JPS5870133A - 光信号検出回路 - Google Patents
光信号検出回路Info
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- JPS5870133A JPS5870133A JP56169148A JP16914881A JPS5870133A JP S5870133 A JPS5870133 A JP S5870133A JP 56169148 A JP56169148 A JP 56169148A JP 16914881 A JP16914881 A JP 16914881A JP S5870133 A JPS5870133 A JP S5870133A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は信号の噴出回路に―す、待rC#を荷蓄核形ホ
トセンサの微少信号の咲出にjIk通な演出回路に関r
る。さらに詳しくは、七/すの微少な等備靜電容量c以
下コンデンサという)&゛ζζ薯検た似少&&c荷信号
を、出力ラインに付加される大容量コンデンサの値に無
関係に、低jII猾で低歪の大きな出力信号として検出
でさ、かつ回路構成が棚めて量率で、検出4度の屈い積
出回路に関する。
トセンサの微少信号の咲出にjIk通な演出回路に関r
る。さらに詳しくは、七/すの微少な等備靜電容量c以
下コンデンサという)&゛ζζ薯検た似少&&c荷信号
を、出力ラインに付加される大容量コンデンサの値に無
関係に、低jII猾で低歪の大きな出力信号として検出
でさ、かつ回路構成が棚めて量率で、検出4度の屈い積
出回路に関する。
従来mいらルていた演出回路、峙に光横出回路O−例を
講1図に示す、lおよび2はスイッチ素子C以下スイッ
チと菖う)、3は前記a4R蓄積形ホトセ/?(以下ホ
トセンサ、センナあるいはホトダイオードという)、4
は該センサ3と該スイッチlを結ぶ配線、5は該スイ、
チlI!:該スイ。
講1図に示す、lおよび2はスイッチ素子C以下スイッ
チと菖う)、3は前記a4R蓄積形ホトセ/?(以下ホ
トセンサ、センナあるいはホトダイオードという)、4
は該センサ3と該スイッチlを結ぶ配線、5は該スイ、
チlI!:該スイ。
チ2を耐ぶ出力ライン、6は出力端子、7は該センサ3
を充電するための電圧源、50fi負蓚コンデンナであ
る。第2図、第3図は該センナ30等価回路である0図
において31は等価ダイオードc以下タイオードという
)、32は等価接合コンデ/す(以下コンデンサという
)、33は等価抵抗素子(以下抵抗という)、34ij
等倫電流源である。以下、該センサ3t−説明する時は
第213!Jの等m回路を用いる。なお核抵抗33は光
強度に応じ、その抵抗値が変化する。縛ち、光強度が強
い楊金、抵抗値が小さく、光強度が弱い場合、抵抗値は
大きい、また光pA射がない場合、抵抗値は通常はぼj
I@大と見なせる程度に大きい、第4図Vよ縦センサ3
に第2図を用いて示した8g1図の等m回路である。な
お、同図において第1図、第2図と同一番号の素子は譲
1図、第2wJの素子と同一である。41ri鍍配線4
の等幽コンデンサである。
を充電するための電圧源、50fi負蓚コンデンナであ
る。第2図、第3図は該センナ30等価回路である0図
において31は等価ダイオードc以下タイオードという
)、32は等価接合コンデ/す(以下コンデンサという
)、33は等価抵抗素子(以下抵抗という)、34ij
等倫電流源である。以下、該センサ3t−説明する時は
第213!Jの等m回路を用いる。なお核抵抗33は光
強度に応じ、その抵抗値が変化する。縛ち、光強度が強
い楊金、抵抗値が小さく、光強度が弱い場合、抵抗値は
大きい、また光pA射がない場合、抵抗値は通常はぼj
I@大と見なせる程度に大きい、第4図Vよ縦センサ3
に第2図を用いて示した8g1図の等m回路である。な
お、同図において第1図、第2図と同一番号の素子は譲
1図、第2wJの素子と同一である。41ri鍍配線4
の等幽コンデンサである。
51d該出カライン5の41+diiコンデンサで、構
造上、極めて大きな容量−を持つ場合がしばしばある。
造上、極めて大きな容量−を持つ場合がしばしばある。
第5図は該スイッチ1,2の開閉のタイミングと出力信
号波形のタイミングである。l13よび12はそれぞれ
該スイッチ1および2に対応し、11あるいは12が高
レベルで示されている期間および低レベルで示されてい
る期間はスイッチがそれぞれ閉じているJ18間および
開いている期間に対応している。次に第4図、第5図を
用いて、本検出回路の動作を説明する。・12本検出回
1の動作期間中破センサ3へは常時元wa肘があり、該
抵抗33の抵抗値はあるf限の−であるとする。今すセ
