JPS5868302A - マイクロストリツプ線路の製造方法 - Google Patents
マイクロストリツプ線路の製造方法Info
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- JPS5868302A JPS5868302A JP56167439A JP16743981A JPS5868302A JP S5868302 A JPS5868302 A JP S5868302A JP 56167439 A JP56167439 A JP 56167439A JP 16743981 A JP16743981 A JP 16743981A JP S5868302 A JPS5868302 A JP S5868302A
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- JP
- Japan
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- substrate
- microstrip line
- manufacturing
- conductor
- ladder pattern
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 26
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
- H01P11/001—Manufacturing waveguides or transmission lines of the waveguide type
- H01P11/003—Manufacturing lines with conductors on a substrate, e.g. strip lines, slot lines
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Fixing For Electrophotography (AREA)
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマイク四波厘塾装置に使用される。マイクロス
トリップ線路の製造方法の改良に関するものである・接
地導体にラダーパターンが形成されたマイクロストリッ
プ線路を、使用するマイクｏ［加熱装置は屍に提案さｎ
ている（例えば特許１１５６−１１２７２９）、いまし
ばらくこのマイク−筺加熱装置について、第１ＦＩ４に
従がい説明する。（１１ハマイクーストリププ線路で、
ポリテトラフルオロエチレン尋の鱒電体基板（２）と、
その上面（貼着された幅広の接地導体（３）と、下［ｉ
ｉＫ：貼着さｆＬ丸中心導体（４）とにより構成される
・そして前記！ｌｌ地導体（３）口ｈマイクｗｘ＠の伝
播１同に沿つて複数個のスリット（５）・・・が開設さ
ｒｔ％ラダーパターン（６）が形成される。）７）は、
マイクロストリップ線路１１）の一端にマイクロ波を供
給するための同軸線路で１図示せぬマグネトロンに！Ｉ
！硯さ几る。１８）は。
トリップ線路の製造方法の改良に関するものである・接
地導体にラダーパターンが形成されたマイクロストリッ
プ線路を、使用するマイクｏ［加熱装置は屍に提案さｎ
ている（例えば特許１１５６−１１２７２９）、いまし
ばらくこのマイク−筺加熱装置について、第１ＦＩ４に
従がい説明する。（１１ハマイクーストリププ線路で、
ポリテトラフルオロエチレン尋の鱒電体基板（２）と、
その上面（貼着された幅広の接地導体（３）と、下［ｉ
ｉＫ：貼着さｆＬ丸中心導体（４）とにより構成される
・そして前記！ｌｌ地導体（３）口ｈマイクｗｘ＠の伝
播１同に沿つて複数個のスリット（５）・・・が開設さ
ｒｔ％ラダーパターン（６）が形成される。）７）は、
マイクロストリップ線路１１）の一端にマイクロ波を供
給するための同軸線路で１図示せぬマグネトロンに！Ｉ
！硯さ几る。１８）は。
マイクロストリップ線路Ｔｌ＋の他端［！！着されたダ
ミーロードで、ラダーパターン（６）にて消費し切れ′
ｌｋかったマイクロ波を、吸収消費するものである。
ミーロードで、ラダーパターン（６）にて消費し切れ′
ｌｋかったマイクロ波を、吸収消費するものである。
この工うなマイクロストリップ線路（１）上に、矢印ム
方同ニジ薄い被加熱物１９）を短資させると共に。
方同ニジ薄い被加熱物１９）を短資させると共に。
矢印Ｂ方向Ｌリマイクロ波全供給する・と、供給さｒｔ
たマイクロ波の一部が、前記各スリット（５）・・・η
為ら漏洩し被加熱物１９）ハマイクロ披にて加熱さ几る
。
たマイクロ波の一部が、前記各スリット（５）・・・η
為ら漏洩し被加熱物１９）ハマイクロ披にて加熱さ几る
。
そして、ここに使用されるマイクロストリップ線路框１
次のような方法にて製造される・先ず。
次のような方法にて製造される・先ず。
第２図に示すような１表裏に導体１３１１４１が貼驚さ
れた基板１２＋’ｔ−，２点鎖線で示す部分にてマスキ
