JPS5869165A - 情報読取記録装置 - Google Patents
情報読取記録装置Info
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- JPS5869165A JPS5869165A JP57127022A JP12702282A JPS5869165A JP S5869165 A JPS5869165 A JP S5869165A JP 57127022 A JP57127022 A JP 57127022A JP 12702282 A JP12702282 A JP 12702282A JP S5869165 A JPS5869165 A JP S5869165A
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- memory
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- signal
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Facsimiles In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は原稿情報の読取及び記録する装置に関し、特に
読取部及び記録部に工夫が施された装置に関する。
読取部及び記録部に工夫が施された装置に関する。
第1図は本発明に用い得る発熱体駆動回路の一例図、第
2図はその作動説明用波形図である。
2図はその作動説明用波形図である。
発熱体IHI〜IH32によって−グループを形成し、
56グループで総計1792個の発熱体IHI〜561
’132があり、各々の発熱体の一端は制御素子例えば
ダイオードldl〜1d32を1グループとする56グ
ループ、総計1792個のダイオードldl〜56d3
2に接続されている。各々のダイオードは画素情報入力
端子P1〜P32に接続されている。発熱体IHI〜I
H32の他端はグループ選択信号入力端子D1に接続さ
れている。発熱体2H1〜2■32、・・・56H1〜
56H32もそれぞれ同様にグループ選択信号入力端子
D2〜D56に接続されている。この場合筒2図の如く
デユティ1156で各グループが時分割駆動されて各発
熱体を駆勅、発熱させる。第2図に示すように画素情報
PI等がまばらに発生しているDIのときは同時に駆動
する電力はさはど要しないが、D2で32個の発熱体を
同時に駆動する場合はかな妙の消費電力となる。
56グループで総計1792個の発熱体IHI〜561
’132があり、各々の発熱体の一端は制御素子例えば
ダイオードldl〜1d32を1グループとする56グ
ループ、総計1792個のダイオードldl〜56d3
2に接続されている。各々のダイオードは画素情報入力
端子P1〜P32に接続されている。発熱体IHI〜I
H32の他端はグループ選択信号入力端子D1に接続さ
れている。発熱体2H1〜2■32、・・・56H1〜
56H32もそれぞれ同様にグループ選択信号入力端子
D2〜D56に接続されている。この場合筒2図の如く
デユティ1156で各グループが時分割駆動されて各発
熱体を駆勅、発熱させる。第2図に示すように画素情報
PI等がまばらに発生しているDIのときは同時に駆動
する電力はさはど要しないが、D2で32個の発熱体を
同時に駆動する場合はかな妙の消費電力となる。
第3図はこれを解決する回路例である0図においてPT
Gは画像情報発生器、Dpadグループ選択信号発生器
、RGCはリングカウンタまたはROM等で成る信号発
生器にして、同時に駆動する発熱体を例えばHl、H9
、Hl 7、H2Sの4個のみとし、次のタイミングで
また4個例えii’H2、)110.1118、H26
を駆動する丸めの回路である。即ちアンドグートム1〜
ム32を設け、同時に駆動する発熱体は8個毎の4個の
みとする。このように構成すると第2図例の場合に比べ
32個の発熱体を同時に駆動するときの電力はl/8と
なる。即ち第4図に示すように32個の発熱体は8個毎
の4個が駆動されてまず4つのドツトを印字し、その次
に1ドツト隣抄の4つのドツトを印字し、これ成する。
Gは画像情報発生器、Dpadグループ選択信号発生器
、RGCはリングカウンタまたはROM等で成る信号発
生器にして、同時に駆動する発熱体を例えばHl、H9
、Hl 7、H2Sの4個のみとし、次のタイミングで
また4個例えii’H2、)110.1118、H26
を駆動する丸めの回路である。即ちアンドグートム1〜
ム32を設け、同時に駆動する発熱体は8個毎の4個の
みとする。このように構成すると第2図例の場合に比べ
32個の発熱体を同時に駆動するときの電力はl/8と
なる。即ち第4図に示すように32個の発熱体は8個毎
の4個が駆動されてまず4つのドツトを印字し、その次
に1ドツト隣抄の4つのドツトを印字し、これ成する。
第5図は前述の発熱体駆動回路によって記録液部を形成
するようにした例の斜視図である。
するようにした例の斜視図である。
本実施例はA4版フルマルチ8ドツ) / IIBの例
である。ヒートシンクを兼ねた金属板H8の上下のほぼ
等面積の2つの領域に発熱体32個を有する基板56枚
が接合されており、各発熱体付基板881〜8856上
には溝32本を各々きざんだプレー)JBI〜JB50
が接合されている。各々のグレートにはインク導入バイ
ア’OP1〜0P56が接続され、各々のインク導入パ
イプはインクタンクITに接続されているインク供給管
op、Epを通じて接続されている。])A1〜pム5
6は制御素子アレー例えばダイオードチップで発熱体付
基板上の各リード線と接続される。凶に示すように制御
素子チップを奇数グループと偶数グループの2グループ
に分け、第1のj゛ツブ隣ゆに第3のチップを、第2の
チップの隣りに第40チツプを(以下同様)を配すると
第6図に示すように8ドツ)/Mのドツト間隔Qを一様
に確保でき好ましい。
である。ヒートシンクを兼ねた金属板H8の上下のほぼ
等面積の2つの領域に発熱体32個を有する基板56枚
が接合されており、各発熱体付基板881〜8856上
には溝32本を各々きざんだプレー)JBI〜JB50
が接合されている。各々のグレートにはインク導入バイ
ア’OP1〜0P56が接続され、各々のインク導入パ
イプはインクタンクITに接続されているインク供給管
op、Epを通じて接続されている。])A1〜pム5
6は制御素子アレー例えばダイオードチップで発熱体付
基板上の各リード線と接続される。凶に示すように制御
素子チップを奇数グループと偶数グループの2グループ
に分け、第1のj゛ツブ隣ゆに第3のチップを、第2の
チップの隣りに第40チツプを(以下同様)を配すると
第6図に示すように8ドツ)/Mのドツト間隔Qを一様
に確保でき好ましい。
第7.8図は前述のフルマルチ記録ヘッド及び時分割駆
動回路を適用した複写機用またはファクシミリ用装置の
概略図であり、この複写機用またはファクシミリ用装置
は原稿の情報を読取るための読取部RDを有する。読取
部RDの上部にはガラス等より成る原稿台PGが形成さ
れており、この原稿台PG上に原稿を載置する。
動回路を適用した複写機用またはファクシミリ用装置の
概略図であり、この複写機用またはファクシミリ用装置
は原稿の情報を読取るための読取部RDを有する。読取
部RDの上部にはガラス等より成る原稿台PGが形成さ
れており、この原稿台PG上に原稿を載置する。
