JPS586972A - 電子ビ−ム真空蒸着用ハ−スライナ− - Google Patents
電子ビ−ム真空蒸着用ハ−スライナ−Info
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- JPS586972A JPS586972A JP10374281A JP10374281A JPS586972A JP S586972 A JPS586972 A JP S586972A JP 10374281 A JP10374281 A JP 10374281A JP 10374281 A JP10374281 A JP 10374281A JP S586972 A JPS586972 A JP S586972A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子ビーム真空蒸着において、金属ソースを
高温にして蒸発させる際、該金属ソースと真空蒸着用ル
ツボとの間に介在させて電子ビームの入力を低くシ、蒸
発効率を上げて蒸着する目的で使用するハースライナ−
に関するものである。
高温にして蒸発させる際、該金属ソースと真空蒸着用ル
ツボとの間に介在させて電子ビームの入力を低くシ、蒸
発効率を上げて蒸着する目的で使用するハースライナ−
に関するものである。
半導体工業が発達するにつれて半導体ウェハー上に金属
の薄膜を被覆し、微細加工する技術が重要となり、薄膜
の形成法として真空蒸着法が開発された。近年素子の集
積化、高周波化が進むにつれ、パターンをより微細化し
、素子の電極構造も多層構造化する必要があり、より良
質な金属薄膜を形成することが望まれている。
の薄膜を被覆し、微細加工する技術が重要となり、薄膜
の形成法として真空蒸着法が開発された。近年素子の集
積化、高周波化が進むにつれ、パターンをより微細化し
、素子の電極構造も多層構造化する必要があり、より良
質な金属薄膜を形成することが望まれている。
電子ビーム真空蒸着法は高融点かつ低蒸気圧の金属物質
の薄膜を形成できるため、現在最も一般的な蒸着法とな
っており、金属薄膜を半導体ウェハー上へ電子ビーム蒸
着させる場合、電子ビームの入力を低くおさえて効率よ
く蒸着させる必要がある。その理由は以下のとおりであ
る。
の薄膜を形成できるため、現在最も一般的な蒸着法とな
っており、金属薄膜を半導体ウェハー上へ電子ビーム蒸
着させる場合、電子ビームの入力を低くおさえて効率よ
く蒸着させる必要がある。その理由は以下のとおりであ
る。
（１）金属ソース、真空蒸着用ルツボからの反射電子、
２次電子等の放射線による半導体ウェハー表面への影響
を最小限にする必要がある。
２次電子等の放射線による半導体ウェハー表面への影響
を最小限にする必要がある。
（２） ルツボから熱輻射圧よる半導体ウェハーの温
度上昇を抑える。
度上昇を抑える。
（３） ルツボ周辺からの異物混入を避ける。
ハースライナ−１は電子ビームの入力を低くおさえかつ
蒸着速度を速くして蒸着効率を上げるために使用される
ものであり、熱伝導の非常に悪い導電性材料で作られ、
その構造は播鉢状となっている（第１図参照〕。従来、
タンタル、タングステン、モリブデン等を材料としたハ
ースライナ−で蒸発効率を上げてきたが、これらの物質
は高温時に蒸着金属と反応し合金化し易いため、形成し
た金属薄膜中にハースライナ−として使用した物質が含
まれてしまうという欠点があった。
蒸着速度を速くして蒸着効率を上げるために使用される
ものであり、熱伝導の非常に悪い導電性材料で作られ、
その構造は播鉢状となっている（第１図参照〕。従来、
タンタル、タングステン、モリブデン等を材料としたハ
ースライナ−で蒸発効率を上げてきたが、これらの物質
は高温時に蒸着金属と反応し合金化し易いため、形成し
た金属薄膜中にハースライナ−として使用した物質が含
まれてしまうという欠点があった。
一方、窒化ホウ素（ＢＮ）と刑ホウ化チタン（ＴｉＢ、
）を材料としたハースライナ−１においては、蒸着物質
とハースライナ−材料との反応は起こシにくいため、形
成した金属薄膜中への異物の混入は避けられる。しかし
、該ハースライナー１を使用した場合でも金属ノース２
の種類によってはハースライナ−１と非常に良く濡れな
じむものがあり、その場合金属ソース２がハースライナ
−１の内面１ａを伝わってその開口縁部１ｂを乗り越見
てはい出し、ハースライナ−１とルツボ６との間がらハ
ースライナ−１の裏面１ｃ側に入り込んでしまう（第２
図参照）。
）を材料としたハースライナ−１においては、蒸着物質
とハースライナ−材料との反応は起こシにくいため、形
成した金属薄膜中への異物の混入は避けられる。しかし
、該ハースライナー１を使用した場合でも金属ノース２
の種類によってはハースライナ−１と非常に良く濡れな
じむものがあり、その場合金属ソース２がハースライナ
−１の内面１ａを伝わってその開口縁部１ｂを乗り越見
てはい出し、ハースライナ−１とルツボ６との間がらハ
ースライナ−１の裏面１ｃ側に入り込んでしまう（第２
図参照）。
このため、金属ソース１とルツボ６とがハースライナ−
裏面１ｃ全体で接触するため両者間の熱伝導が良くなり
