JPS5868967A - 固体光電変換装置 - Google Patents
固体光電変換装置Info
- Publication number
- JPS5868967A JPS5868967A JP56168091A JP16809181A JPS5868967A JP S5868967 A JPS5868967 A JP S5868967A JP 56168091 A JP56168091 A JP 56168091A JP 16809181 A JP16809181 A JP 16809181A JP S5868967 A JPS5868967 A JP S5868967A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- light
- photoconductive element
- receiving surface
- amplification
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は入射光情゛報を電気信号として遺り出す光電変
換装置に関するものであり、特にファクタＲす、デジタ
ル・コピア（以下ＤＣと略記）、レーザ６ピ録＃ｃｔＩ
ｔ等の文字及び画像入力装置等に過した九一度侯装瀘に
関する。
換装置に関するものであり、特にファクタＲす、デジタ
ル・コピア（以下ＤＣと略記）、レーザ６ピ録＃ｃｔＩ
ｔ等の文字及び画像入力装置等に過した九一度侯装瀘に
関する。
促成のｆｌａｔ餐侯装−は光゛１就換機能をＭする−ぷ
硅と、該−素群から出力される磁気信号を纏次時系列に
配列された形で埴り出す走査機能をもっ回路とを包含す
るもので、フｔトダイオードとＭＯＳ−ＦＩＥＴ （Ｆ
ｉｅｌｄ ＄ｆｆｅｃｔ Ｔｒａｈｓｉｓｔｏｒ） （
ＭＯ８ｔｙｐｅと略記する）を構成要素として包含する
もの。
硅と、該−素群から出力される磁気信号を纏次時系列に
配列された形で埴り出す走査機能をもっ回路とを包含す
るもので、フｔトダイオードとＭＯＳ−ＦＩＥＴ （Ｆ
ｉｅｌｄ ＄ｆｆｅｃｔ Ｔｒａｈｓｉｓｔｏｒ） （
ＭＯ８ｔｙｐｅと略記する）を構成要素として包含する
もの。
或いはＣＣＤ （Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅ
ｖｉｃｅ）やＢＢＤ（Ｂａｃｋｅｔ Ｂｒｉｇａｄｅ
Ｌ）ｅｖｉｃｅ）、 即ち）／ｒ ｆｌ Ｃ’ｌ’ｌ
）（Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｄｅｖｉｃｅ）
ｆｒ４ｇ成ＪｊＩ素として包言するもの等々６植の方
式がろる。
ｖｉｃｅ）やＢＢＤ（Ｂａｃｋｅｔ Ｂｒｉｇａｄｅ
Ｌ）ｅｖｉｃｅ）、 即ち）／ｒ ｆｌ Ｃ’ｌ’ｌ
）（Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｄｅｖｉｃｅ）
ｆｒ４ｇ成ＪｊＩ素として包言するもの等々６植の方
式がろる。
ＩｔｏｌＦ８：ら、これ等１ｖｉｅｓ ｔｙｐｅにしろ
、 （、’ＴＯにしろ、Ｓｉ単結晶（Ｃ−８ｉと略記
する）ウエーノζ一基板を１更用する為に、光域変換部
の受光−の面積は。
、 （、’ＴＯにしろ、Ｓｉ単結晶（Ｃ−８ｉと略記
する）ウエーノζ一基板を１更用する為に、光域変換部
の受光−の面積は。
し−８ｉウエーハー基板の大＠延で限定されて仕舞り。
即ち、境時点に於いては、全慣域に於ける均一圧も言め
ると鞘々数１ｎｃｈ４！４度の大きさのＣ−８ｉウエー
ハー基板が表造妊れ得るに遇ぎなり為Ｋ。
ると鞘々数１ｎｃｈ４！４度の大きさのＣ−８ｉウエー
ハー基板が表造妊れ得るに遇ぎなり為Ｋ。
この詠なｃ−ｓｉウェーハー晶板を使用するＭＯ８鋏皺
に於いては、その受光面は、先のｃ−ｓｉ ウェー″一
基板の大きさを超え得るものではない。