原稿台PGの上部には原稿を固定する原稿台カバーPK
が設けられている。
が設けられている。
原稿台PGの下部には、原稿を照明する光源BL、光源
BLから放射した光が効果的に原稿台PGを照射憤る様
設けられた反射鏡RM、多数の受光素子を直線上に配置
した自己走査型受光器CS及び、この受光器CS上に原
稿を結像させる光学レンズを會む光学ユニツ)LSが受
光器CSと一体的に設けられる。この光学ユニットLS
と受光器CSはキャリッジCAに固定される。キャリッ
ジCAu案内レールR1,82−にでモータMOの駆動
により回転するネジGにより、Q方向に往動又は反Q方
向に復動運動をする。また自己走査型受光器CSの主走
査方向は、原稿面においてP方向へ順次走査するものと
する。従ってキャリッジCへの移動により(副走盃方向
Q)、原稿台PG上に載置した原稿の情報は順次受光器
CS上に結像”され、受光素子を順次紐出す(主走査)
ならば受光器CSから會よ原稿をラスターIスキャンし
た順次信号をイ:Iることができる。
BLから放射した光が効果的に原稿台PGを照射憤る様
設けられた反射鏡RM、多数の受光素子を直線上に配置
した自己走査型受光器CS及び、この受光器CS上に原
稿を結像させる光学レンズを會む光学ユニツ)LSが受
光器CSと一体的に設けられる。この光学ユニットLS
と受光器CSはキャリッジCAに固定される。キャリッ
ジCAu案内レールR1,82−にでモータMOの駆動
により回転するネジGにより、Q方向に往動又は反Q方
向に復動運動をする。また自己走査型受光器CSの主走
査方向は、原稿面においてP方向へ順次走査するものと
する。従ってキャリッジCへの移動により(副走盃方向
Q)、原稿台PG上に載置した原稿の情報は順次受光器
CS上に結像”され、受光素子を順次紐出す(主走査)
ならば受光器CSから會よ原稿をラスターIスキャンし
た順次信号をイ:Iることができる。
尚、本実施例では、原稿台PGが固定でキャリッジCA
が移動するものであるが、反対にキャリッジCAが固定
で原稿台PCが移動する構造でもよい。複写記録を行う
場合にはキャリッジCAがQ方向へ移動しつつ原稿台の
情報をP方向−\ラスタースキャンする。この時記録部
の記録紙はキャリッジ0人のQ方向への移動速度と等し
い速度で例えば第5図の6方向へ移動しつつR方向へ記
録する。読取部で得た画像情報は、バッファ・メモリを
介して第5図の記録部PHに送られ、銃取りと並行して
記録が行われるが、例えば一度読取ったページ情報をメ
モリにファイルした後改めて紀鍮を行ってもよい。
が移動するものであるが、反対にキャリッジCAが固定
で原稿台PCが移動する構造でもよい。複写記録を行う
場合にはキャリッジCAがQ方向へ移動しつつ原稿台の
情報をP方向−\ラスタースキャンする。この時記録部
の記録紙はキャリッジ0人のQ方向への移動速度と等し
い速度で例えば第5図の6方向へ移動しつつR方向へ記
録する。読取部で得た画像情報は、バッファ・メモリを
介して第5図の記録部PHに送られ、銃取りと並行して
記録が行われるが、例えば一度読取ったページ情報をメ
モリにファイルした後改めて紀鍮を行ってもよい。
自己走査型受光器CSは、光入力を電気信号に変える多
数の受光素子からなり、それらの信号を時系列的に処理
できる亀のである。その−例としては、例えばCODイ
メージセ/す、Mo5mイメージセンサ等がある。この
複写装置において、原稿台のP方向の巾を2161El
(^4、短手方向とほぼ等しい)とし、受光器として1
728ビツトのCODリニアイメージセンサを用いる場
合を考える。出力の記録部PHは信号処理の関係から1
792ドツ)224w中のフルラインマルチヘッドを弔
いるものとすると、イメージセンサ及びヘッドは8ドツ
ト/mの解像力を得ることができる。今、ヒートシンク
板の上方にある28個のブロックアレイ゛を奇数群、下
方にある28個のプレツクアレイを偶数群とし、奇数群
と偶数群の上下方向のギャップ間隔をgsaa、54ラ
イ/分とする。CCDセ/すCSは前述した様に172
8ビツトのラインセンナであり、各走査ラインをスキャ
ンし、画1象情報に応じた電圧レベルを出力する。この
電圧レベルは第8図示のディジタル化回路ADで、白黒
2レベルの時は二値化、階調性(ハーフ・トーン)が必
要な場合にはアナログ、ディジタル変換器等により多値
化される。簡単のため二値化を考えると、ディジタル化
回路ADはCCDセンサCSの出力電圧と基準電圧(ス
ライス・レベル)を比較するコンパレータカラ成ってお
り、入力電圧に応じてハイレベル或はローレベルの二値
信号を出力する。このディジタル化されたデータは、3
2ビツトのシフトレジスfi 8 RKシリアルに入力
されてパラレル変換されて出力し、以後、32ビット単
位で処理される。シフトレジスタSRで並列出力された
データは一度、32ビツトのラッチ回路L1で保持され
九後、メモリ部へ転送される。メモリ部はメモリM1、
メモリM2から成り、メモリM1は奇数ブロック群J
B 1. J B 3.・・・のデータを、メモリM
2は偶数ブロック群JB2.JB4゜・・・のデータを
ストアする。ラッチ回路L1で保持されたデータは32
ビツト毎にメモリM1、メモリM2に交互に書き込まれ
る。メモリM l。
数の受光素子からなり、それらの信号を時系列的に処理
できる亀のである。その−例としては、例えばCODイ
メージセ/す、Mo5mイメージセンサ等がある。この
複写装置において、原稿台のP方向の巾を2161El
(^4、短手方向とほぼ等しい)とし、受光器として1
728ビツトのCODリニアイメージセンサを用いる場
合を考える。出力の記録部PHは信号処理の関係から1
792ドツ)224w中のフルラインマルチヘッドを弔
いるものとすると、イメージセンサ及びヘッドは8ドツ
ト/mの解像力を得ることができる。今、ヒートシンク
板の上方にある28個のブロックアレイ゛を奇数群、下
方にある28個のプレツクアレイを偶数群とし、奇数群
と偶数群の上下方向のギャップ間隔をgsaa、54ラ
イ/分とする。CCDセ/すCSは前述した様に172
8ビツトのラインセンナであり、各走査ラインをスキャ
ンし、画1象情報に応じた電圧レベルを出力する。この
電圧レベルは第8図示のディジタル化回路ADで、白黒
2レベルの時は二値化、階調性(ハーフ・トーン)が必
要な場合にはアナログ、ディジタル変換器等により多値
化される。簡単のため二値化を考えると、ディジタル化
回路ADはCCDセンサCSの出力電圧と基準電圧(ス
ライス・レベル)を比較するコンパレータカラ成ってお
り、入力電圧に応じてハイレベル或はローレベルの二値
信号を出力する。このディジタル化されたデータは、3
2ビツトのシフトレジスfi 8 RKシリアルに入力
されてパラレル変換されて出力し、以後、32ビット単
位で処理される。シフトレジスタSRで並列出力された
データは一度、32ビツトのラッチ回路L1で保持され
九後、メモリ部へ転送される。メモリ部はメモリM1、
メモリM2から成り、メモリM1は奇数ブロック群J
B 1. J B 3.・・・のデータを、メモリM
2は偶数ブロック群JB2.JB4゜・・・のデータを
ストアする。ラッチ回路L1で保持されたデータは32
ビツト毎にメモリM1、メモリM2に交互に書き込まれ
る。メモリM l。
M2は例えばRAM(ランダム・アクセス・メモリ)C
CDメモリ、磁気メモリ等であり、その記憶容量はメモ
リM1−is3zビット、メモリM2が56にビットで
