JPS5871669A - 面発光型発光ダイオ−ド - Google Patents
面発光型発光ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS5871669A JPS5871669A JP56169489A JP16948981A JPS5871669A JP S5871669 A JPS5871669 A JP S5871669A JP 56169489 A JP56169489 A JP 56169489A JP 16948981 A JP16948981 A JP 16948981A JP S5871669 A JPS5871669 A JP S5871669A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- electrode
- emitting diode
- region
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
- H10H20/821—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates of the light-emitting regions, e.g. non-planar junctions
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光フアイバ通信用に適した面発光型発光ダイオ
ードの改良に関する。
ードの改良に関する。
面発光型発光ダイオードは、高信頼性及び温度特性高安
定性の特徴を有し、実用的な素子である。
定性の特徴を有し、実用的な素子である。
特に、活性層内の注入キャリアのライフ・タイムを短く
した高速変調用素子は、伝送速度１００Ｍｂ／ｓ以上の
光伝送システムを構成することも可能であシ、広い用途
が期待されている。
した高速変調用素子は、伝送速度１００Ｍｂ／ｓ以上の
光伝送システムを構成することも可能であシ、広い用途
が期待されている。
面発光型発光ダイオードのパルス応答特性は、活性層内
の注入キャリアのライフ・タイム及び素子の接合容量よ
り定められる。特に、伝送速度１００Ｒ４ｂ／ｓ 以
上においては、素子の発光領域周辺の寄生容量の影響が
顕著になる。しかしながら、従来の面発光型発光ダイオ
ードにおいては、発光領域と、発光領域周辺部が、クラ
、ド領域の拡がシ抵抗等を通して電気的に接続されてい
る為、寄生容量の影響を抑えることが困難であった。
の注入キャリアのライフ・タイム及び素子の接合容量よ
り定められる。特に、伝送速度１００Ｒ４ｂ／ｓ 以
上においては、素子の発光領域周辺の寄生容量の影響が
顕著になる。しかしながら、従来の面発光型発光ダイオ
ードにおいては、発光領域と、発光領域周辺部が、クラ
、ド領域の拡がシ抵抗等を通して電気的に接続されてい
る為、寄生容量の影響を抑えることが困難であった。
本発明の目的は、上述の困難を除去し、パルス応答特性
がすぐれ九高速変調用面発光型発光ダイオードを提供す
ることにある。
がすぐれ九高速変調用面発光型発光ダイオードを提供す
ることにある。
本発明によれば、■−ｖ族半導体よ）成る二重へテロ接
合構造を有する面発光型発光ダイオードにおいて、ｐｎ
接合が電気的絶縁溝によシ発光領域と発光領域周辺部に
分離されていることを特徴とする「発光型発光ダイオー
ドが得られる。
合構造を有する面発光型発光ダイオードにおいて、ｐｎ
接合が電気的絶縁溝によシ発光領域と発光領域周辺部に
分離されていることを特徴とする「発光型発光ダイオー
ドが得られる。
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
図面は１本発明の一実施例の断面図を表わすものである
。本実施例は、半導体基板２にエピタキシャル成長され
た活性半導体層３Ｊｌ及び３ｂ、クラッド領域４ａ及び
４ｂ、電極形成層５ｍ及び５ｂ。
。本実施例は、半導体基板２にエピタキシャル成長され
た活性半導体層３Ｊｌ及び３ｂ、クラッド領域４ａ及び
４ｂ、電極形成層５ｍ及び５ｂ。
電極形成層の上に形成された絶縁層６、及び電極７、電
気的絶縁溝８、光取出し用円形窓を含む電極ｌよｐ構成
されている。半導体基板２は、面方位（１００）、導電
形ｎ形のＩｎＰ単結晶で厚さ約８０μｍである。活性半
導体層３ａ及び３ｂは、禁制帯幅０．９５ｅｖ に相当
す６ Ｉ ｎ ６．１ａ Ｇ ａ ｏ、ｚａＡＩ６．Ｈ
ＰＩ）、４４で厚さ約０．５ μｍ 、 クラブ）”領
域４ａ及び４ｂは導電形ｐ形のＩｎＰで厚さ約１μｍ、
電極形成層５ａ及び５ｂは導電形ｐ形の禁制帯幅１．１
