JPS5867340A - オレフイン合成用多孔性結晶質触媒 - Google Patents
オレフイン合成用多孔性結晶質触媒Info
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- JPS5867340A JPS5867340A JP56165496A JP16549681A JPS5867340A JP S5867340 A JPS5867340 A JP S5867340A JP 56165496 A JP56165496 A JP 56165496A JP 16549681 A JP16549681 A JP 16549681A JP S5867340 A JPS5867340 A JP S5867340A
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- smectite
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明１ｒ＋′、、スメクタイトに対し、その層間に順
化ケイ素を介在（Ｉｎｔｅｒｃａｌａｔｅ ）させたこ
とを特徴とするオレフィン合ｊ夕用多孔性結晶質触媒に
関するものである。
化ケイ素を介在（Ｉｎｔｅｒｃａｌａｔｅ ）させたこ
とを特徴とするオレフィン合ｊ夕用多孔性結晶質触媒に
関するものである。
従来、メタノールのような低級アルコールを、触媒の存
在下、加熱反応させてオレフィンを合成する方法は知ら
れている。この方法において（ｄ、触媒開発が１１【要
な技術課題になるが、現在のところ、この手車の角虫媒
としては、モーヒ°ルオイル社から提案されている合成
ゼオライト触媒が、最も有利なものと考慮されている。
在下、加熱反応させてオレフィンを合成する方法は知ら
れている。この方法において（ｄ、触媒開発が１１【要
な技術課題になるが、現在のところ、この手車の角虫媒
としては、モーヒ°ルオイル社から提案されている合成
ゼオライト触媒が、最も有利なものと考慮されている。
しかしながら、この合成ゼオライト触媒の揚台、その合
成に難点があり、高活性触媒を再現性よく合成すること
は非常に困難である。
成に難点があり、高活性触媒を再現性よく合成すること
は非常に困難である。
本発明触媒は、このような合成ゼオライトとは、結晶構
造的に異ったスメクタイトをホスト化合物として用い、
その層間にゲスト化合物としての酸化ケイ素を介在させ
たことを特徴とする。
造的に異ったスメクタイトをホスト化合物として用い、
その層間にゲスト化合物としての酸化ケイ素を介在させ
たことを特徴とする。
本発明で用いるスメクタイトは、層状構造を有するイオ
ン交換性の膨−潤粘土鉱物であり、天然産及び水熱合成
等で得られる人造物のいずれもが適用される。このスメ
クタイトは、従来周知の粘土鉱物であり、例えば、モン
モリロナイト、バ・イデラ・ｆト、ノントロナイト、サ
ボナイト、ヘクトライト、ンーコナイト等が包含きれる
。１だ、本発明においてＶよ、スメクタイトヲ主成分と
する粘土などの物質、？１」えば、酸性白土や、ベント
ナイトを用いることができる。
ン交換性の膨−潤粘土鉱物であり、天然産及び水熱合成
等で得られる人造物のいずれもが適用される。このスメ
クタイトは、従来周知の粘土鉱物であり、例えば、モン
モリロナイト、バ・イデラ・ｆト、ノントロナイト、サ
ボナイト、ヘクトライト、ンーコナイト等が包含きれる
。１だ、本発明においてＶよ、スメクタイトヲ主成分と
する粘土などの物質、？１」えば、酸性白土や、ベント
ナイトを用いることができる。
本発明の触１．ｔ％を調製するためには、先ず、前記ス