ある。メモリMl、M2は32ビツトで1ワードを構成
しており、従ってメモリM1は1ワード、メモリM2は
1792ワードから成っている。また、メモリMl、M
2の出力は、イネーブル信号線L4.L5がハイ−レベ
ルの時は、高インピーダンス状態、いわゆるスリーステ
ィト状態にあるものとする。
CDメモリ、磁気メモリ等であり、その記憶容量はメモ
リM1−is3zビット、メモリM2が56にビットで
ある。メモリMl、M2は32ビツトで1ワードを構成
しており、従ってメモリM1は1ワード、メモリM2は
1792ワードから成っている。また、メモリMl、M
2の出力は、イネーブル信号線L4.L5がハイ−レベ
ルの時は、高インピーダンス状態、いわゆるスリーステ
ィト状態にあるものとする。
メモIJMI、M2から選択的に読み出されたデータは
、−1i32ビツトのラッチ回路L2に保持される。こ
の時メモリM1とメモリM2の状態は、一方が書き込み
状態の時、他方は読み出し状態にあり、またラッチ回路
Ll、L2の一方がメモリM1のデータを保持している
時他方がメモリM2のデータを保持している。
、−1i32ビツトのラッチ回路L2に保持される。こ
の時メモリM1とメモリM2の状態は、一方が書き込み
状態の時、他方は読み出し状態にあり、またラッチ回路
Ll、L2の一方がメモリM1のデータを保持している
時他方がメモリM2のデータを保持している。
従って、ラッチ回路L2は、メモリM1のデータとメモ
リM2のデータが交互に保持される。
リM2のデータが交互に保持される。
ラッチ回警L2に保持されたデータは32個のナンド−
ゲートNG1〜NG32に出方されるが、ナンドグー)
NGI〜NG32は制御回路CCからのプリント指令信
号線LIOのタイミングPGが出力されたときトランジ
スタTPI〜’rp32を選択的に動作させる。トラン
ジスタTPI〜TP32のコレクタ端子は記録部PHの
データ入力端子P1〜P32に接続されている。前述第
3,4図の如き節電駆動方式を採用する場合はこのナン
ドグー)NGI〜NG32を第3因のアントゲ−トム1
〜ム32と置換すれば良い。記録部PHの56個の選択
信号入力端子D1〜D56はトランジスタTDI〜TD
56のコレクタに接続されており、トランジスタTD1
〜TD56はデコード回路DCの出力によって順次走査
制御される。デコード回路DCは6ラインートウー56
ラインのデコーダで制御回路CCからの6本の信号線I
・11で制御される。制御回路CCは、以上の各要素を
制御するだめの信号を発生する回路であり、基準クロッ
クは水晶発振子で作られる。
ゲートNG1〜NG32に出方されるが、ナンドグー)
NGI〜NG32は制御回路CCからのプリント指令信
号線LIOのタイミングPGが出力されたときトランジ
スタTPI〜’rp32を選択的に動作させる。トラン
ジスタTPI〜TP32のコレクタ端子は記録部PHの
データ入力端子P1〜P32に接続されている。前述第
3,4図の如き節電駆動方式を採用する場合はこのナン
ドグー)NGI〜NG32を第3因のアントゲ−トム1
〜ム32と置換すれば良い。記録部PHの56個の選択
信号入力端子D1〜D56はトランジスタTDI〜TD
56のコレクタに接続されており、トランジスタTD1
〜TD56はデコード回路DCの出力によって順次走査
制御される。デコード回路DCは6ラインートウー56
ラインのデコーダで制御回路CCからの6本の信号線I
・11で制御される。制御回路CCは、以上の各要素を
制御するだめの信号を発生する回路であり、基準クロッ
クは水晶発振子で作られる。
各制御信号を第8図及び第9,10図のタイミングチャ
ートにて説明する。ccnには駆動パルスとして信号i
L1にて、例えばライン走査開始のスタートパルスφス
、出力アンプのリセットクロックφR及びCCD内のシ
フトレジスタのための2相シフトクロックφ1.φ2(
不図示)が与えられる。第9図(1)のスタートパルス
φXのパルス間隔は一走査ラインの走査時間に対応し、
この間に(2)のリセットクロックφRが・1728個
CCから出力される。リセットクロックφRはCODの
ビットに対応した信号で、リセットクロックφ−Rがロ
ーレベル状態にある時、CCDから画像情報が出力され
るものとする。
ートにて説明する。ccnには駆動パルスとして信号i
L1にて、例えばライン走査開始のスタートパルスφス
、出力アンプのリセットクロックφR及びCCD内のシ
フトレジスタのための2相シフトクロックφ1.φ2(
不図示)が与えられる。第9図(1)のスタートパルス
φXのパルス間隔は一走査ラインの走査時間に対応し、
この間に(2)のリセットクロックφRが・1728個
CCから出力される。リセットクロックφRはCODの
ビットに対応した信号で、リセットクロックφ−Rがロ
ーレベル状態にある時、CCDから画像情報が出力され
るものとする。
従って、制御回路CCからシフトレジスタ8様にリセッ
トクロックφRと同周期でリセットクロックφRがロー
レベルの時立上る転送信号SCKが与えられる。
トクロックφRと同周期でリセットクロックφRがロー
レベルの時立上る転送信号SCKが与えられる。
制御回路CC内では、この転送信号SCKを計数し32
ビツト毎にラッチ回路L1及びラッチ回路L2にロード
クロックL CK 1. LCK2を15号線L3.L
9にて与える。ラッチ回路L1に与えられるロードクロ
ックLCK1は、第9図(4)に示される様に32パル
スのシフトクロック8CKが発せられた後、立上る。
ビツト毎にラッチ回路L1及びラッチ回路L2にロード
クロックL CK 1. LCK2を15号線L3.L
9にて与える。ラッチ回路L1に与えられるロードクロ
ックLCK1は、第9図(4)に示される様に32パル
スのシフトクロック8CKが発せられた後、立上る。
一方、メモリMl、M2を選択するメモリイネーブル信
号KNBは、第9図(5)の如く、ラッチ回路L1のロ
ードクロックLCK1が立上った後、ローレベルになレ
メモリを動作可能の状態にする。このメモリイネーブル
信号ENBがローレベルに保持されている間に、ラッチ
回路L2に与えられるロードクロックLCK2は立上ら
なければならない。
号KNBは、第9図(5)の如く、ラッチ回路L1のロ
ードクロックLCK1が立上った後、ローレベルになレ
メモリを動作可能の状態にする。このメモリイネーブル
信号ENBがローレベルに保持されている間に、ラッチ
回路L2に与えられるロードクロックLCK2は立上ら
なければならない。
メモリMl、M2の書き込み、読出しを制御するリード
ライト信号R/Wは、第9図(8)に示す様に、CCD
リセット(η号φにの32)くルス毎にレベルが変化す
る46号であって、第10図の如く、−走査ライン間に
28回レベルが変わる。前述した様に、メモリMl、M
2の優モ込み、読出し動作は逆にするから、メモリM
2に信号線L7で与える(g号a/Wが図のようである
時、メモリM1にはインバータIにより反転した信号が
信号線L8で与えられる。
ライト信号R/Wは、第9図(8)に示す様に、CCD
リセット(η号φにの32)くルス毎にレベルが変化す
る46号であって、第10図の如く、−走査ライン間に
28回レベルが変わる。前述した様に、メモリMl、M
2の優モ込み、読出し動作は逆にするから、メモリM
2に信号線L7で与える(g号a/Wが図のようである
時、メモリM1にはインバータIにより反転した信号が
信号線L8で与えられる。