３ｅｌＶ に相当するＩ ｎ ｏ、ｎｏｔ Ｏ，１１”
０．２４ ＰＧ、７＠で厚さ約１μｍである。電気的
絶縁溝８は幅約５μｍ、深さ約２．５μｍ、内径的４０
μｍの環状に電極形成層、クラッド領域、及び活性半導
体層を化学エツチングによシ除去して作成される。絶縁
層６は５ｉｆｔ 膜より成シ、厚さ約０．２μｍで、
絶縁溝８の中心に位置する直径約２０μｍの円形領域は
、化学エツチングにより除去され、電流注入部を構成し
ている。電極ｌはＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ合金よシ形成されて
お）、光取出し用円形窓の直径は約１５０μｍ、又、電
極７はＡ ｕ −Ｚ ｎ 合金より形成されている。
気的絶縁溝８、光取出し用円形窓を含む電極ｌよｐ構成
されている。半導体基板２は、面方位（１００）、導電
形ｎ形のＩｎＰ単結晶で厚さ約８０μｍである。活性半
導体層３ａ及び３ｂは、禁制帯幅０．９５ｅｖ に相当
す６ Ｉ ｎ ６．１ａ Ｇ ａ ｏ、ｚａＡＩ６．Ｈ
ＰＩ）、４４で厚さ約０．５ μｍ 、 クラブ）”領
域４ａ及び４ｂは導電形ｐ形のＩｎＰで厚さ約１μｍ、
電極形成層５ａ及び５ｂは導電形ｐ形の禁制帯幅１．１
３ｅｌＶ に相当するＩ ｎ ｏ、ｎｏｔ Ｏ，１１”
０．２４ ＰＧ、７＠で厚さ約１μｍである。電気的
絶縁溝８は幅約５μｍ、深さ約２．５μｍ、内径的４０
μｍの環状に電極形成層、クラッド領域、及び活性半導
体層を化学エツチングによシ除去して作成される。絶縁
層６は５ｉｆｔ 膜より成シ、厚さ約０．２μｍで、
絶縁溝８の中心に位置する直径約２０μｍの円形領域は
、化学エツチングにより除去され、電流注入部を構成し
ている。電極ｌはＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ合金よシ形成されて
お）、光取出し用円形窓の直径は約１５０μｍ、又、電
極７はＡ ｕ −Ｚ ｎ 合金より形成されている。
本実施例に於いては、発光領域、及び発光領域近傍の活
性半導体層３直とクラッド領域４ａの界面に形成された
ｐｎ接合と発光領域周辺の活性半導体層３ｂとクラッド
領域４ｂの界面に形成されたｐｎ接合は電気的絶縁溝８
によシ分離されている為１発光領域周辺のｐｎ接合の寄
生容量の効果を除去することができる。その改善量は、
絶縁溝８の内径が小さい程、大きいが、その為にはｐｎ
接合のリーク電流を抑える必要があ）、８ ｉｔｓよ構
成る絶縁層６は表面不活性化の作用も兼ねている。さら
に、本実施例においてｐ＠電極構造は、はぼブレーナに
近い構造であｐ、融着、ボンディング等に対して極めて
安定・丈夫であシ、絶縁溝′ ８の内径は、かなり小さ
くすることも可能である。
性半導体層３直とクラッド領域４ａの界面に形成された
ｐｎ接合と発光領域周辺の活性半導体層３ｂとクラッド
領域４ｂの界面に形成されたｐｎ接合は電気的絶縁溝８
によシ分離されている為１発光領域周辺のｐｎ接合の寄
生容量の効果を除去することができる。その改善量は、
絶縁溝８の内径が小さい程、大きいが、その為にはｐｎ
接合のリーク電流を抑える必要があ）、８ ｉｔｓよ構
成る絶縁層６は表面不活性化の作用も兼ねている。さら
に、本実施例においてｐ＠電極構造は、はぼブレーナに
近い構造であｐ、融着、ボンディング等に対して極めて
安定・丈夫であシ、絶縁溝′ ８の内径は、かなり小さ
くすることも可能である。
尚、上述の実施例では、活性半導体層の組成を発光波長
１．３μｍとしたが、もちろんこれに限定する必要はな
く１本発明はあらゆる組成の■−■族半導体に於いて適
用可能である。
１．３μｍとしたが、もちろんこれに限定する必要はな
く１本発明はあらゆる組成の■−■族半導体に於いて適
用可能である。
最後に、本発明が有する特徴を要約すれば、ｐｎ接合が
電気的絶縁溝によシ、発光領域と発光領域周辺部に分離
されていることによシ５発光領域周辺部の寄生容量が除
去され、かつ融着・ボンディングにも安定な高速パルス
変調が可能表面発光型発光ダイオードが得られることで
ある。
電気的絶縁溝によシ、発光領域と発光領域周辺部に分離
されていることによシ５発光領域周辺部の寄生容量が除
去され、かつ融着・ボンディングにも安定な高速パルス
変調が可能表面発光型発光ダイオードが得られることで
ある。
図面は一実施例の断面図である。
図中、ｌはｎ側電極、２は半導体基板、３１及び３ｂは
活性半導体層、４鳳及び４ｂはクラ、ド領域、５ｉ及び
５ｂは電極形成層、６は絶縁層、７はｐ側電極、８は電
気的絶縁溝である。 ◇
活性半導体層、４鳳及び４ｂはクラ、ド領域、５ｉ及び
５ｂは電極形成層、６は絶縁層、７はｐ側電極、８は電
気的絶縁溝である。 ◇
Claims (2)