に於いては、その受光面は、先のｃ−ｓｉ ウェー″一
基板の大きさを超え得るものではない。
従って、受光面がこの様な限られた小面積でろる光域変
換部を有する光電変換装置では９例えばディジタルコピ
ア（以後ＤＣと略記）の・入力装置として適用する場合
、縮小倍率つ大きい光学系’を複写しようとする原稿と
受光面との間に介在させ。
換部を有する光電変換装置では９例えばディジタルコピ
ア（以後ＤＣと略記）の・入力装置として適用する場合
、縮小倍率つ大きい光学系’を複写しようとする原稿と
受光面との間に介在させ。
該光学系を介して原稿の光学像を受光面に結像させる必
要が゛ある。
要が゛ある。
この様な場合、以下に述べる様に解ｇ１度を尚める上で
技術的なＩＩＪＩＲがるる。
技術的なＩＩＪＩＲがるる。
即ち、光電変換部の解像度が例えば１ｏ本／■。
受光面の長手方向の長さが３３であるとし、 Ａ４サイ
ズの原稿を複写しようと量る場合、受光面に結像される
原種の光字−Ｆｉ約ｌ／６９に縮小さｔＬ。
ズの原稿を複写しようと量る場合、受光面に結像される
原種の光字−Ｆｉ約ｌ／６９に縮小さｔＬ。
ム４原横に対する前記光電ｆ：換部の実質的な解像度ｌ
ｄｌ約１．５本／ｍに低下して仕舞う。この様に実質的
橙゛解＊ＫＦｉ、 ４１１与しようとする原稿のサイズ
が大きくなるに従って、（受光面のサイズ）／（原稿の
サイズ）の割付で低下する。
ｄｌ約１．５本／ｍに低下して仕舞う。この様に実質的
橙゛解＊ＫＦｉ、 ４１１与しようとする原稿のサイズ
が大きくなるに従って、（受光面のサイズ）／（原稿の
サイズ）の割付で低下する。
梃って、この点全解決するには、この様な方式に於いて
は、光電変換部の解像＆を＾める製造技術が要求さｎる
が、先の様な限られた小面積で要求ちれる解像１ｆ′に
一伊るには、集積ｖＢ１を極めて高くし且つ＃＃戚素子
に欠陥がな１様にして製造しなけ７Ｌばならないが、斯
かる製造技術にも自と限度かりる。
は、光電変換部の解像＆を＾める製造技術が要求さｎる
が、先の様な限られた小面積で要求ちれる解像１ｆ′に
一伊るには、集積ｖＢ１を極めて高くし且つ＃＃戚素子
に欠陥がな１様にして製造しなけ７Ｌばならないが、斯
かる製造技術にも自と限度かりる。
池方元１１１ｃ変換部１ｒ複数配置して、全受光面の長
手方向の長さが複写し得る最大サイズの原稿の主走童万
回の長毛と１：ｌになるーにし、結−される原佃の光学
Ｗ！ケ光砿変換邪の叡に分割して≠貞的なｍｗ度の低下
を避ｉようとする方式が提案さＩしている。
手方向の長さが複写し得る最大サイズの原稿の主走童万
回の長毛と１：ｌになるーにし、結−される原佃の光学
Ｗ！ケ光砿変換邪の叡に分割して≠貞的なｍｗ度の低下
を避ｉようとする方式が提案さＩしている。
聞′卜ら斯かる方式にＲいても、ＲＫ）ｉＥべる嫌な小
郁せさがある。即ち、光電変換部を会数配瞳すると必然
的に谷元＃ｔｆ：換部ＩＭｉ ＩＩＣ受党受光面在しな
い椀ｗｖＡ域が生じ、全体的に見る場合、受光面は字１
７ｖ１分餠δすｔ、且つ境弁え城に相当する部分は。
郁せさがある。即ち、光電変換部を会数配瞳すると必然
的に谷元＃ｔｆ：換部ＩＭｉ ＩＩＣ受党受光面在しな
い椀ｗｖＡ域が生じ、全体的に見る場合、受光面は字１
７ｖ１分餠δすｔ、且つ境弁え城に相当する部分は。
光域変換部に人力葛れず０俵写嘔れて米る画体は癲状に
白抜けした湊或い°ＩＩｉ細状に白抜けする部分に報幽
する部分が除かれて結付された不完全なものとなる。又
、ａＩＩＬｏ受元圓に分割でれて結像上れた光学像は、
台受光面に於いて谷々光学的反転−となってｂる為、全
体像は、ＩＩＡ横像の光学的反転像とは異っている。従
って、受光面に結像さｎ九光字倫をそのま、ま再生した
のでは元の原稿鍼ン鼻構することは小米な−。
白抜けした湊或い°ＩＩｉ細状に白抜けする部分に報幽
する部分が除かれて結付された不完全なものとなる。又