メクタイト又は、スメクタイトを主成分とする物質に、
ケイ素イオン供給体を溶解させた水溶液を作用させて、
下記の反応式により示されるように、スメクタイト中に
含才れる陽イオンとケイ素イオンを交換させる。この場
合、ケイ素イオン供給体として（ｒｉ、シラン誘導体、
四塩化ケイ素、ケイ酸などのケイ素の有機及び無機塩が
任意に用いられる。
メクタイト又は、スメクタイトを主成分とする物質に、
ケイ素イオン供給体を溶解させた水溶液を作用させて、
下記の反応式により示されるように、スメクタイト中に
含才れる陽イオンとケイ素イオンを交換させる。この場
合、ケイ素イオン供給体として（ｒｉ、シラン誘導体、
四塩化ケイ素、ケイ酸などのケイ素の有機及び無機塩が
任意に用いられる。
Ｍ Ｌ −ｎＨＯ＋Ｓｉ＋Ｘ ＋ｔＨ，，０−＋
Ｓｓ Ｌ −＋ｎＨＯ＋ Ｍ＋Ｘ” ト （ｎ
＋１−ｍ ）Ｈ０２ この式（Ｃおいて、Ｍ はスメクタイトに金線れるイオ
ン交換性陽イオンを表わし、アルカリ金属、アルカリ土
類金属などが挙げられ、Ｌ はスメクタイトを溝底する
層状粒子の巨大陰イオン層を貴わし、ｎＩ−Ｔ、、０は
層間水を表わす。Ｘ−は有機又は無機陰イオンである。
Ｓｓ Ｌ −＋ｎＨＯ＋ Ｍ＋Ｘ” ト （ｎ
＋１−ｍ ）Ｈ０２ この式（Ｃおいて、Ｍ はスメクタイトに金線れるイオ
ン交換性陽イオンを表わし、アルカリ金属、アルカリ土
類金属などが挙げられ、Ｌ はスメクタイトを溝底する
層状粒子の巨大陰イオン層を貴わし、ｎＩ−Ｔ、、０は
層間水を表わす。Ｘ−は有機又は無機陰イオンである。
ｔＨ、、０は水溶液中の水を示す。７．ｍ及びｎはいず
れも任意の正の整数である。
れも任意の正の整数である。
前記イオン交換反応は、室温〜１００℃の温度領域で攪
拌加熱又１“・よ還流加熱により行うことができろし、
丑だ加圧下、１００℃以上に加熱して、水熱条件下で行
うこともできる。前記のイオン交換反応を受けたケイ素
イオンを含むスメクタイトは次に乾燥し、加熱処理し、
その中に含才れるケイ素イオンを酸化ケイ素に変換させ
る。この、鳴合の加熱処理は、空気や窒素カスやホスト
化合物としてのスメクタイトの層ｊ用に、ゲスト化合物
としての酸化ケイ素の柱状ブロックが形成された構造を
有する、いわゆるインターカレーション化合物（１ｎｔ
ｅｒｃａｌａｔｉｏｎ ｃｏｍｐｏ−ｕｎｄ ）であシ
、その眉間には、ケイ素イオン含有スメクタイトを加熱
処理する際の加熱温度や加熱時間に依存して、３Ａ〜６
．Ｃ程度の空隙（側孔）が形成され、全体としてＩ′は
多孔性物質となっている。寸だ、この触媒は、Ｘ線結晶
学的に結晶質の物質であり、１２６に〜１５６Ａの１次
底面反射を有する。スメクタイト中に２けるケイ素含量
は、ＳｉＯ３換算で２〜６０重量係、好ましくは１０〜
３０重量係である○ 本発明の触媒は、アルコールあるいはその脱水生成物で
あるジアルキルエーテルを原料としたオレフィン合成用
触媒として用いられる。即ち、本発明の触媒を用いてオ
レフィンの合成を行うには、アルコール又附ニジアルキ
ルエーテルあるいは両者の混合物を反応条件下において
、本発明の触媒を接触させる。この場合、反応条件とし
ては、２００〜５００℃、好ましくは、３００〜４００
℃の温度が採用され、壕だ、反応圧力としては、アルコ
ール及び／又はアルキルエーテルの分圧で０１〜５０
Ｋ９／ｃｆ 、好壕しくけ、０５〜２０ Ｋ９／ｃｏｔ
である。原料としては、炭素数１〜４個の低級アルコー
ル又はそれから誘導される低級ジアルキルエーテルが用
いられるが、メタノールやジメチルエーテルを原料とす
るのが好捷しい。この反応は、流通式又はバッチ式のい
ずれの方法でも実施することができる。この５
／、７％ Ｆ１反応により得られる
