JPS5868990A - 発光ダイオ−ド - Google Patents
発光ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS5868990A JPS5868990A JP56166325A JP16632581A JPS5868990A JP S5868990 A JPS5868990 A JP S5868990A JP 56166325 A JP56166325 A JP 56166325A JP 16632581 A JP16632581 A JP 16632581A JP S5868990 A JPS5868990 A JP S5868990A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- hole
- substrate
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
- H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１）発明の技術分野
本発明は、光通信用発光ダイオードの構造ｄ二関する。
近年、光通信用光源としてのＧａＡＪＡｓ／ＧａＡｓ系
発翼ダイオードの進歩は著しく、一部は実用の段階にき
ている。また、光通信技術の高度化、多様化（二ともな
って、光源に対して高出力化、高速化が要請されてきて
おｐ、＊ζ二高出力化（一対しては素子構造に種々の工
夫がなされている。
発翼ダイオードの進歩は著しく、一部は実用の段階にき
ている。また、光通信技術の高度化、多様化（二ともな
って、光源に対して高出力化、高速化が要請されてきて
おｐ、＊ζ二高出力化（一対しては素子構造に種々の工
夫がなされている。
２）従来技術
１８１図４−１従来例として、ダブルへテロ構造造のパ
２ス（Ｂｕｒｒｕｓ ）型発光ダイオードの一断函図、
を−示す。ｎ ＧａＡｓ基板（１）（二、例えば液相成
長法（二よって、タプルヘテロ構造のエピタキシャル層
（２） 、 （３）、（４）を設け、更（＝Ｐ側電極（
陽極）金属（７）とのオーム性接触を得るためｐ Ｇａ
Ａｓ Ｊ＊（５）を成長させる。（６）は動作電流密度
を増大させるための絶縁膜、例えば８１０１層である。
２ス（Ｂｕｒｒｕｓ ）型発光ダイオードの一断函図、
を−示す。ｎ ＧａＡｓ基板（１）（二、例えば液相成
長法（二よって、タプルヘテロ構造のエピタキシャル層
（２） 、 （３）、（４）を設け、更（＝Ｐ側電極（
陽極）金属（７）とのオーム性接触を得るためｐ Ｇａ
Ａｓ Ｊ＊（５）を成長させる。（６）は動作電流密度
を増大させるための絶縁膜、例えば８１０１層である。
基板（１）の他Ｏ面毫二は、光を取シ出すための穴（８
）をあけ、穴の周囲にｎ儒電゛極（陰極）金属（９）が
被着されている。さらに、焦光性を向上させるため、球
レンズ←・が配設しである。電極（力および（９）間に
通電することシーよって、活性層（３）で発光した光の
一部は球レンズ員を通って外部に取）出される。外部６
二取ｐ出された光を効率よくガラスファイバに結合する
ためには、動作電流を活性層の狭い領域ζ二集中するこ
とが必要である。
）をあけ、穴の周囲にｎ儒電゛極（陰極）金属（９）が
被着されている。さらに、焦光性を向上させるため、球
レンズ←・が配設しである。電極（力および（９）間に
通電することシーよって、活性層（３）で発光した光の
一部は球レンズ員を通って外部に取）出される。外部６
二取ｐ出された光を効率よくガラスファイバに結合する
ためには、動作電流を活性層の狭い領域ζ二集中するこ
とが必要である。
３）従来技術の問題点
このような従来の構造においては次の欠点がある。第１
に、光を外部に取りだすための穴（８）があるため、基
板に接近している活性層中央部の伏吟領域に動作電流を
集中させることが困難である。このため、活性層の比較
的広い領域で元元し、球レンズ橢よる焦光性を低下させ
ることＩＳなる。第２の欠点として、動作時の熱抵抗を
緩和するため、通常Ｐサイドダウン（Ｐｒｉｄｅｄｏ■
）の形で唇讐金属を介して熱伝導性の良い基体上に配設
されるが、この場合、融着金属と活性ノーとの間隔は通
常１０〜１５μｍ程度であるため、素子端面に露出して
いる活性層に融着金属が付層し、特性不良の原因となる