、蒸着効率は低下してしまいハースライナ−を使用する
効果がなくなってしまりという問題があった。
裏面１ｃ全体で接触するため両者間の熱伝導が良くなり
、蒸着効率は低下してしまいハースライナ−を使用する
効果がなくなってしまりという問題があった。
本発明は前記問題点を解消するもので、拙鉢状のハース
ライナ−の開口部外縁に庇を突設したことを特徴とする
ものである。
ライナ−の開口部外縁に庇を突設したことを特徴とする
ものである。
以下、本発明の一実施例を図面によって説明する。
第３図において、窒化ホウ素（ＢＮ）とニホウ化チタン
（ＴｉＢ、）を材料とした播鉢状のハースライナ−にお
いて、ハースライナ−１の開口部外縁に庇１ｄを突設す
る。ハースライナ−１はその庇１ｄをルツボ３と接触さ
せてルツボ６上に取付けられる。ハースライナ−１内で
溶融している蒸着用金属ソース２がハースライナ−１の
内面１ａを伝わってはい出しても該ハースライナ−１の
庇１ｄとルツボ６との接触部分子で 、・・ｌそ
の裏面１Ｃ側へのはい出しが防止され、金属ソース２と
ルツボ３との接触度合が最小限に抑えられるから蒸着用
金属ソース２からルツボ６への熱伝導を最小限におさえ
ることができる。
（ＴｉＢ、）を材料とした播鉢状のハースライナ−にお
いて、ハースライナ−１の開口部外縁に庇１ｄを突設す
る。ハースライナ−１はその庇１ｄをルツボ３と接触さ
せてルツボ６上に取付けられる。ハースライナ−１内で
溶融している蒸着用金属ソース２がハースライナ−１の
内面１ａを伝わってはい出しても該ハースライナ−１の
庇１ｄとルツボ６との接触部分子で 、・・ｌそ
の裏面１Ｃ側へのはい出しが防止され、金属ソース２と
ルツボ３との接触度合が最小限に抑えられるから蒸着用
金属ソース２からルツボ６への熱伝導を最小限におさえ
ることができる。
また、このハースライナ−１により低入力電子ビームで
も効率良く蒸着を行うことが可能となる。
も効率良く蒸着を行うことが可能となる。
次に本発明の実際の効果を示すために蒸着用ソースとし
て２ｃｃのアルミニウムを用いて蒸着した場合について
述べる。表１は純度９９９９％のアルミニウム２ ｃｃ
を次に示す３通りの電子ビーム蒸着法で蒸着した場合の
蒸発効率を示すものである。 − （１） ！鉢形状の電子ビーム蒸着用ルツボ（材料は
無酸素銅）に直接アルミニウムを入れた場合。
て２ｃｃのアルミニウムを用いて蒸着した場合について
述べる。表１は純度９９９９％のアルミニウム２ ｃｃ
を次に示す３通りの電子ビーム蒸着法で蒸着した場合の
蒸発効率を示すものである。 − （１） ！鉢形状の電子ビーム蒸着用ルツボ（材料は
無酸素銅）に直接アルミニウムを入れた場合。
（２）窒化ホウ素（ＢＮ）とニホウ化チタン（ＴＩＮ３
２）を材料とした厚さ５ｍ１ｊｒの従来型ハースライナ
−を使用した場合。
２）を材料とした厚さ５ｍ１ｊｒの従来型ハースライナ
−を使用した場合。
（３） （２）で使用したハースライナ−の開口縁部
を庇状にした本発明に係るハースライナ−を使用した場
合。
を庇状にした本発明に係るハースライナ−を使用した場
合。
電子ビーム蒸着用ルツボ、の寸法は第６図に示すように
、深さｄを１０頭、底面９直径、Ｄ□を１２間、開口部
縁部の直径り、を６０間としである。また蒸着条件は全
て到達真空度２Ｘ１０’−７ｏｍ 以下（蒸着機ペルジャー内の真空度）、電子ビーム加速
電圧はｄαで行った。表１は蒸着用ノースから３６０顛
の距離において５０ ＯＡ’／ ｓｅｃの蒸着速度を得
るのに必要な電子ビームのエミッション電流の値で比較
じた。
、深さｄを１０頭、底面９直径、Ｄ□を１２間、開口部
縁部の直径り、を６０間としである。また蒸着条件は全
て到達真空度２Ｘ１０’−７ｏｍ 以下（蒸着機ペルジャー内の真空度）、電子ビーム加速
電圧はｄαで行った。表１は蒸着用ノースから３６０顛
の距離において５０ ＯＡ’／ ｓｅｃの蒸着速度を得
るのに必要な電子ビームのエミッション電流の値で比較
じた。
表１に示すように本発明の・・−スライナーを使用した
場合、：３００Ａ／ｓｅｃの蒸着速度を得るのに必要な
エミノ７ヨ／電流は、（１）のようにハースライナ−が
ない場合の４５％、（２）の従来型のハースライナ−を
使用した場合の５５チであり、電子ビーム入力電流を大
幅に低減することが可能である。
場合、：３００Ａ／ｓｅｃの蒸着速度を得るのに必要な
エミノ７ヨ／電流は、（１）のようにハースライナ−が
ない場合の４５％、（２）の従来型のハースライナ−を
使用した場合の５５チであり、電子ビーム入力電流を大
幅に低減することが可能である。
以上のように本発明はハースライナ−の開口部外縁に庇
を突設したので、ハースライナ−からはい出す蒸着用ソ
ースがハースライナ−裏面側に漏れ出るのを防止でき、
蒸着用ソースとルツボとの接触度が最小限となシ両者間
の熱伝導を最少限に抑えて蒸着効率を高めることができ
る。また蒸着用ソースとルツボとの間の熱伝導が最小限
に抑えられるから、低入力電子ビームでも効率良く、蒸
着を行なうことができる。
を突設したので、ハースライナ−からはい出す蒸着用ソ
ースがハースライナ−裏面側に漏れ出るのを防止でき、
蒸着用ソースとルツボとの接触度が最小限となシ両者間