ナントゲートNG1〜NG32に4える信号PGは、発
熱体への通電タイミング、通電時間を決める信号で、第
9図(7)の如く、ラッチ回路L2のロードクロックL
CK2の後に信号線L10にて与えられる。この信号P
Gもリセットク四ツクφR32パルス毎に発生する。
熱体への通電タイミング、通電時間を決める信号で、第
9図(7)の如く、ラッチ回路L2のロードクロックL
CK2の後に信号線L10にて与えられる。この信号P
Gもリセットク四ツクφR32パルス毎に発生する。
前述のような駆動方式を用いる場合、CC内のリングカ
ウンタまたはROM等によりとのPG倍信号さらに時分
割にして前述のアンドグー)Al〜lコムに印加すれば
良い。デコード回路DCに入力されるバイナリ信号は、
−走査ライン中に56進するもので、ccDのリセット
信号φRを32パルス計数する毎に1つカウントアツプ
する56進カウンタの出力である。従って56個のトラ
ンジスタTDI〜TD50はリセット信号φ132パル
ス毎に1つずつ順次オンして第1図のD1〜D56の順
次選択駆動パルスを発生して発熱体を発熱させる。ここ
で、第8図の動作について第9,1o図に従って更に詳
しく述べると、まずCCDスタートパルスφス発生後、
リードライト信号R/Wの第1サイクルの後半のローレ
ベル時(ハイレペルノ時は、前の走査ラインの最後の2
ブロツクに対応するメモリの書き込み、読出しを行って
いる)に奇数ブロックロム10発熱体群のためのデータ
を8R,LlからメモリM1に書き込みを行う0次のI
s2サイクルの前半にて、第1サイクルで書き込んだメ
モリM1のデータをラッチL2に読み出すと共に、第2
ブロツクDム2のためのデータをメモリM2に!き込む
。更に第2サイクルの後半で第3ブロツクDム3のため
のデータをメモリM1に書き込み、また縞2ブ胃ツクD
A2のデータをラッチL2に読み出す。
ウンタまたはROM等によりとのPG倍信号さらに時分
割にして前述のアンドグー)Al〜lコムに印加すれば
良い。デコード回路DCに入力されるバイナリ信号は、
−走査ライン中に56進するもので、ccDのリセット
信号φRを32パルス計数する毎に1つカウントアツプ
する56進カウンタの出力である。従って56個のトラ
ンジスタTDI〜TD50はリセット信号φ132パル
ス毎に1つずつ順次オンして第1図のD1〜D56の順
次選択駆動パルスを発生して発熱体を発熱させる。ここ
で、第8図の動作について第9,1o図に従って更に詳
しく述べると、まずCCDスタートパルスφス発生後、
リードライト信号R/Wの第1サイクルの後半のローレ
ベル時(ハイレペルノ時は、前の走査ラインの最後の2
ブロツクに対応するメモリの書き込み、読出しを行って
いる)に奇数ブロックロム10発熱体群のためのデータ
を8R,LlからメモリM1に書き込みを行う0次のI
s2サイクルの前半にて、第1サイクルで書き込んだメ
モリM1のデータをラッチL2に読み出すと共に、第2
ブロツクDム2のためのデータをメモリM2に!き込む
。更に第2サイクルの後半で第3ブロツクDム3のため
のデータをメモリM1に書き込み、また縞2ブ胃ツクD
A2のデータをラッチL2に読み出す。
以後同様の操作をくり返し、奇数ブロック群の最後のブ
ロックDA55のための読出し及び偶数ブロック群の最
後のプ四ツクDム56のための読出し及び書き込みLS
CCDが次の走をラインを走査している時に行う、ここ
でメモリM1は前述した様に1ワードX32ビツトのメ
モリであり、書き込んだデータは次のサイクリで読み出
されるのに対して、メモIJ M 2においては、書き
込んだデータが読み出されるのは、64走査行(179
2リードライトサイクル)後に行なわれる。すなわち偶
数ブロック群に与えられるデータは現任CCDで読み取
っているデータの64走査行前のデータである。これは
、前述した様に奇数ブロック群と偶数ブロック群間に6
4ライン(8龍)に相当する間隔がおるためである。
ロックDA55のための読出し及び偶数ブロック群の最
後のプ四ツクDム56のための読出し及び書き込みLS
CCDが次の走をラインを走査している時に行う、ここ
でメモリM1は前述した様に1ワードX32ビツトのメ
モリであり、書き込んだデータは次のサイクリで読み出
されるのに対して、メモIJ M 2においては、書き
込んだデータが読み出されるのは、64走査行(179
2リードライトサイクル)後に行なわれる。すなわち偶
数ブロック群に与えられるデータは現任CCDで読み取
っているデータの64走査行前のデータである。これは
、前述した様に奇数ブロック群と偶数ブロック群間に6
4ライン(8龍)に相当する間隔がおるためである。
このために、メモリM2に対しては、アドレスの選択が
必賛となる。
必賛となる。
第11図は、メモリM2のアドレスの概要な示した図で
、アドレスデコード回路M2AはメモリM2内に、ブロ
ックカウンタBC,ラインカウンタLCは制御回路CC
内に構成されている。
、アドレスデコード回路M2AはメモリM2内に、ブロ
ックカウンタBC,ラインカウンタLCは制御回路CC
内に構成されている。
メモリM2は記憶容1156にビットで、その内容は3
2ビツトで1ワード(1ブロツク)を構成し、28ワ一
ド単位を1ライン(896ビツト)と呼ぶこととし、全
部で64ラインで構成されている。
2ビツトで1ワード(1ブロツク)を構成し、28ワ一
ド単位を1ライン(896ビツト)と呼ぶこととし、全
部で64ラインで構成されている。
ブロックカウンタBeは28進のカウンタであり、入力
クロックはリードライト信号n / Wの立下りで動作
するものとする。ブロックカウンタBCの計数の様子は
第10図に示しである。
クロックはリードライト信号n / Wの立下りで動作
するものとする。ブロックカウンタBCの計数の様子は
第10図に示しである。
ライン・カウンタLCは64進のカウンタであり、ブロ
ック・カウンタBCの桁−ヒり出力(キャリイ)信号線
12を入力クロックとして計数する。ブロックカウンタ
BCの出力線73.ラインカウンタLCの出力線14は
第8図のアドレス選択ML6に相当する信号−であり、
アドレスデコード回路M2Aでデコードされてメモリを
選択する。メモリM2内では、nライン、mブロック目
のアドレスにηき込み゛した後、プロノクカウ/りBC
の出力が1増加しnライン、(m+1)ブロック目のア
ドレスを読み出しくこれで1リードライトサイクル終了
)1次のリードライトサイクルでnライン*(m+x)
ブロック目のアドレスに書き込みを行う。ここで閣が2
8になると、0に戻り、次のラインをアクセスし、また
篩が64になると02インに戻る。
ック・カウンタBCの桁−ヒり出力(キャリイ)信号線
12を入力クロックとして計数する。ブロックカウンタ
BCの出力線73.ラインカウンタLCの出力線14は
第8図のアドレス選択ML6に相当する信号−であり、
アドレスデコード回路M2Aでデコードされてメモリを
選択する。メモリM2内では、nライン、mブロック目
のアドレスにηき込み゛した後、プロノクカウ/りBC
の出力が1増加しnライン、(m+1)ブロック目のア
ドレスを読み出しくこれで1リードライトサイクル終了
)1次のリードライトサイクルでnライン*(m+x)
ブロック目のアドレスに書き込みを行う。ここで閣が2
8になると、0に戻り、次のラインをアクセスし、また
篩が64になると02インに戻る。
第12図は原稿GKの画像情報の様子及び各ラッチ1.