ことが多い。
に、光を外部に取りだすための穴（８）があるため、基
板に接近している活性層中央部の伏吟領域に動作電流を
集中させることが困難である。このため、活性層の比較
的広い領域で元元し、球レンズ橢よる焦光性を低下させ
ることＩＳなる。第２の欠点として、動作時の熱抵抗を
緩和するため、通常Ｐサイドダウン（Ｐｒｉｄｅｄｏ■
）の形で唇讐金属を介して熱伝導性の良い基体上に配設
されるが、この場合、融着金属と活性ノーとの間隔は通
常１０〜１５μｍ程度であるため、素子端面に露出して
いる活性層に融着金属が付層し、特性不良の原因となる
ことが多い。
４）発明の目的
不発明は、上記欠点を除去し、ガラスファイバとの光結
合効率を向上させ、かつ信頼性の高い発光ダイオードを
提供することを目的とする。
合効率を向上させ、かつ信頼性の高い発光ダイオードを
提供することを目的とする。
すなわち、ＧａＡｓ基板（；電極形成用の穴をあけ、穴
の内部および庵辺部＜ｘｉ電極金属被着して、−謝金属
を介して基体上に配設する発光ダイオードを提供するも
のである。
の内部および庵辺部＜ｘｉ電極金属被着して、−謝金属
を介して基体上に配設する発光ダイオードを提供するも
のである。
Ｓ）発明の実施例
以下実施例：二よって本発明の詳細な説明する。
第２図は、本発明（二よってなされたＧａＡＡｉＡａ／
ＧａＡｓ発光ダイオードの一断面図である。ｎＧａＡｓ
基板（１）の−面ζ一液相成長法（＝よって、ｎＧａｏ
、、。
ＧａＡｓ発光ダイオードの一断面図である。ｎＧａＡｓ
基板（１）の−面ζ一液相成長法（＝よって、ｎＧａｏ
、、。
ＡＪａａＡＳ層（２）、活性層としてＰ Ｇａ（、、Ｂ
Ａ１１ａ、ｏｙ Ａｓ ７ｍ（３）、Ｐ Ｇａ０ＪＩ
Ｉ ）ｄＪｏ、５ｌｌＡｓ層（４）、′磁極（７）との
オーム性接触を得るためのｐ ＧａｏΔＩＪｒｙ）１
Ａ１４層（５）をそれぞれエピタキシャル成長させた。
Ａ１１ａ、ｏｙ Ａｓ ７ｍ（３）、Ｐ Ｇａ０ＪＩ
Ｉ ）ｄＪｏ、５ｌｌＡｓ層（４）、′磁極（７）との
オーム性接触を得るためのｐ ＧａｏΔＩＪｒｙ）１
Ａ１４層（５）をそれぞれエピタキシャル成長させた。
次に通常の方法シニよって、エピタキシャル層（５）の
上（二ｐ側電極を形成するための５ｉＯ１絶縁層（６）
と電極金属（７）を被着し、シリコン樹脂（１１）ｌ二
よって球レンズＣＩＯ＋を固定できるようにする。次に
、基板（１）の他の囲（：、ｐ側電極４二対向して、穴
（８）をあけ、この穴の内部および周辺にｎ１ｉｌｌ電
極を形成するだめの電極金属（９）を被着する。以上の
ようにして１ａ作した発光ダイオードを融着金属を介し
て、ｐサイドアップ（Ｐ ５ｉｄｅ ｕｐ ）の形で基
体上に配設し、ｗ！特性を測定した。その結果、近視野
像から、活性層中央部の発光領域は、大きさで約２分の
１に縮小し、動作電流密度の増大が観測され、た。
上（二ｐ側電極を形成するための５ｉＯ１絶縁層（６）
と電極金属（７）を被着し、シリコン樹脂（１１）ｌ二
よって球レンズＣＩＯ＋を固定できるようにする。次に
、基板（１）の他の囲（：、ｐ側電極４二対向して、穴
（８）をあけ、この穴の内部および周辺にｎ１ｉｌｌ電
極を形成するだめの電極金属（９）を被着する。以上の
ようにして１ａ作した発光ダイオードを融着金属を介し
て、ｐサイドアップ（Ｐ ５ｉｄｅ ｕｐ ）の形で基
体上に配設し、ｗ！特性を測定した。その結果、近視野
像から、活性層中央部の発光領域は、大きさで約２分の
１に縮小し、動作電流密度の増大が観測され、た。
盪たカラスファイバとの光結合は従来に比較し約１．６
倍に増大した。ｐサイドアップの・形で基体・（−配設
して馳るため、活性層が融着金属によって汚染されるこ
と（：よる特性の劣化は認められなかった。
倍に増大した。ｐサイドアップの・形で基体・（−配設
して馳るため、活性層が融着金属によって汚染されるこ
と（：よる特性の劣化は認められなかった。
υ）発明の効果
不発明は次の効果を有する。（１）従来のバラス形尤光
ダイオードのように、光を取り出すための穴（二よって
活性層中央部の狭い領域への胤渡来中が粗害されること
なく、動作電流密度を増大せしめることができる。これ
（−よって、値小領域からの発光が可シヒとなり、ガラ
スファイバとの光結合の効率が増大する。（２）発光ダ
イオードを基体に配設する際し、融着憾属と活性層の１
