graphite-silicon composite and production method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS534020A (en) | 1978-01-14 |
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