オレフィンは、主として、炭素数２〜４のオレフィンで
ある。
拌加熱又１“・よ還流加熱により行うことができろし、
丑だ加圧下、１００℃以上に加熱して、水熱条件下で行
うこともできる。前記のイオン交換反応を受けたケイ素
イオンを含むスメクタイトは次に乾燥し、加熱処理し、
その中に含才れるケイ素イオンを酸化ケイ素に変換させ
る。この、鳴合の加熱処理は、空気や窒素カスやホスト
化合物としてのスメクタイトの層ｊ用に、ゲスト化合物
としての酸化ケイ素の柱状ブロックが形成された構造を
有する、いわゆるインターカレーション化合物（１ｎｔ
ｅｒｃａｌａｔｉｏｎ ｃｏｍｐｏ−ｕｎｄ ）であシ
、その眉間には、ケイ素イオン含有スメクタイトを加熱
処理する際の加熱温度や加熱時間に依存して、３Ａ〜６
．Ｃ程度の空隙（側孔）が形成され、全体としてＩ′は
多孔性物質となっている。寸だ、この触媒は、Ｘ線結晶
学的に結晶質の物質であり、１２６に〜１５６Ａの１次
底面反射を有する。スメクタイト中に２けるケイ素含量
は、ＳｉＯ３換算で２〜６０重量係、好ましくは１０〜
３０重量係である○ 本発明の触媒は、アルコールあるいはその脱水生成物で
あるジアルキルエーテルを原料としたオレフィン合成用
触媒として用いられる。即ち、本発明の触媒を用いてオ
レフィンの合成を行うには、アルコール又附ニジアルキ
ルエーテルあるいは両者の混合物を反応条件下において
、本発明の触媒を接触させる。この場合、反応条件とし
ては、２００〜５００℃、好ましくは、３００〜４００
℃の温度が採用され、壕だ、反応圧力としては、アルコ
ール及び／又はアルキルエーテルの分圧で０１〜５０
Ｋ９／ｃｆ 、好壕しくけ、０５〜２０ Ｋ９／ｃｏｔ
である。原料としては、炭素数１〜４個の低級アルコー
ル又はそれから誘導される低級ジアルキルエーテルが用
いられるが、メタノールやジメチルエーテルを原料とす
るのが好捷しい。この反応は、流通式又はバッチ式のい
ずれの方法でも実施することができる。この５
／、７％ Ｆ１反応により得られる
オレフィンは、主として、炭素数２〜４のオレフィンで
ある。
次に本発明を実施例によりさらに説明する。
実施例 １
液５００ｍ１に加え、室温で２４時間攪拌し、モンモリ
ロナイトのイオン交換性陽イオンをｈｌ ｅ ４ Ｎ
Ｃ１で交換する。イオン交換終了後、傾斜法にて充分水
洗した後、電気乾燥炉を用いて、空勿中６０℃で５時間
乾燥を行う。このようＫＬで得に層間イオンを完全に置
換（７たモンモリロナイトを原料として、これを先ず、
ベンズアルデヒド１００ｍｅ中に包潤させる。次に、５
ｉｃ１４−ベンゼン溶液（１：］）２２００ｍに浸し、
その後、加水発情させて、触媒ＰＩＣ−２を得る。
ロナイトのイオン交換性陽イオンをｈｌ ｅ ４ Ｎ
Ｃ１で交換する。イオン交換終了後、傾斜法にて充分水
洗した後、電気乾燥炉を用いて、空勿中６０℃で５時間
乾燥を行う。このようＫＬで得に層間イオンを完全に置
換（７たモンモリロナイトを原料として、これを先ず、
ベンズアルデヒド１００ｍｅ中に包潤させる。次に、５
ｉｃ１４−ベンゼン溶液（１：］）２２００ｍに浸し、
その後、加水発情させて、触媒ＰＩＣ−２を得る。
５ｉＣ１４＋Ｃ６Ｈ３ＣＨ０−＋Ｃ６Ｈ３ＣＨＣＬ２＋
（−８ｉＯＣ１２）ｎ（−Ｓｊｏｃｚ、、−）、＋Ｉ−
１．．Ｏ−＋５ｉＱ２・刈−＋２０＋１−１ｃｔ上記式
により、モンモリロナイトの層間にＳ ｔ ０２−６＝ を形成することが可能である。
（−８ｉＯＣ１２）ｎ（−Ｓｊｏｃｚ、、−）、＋Ｉ−
１．．Ｏ−＋５ｉＱ２・刈−＋２０＋１−１ｃｔ上記式
により、モンモリロナイトの層間にＳ ｔ ０２−６＝ を形成することが可能である。