、ａＩＩＬｏ受元圓に分割でれて結像上れた光学像は、
台受光面に於いて谷々光学的反転−となってｂる為、全
体像は、ＩＩＡ横像の光学的反転像とは異っている。従
って、受光面に結像さｎ九光字倫をそのま、ま再生した
のでは元の原稿鍼ン鼻構することは小米な−。
この様に、従来の光電変換部を具備した光電変換装置に
於−ては、すの受光ｌが小さい為に尚解像度で情報を２
媛視するのは惚めて困廟であった。
於−ては、すの受光ｌが小さい為に尚解像度で情報を２
媛視するのは惚めて困廟であった。
従って、最大化された受光面を４ｆＬ、且つｐａｗ性に
優れた光電変換部を１する元電変侠装−が窒まれている
。殊にファクシミリやＬ）Ｃの入力装置。
優れた光電変換部を１する元電変侠装−が窒まれている
。殊にファクシミリやＬ）Ｃの入力装置。
成りはその悔の、鳳椙［４かれた文字や城を読取ｉ装置
に適用するものとしては、再生もれる原稿のサイズに相
等しい受光面を有し、＋８生像に要求される解像度を低
下させず、 １Ｊｉｔｍｔ忠−に再生８せ得る光電変換
部を具備した光電変ｍ装置が不ｔｓＪ欠でめる。
に適用するものとしては、再生もれる原稿のサイズに相
等しい受光面を有し、＋８生像に要求される解像度を低
下させず、 １Ｊｉｔｍｔ忠−に再生８せ得る光電変換
部を具備した光電変ｍ装置が不ｔｓＪ欠でめる。
本発明は上記の線点に−み成さｆｔ７ｃｍのでろって、
そのｌ：ｌ的とするところは、長尺化δれた受光圓ｋｎ
Ｌ且つ渇ｍ歇度化、−感度化姑れた光電変換部を具備し
、憔めて軽量化された光電変換装置を提供することにあ
る。
そのｌ：ｌ的とするところは、長尺化δれた受光圓ｋｎ
Ｌ且つ渇ｍ歇度化、−感度化姑れた光電変換部を具備し
、憔めて軽量化された光電変換装置を提供することにあ
る。
本発明の情報処ｍ装置＃ｉｓ個の光電変換要素が一列ア
レー状とされ、該光電変換４１’索が１個に共通な′４
極と、Ｓ個の光電変換要素毎に独立して設けられた電値
の電憔と、前記共通電他と前記独立電極との関に元゛−
変換層とを有する一次元長尺光′ｗＬ変侠部；入力され
た光信号に応答して前記１個の元＋４１ｆｆｉｌＩ＆豐
嵩から出力される電気信号を並列に入力し、Ｖｉ列に出
力する走査回路部及びマトリックス記？ＩＭ部；とを包
含するものである。
レー状とされ、該光電変換４１’索が１個に共通な′４
極と、Ｓ個の光電変換要素毎に独立して設けられた電値
の電憔と、前記共通電他と前記独立電極との関に元゛−
変換層とを有する一次元長尺光′ｗＬ変侠部；入力され
た光信号に応答して前記１個の元＋４１ｆｆｉｌＩ＆豐
嵩から出力される電気信号を並列に入力し、Ｖｉ列に出
力する走査回路部及びマトリックス記？ＩＭ部；とを包
含するものである。
史に本発明の管機を詳述すれは、第ｌの給電用配線によ
って一端を共通に配鱒爆れた前記光導電素子と同−１質
もしくはほぼ間−の環境特性を有手役 腋光電変換１１！÷の前記接続点に発生した電圧を読の
変換増巾出力が選択入力の配線に応じたマトリックス配
線をされている事でるる。
って一端を共通に配鱒爆れた前記光導電素子と同−１質
もしくはほぼ間−の環境特性を有手役 腋光電変換１１！÷の前記接続点に発生した電圧を読の
変換増巾出力が選択入力の配線に応じたマトリックス配
線をされている事でるる。
以下本発１１に於叶る走査回路の貌明を行なう。
第１図に本発明に於ける總１の走査回路を掲げる。
Ａ４短手方向に約８−素／■の密度の一像絖み取水され
ている１へ工により給電されている。また光導電素子と
岡−物質もしくＵ環境条件（ｆｉえは一部バイアス電源
として図示されているＶＢ、にょって耐電されて−る。
ている１へ工により給電されている。また光導電素子と
岡−物質もしくＵ環境条件（ｆｉえは一部バイアス電源
として図示されているＶＢ、にょって耐電されて−る。
従りて前記光４′Ｉｔ素子と補償用素子との対応する対