ングし、エツチングをして、前記の工うなラダーパター
ン（６）を形成していたｏしかしながらエツチング金し
九だけでは、スリット部（５）・・・における基板（２
１上に、導体１３）が一部残留する０％に、基板１３）
がポには、基ｆ １３）と導体１１１ を貼着し難いの
で、第３図（ｔ＃に示す１５に、導体１３）の貼着［Ｉ
Ｋ微細な突起仏０・・・管形成して、＠■化し、圧着し
ていたＱ従って。
れた基板１２＋’ｔ−，２点鎖線で示す部分にてマスキ
ングし、エツチングをして、前記の工うなラダーパター
ン（６）を形成していたｏしかしながらエツチング金し
九だけでは、スリット部（５）・・・における基板（２
１上に、導体１３）が一部残留する０％に、基板１３）
がポには、基ｆ １３）と導体１１１ を貼着し難いの
で、第３図（ｔ＃に示す１５に、導体１３）の貼着［Ｉ
Ｋ微細な突起仏０・・・管形成して、＠■化し、圧着し
ていたＱ従って。
突起−Ａｊが基板１２１に突き刺さ夕、エプチングｔし
曳だけでは、この突起−・・・壕では除去し１ｌＩＫか
つ九〇従って、エツチング後−第３図（ｃ） Ｋ示され
る工１うに、基板を雪）上に突起恨ト・が残留するとと
Ｋなる。
曳だけでは、この突起−・・・壕では除去し１ｌＩＫか
つ九〇従って、エツチング後−第３図（ｃ） Ｋ示され
る工１うに、基板を雪）上に突起恨ト・が残留するとと
Ｋなる。
この状■で、加熱に必要な４００Ｗ橿にのマイタＷ１１
．ｆ印珈すると、との突起αＧ・・・に電界が集中し、
スパークを起して基板（２）を破損する虞れがあった。
．ｆ印珈すると、との突起αＧ・・・に電界が集中し、
スパークを起して基板（２）を破損する虞れがあった。
１ｋｇ、マイクロストリップ線路を通信用の伝送手段と
して用いる場合１ｈ印加されるマイクロ畝の電力は数臘
Ｗ＠麓であるので、スパークは起きない。
して用いる場合１ｈ印加されるマイクロ畝の電力は数臘
Ｗ＠麓であるので、スパークは起きない。
本！ｌｉｆ！４は１Ｐかみ従来例の難点に鑑み、エツチ
ングｔｔ／たにけでは除去し得ない、基板上の残留導体
を完全に除去し、スパークが起きることを防止ゼんとす
るものでＴｏゐ・ 以下１本発明の構成について説明すると１本発明は少な
くとも−１の導体に、マイク■波の伝播方１１０に沿っ
て複数１のスリットが開設−ｇｆ′Ｌラダーパターンが
形成されたマイクロストリップ線路の製造方法において
、一方の導体にラダーパターンを形成する工程と、前記
スリット部における誘電体基板上の導電性物質を除去す
る工程とを有するマイタロストリップ線路の製造方法で
あるＯそして、導電性物質管除去する工１ｉ［機械的手
段１例えばパフ研摩、サンドブラスト若しくはシ四ット
ビーニングを用いることが考えられるａｔた。化学的手
段２例えばエツチングを用いて行なっても工い。ただし
、この場合はラダーパターンを形成するｌＩに使用する
エツチング１１強力な−のであることが必要である０ 次に本発明の一実篇例についてａ−する・先ず前述の従
来例と同様にして、基板１２１上に導体１３１１４１を
貼着した後、エツチングにエフ接地導体（３）にラダー
パターン（６）ｔ−形成する。次いで基ｆＥ （２）の
上面に布パフｔ−１転させつつ押圧させると、基板（２
）の上面が研摩さｎ、基板（ｔ）の表鳩と共に、前記突
起！１１１Ｉ・・・が研摩除去される・ 叙上の工うに１本発明によるとスリット部における誘電
体基板上の導電性物質が完全に＃去されるので、加熱用
の大電力のマイクロ波をマイタロストリップ線路に印加
しても、スパークが起る虞１２＊ない。従ってスパーク
による基板の破損の虞れもない・
ングｔｔ／たにけでは除去し得ない、基板上の残留導体
を完全に除去し、スパークが起きることを防止ゼんとす
るものでＴｏゐ・ 以下１本発明の構成について説明すると１本発明は少な
くとも−１の導体に、マイク■波の伝播方１１０に沿っ
て複数１のスリットが開設−ｇｆ′Ｌラダーパターンが
形成されたマイクロストリップ線路の製造方法において
、一方の導体にラダーパターンを形成する工程と、前記
スリット部における誘電体基板上の導電性物質を除去す
る工程とを有するマイタロストリップ線路の製造方法で
あるＯそして、導電性物質管除去する工１ｉ［機械的手
段１例えばパフ研摩、サンドブラスト若しくはシ四ット
ビーニングを用いることが考えられるａｔた。化学的手
段２例えばエツチングを用いて行なっても工い。ただし
、この場合はラダーパターンを形成するｌＩに使用する
エツチング１１強力な−のであることが必要である０ 次に本発明の一実篇例についてａ−する・先ず前述の従
来例と同様にして、基板１２１上に導体１３１１４１を
貼着した後、エツチングにエフ接地導体（３）にラダー
パターン（６）ｔ−形成する。次いで基ｆＥ （２）の
上面に布パフｔ−１転させつつ押圧させると、基板（２
）の上面が研摩さｎ、基板（ｔ）の表鳩と共に、前記突
起！１１１Ｉ・・・が研摩除去される・ 叙上の工うに１本発明によるとスリット部における誘電