天然産モンモリロナイト、ＩＶｌｇ ４ Ｎ ＣＺによ
り交換したしたモンモリロナイト及び触媒ＰＴＣ−２の
Ｘ線回折パターンを表１． 、２ 、３にそれぞれ示す
。なお、Ｘ線回折測定は、各試料粉末をＸ線回折試料ガ
ラス板に固定し、Ｘ線源（Ｘ線管球印加電圧４０ｋＶ、
電流３０ ｍＡ、 Ｎｊフィルター使用）を試料板に照
射しながｒ）、２０ ／ｒｒｍのゴニオメータ−走査法
ｊｆ３．２ ｃｍ、／ ｒｒｔｖｒのチャート走置速度
、で行った。
り交換したしたモンモリロナイト及び触媒ＰＴＣ−２の
Ｘ線回折パターンを表１． 、２ 、３にそれぞれ示す
。なお、Ｘ線回折測定は、各試料粉末をＸ線回折試料ガ
ラス板に固定し、Ｘ線源（Ｘ線管球印加電圧４０ｋＶ、
電流３０ ｍＡ、 Ｎｊフィルター使用）を試料板に照
射しながｒ）、２０ ／ｒｒｍのゴニオメータ−走査法
ｊｆ３．２ ｃｍ、／ ｒｒｔｖｒのチャート走置速度
、で行った。
〈表 １〉天然弁モンモリロナイトのＸ線回折パターン
１２．３ ００１ ＶＳ ６．２ ００２ Ｗ １１．３ ００３ Ｗ ３．１ ００４ ８ ２６ ００５ Ｗ ２、］ ００６ Ｗ 〈表２：＞ Ｍｅ４ＮＣＬによりイオン交換したモン
モリロナイトのＸ線回折パターン １３．８ ００１ ＶＳ６．９
００２ Ｗ２Ｏ００３Ｗ ３．４． ００４ Ｓ〈表３〉
触媒ＰＩＣ−２のＸ線回折パターンｄｃ４
ｈ ｋｔ Ｉ／Ｌ１４．７
００１ ８４．９
００３ ＶＶ３．６
００４ ’Ｗなお、表中に示した符号は
次のことを意味する。
１２．３ ００１ ＶＳ ６．２ ００２ Ｗ １１．３ ００３ Ｗ ３．１ ００４ ８ ２６ ００５ Ｗ ２、］ ００６ Ｗ 〈表２：＞ Ｍｅ４ＮＣＬによりイオン交換したモン
モリロナイトのＸ線回折パターン １３．８ ００１ ＶＳ６．９
００２ Ｗ２Ｏ００３Ｗ ３．４． ００４ Ｓ〈表３〉
触媒ＰＩＣ−２のＸ線回折パターンｄｃ４
ｈ ｋｔ Ｉ／Ｌ１４．７
００１ ８４．９
００３ ＶＶ３．６
００４ ’Ｗなお、表中に示した符号は
次のことを意味する。
ｄ；面間隔、ｈｋｔ：面指数、Ｉ／Ｌ、；Ｘ線反射強度
（相対・強度）、ＶＳ；最強線。
（相対・強度）、ＶＳ；最強線。
Ｓ；弧線、Ｗ；弱線
表１のＸ線回折パターンから明らか々ように、天然産モ
ンモリロナイトは１２．３Ａの１次底面反射ｄ００１を
示し、典型的なアルカリモンモリロナイト（理想化学組
成へα１／３〔Ｍｇ１／３Ａｔ５／３）Ｓｉ４０１ｏ（
Ｏ１］）２〕・２Ｉ］２０）であることがわカル。
ンモリロナイトは１２．３Ａの１次底面反射ｄ００１を
示し、典型的なアルカリモンモリロナイト（理想化学組
成へα１／３〔Ｍｇ１／３Ａｔ５／３）Ｓｉ４０１ｏ（
Ｏ１］）２〕・２Ｉ］２０）であることがわカル。
これに対し、Ｍｅ４ＮＣ１によりイオン交換し７たモン
モリロナイトのＸ枦回折パターンは、最初の回折線がｄ
＝ １３．８λ（表２）となっており、モンモリロナ
イトの層間にＭ ｅ ４ＮＣｔイオンがアルカリイオン
の代りに交換挿入されたことを示している。また、上記
の方法で製造された触媒１）ＴＣ−２の最初の回折線は
ｄ＝１４７入である。従って、完全に層間の空隙が破壊
された、いわゆる脱イオン・脱水モンモリロナイト［：
（Ｉｖ＋ｇ’乙Ａｔ５′Ａ） Ｓ ｉ ４０ ＋ ｏ
（ＯＨ） ２ ：］のｄＯＯ］が９６穴であることを勘
案すれば、水沫で得られた触媒ＰＩＣ−２の層間の有効
間隙（細孔径）は５１人（−１４，７穴−９，６Ａ）と
算定される。
モリロナイトのＸ枦回折パターンは、最初の回折線がｄ
＝ １３．８λ（表２）となっており、モンモリロナ
イトの層間にＭ ｅ ４ＮＣｔイオンがアルカリイオン
の代りに交換挿入されたことを示している。また、上記