同士の接続点電位は光４慰嵩子への入射光ｆｉ＃Ｃ対応
した環境条件に対して補償さｔＬｆｃ ＊ ｔ 取る事
になる。
同士の接続点電位は光４慰嵩子への入射光ｆｉ＃Ｃ対応
した環境条件に対して補償さｔＬｆｃ ＊ ｔ 取る事
になる。
進択口」能な４１Ｊ用ＭＯ８（又はＭＩＳ））ランジス
Ａ１−〇 り幹９〜Ａｆｓ４−３□の３２本毎に共通なドレイン匈
配−９例えばブロックＩＩＩ＆ｗＪ−ｂ１に排他的に電
圧を供顧すれは、−紀接続点の電位に応じて増巾用ＭＯ
８（又はＭＩＳ）トランジスタはバイアスされている事
になり、各増巾用ＭＯ８（父はＭＩＳ） ）ランシス
タは個々［接続されている光導電素子への入・鴫訛増巾
器等の低インピーダンス入力回路へ縦続たｐｉ ｒｌ］
）４４ ＭＯＳ 、（３はＭＩＳ） ）ランジスタ間の
分離ｔ（姥に非選択時に）偵実にする為に設けられて一
電嵩子もしくは補償用素子と同じもしくは似た環境特性
（王としてトランジスタスレツシールド電圧等で）を持
つならば４歯なＶ、 ＶＢ、の櫨の剋択に半うて項中
素子の環境特性も補償可能な事＃ｉ明白であシ、 ＩＩ
Ｉ＃に後述の増巾用素子と光導電性素子及び補償用素子
が同一テクノロジによりて製作塾れる場合には大きな効
果が生まれる。
Ａ１−〇 り幹９〜Ａｆｓ４−３□の３２本毎に共通なドレイン匈
配−９例えばブロックＩＩＩ＆ｗＪ−ｂ１に排他的に電
圧を供顧すれは、−紀接続点の電位に応じて増巾用ＭＯ
８（又はＭＩＳ）トランジスタはバイアスされている事
になり、各増巾用ＭＯ８（父はＭＩＳ） ）ランシス
タは個々［接続されている光導電素子への入・鴫訛増巾
器等の低インピーダンス入力回路へ縦続たｐｉ ｒｌ］
）４４ ＭＯＳ 、（３はＭＩＳ） ）ランジスタ間の
分離ｔ（姥に非選択時に）偵実にする為に設けられて一
電嵩子もしくは補償用素子と同じもしくは似た環境特性
（王としてトランジスタスレツシールド電圧等で）を持
つならば４歯なＶ、 ＶＢ、の櫨の剋択に半うて項中
素子の環境特性も補償可能な事＃ｉ明白であシ、 ＩＩ
Ｉ＃に後述の増巾用素子と光導電性素子及び補償用素子
が同一テクノロジによりて製作塾れる場合には大きな効
果が生まれる。
走査回路の第２の実施例を第２図に描ける。第１図に示
し友Ｉｌｌの例は入射光量の読み出しＭａｌを多く要求
しない場合もしくは増巾用として使用するトランジスタ
がＰＩｊ；ロット製品で伝達特性、特にスレッシ曹ルド
電圧の分布が小さｉ場合等に＃ｉ十分な効果が期待でき
０回路も簡単である。しかしながら脣ＫＩＩＩｉｉい種
度で光量情報を試み取る場合等には、前記伝達特性の分
布が問題に成る場合がある。ｉ１２図に示した例は上記
の問題を解決する為に増巾用ト？ンジスタ＝４〜ムロい
、□のソース−―に、抵抗を挿入し、電流帰還によって
場合した伝達、４＃性、Ｏ１均一化を実構←た例である
。回路動作のｉｔ＠は増巾用トランジスタの―作に電流
帰還を利用した負−ｆｉを作用させる事が虐解さｎれｄ
。
し友Ｉｌｌの例は入射光量の読み出しＭａｌを多く要求
しない場合もしくは増巾用として使用するトランジスタ
がＰＩｊ；ロット製品で伝達特性、特にスレッシ曹ルド
電圧の分布が小さｉ場合等に＃ｉ十分な効果が期待でき
０回路も簡単である。しかしながら脣ＫＩＩＩｉｉい種
度で光量情報を試み取る場合等には、前記伝達特性の分
布が問題に成る場合がある。ｉ１２図に示した例は上記
の問題を解決する為に増巾用ト？ンジスタ＝４〜ムロい
、□のソース−―に、抵抗を挿入し、電流帰還によって
場合した伝達、４＃性、Ｏ１均一化を実構←た例である
。回路動作のｉｔ＠は増巾用トランジスタの―作に電流
帰還を利用した負−ｆｉを作用させる事が虐解さｎれｄ
。
第１の走置回路の説明から明らかである。
本祐明に於ける第３の走査回路例を第３図ｆ＆）、 （
ｂ）に掲（図に一部のみを掲ｍ）を用い、また増巾用）
ランジスタのドレイン−共通−からの分一手段としてｔ