ット期間14ではJスイ、チ2は閉じているから、該コ
ンデンサso、siは短絡さIし、蓄積されていた電荷
離放゛1する。従って、端子60山力値号7よ13に示
すように産地レベルにセットされる。一方、該スイッチ
lも閉じているから、Jコンデンサ32r!充電され、
端子35μ景地レベルに、端子36は該電圧#i7の電
圧レベルBボルト(ここではE>Oと仮定する)にそれ
ぞれセ。
号波形のタイミングである。l13よび12はそれぞれ
該スイッチ1および2に対応し、11あるいは12が高
レベルで示されている期間および低レベルで示されてい
る期間はスイッチがそれぞれ閉じているJ18間および
開いている期間に対応している。次に第4図、第5図を
用いて、本検出回路の動作を説明する。・12本検出回
1の動作期間中破センサ3へは常時元wa肘があり、該
抵抗33の抵抗値はあるf限の−であるとする。今すセ
ット期間14ではJスイ、チ2は閉じているから、該コ
ンデンサso、siは短絡さIし、蓄積されていた電荷
離放゛1する。従って、端子60山力値号7よ13に示
すように産地レベルにセットされる。一方、該スイッチ
lも閉じているから、Jコンデンサ32r!充電され、
端子35μ景地レベルに、端子36は該電圧#i7の電
圧レベルBボルト(ここではE>Oと仮定する)にそれ
ぞれセ。
トされる0次に該スイッチ1,2が共に開いている蓄積
期間15では該コンデンサ32に充電された電荷鉱抵抗
33を介し放電する。その結果、前記眉間14で接地レ
ベルにセットされた端子35の電位は徐々に上昇し、B
に近ずく。今該蓄積期間15の最終時点で、該端子35
の電位がVポルトに達した表する(V≦8)。同時に該
期間15で該コンデンサ41は充電される。次に検出期
間16でスイッチ1のみが閉じるから、該コンfy+3
2.41,50.51の間で電萄の再分布が生じ、13
に示すように、端子6の電位は接地レベルよりわずかに
上昇する。4ら、該上昇分が本検出回路の出力1JI−
号となる。以上該期間14゜15.16が信号検出の一
周期で、以後これを繰り返えすことにより順次信号検出
がf?なわれる。
期間15では該コンデンサ32に充電された電荷鉱抵抗
33を介し放電する。その結果、前記眉間14で接地レ
ベルにセットされた端子35の電位は徐々に上昇し、B
に近ずく。今該蓄積期間15の最終時点で、該端子35
の電位がVポルトに達した表する(V≦8)。同時に該
期間15で該コンデンサ41は充電される。次に検出期
間16でスイッチ1のみが閉じるから、該コンfy+3
2.41,50.51の間で電萄の再分布が生じ、13
に示すように、端子6の電位は接地レベルよりわずかに
上昇する。4ら、該上昇分が本検出回路の出力1JI−
号となる。以上該期間14゜15.16が信号検出の一
周期で、以後これを繰り返えすことにより順次信号検出
がf?なわれる。
第1図の回路において、該出力ライン5は通常橋めて長
いため、その等価コンデ/す51も500pF〜100
0pF といった樹めて大きな値となる場合が多い。こ
のため負荷コンデンサ50を別遜接続する必要もなく、
皺コンデンサ51のみで負荷コンデンサと見なせる。こ
れより、咳従来の検出回路を以下ではコンデンサ形検出
回路と呼ぶ。今、−例として、前記コンデ/す32,4
1,50゜51(D容量値をそれぞれo、zpr 、4
.8pF’gQ、ZpF。
いため、その等価コンデ/す51も500pF〜100
0pF といった樹めて大きな値となる場合が多い。こ
のため負荷コンデンサ50を別遜接続する必要もなく、
皺コンデンサ51のみで負荷コンデンサと見なせる。こ
れより、咳従来の検出回路を以下ではコンデンサ形検出
回路と呼ぶ。今、−例として、前記コンデ/す32,4
1,50゜51(D容量値をそれぞれo、zpr 、4
.8pF’gQ、ZpF。
419.89F とし、蓄積期間15で端子35の電位
Vが1−5ボルトであったとすれば、出力信号は約1
y=vとなり、約1/100に減少する。など該コンデ
ンサ51の容量値は前8J2′4緻値よりさらに大きな
値となることがしばしrfある。この場合、出力11号
はさらに小さくなる。従来のコンデンサ形検出回路の最
大の欠点は、出刃ライン5の彎−コンデンサ51が−め
て大きいために、出力信号が前記のように極めて小さく
なることである。また前記スイッチ1,2は通常)’E
T等が用いられるので、出力信号に74−トスルーが重
畳する上、人きなスイツナング雑歯が一人する。このた
めダイナI、クレンジが極めて低下する。さらに出力1
8号が−めて小さいから、出力端子6と4幅回路tバ、
フ1回路を介して接線し、信号の増幅を行なう必要があ
る。このため、回路の繁雑化、高消費電力化、低87N
化等極めて不都合な結果を生ずる。