の方法で製造された触媒１）ＴＣ−２の最初の回折線は
ｄ＝１４７入である。従って、完全に層間の空隙が破壊
された、いわゆる脱イオン・脱水モンモリロナイト［：
（Ｉｖ＋ｇ’乙Ａｔ５′Ａ） Ｓ ｉ ４０ ＋ ｏ
（ＯＨ） ２ ：］のｄＯＯ］が９６穴であることを勘
案すれば、水沫で得られた触媒ＰＩＣ−２の層間の有効
間隙（細孔径）は５１人（−１４，７穴−９，６Ａ）と
算定される。
実施列２
実施例１の方法で製造したインターカレーション化合物
触媒ＰＩＣ−２のメタノールから低級オレフィンを主と
する炭化水素への転化反応活性試５１逆を、天然産モン
モリロナイトと比較しながら行った。実験方法は次のと
おりである。
触媒ＰＩＣ−２のメタノールから低級オレフィンを主と
する炭化水素への転化反応活性試５１逆を、天然産モン
モリロナイトと比較しながら行った。実験方法は次のと
おりである。
触媒試料２ｍｌを常圧流通式ステンレス製反応管（内径
１．０ ｍｍ ）に充填し、アルゴンガス気流（４０ｍ
ｌ／ｍｉｎの流速）中で、５ｏｏ℃、３時間の加熱前処
理を行った。次いで、アルゴンガスをキャリヤーガス（
流速２ ｒｎｌ／ ｍｉｎ ）とし、メタノールを反応
管中に導入（チャージ′ｉ４：２ｍｌ／ｈγ）し、キャ
リヤーガスを内部標準としてガスクロマトグラフにより
１時ｊ１１毎の反応生成物の成分分析を行った。Ｌ）−
ＩＳＶは１．Ｏｈｒ’ である。
１．０ ｍｍ ）に充填し、アルゴンガス気流（４０ｍ
ｌ／ｍｉｎの流速）中で、５ｏｏ℃、３時間の加熱前処
理を行った。次いで、アルゴンガスをキャリヤーガス（
流速２ ｒｎｌ／ ｍｉｎ ）とし、メタノールを反応
管中に導入（チャージ′ｉ４：２ｍｌ／ｈγ）し、キャ
リヤーガスを内部標準としてガスクロマトグラフにより
１時ｊ１１毎の反応生成物の成分分析を行った。Ｌ）−
ＩＳＶは１．Ｏｈｒ’ である。
表４及び表５にインターカレーション化合物触媒ＰＩＣ
−］及び天然産モンモリロナイトの反応結果を、メタノ
ールチャージ量１００ｆｉ’当りの炭素数１から炭素数
５−１での反応生成物の収率としてｖ数単位で示す。ま
た、表４に得られた収率から算出さｈた炭素数１から炭
素数５すでの炭化水素中の各炭化木菟成分の選択率を重
量係で表６に示す。
−］及び天然産モンモリロナイトの反応結果を、メタノ
ールチャージ量１００ｆｉ’当りの炭素数１から炭素数
５−１での反応生成物の収率としてｖ数単位で示す。ま
た、表４に得られた収率から算出さｈた炭素数１から炭
素数５すでの炭化水素中の各炭化木菟成分の選択率を重
量係で表６に示す。
〈表４〉 触媒ＰＩＣ−２のメタノール転化反応の生成
物分布（７数） 生成物 ３００℃ ３５０℃ ４００℃ＣＯ２００，０
１００８ Ｃ（つ０．０２０．］、３０．３５ ジメチルエーテル ０．９５ １，３５ １．
９５メタン ０．０４ ０．１０ ０
．４０エチレン ０．０５ ０．０９
０．０５エタン ＯＯ，０２０，０２プロ
ペン ０．０５ ０．１１ ０．０５
プロパン ＯＯＯ ｉ−ブタン ０．０４ ０．０７ ０
．０２ｎ−−−ブタン ＯＯ，０４０ｔｒａ
ｎｓブテン ＯＯ，０２０ｃｉｓ−ブテン
ＯＯＯ ｌ−ペンタン ０．０２ ０．０２
Ｏｎ−ペンタン Ｏ００ 〈表５〉 天然産モンモリロナイトのメタノール転化反
応の生成物分布（７数） ＣＯ痕跡 ０．０１． ０．０８ ＣＯ痕跡 痕跡 Ｏ ジメチルエーテル０．０９ ０．２９ １．
１．３メタン 痕 跡 ０．０５ ０
．３５エチレン 痕 跡 ０ ００１
エタン 痕 跡 ０ ０．０１プロペ
ン 痕 跡 ０．０１ 痕跡プロパ
ン ０．０１ 痕跡 痕跡ｉ−ブ
タン ０ ０ ０ｎ−ブ
タン ＯＯＯ ｌ ｒａ、ｎ５−７゛テン ０ ０