ｒ、ゐ素子で構成する事によシ谷易に集槓化小米るとい
つ大きな効果が生まれる。
ｂ）に掲（図に一部のみを掲ｍ）を用い、また増巾用）
ランジスタのドレイン−共通−からの分一手段としてｔ
ｒ、ゐ素子で構成する事によシ谷易に集槓化小米るとい
つ大きな効果が生まれる。
継磁々圧を変えるφによ如、複合した伝過特性をプログ
ラム小米る４徴をＭする。檀々の共通ゲートバイアス値
に対する伝達特性の変化を第４図にボす。
ラム小米る４徴をＭする。檀々の共通ゲートバイアス値
に対する伝達特性の変化を第４図にボす。
以上述べた走４を回路では富に光導電素子出力トリック
ス配線上に信号を送シ出してｉる。−蚊に光導電素子導
電率は可成り低く、まえ本光電変換手段の主なる用途で
あるディジタルコピア、ファクシミリ等で要求される長
尺化された画像読み堆シ装置への応用に於ては広ｈマト
リックス４ｊ組ｔ！！求され、微弱な電気信号を長い配
−を通して処暑する事になシ、良好１ｋＳＮ比を期待出
来ぬ場合が多い。本発明の太き１ｋｌｆ＃徴の一つは上
側の祿に光導電素子出力選択素子に増巾作用を持たせて
おシ、上記の！トリックス布ＷＭヲ低インピーダンスで
駆動出来る事になシ、雑音等の悪影醤を大さく低楓せし
めた事ＫＴｏる。
ス配線上に信号を送シ出してｉる。−蚊に光導電素子導
電率は可成り低く、まえ本光電変換手段の主なる用途で
あるディジタルコピア、ファクシミリ等で要求される長
尺化された画像読み堆シ装置への応用に於ては広ｈマト
リックス４ｊ組ｔ！！求され、微弱な電気信号を長い配
−を通して処暑する事になシ、良好１ｋＳＮ比を期待出
来ぬ場合が多い。本発明の太き１ｋｌｆ＃徴の一つは上
側の祿に光導電素子出力選択素子に増巾作用を持たせて
おシ、上記の！トリックス布ＷＭヲ低インピーダンスで
駆動出来る事になシ、雑音等の悪影醤を大さく低楓せし
めた事ＫＴｏる。
第５図に本発明の光電変換装置の構成の俣人的０
・説明図を示す。ガラス等の透明な基板特上に−にワイ
ヤーポンディング忙依って接続されている。
ヤーポンディング忙依って接続されている。
またｌよ〜ｌ□からの出力−もやはシワイヤー・ボンデ
ィングによって基板上魚着電他に接続されマトリックス
布細部５１に導かれ、Ｒ終的に出力用１４Ｌ憾に導かれ
る。躯動祿す、〜−１等外部制御縁もやはり基板上の蒸
−４薄膜電極配縁を潰して走査Ｕ結基板に導かれる。本
実施例で示されるハイブリッド構造の光電変換素子も以
下の実施例で示されるモノリシック４造に於岐る光４砿
菓子と同−構造舎・イするので、その際に詳ｍｋ説明さ
れる。
ィングによって基板上魚着電他に接続されマトリックス
布細部５１に導かれ、Ｒ終的に出力用１４Ｌ憾に導かれ
る。躯動祿す、〜−１等外部制御縁もやはり基板上の蒸
−４薄膜電極配縁を潰して走査Ｕ結基板に導かれる。本
実施例で示されるハイブリッド構造の光電変換素子も以
下の実施例で示されるモノリシック４造に於岐る光４砿
菓子と同−構造舎・イするので、その際に詳ｍｋ説明さ
れる。
第０図に示す夷Ｍ例は第１図に示された走査回路を盆て
一枚の基板上に堆積した薄膜によって実６０３と１図示
δれでいる紙面右ＩＭｌｌＫ位置するマ゛トリックス配
縁部と信号入出力及び電源供給電極が作表されている。
一枚の基板上に堆積した薄膜によって実６０３と１図示
δれでいる紙面右ＩＭｌｌＫ位置するマ゛トリックス配
縁部と信号入出力及び電源供給電極が作表されている。
マ）リックス配に部の概−図は０
第７図で示される一般的なもので塾って÷φ〜７４−４
はスルーホール接続部に、−７５は光電−一部及びま責
回路部分に対応する。 ′ ００ 光電壷換Ｓは個別電極として透＆ｊ１１基１１ｉ翻唖を
に独立して作ｊ１嘔れている。更に前記個別電憾上に８
１Ｈ，ガス、Ｈ重ガス混合ガス中でグロー放電を発生せ
しめ、 ８１）ｉｎの分解によ・って堆積するアモル