各メモリ内のデータ推移の様子を示す図である。
各メモリ内のデータ推移の様子を示す図である。
今時側T1にて、ラッチ回路L1にロードされた32ビ
ツトのデータA1は時刻T2にてメモリM1に書きこま
れる。tた時刻T2において、データA1に続く32ビ
ツトのチータム2はラッチL1にロードされる0時刻T
”3において、メモリM1のデータA1はラッテL1に
転送され、ラッチL1のデータム2はメモリM2にスト
アされると共にラッテL1には次のデータA3がロード
される。時刻T4においてラッチL2にはデータX2が
ロードされ、メモリM1にはラッチL1のデータA3が
書き込まれ、ランチL1にはデータA4がロードされる
。以後同様の動作をくりかえす。ここでデータX2゜X
4a現在のCODのスキャン位置^1.A2・・・より
64ライン前に読みとって、メモリM2にストアされて
いた情報である。
ツトのデータA1は時刻T2にてメモリM1に書きこま
れる。tた時刻T2において、データA1に続く32ビ
ツトのチータム2はラッチL1にロードされる0時刻T
”3において、メモリM1のデータA1はラッテL1に
転送され、ラッチL1のデータム2はメモリM2にスト
アされると共にラッテL1には次のデータA3がロード
される。時刻T4においてラッチL2にはデータX2が
ロードされ、メモリM1にはラッチL1のデータA3が
書き込まれ、ランチL1にはデータA4がロードされる
。以後同様の動作をくりかえす。ここでデータX2゜X
4a現在のCODのスキャン位置^1.A2・・・より
64ライン前に読みとって、メモリM2にストアされて
いた情報である。
第13図は前述までの動作を分り易く説明するためのフ
ローチャートである。
ローチャートである。
第14図は他の実施例による読取部RD及び記録部PH
の配置例を示す図である。自己走査型受光器は前述の如
く光入力を電気信号に変える多数の受光素子からなり、
それらの信号を時系列的に処遅できるものであや、第1
4図の実施例においては、512ビツトのCCDセンサ
CCD1〜CCD4の4個から成っており、1個のセン
サの有効受光部の長さしは12.8m(25μ×512
ビツト)である。
の配置例を示す図である。自己走査型受光器は前述の如
く光入力を電気信号に変える多数の受光素子からなり、
それらの信号を時系列的に処遅できるものであや、第1
4図の実施例においては、512ビツトのCCDセンサ
CCD1〜CCD4の4個から成っており、1個のセン
サの有効受光部の長さしは12.8m(25μ×512
ビツト)である。
このCCDセンサにてM7図原稿台のP方向の11を2
05uとし、これをカバーするために、1、 は、IM少倍率4倍のレンズ光学系を用いればよい、こ
の場合、へカセ/すの解偉度は全部で2048ビツトの
セ/すで受光するのであるから10ドツト/ maにな
る。
05uとし、これをカバーするために、1、 は、IM少倍率4倍のレンズ光学系を用いればよい、こ
の場合、へカセ/すの解偉度は全部で2048ビツトの
セ/すで受光するのであるから10ドツト/ maにな
る。
従って、記録部PHも10ドツ)7w即ち、1mあたり
10個の発熱体から構成される。
10個の発熱体から構成される。
記録部PHは前述の様にヒートシンク板■Sの上下に交
互に設けられており、この上下のブロックによってフル
ライン・マルチ記録ヘッドを形成1、例えば2048個
のインクジェット・ノズルは4個のプ日ツクTJBI〜
TJB4から成っており、各ブロックは512個の発熱
体から成っている。図に示す様に、ヒートシンク板H8
の下に設置したブロック、(第1ブロックTJBI、第
3ブロツクTJB3)と上に設置したブロック(第2ブ
ロツクTJB2、第4ブロツクTJB4)の上下方向の
オリアイスのギャップ間隔は、28sI11即ち280
ラインこの様な記録ヘッドに対して前例のようにセンサ
を横一列に配置して(又は2048ビツトのジインセン
サを用いて)複写装置を構成するならば、オリアイスの
ギャグ間隔に相当する画像情報、即ち280にビット分
のメそりを持たなければならない。ちなみに第5図の例
においては56にビット分の第2メモリM2を必要とす
ることは前述の退勢である。
互に設けられており、この上下のブロックによってフル
ライン・マルチ記録ヘッドを形成1、例えば2048個
のインクジェット・ノズルは4個のプ日ツクTJBI〜
TJB4から成っており、各ブロックは512個の発熱
体から成っている。図に示す様に、ヒートシンク板H8
の下に設置したブロック、(第1ブロックTJBI、第
3ブロツクTJB3)と上に設置したブロック(第2ブ
ロツクTJB2、第4ブロツクTJB4)の上下方向の
オリアイスのギャップ間隔は、28sI11即ち280
ラインこの様な記録ヘッドに対して前例のようにセンサ
を横一列に配置して(又は2048ビツトのジインセン
サを用いて)複写装置を構成するならば、オリアイスの
ギャグ間隔に相当する画像情報、即ち280にビット分
のメそりを持たなければならない。ちなみに第5図の例
においては56にビット分の第2メモリM2を必要とす
ることは前述の退勢である。
しかし、本実施例は第14図の如くヘッド配置に対応し
たセンサ配置をとるととKよや、メモリの不要な簡単な
システム構成となる。即ち第14図に示した読取部RD
の様な配置をとり、図中Q方向へCCDCCセンサを走
査し、その情報にて記録部PHを駆動すればよい。ここ
で第14図中、CCDセンサCCD2,4とccDI、
3の上下間隔りは記録部PHのプルツク第15図は、第
14図の記録部PHの駆動回路を示す図である。IH1
〜4H512は発熱体、ldl〜4d512はクロス・
トーク防止用ダイオードである。発熱体Hは全部で20
48個あり、これらは512個から成るブロック4個(
第14図第1ブロツクTJBI〜g4ブロックTJB4
)から成りたって−る。各ブロック512個の発熱体は
、32個ずつ1/16のデユティの時分割配線を構成し
ている。従って第1ブロツクTJBIに着目すると、3
2!(7)ili像データ入力端子PII−PI32と
16個の選択信号入力端子D1〜D16を時分割駆動す
ることにより、512個の発熱体IH1〜IH512を
時分割ドライブする。従って全体の構成はこの第1ブロ
ツクTJBIと全く同じ構成・で同一の駆動方法から成
る4つのブロックから成っているものである。
たセンサ配置をとるととKよや、メモリの不要な簡単な
システム構成となる。即ち第14図に示した読取部RD
の様な配置をとり、図中Q方向へCCDCCセンサを走
査し、その情報にて記録部PHを駆動すればよい。ここ
で第14図中、CCDセンサCCD2,4とccDI、
3の上下間隔りは記録部PHのプルツク第15図は、第
14図の記録部PHの駆動回路を示す図である。IH1
〜4H512は発熱体、ldl〜4d512はクロス・
トーク防止用ダイオードである。発熱体Hは全部で20
48個あり、これらは512個から成るブロック4個(
第14図第1ブロツクTJBI〜g4ブロックTJB4
)から成りたって−る。各ブロック512個の発熱体は
、32個ずつ1/16のデユティの時分割配線を構成し
ている。従って第1ブロツクTJBIに着目すると、3