０′″“−７゛テア ０ ０
０ｔ−ペンタン ０ ０ ０
η−ペンタン ０ ０ ０１１− 〈表６〉 触媒ＰＩＣ−２のメタノール転化反応におけ
る低級炭化水素の選択率（重量係）メタン １
９．５２ ２５．４２ ７７．７８エチレン
２１．９８ ］、６，８２ ５．５８エタン
０ ２．９４ ２．０２
プロピレン ２３．８０ ２３．８６ １２．
０７プロパン ＯＯＯ ｌ−ブタン ２５．２３ １２．２８ ２
．５５ｎ−ブタン ０ １１．２８
０加憫−ブテン Ｏ２，７００ ｃｉｓ−ブテン ０ ０ ０２−
ペンタン ９，４７ ４．７１ Ｏ
ｎ−ペンタン ０ ０ ０表４と表
５の比較から明らかなように、天然産モンモリロナイト
はメタン以外の炭化水素は殆んど生成せず、低級オレフ
ィン合成用触媒として適切でないが、インターカレーシ
ョン化合物触媒Ｐ１１Ｃ−２はかなりの低級炭化水素を
生成−１２＝ する。甘だ、表６から明らかなように、この触媒］’Ｊ
Ｃ−２は３００℃の反応温度においては、低級オレフィ
ンの選択性もかなり高く、炭素数１から炭素数５までの
炭化水素中のオレフィンの全選択率は約４６係となって
おり、３５０℃の反応温度では４３．４％である。さら
に、炭素数２と炭素数３の炭化水素中のオレフィン（エ
チレンとプロピレン）の割合は、３００℃で１００％、
３５０℃で９３８％にも達し、本発明のインターカレー
ション化合物触媒ＰＩＣ−２は低級オレフィン合成用触
媒として有用なものであると結論できる。
物分布（７数） 生成物 ３００℃ ３５０℃ ４００℃ＣＯ２００，０
１００８ Ｃ（つ０．０２０．］、３０．３５ ジメチルエーテル ０．９５ １，３５ １．
９５メタン ０．０４ ０．１０ ０
．４０エチレン ０．０５ ０．０９
０．０５エタン ＯＯ，０２０，０２プロ
ペン ０．０５ ０．１１ ０．０５
プロパン ＯＯＯ ｉ−ブタン ０．０４ ０．０７ ０
．０２ｎ−−−ブタン ＯＯ，０４０ｔｒａ
ｎｓブテン ＯＯ，０２０ｃｉｓ−ブテン
ＯＯＯ ｌ−ペンタン ０．０２ ０．０２
Ｏｎ−ペンタン Ｏ００ 〈表５〉 天然産モンモリロナイトのメタノール転化反
応の生成物分布（７数） ＣＯ痕跡 ０．０１． ０．０８ ＣＯ痕跡 痕跡 Ｏ ジメチルエーテル０．０９ ０．２９ １．
１．３メタン 痕 跡 ０．０５ ０
．３５エチレン 痕 跡 ０ ００１
エタン 痕 跡 ０ ０．０１プロペ
ン 痕 跡 ０．０１ 痕跡プロパ
ン ０．０１ 痕跡 痕跡ｉ−ブ
タン ０ ０ ０ｎ−ブ
タン ＯＯＯ ｌ ｒａ、ｎ５−７゛テン ０ ０
０′″“−７゛テア ０ ０
０ｔ−ペンタン ０ ０ ０
η−ペンタン ０ ０ ０１１− 〈表６〉 触媒ＰＩＣ−２のメタノール転化反応におけ
る低級炭化水素の選択率（重量係）メタン １
９．５２ ２５．４２ ７７．７８エチレン
２１．９８ ］、６，８２ ５．５８エタン
０ ２．９４ ２．０２
プロピレン ２３．８０ ２３．８６ １２．
０７プロパン ＯＯＯ ｌ−ブタン ２５．２３ １２．２８ ２
．５５ｎ−ブタン ０ １１．２８
０加憫−ブテン Ｏ２，７００ ｃｉｓ−ブテン ０ ０ ０２−
ペンタン ９，４７ ４．７１ Ｏ
ｎ−ペンタン ０ ０ ０表４と表
５の比較から明らかなように、天然産モンモリロナイト
はメタン以外の炭化水素は殆んど生成せず、低級オレフ
ィン合成用触媒として適切でないが、インターカレーシ
ョン化合物触媒Ｐ１１Ｃ−２はかなりの低級炭化水素を
生成−１２＝ する。甘だ、表６から明らかなように、この触媒］’Ｊ
Ｃ−２は３００℃の反応温度においては、低級オレフィ
ンの選択性もかなり高く、炭素数１から炭素数５までの
炭化水素中のオレフィンの全選択率は約４６係となって