体基板上の導電性物質が完全に＃去されるので、加熱用
の大電力のマイクロ波をマイタロストリップ線路に印加
しても、スパークが起る虞１２＊ない。従ってスパーク
による基板の破損の虞れもない・
第１図にマイクロストリップ線路を用いたマイクロ波加
熱装置の斜視図、第２図框エヴチングする前のマイクロ
ストリップ線路を示す斜視図、ｇ６図（ａ）ｔ−！エツ
チングする前のマイクロストリップ線路を示す部分断゛
面図、第５１図（ｍｌ）は第５図（−の部分拡大図、第
５図（０）ば落５図−）のエツチングしたの 後状１Ｉｔ−示す部分拡大図である。 八 （１）・・・マイクロストリップ線路、（２１・・・基
板、 ＋３１１４１・・・導体、 ＋５１・・・スリッ
ト、（６）・・・ラダーパターン、 ＋１０１・・・突
起。 第１図
第８図第２図 （ａ）３
熱装置の斜視図、第２図框エヴチングする前のマイクロ
ストリップ線路を示す斜視図、ｇ６図（ａ）ｔ−！エツ
チングする前のマイクロストリップ線路を示す部分断゛
面図、第５１図（ｍｌ）は第５図（−の部分拡大図、第
５図（０）ば落５図−）のエツチングしたの 後状１Ｉｔ−示す部分拡大図である。 八 （１）・・・マイクロストリップ線路、（２１・・・基
板、 ＋３１１４１・・・導体、 ＋５１・・・スリッ
ト、（６）・・・ラダーパターン、 ＋１０１・・・突
起。 第１図
第８図第２図 （ａ）３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも−１の導体に、マイクロ波の伝播方向に
沿って複数個のスリットが開設され、ラダーパターンが
形成さｎ７’２マイクロストリツプ線路の製造方法にお
いて、少なくとも−１の導体にラダーパターンを形成す
る工程と、前記スリット部における誘電体基板上の導電
惟物賀七除去する工程とを有するマイクロストリップ線
路の製造方法０ ２、導電性物質を除去する工程框、ｓ械的手段にＬり実
行される特許請求の範Ｉｉ！１票１項記載のマイクロス
トリップ線路の製造方法。 ５、機械的手段が、パフ研摩である特許請求の範１！Ｉ
ＩＩ！２項記載のマイクロストリップ線路の製造方法。 ４．１１械的手段が、サンドブラスト若しくはシＨット
ビーニングである特許請求の範ｉ２Ｆ！第２項紀−のマ
イクロストリップ線路の製造方法０５、導電性物質を除
去する工程は、化学的手段にニブ実行される特許請求の
範囲第１項記載のマイクロストリップ線路の製造方法。 ６、化学的手段が、エツチングである特許請求の範囲第
５項記載のマイクロストリップ線路の製造方法・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56167439A JPS5868302A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | マイクロストリツプ線路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56167439A JPS5868302A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | マイクロストリツプ線路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5868302A true JPS5868302A (ja) | 1983-04-23 |
Family
ID=15849723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56167439A Pending JPS5868302A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | マイクロストリツプ線路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5868302A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7131476B2 (en) * | 2001-09-27 | 2006-11-07 | Sumitomo Rubber Industries, Ltd. | Pneumatic tire and method of manufacturing the tire |
-
1981
- 1981-10-19 JP JP56167439A patent/JPS5868302A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7131476B2 (en) * | 2001-09-27 | 2006-11-07 | Sumitomo Rubber Industries, Ltd. | Pneumatic tire and method of manufacturing the tire |
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