2!(7)ili像データ入力端子PII−PI32と
16個の選択信号入力端子D1〜D16を時分割駆動す
ることにより、512個の発熱体IH1〜IH512を
時分割ドライブする。従って全体の構成はこの第1ブロ
ツクTJBIと全く同じ構成・で同一の駆動方法から成
る4つのブロックから成っているものである。
第16図はこの実施例を駆動するブロック図である1図
においてCCDセンサCCDI〜CCD4、二値化回路
ムD1〜AD4、シフトレジスタ811〜SR4、ラッ
チ回路り人1〜L^4については、第14図の4プpツ
クに対応して全く同じ構成及び動作であるので、1ブロ
ツクに対応する回路のみ説明する。
においてCCDセンサCCDI〜CCD4、二値化回路
ムD1〜AD4、シフトレジスタ811〜SR4、ラッ
チ回路り人1〜L^4については、第14図の4プpツ
クに対応して全く同じ構成及び動作であるので、1ブロ
ツクに対応する回路のみ説明する。
CCDセンサCCDIは前述したように512ビツトの
ラインセンサであり、1/4 走査ラインをスキャンし
、画像情報に応じた電圧レベルを出力する。この電圧レ
ベルは、二値化回路AD1で、白黒に応じて二値化され
る。
ラインセンサであり、1/4 走査ラインをスキャンし
、画像情報に応じた電圧レベルを出力する。この電圧レ
ベルは、二値化回路AD1で、白黒に応じて二値化され
る。
二値化回路は、CCDセンサの出力電圧と基準′磁圧(
スライス・レベル)を比較するコンパレータから成って
おり、入力アナログ電圧をスライスレベルと大小比較し
、二値信号を出力する。もし、複写記録において階調性
(ハーフ・トーン)が必要な場合には、アナログ・ディ
ジタル変換器等により、多値化される。
スライス・レベル)を比較するコンパレータから成って
おり、入力アナログ電圧をスライスレベルと大小比較し
、二値信号を出力する。もし、複写記録において階調性
(ハーフ・トーン)が必要な場合には、アナログ・ディ
ジタル変換器等により、多値化される。
二値化回路ムD1でディジタル化されたデータは32ビ
ツトのシフトレジスタSRIに入力されて、クリアル・
パラレル変換され、以後32ビット単位で並列出力処理
される。シフトレジスタ8R1の出力データは32ビツ
トのうツチ回路しム1で保持される。ラッチ回路Lム1
に保持されたデータは32個のナンド・ゲートNIL〜
Nl32にてプリント指令信号PGとタイミングをとっ
た後、トランジスタTII〜Tl32を選択的に動作さ
せる。トランジスタTll〜Tl32は、32個のN−
P−N)ランジスタからなり、夫々のコレクタ端子は画
傷データ入力端子PII〜PI32に接続されている。
ツトのシフトレジスタSRIに入力されて、クリアル・
パラレル変換され、以後32ビット単位で並列出力処理
される。シフトレジスタ8R1の出力データは32ビツ
トのうツチ回路しム1で保持される。ラッチ回路Lム1
に保持されたデータは32個のナンド・ゲートNIL〜
Nl32にてプリント指令信号PGとタイミングをとっ
た後、トランジスタTII〜Tl32を選択的に動作さ
せる。トランジスタTll〜Tl32は、32個のN−
P−N)ランジスタからなり、夫々のコレクタ端子は画
傷データ入力端子PII〜PI32に接続されている。
一方16個の選択信号入力端子D1〜D16は16個の
P−N−P)ランジスタTDI〜TD16めコレクタに
接続されている。このトランジスタ回路TDI〜TD1
6はデコード回路DCの出力によって順次走査制御され
る。デコード回路DCは4ラインートウー16ラインの
デコーダで、制御回路CCからの信号で順次TD1から
TDI 6の1ライン目から16ライン目まで選択され
る。
P−N−P)ランジスタTDI〜TD16めコレクタに
接続されている。このトランジスタ回路TDI〜TD1
6はデコード回路DCの出力によって順次走査制御され
る。デコード回路DCは4ラインートウー16ラインの
デコーダで、制御回路CCからの信号で順次TD1から
TDI 6の1ライン目から16ライン目まで選択され
る。
制御回路CCはCODの駆動クロック、シフトレジスタ
のシフトクロック、ラッチ回路のり四ツク、ゲート回路
のタイミングクロック、デコード回路の選択信号等を発
生する回路で、これらの基準クロックは水晶振動子で作
られる。
のシフトクロック、ラッチ回路のり四ツク、ゲート回路
のタイミングクロック、デコード回路の選択信号等を発
生する回路で、これらの基準クロックは水晶振動子で作
られる。
各制御信゛号を第16図及び第17図のタイミングチャ
ートにて説明する。CCD1〜CCD4には駆動パルス
として信号線L1にて、例えにライン走査開始のスター
トパルスφX(第17図(1) ”) 、出力アンプの
リセットクロックφR(第17図(2))及びシフトレ
ジスタ部の2相のシフトクロックφ1.φ2(不因示)
が制御回路CCより与えられる。スタートパルスφXの
パルス「−隔は一走査ラインの走査時間に対応し、この
間にリセットクロックφRが512パルスCCから発せ
られる。リセットクロックφRFiCCDのビットに対
応した信号で、リセットクロックφRがローレベル状態
にある時、CCDから画像情報が出力されるものとする
。
ートにて説明する。CCD1〜CCD4には駆動パルス
として信号線L1にて、例えにライン走査開始のスター
トパルスφX(第17図(1) ”) 、出力アンプの
リセットクロックφR(第17図(2))及びシフトレ
ジスタ部の2相のシフトクロックφ1.φ2(不因示)
が制御回路CCより与えられる。スタートパルスφXの
パルス「−隔は一走査ラインの走査時間に対応し、この
間にリセットクロックφRが512パルスCCから発せ
られる。リセットクロックφRFiCCDのビットに対
応した信号で、リセットクロックφRがローレベル状態
にある時、CCDから画像情報が出力されるものとする
。
従って、制御回路CCからシフトレジスタS81を制御
する信号線L2には、第17図(3)で示す様にリセッ
トクロックφRと同周期でリセットクロックφRがロー
レベルの時、立上る転送信号SCKが与えられる。
する信号線L2には、第17図(3)で示す様にリセッ
トクロックφRと同周期でリセットクロックφRがロー
レベルの時、立上る転送信号SCKが与えられる。
制御回路CC内では、仁の転送信号8CKを計数し32
ビツト毎にラッチ回路LAI〜LA4にp−ドクロツク
を信号線L3にて与える。ラッチ回路LAI〜LA4に
寿えられるロードクロック(信号線L3)は第17図(
4)に示される様に32パルスのシフトクロック(第1
7図(3)の5CK)が発せられた後、立上る。
ビツト毎にラッチ回路LAI〜LA4にp−ドクロツク
を信号線L3にて与える。ラッチ回路LAI〜LA4に
寿えられるロードクロック(信号線L3)は第17図(
4)に示される様に32パルスのシフトクロック(第1
7図(3)の5CK)が発せられた後、立上る。
ゲート回路NII〜NIV32に与えられる1つの信号
は発熱体への通電タイミング、通電時間を決める信号P
Gで、第17図(5)の如く、ラッチ回路LAI〜LA
4のロードクロック(第17図(4)のLCK)の後に