二Ｈ ファス水嵩化シリコン（以後ａ−８ｉと略記）の光導・
戒へ （急増エツチング・プロセスを経て）薄−配−される。
はスルーホール接続部に、−７５は光電−一部及びま責
回路部分に対応する。 ′ ００ 光電壷換Ｓは個別電極として透＆ｊ１１基１１ｉ翻唖を
に独立して作ｊ１嘔れている。更に前記個別電憾上に８
１Ｈ，ガス、Ｈ重ガス混合ガス中でグロー放電を発生せ
しめ、 ８１）ｉｎの分解によ・って堆積するアモル
二Ｈ ファス水嵩化シリコン（以後ａ−８ｉと略記）の光導・
戒へ （急増エツチング・プロセスを経て）薄−配−される。
尚上記グロー放電分解法による蒸着プロセスに於て８１
１Ｌ／Ｈｇガス中に適当ｌ１１度のｐｎ、ガスもしく＃
ｉＢ、Ｈ・ガスを混入でせる事で広いａＳのドーピング
量を持ち、それぞれ％臘導電峙性、及びＰ皺導電特性を
もった１−８Ｌ薄膜を作表する事ができ＠ ａ−８ｉ
層は外ＩＡＫ触れる事なく連続的に各導電層の層を堆積
できる。例えば上紀ａ−８１光導電膜はその上面部及び
下ｄＩｉ部をＰ原子を一一度にドープした１層で形成す
る事によシミ他金属との抵抗性侭触會確保している。従
って以後の説明ではで同−絶対値を持つ様に供給する挙
により画素子に−Ａ、ｉｅ１でしかも時に温式に対して
敏感なｌｌ１ｔ電流をキャンセルするφが小米るし、過
当にバランスざ一＋ｒｎは増巾用ＭＩＳ構造トランジス
タ６１２ の＝ＳたＰ原子−縦に鎮存するφを利用し
てル層を取シで小姑れる分離ダイオードとしての機能を
持つシーットキー・バリヤ・ダイオードを形成している
。
１Ｌ／Ｈｇガス中に適当ｌ１１度のｐｎ、ガスもしく＃
ｉＢ、Ｈ・ガスを混入でせる事で広いａＳのドーピング
量を持ち、それぞれ％臘導電峙性、及びＰ皺導電特性を
もった１−８Ｌ薄膜を作表する事ができ＠ ａ−８ｉ
層は外ＩＡＫ触れる事なく連続的に各導電層の層を堆積
できる。例えば上紀ａ−８１光導電膜はその上面部及び
下ｄＩｉ部をＰ原子を一一度にドープした１層で形成す
る事によシミ他金属との抵抗性侭触會確保している。従
って以後の説明ではで同−絶対値を持つ様に供給する挙
により画素子に−Ａ、ｉｅ１でしかも時に温式に対して
敏感なｌｌ１ｔ電流をキャンセルするφが小米るし、過
当にバランスざ一＋ｒｎは増巾用ＭＩＳ構造トランジス
タ６１２ の＝ＳたＰ原子−縦に鎮存するφを利用し
てル層を取シで小姑れる分離ダイオードとしての機能を
持つシーットキー・バリヤ・ダイオードを形成している
。
またソース側１を極６１３接触部分は１層が残さｔＬ（
Ａ） １嚇に於けるＸ −Ｘ’での切断面図である。部材配ｔ
−は第６図とはぼ同じであり、異なる点に億仇の酸化吻
、ホウ化物、窒化智等を用いて壽成姑れてもよ１０ 電ｔＩｔ帰ＩＩＬ素子としてＭＩＳ）ランジスタを、
又た。本実施例に於ては鉋６図に示した部材配置とと憶
抗注接触を保つように設計されてｈる点であ−Ｖまトラ
ンジスター源鰍ｖＤと共相して使われて以上実施例で示
した如く本発明では従米多故の元１＊轍ｔｆ：食し出力
する光嶌変侠装置に於て、長尺化が積度良く実現ｑ能で
、増巾機能を持つ走査回Ｍ！Ｉを構成する事によってイ
ンピーダンスの１１元４１糸子を広く配−した−合に問
題となる雑音の載置を大さく低減し、た″／ｌ、鑞変供
装置を作成する挙をロエ１ヒならしめた。
Ａ） １嚇に於けるＸ −Ｘ’での切断面図である。部材配ｔ
−は第６図とはぼ同じであり、異なる点に億仇の酸化吻
、ホウ化物、窒化智等を用いて壽成姑れてもよ１０ 電ｔＩｔ帰ＩＩＬ素子としてＭＩＳ）ランジスタを、
又た。本実施例に於ては鉋６図に示した部材配置とと憶
抗注接触を保つように設計されてｈる点であ−Ｖまトラ
ンジスター源鰍ｖＤと共相して使われて以上実施例で示
した如く本発明では従米多故の元１＊轍ｔｆ：食し出力
する光嶌変侠装置に於て、長尺化が積度良く実現ｑ能で
、増巾機能を持つ走査回Ｍ！Ｉを構成する事によってイ