- （１） ＩＩＩ−Ｖ族半導体より成る二重へテロ接合
構造を有する面発光型発光ダイオードにおいて、ｐｎｎ
分会電気的絶縁溝によ如、発光領域と発光領域周辺部に
分離されていることを特徴とする面発光型発光ダイオー
ド。 - （２）前記、■−■族半導体がＩｎＰを含むＩｎＧａＡ
ｓＰ系混晶である特許請求の範囲第１項記載の面発光型
発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56169489A JPS5871669A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 面発光型発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56169489A JPS5871669A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 面発光型発光ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5871669A true JPS5871669A (ja) | 1983-04-28 |
Family
ID=15887471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56169489A Pending JPS5871669A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 面発光型発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5871669A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62155574A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-10 | Nec Corp | 発光ダイオ−ド |
| KR20040013999A (ko) * | 2002-08-09 | 2004-02-14 | 엘지전자 주식회사 | 표면 방출형 발광 다이오드의 제조방법 |
| JP2023014201A (ja) * | 2017-12-22 | 2023-01-26 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5422787A (en) * | 1977-07-21 | 1979-02-20 | Sharp Corp | Structure of semiconductor element |
| JPS5457883A (en) * | 1977-10-17 | 1979-05-10 | Hitachi Ltd | Luminous semiconductor device |
-
1981
- 1981-10-23 JP JP56169489A patent/JPS5871669A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5422787A (en) * | 1977-07-21 | 1979-02-20 | Sharp Corp | Structure of semiconductor element |
| JPS5457883A (en) * | 1977-10-17 | 1979-05-10 | Hitachi Ltd | Luminous semiconductor device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62155574A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-10 | Nec Corp | 発光ダイオ−ド |
| KR20040013999A (ko) * | 2002-08-09 | 2004-02-14 | 엘지전자 주식회사 | 표면 방출형 발광 다이오드의 제조방법 |
| JP2023014201A (ja) * | 2017-12-22 | 2023-01-26 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US11996496B2 (en) | 2017-12-22 | 2024-05-28 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
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