信号線Lllにて与えられる。この信号PGもリセット
クロックφ一方、デコード回路DCに入力されるバイナ
リ信号は、−走査ライン中に16進するもので、COD
のリセット信号φRを32パルス計数する毎に1つカウ
ントアツプする16進カウンタの出力である。従って1
6個のトランジスタTD1〜TD16はリセット信号φ
R32パルス毎に1つずつ順次オンしていく。(第2図
D1〜D16参照) 本実施例においては先の例に比べてメモリが大幅に節約
でき、極めて好ましい。
は発熱体への通電タイミング、通電時間を決める信号P
Gで、第17図(5)の如く、ラッチ回路LAI〜LA
4のロードクロック(第17図(4)のLCK)の後に
信号線Lllにて与えられる。この信号PGもリセット
クロックφ一方、デコード回路DCに入力されるバイナ
リ信号は、−走査ライン中に16進するもので、COD
のリセット信号φRを32パルス計数する毎に1つカウ
ントアツプする16進カウンタの出力である。従って1
6個のトランジスタTD1〜TD16はリセット信号φ
R32パルス毎に1つずつ順次オンしていく。(第2図
D1〜D16参照) 本実施例においては先の例に比べてメモリが大幅に節約
でき、極めて好ましい。
またこの場合、製作精度が許せば、CCD1〜CCD4
及びTJBI〜?JB4を一直線上に配列しても前述の
効果は同様に期待できる。
及びTJBI〜?JB4を一直線上に配列しても前述の
効果は同様に期待できる。
しかも故障等の発生の場合、CCD1−CCD4、TJ
BI−TJB4は個々に分離可能であるから好便である
。また個々に製作した方が面精度等の向上にも役立つ。
BI−TJB4は個々に分離可能であるから好便である
。また個々に製作した方が面精度等の向上にも役立つ。
m18,19図は本発明の他の実施例で、この場合も記
録部PH及びCCD読取部RDの幾何的な配置は前の例
と同じである。この例ではマトリクス配線の本数を減ら
したこと及びデータ処理回路を4個のCODに対して兼
用したことにより、構成が非常に簡単になる。即ち第1
6図のデータ処理回路は4個のCODの情報を並列的に
処理していたのに比べ、1g19図のデータ処理回路は
直列時分割的に処理するものである。
録部PH及びCCD読取部RDの幾何的な配置は前の例
と同じである。この例ではマトリクス配線の本数を減ら
したこと及びデータ処理回路を4個のCODに対して兼
用したことにより、構成が非常に簡単になる。即ち第1
6図のデータ処理回路は4個のCODの情報を並列的に
処理していたのに比べ、1g19図のデータ処理回路は
直列時分割的に処理するものである。
まず第18図にて、駆動回路構成を説明すると、発熱体
IHI〜4■448は1792個あり、それらの各々に
対してクロス・トーク防と用のダイオードが接続されて
いる。1792個の発熱体は4ブロツクからなり、各プ
Vツク614個の走査信号入力端子D1〜D14をもっ
ている。また発熱体の他端は32本おきに結線され、3
2個の画像データ入力端子P1〜P32に接続されてい
る。
IHI〜4■448は1792個あり、それらの各々に
対してクロス・トーク防と用のダイオードが接続されて
いる。1792個の発熱体は4ブロツクからなり、各プ
Vツク614個の走査信号入力端子D1〜D14をもっ
ている。また発熱体の他端は32本おきに結線され、3
2個の画像データ入力端子P1〜P32に接続されてい
る。
第19図の4個のCCD、C8I〜C84の出力は4ラ
インートウー1ラインのアナログデータセレクタDSに
入力される。アナログデータセレクタDSは一走査ライ
ン(原稿台上で2051111長)の1/4ごとにCC
D1〜CCD4の入力を切り換え、4個のCCDの入力
を順につなぎ合わせて一走査ラインを形成する。4個の
CCDの入力のべ択は制御回路CCの制御信号線L12
の信号で順次行われる。
インートウー1ラインのアナログデータセレクタDSに
入力される。アナログデータセレクタDSは一走査ライ
ン(原稿台上で2051111長)の1/4ごとにCC
D1〜CCD4の入力を切り換え、4個のCCDの入力
を順につなぎ合わせて一走査ラインを形成する。4個の
CCDの入力のべ択は制御回路CCの制御信号線L12
の信号で順次行われる。
以抜の処理祉が1例と同じで、二値化回路ムD、32ビ
ツトのシフトレジスタSR,32ピットのランチ回路L
A、32個のナンドグー) NGI〜NG32、トラン
ジスタ丁P1〜TP32をへて画像データ入力端子PI
−P32に接続される。テコード回路DCは、この場合
には6ラインートウー56ラインのデコーダが用いられ
る。
ツトのシフトレジスタSR,32ピットのランチ回路L
A、32個のナンドグー) NGI〜NG32、トラン
ジスタ丁P1〜TP32をへて画像データ入力端子PI
−P32に接続される。テコード回路DCは、この場合
には6ラインートウー56ラインのデコーダが用いられ
る。
この実施例においては、回路が簡単になるが、R’+1
の例に比べて、記録時間が4倍になると言う点かあるが
、サーマルインクジェットの応答周波数を考えれは問題
にならない。
の例に比べて、記録時間が4倍になると言う点かあるが
、サーマルインクジェットの応答周波数を考えれは問題
にならない。
第20図は記録ヘッドの他の例の部分断面の模式図であ
る。テーパーを持った金属板H層上され液室Wl、W2
が金属板H8の両面に作られる。
る。テーパーを持った金属板H層上され液室Wl、W2
が金属板H8の両面に作られる。
一方の液室W1のオリフィスO1から吐出される記録液
滴の吐出方向は■1であ抄、他方の液室W2のオリフィ
ス02から吐出される記録′f&滴の吐出方向は12で
あり、被記録部材PPの同−MDP上に向かう。
滴の吐出方向は■1であ抄、他方の液室W2のオリフィ
ス02から吐出される記録′f&滴の吐出方向は12で
あり、被記録部材PPの同−MDP上に向かう。
ここでGl、G2を例えば第14図の如くジグザグ構成
にしても、上下の位置ずれは発生せず、したがって第1
4図のセンサCSもジグザグ配列は不要で、市販のワン
ツインセンナを用いることができる。
にしても、上下の位置ずれは発生せず、したがって第1
4図のセンサCSもジグザグ配列は不要で、市販のワン
ツインセンナを用いることができる。
またデータ処理回路も第19図の如き簡易な回路を使用
することができ好ましい。
することができ好ましい。
第21図は発熱体の構成の他の例を示し、簡易に安価に
製作でき、また実装密度も向上する例である。すなわち
発熱体抵抗層Hの上部に図示の如く選択電極P1〜P6
等を配置し、発熱部IH2,3H2,3H4,5i14
,5H6を形成する。例えばIO2を選択するにはPI
。
製作でき、また実装密度も向上する例である。すなわち
発熱体抵抗層Hの上部に図示の如く選択電極P1〜P6
等を配置し、発熱部IH2,3H2,3H4,5i14
,5H6を形成する。例えばIO2を選択するにはPI
。
P2に選択的に駆動パルスを印加すれば良い。
P5とP4を選択すれば5H4が発熱する。選択回路を
このように構成するのは容易である。
このように構成するのは容易である。
この構成によればH層のエツチングが不要となり極めて