ンピーダンスの１１元４１糸子を広く配−した−合に問
題となる雑音の載置を大さく低減し、た″／ｌ、鑞変供
装置を作成する挙をロエ１ヒならしめた。
４、 Ｌ！！、１面の量率な絖明
第１図乃至ｉｇ３凶（ａ）、 （ｂ）は各々、 本発明
に係わ４）疋處回路を説明する為の走置回路図、第４図
社舎ゴ各々本発明の夷胤廊様を説明する為の説明図。
に係わ４）疋處回路を説明する為の走置回路図、第４図
社舎ゴ各々本発明の夷胤廊様を説明する為の説明図。
Ｖよ【テ々、他の本％明の実ｍ趨様例を説明する為の説
明図でめる〇 出−人 キャノン株式会社
明図でめる〇 出−人 キャノン株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１の給電用配線によって一端を共通に配線された薄膜
シリコンで作られた光導電素子と。 第２の給電用配線によって一端を共通に配゛線された前
記光導電素子と同一物質もしくはほぼ同一の環境特性を
有する多数の補償用素子とがそれぞ、れ個別に接続され
た構造を有する複合化された光電変換手段と、・該光電
変換手段の前記接続点に発生した電圧を読み取り電圧も
しくは電ＮＥに変換増巾し１選択可能であって、多結晶
シリコンから成る増巾手段とによって一成゛されかつ前
記増巾手段の変換増ｒｌ出力が選択大男の配線に応じた
マトリックス配線をされている事を特徴とする光電変換
装置。 ゛
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56168091A JPS5868967A (ja) | 1981-10-21 | 1981-10-21 | 固体光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56168091A JPS5868967A (ja) | 1981-10-21 | 1981-10-21 | 固体光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5868967A true JPS5868967A (ja) | 1983-04-25 |
| JPH0337742B2 JPH0337742B2 (ja) | 1991-06-06 |
Family
ID=15861673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56168091A Granted JPS5868967A (ja) | 1981-10-21 | 1981-10-21 | 固体光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5868967A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62154851A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-09 | Casio Comput Co Ltd | イメ−ジセンサ |
-
1981
- 1981-10-21 JP JP56168091A patent/JPS5868967A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62154851A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-09 | Casio Comput Co Ltd | イメ−ジセンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0337742B2 (ja) | 1991-06-06 |
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