おり、３５０℃の反応温度では４３．４％である。さら
に、炭素数２と炭素数３の炭化水素中のオレフィン（エ
チレンとプロピレン）の割合は、３００℃で１００％、
３５０℃で９３８％にも達し、本発明のインターカレー
ション化合物触媒ＰＩＣ−２は低級オレフィン合成用触
媒として有用なものであると結論できる。
第１頁の続き
＠発 明 者 島崎祐司
茨城県筑波郡谷田部町東１丁目
１番地化学技術研究所内
Claims (1)
- （１）スメクタイト又はスメクタイトを主成分ととする
物グ１に対し、その層間に酸化ケイ素を介在させ、りこ
とを特徴とする低級アルコール及び７／又は低級ジアル
キルエーテルを原料とするオレフィン合成用名代性結晶
質触媒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56165496A JPS5867340A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | オレフイン合成用多孔性結晶質触媒 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56165496A JPS5867340A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | オレフイン合成用多孔性結晶質触媒 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5867340A true JPS5867340A (ja) | 1983-04-21 |
| JPS633655B2 JPS633655B2 (ja) | 1988-01-25 |
Family
ID=15813496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56165496A Granted JPS5867340A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | オレフイン合成用多孔性結晶質触媒 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5867340A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4753908A (en) * | 1985-12-10 | 1988-06-28 | Agency Of Industrial Science | Method for production of microporous separating material from smectite type mineral |
-
1981
- 1981-10-16 JP JP56165496A patent/JPS5867340A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4753908A (en) * | 1985-12-10 | 1988-06-28 | Agency Of Industrial Science | Method for production of microporous separating material from smectite type mineral |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS633655B2 (ja) | 1988-01-25 |
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