簡易になる。もちろん必要に応じて所定部をエツチング
してもかまわない。
簡易になる。もちろん必要に応じて所定部をエツチング
してもかまわない。
第1図は本発明に用い得る発熱体駆動回路の一例図、笛
2図はその作動説明波形図、第3図は他の回路何区、第
4図はその作動説明用波形図、第5図は本発明の一例の
記録部斜視図、第6図はその正面図、第7図は原稿読取
部の概観図、第8図は本発明の一例のブロック図、第9
゜10図はその作動説明用波形図、第11図はメモリの
一部詳細図、第12図は読取り時のメモリ内容の移動の
様子を示す図、第13図は全体の作動説明用フローチャ
ート図、第14図は読取部と記録部の他の構成何区、第
15図はその駆動回路何区、第16図はその全体ブロッ
ク図、第17図はその作動説明用波形図、第18図は他
の駆動回路何区、第19図はその全体ブロック図、第2
0図は記録部の他の何区、第21図は記録部の更に他の
何区である。 窮15図
2図はその作動説明波形図、第3図は他の回路何区、第
4図はその作動説明用波形図、第5図は本発明の一例の
記録部斜視図、第6図はその正面図、第7図は原稿読取
部の概観図、第8図は本発明の一例のブロック図、第9
゜10図はその作動説明用波形図、第11図はメモリの
一部詳細図、第12図は読取り時のメモリ内容の移動の
様子を示す図、第13図は全体の作動説明用フローチャ
ート図、第14図は読取部と記録部の他の構成何区、第
15図はその駆動回路何区、第16図はその全体ブロッ
ク図、第17図はその作動説明用波形図、第18図は他
の駆動回路何区、第19図はその全体ブロック図、第2
0図は記録部の他の何区、第21図は記録部の更に他の
何区である。 窮15図
Claims (1)
- 原稿の送シ方向に互いにずれて配置された複数の情報読
取部と記録用紙の送シ方向に互いにずれて配置された複
数の記録部とを備えたことを特徴とする情報読取記録装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57127022A JPS5869165A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 情報読取記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57127022A JPS5869165A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 情報読取記録装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3947079A Division JPS55132263A (en) | 1979-04-02 | 1979-04-02 | Recording device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5869165A true JPS5869165A (ja) | 1983-04-25 |
| JPS6126864B2 JPS6126864B2 (ja) | 1986-06-23 |
Family
ID=14949743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57127022A Granted JPS5869165A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 情報読取記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5869165A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989003767A1 (fr) * | 1987-10-30 | 1989-05-05 | Yokogawa Medical Systems, Ltd. | Appareil d'enregistrement d'images a demi-teintes |
| CN111031190A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-04-17 | 威海华菱光电股份有限公司 | 图像处理方法、装置、存储介质与处理器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53131052A (en) * | 1977-04-18 | 1978-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Recorder |
| JPS5419320A (en) * | 1977-07-14 | 1979-02-14 | Ricoh Co Ltd | Copying machine of electrostatic recording type |
| JPS5431217A (en) * | 1977-08-15 | 1979-03-08 | Toshiba Corp | Facsimile device with copying function |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP57127022A patent/JPS5869165A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53131052A (en) * | 1977-04-18 | 1978-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Recorder |
| JPS5419320A (en) * | 1977-07-14 | 1979-02-14 | Ricoh Co Ltd | Copying machine of electrostatic recording type |
| JPS5431217A (en) * | 1977-08-15 | 1979-03-08 | Toshiba Corp | Facsimile device with copying function |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989003767A1 (fr) * | 1987-10-30 | 1989-05-05 | Yokogawa Medical Systems, Ltd. | Appareil d'enregistrement d'images a demi-teintes |
| CN111031190A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-04-17 | 威海华菱光电股份有限公司 | 图像处理方法、装置、存储介质与处理器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6126864B2 (ja) | 1986-06-23 |
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