：ｊｌに基板が−７３：′＆：、するため、融着金属の
活性層測佃への汚染を防止することができ、％性の安定
化に有効でめる。
ダイオードのように、光を取り出すための穴（二よって
活性層中央部の狭い領域への胤渡来中が粗害されること
なく、動作電流密度を増大せしめることができる。これ
（−よって、値小領域からの発光が可シヒとなり、ガラ
スファイバとの光結合の効率が増大する。（２）発光ダ
イオードを基体に配設する際し、融着憾属と活性層の１
：ｊｌに基板が−７３：′＆：、するため、融着金属の
活性層測佃への汚染を防止することができ、％性の安定
化に有効でめる。
第ＩＬ４８Ｉは従来の発光ダイオードを示す概略断面図
、第２図は本発明の一実施例を示す概略断面図でおる。
、第２図は本発明の一実施例を示す概略断面図でおる。
Claims (1)
- 基板の一面に設けた複数のエピタキシャル層と、このエ
ピタキシャル層および前記基板の他の面に設けられた電
極とから成る発光ダイオードにおいて、Ａｔ＋ 記エピ
タキシャル層に殴けた電極り対向して前記基板に穴をあ
け、前記穴の内部および周辺に電極金属な被着したこと
を特徴とする発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56166325A JPS5868990A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56166325A JPS5868990A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 発光ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5868990A true JPS5868990A (ja) | 1983-04-25 |
Family
ID=15829259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56166325A Pending JPS5868990A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5868990A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5554877A (en) * | 1988-05-06 | 1996-09-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Compound semiconductor electroluminescent device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5273510U (ja) * | 1975-11-28 | 1977-06-01 | ||
| JPS55120918U (ja) * | 1979-02-21 | 1980-08-27 | ||
| JPS56102029U (ja) * | 1979-12-30 | 1981-08-11 |
-
1981
- 1981-10-20 JP JP56166325A patent/JPS5868990A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5273510U (ja) * | 1975-11-28 | 1977-06-01 | ||
| JPS55120918U (ja) * | 1979-02-21 | 1980-08-27 | ||
| JPS56102029U (ja) * | 1979-12-30 | 1981-08-11 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5554877A (en) * | 1988-05-06 | 1996-09-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Compound semiconductor electroluminescent device |
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