の熱伝導を最少限に抑えて蒸着効率を高めることができ
る。また蒸着用ソースとルツボとの間の熱伝導が最小限
に抑えられるから、低入力電子ビームでも効率良く、蒸
着を行なうことができる。
第１図は従来のハースライナ−の断面図、第２図は従来
のハースライナ−を使用した蒸着状態を示す断面図、第
３図は本発明の一実施例を示す断面図である。 １・・・バー スライナ−１ｂ・・・ハースライナ−の
開口縁部１ｄ・・・庇
のハースライナ−を使用した蒸着状態を示す断面図、第
３図は本発明の一実施例を示す断面図である。 １・・・バー スライナ−１ｂ・・・ハースライナ−の
開口縁部１ｄ・・・庇
Claims (1)
- （１）窒化ホク素とニホウ化チタンとを材料とした播鉢
状の電子ビー ム真空蒸着用・・−スライナーにおいて
４播鉢状のハースライナ−の開口部外縁に庇を突設した
ことを特徴とする電子ビーム真空蒸着用ハースライナー
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10374281A JPS586972A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 電子ビ−ム真空蒸着用ハ−スライナ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10374281A JPS586972A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 電子ビ−ム真空蒸着用ハ−スライナ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS586972A true JPS586972A (ja) | 1983-01-14 |
Family
ID=14362056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10374281A Pending JPS586972A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 電子ビ−ム真空蒸着用ハ−スライナ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS586972A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62154142A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-09 | Toshiba Corp | パイプライン処理プロセッサ |
| JPS62226232A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | Toshiba Corp | 分岐先アドレス算出回路 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49109231A (ja) * | 1973-02-21 | 1974-10-17 | ||
| JPS5244735A (en) * | 1975-10-06 | 1977-04-08 | Hitachi Ltd | Structure for preventing leak of molten metal |
| JPS545880A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-17 | Hitachi Ltd | Electron beam evaporating device |
-
1981
- 1981-07-02 JP JP10374281A patent/JPS586972A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49109231A (ja) * | 1973-02-21 | 1974-10-17 | ||
| JPS5244735A (en) * | 1975-10-06 | 1977-04-08 | Hitachi Ltd | Structure for preventing leak of molten metal |
| JPS545880A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-17 | Hitachi Ltd | Electron beam evaporating device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62154142A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-09 | Toshiba Corp | パイプライン処理プロセッサ |
| JPS62226232A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | Toshiba Corp | 分岐先アドレス算出回路 |
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