Vが1−5ボルトであったとすれば、出力信号は約1
y=vとなり、約1/100に減少する。など該コンデ
ンサ51の容量値は前8J2′4緻値よりさらに大きな
値となることがしばしrfある。この場合、出力11号
はさらに小さくなる。従来のコンデンサ形検出回路の最
大の欠点は、出刃ライン5の彎−コンデンサ51が−め
て大きいために、出力信号が前記のように極めて小さく
なることである。また前記スイッチ1,2は通常)’E
T等が用いられるので、出力信号に74−トスルーが重
畳する上、人きなスイツナング雑歯が一人する。このた
めダイナI、クレンジが極めて低下する。さらに出力1
8号が−めて小さいから、出力端子6と4幅回路tバ、
フ1回路を介して接線し、信号の増幅を行なう必要があ
る。このため、回路の繁雑化、高消費電力化、低87N
化等極めて不都合な結果を生ずる。
従来用いられていた検出回路の他の例を第6図に示す、
この回路は負荷として抵抗素子21を用いているので、
ここでは抵抗形検出回路と呼ぶ。
この回路は負荷として抵抗素子21を用いているので、
ここでは抵抗形検出回路と呼ぶ。
岡!IK#いて、各41系が第1図、第2図の各素子と
同一のものは10ト1号で示されている。なお該センf
3の勢価回路として第2図を用いるものとする。第7−
の22は第6図のスイッチ1の開閉を示すタイ1ングと
第6図の端子6より得られる信号液形の一例を示したも
のである。なお鴇5図と同様、琳7−の22が鳥レベル
の期間Sよび低ジベル0IIIII間はそれぞれスイッ
チlが閉じている眉間および開いている期間に対応する
。次に第6嗣、第7図を用いて、従来の抵抗形検出回路
の動作を説明する。なお―作条性は第4図と同一である
とする。今期間24の最終状總で端子35が接地レベル
に設定されているものとする。蓄積期間25で該スイッ
チlが開くと、該コンデンサ32に蓄積された電荷は光
照射され抵抗−が、b))育成の−を持った抵抗33を
介し放電する。そのに来、前記期間24でII地レベル
にあった端子35の電圧は徐々に上昇し、Eに近すいて
ゆく。今蓄槓期間25の最終時点で該端子35の電位が
Vボルトに連したとする(V≦g)。次に検出期間26
でスイッチlが閉じると、端子6の電位ζ、23に示す
ように、まず接地レベルから上昇し、ピーク値KMI、
、次に減少して、最後には再び舗地レベルに戻る。従っ
て、該期間中、譲コンデンf32#i再び充電される。
同一のものは10ト1号で示されている。なお該センf
3の勢価回路として第2図を用いるものとする。第7−
の22は第6図のスイッチ1の開閉を示すタイ1ングと
第6図の端子6より得られる信号液形の一例を示したも
のである。なお鴇5図と同様、琳7−の22が鳥レベル
の期間Sよび低ジベル0IIIII間はそれぞれスイッ
チlが閉じている眉間および開いている期間に対応する
。次に第6嗣、第7図を用いて、従来の抵抗形検出回路
の動作を説明する。なお―作条性は第4図と同一である
とする。今期間24の最終状總で端子35が接地レベル
に設定されているものとする。蓄積期間25で該スイッ
チlが開くと、該コンデンサ32に蓄積された電荷は光
照射され抵抗−が、b))育成の−を持った抵抗33を
介し放電する。そのに来、前記期間24でII地レベル
にあった端子35の電圧は徐々に上昇し、Eに近すいて
ゆく。今蓄槓期間25の最終時点で該端子35の電位が
Vボルトに連したとする(V≦g)。次に検出期間26
でスイッチlが閉じると、端子6の電位ζ、23に示す
ように、まず接地レベルから上昇し、ピーク値KMI、
、次に減少して、最後には再び舗地レベルに戻る。従っ
て、該期間中、譲コンデンf32#i再び充電される。
以上が11号検出の一周期で、以後蓄積、検出期間を繰
り患えずことにより、次々と信号を検出する。今、−例
として、該コンデン?32,41.51の静m容量値が
そルそれ0.21)F、4.81)F、5001)F
(!: シT:、 dVカ1.5ホtkトであったとす
る。この時の出力信号23のピーク値はたかだか約t7
mVICJぎない。こnは、前述し九従来のコンデ/す
形砿出回路と同様、Vか大きな−となるにもかかわらず
、読み出される信号は極めて小さいという重大な欠点を
生ずる。mスイ、チ素子lが例えばFISTの場合、期
間26に現われる出力15号は、該スイッチ1を閉じる
時に生ずるスイ、チンダ鑵音が重畳される。また該スイ
ッチを開く時、期間25の最初の部分に兇られみよ5に
、出力信号23に負方向(同図では下方向)Oスイ、チ
ンダ雑音が生ずる。このように、微少信号出力に対して
大きなスイ、チ/グs11が存在するから、ダイナミッ
クレンジ、8/Nが非常に小さくなる0本回路の他の欠
点は回路の時定数が大きいため1#号の読み出し速度が
遅くなることである。従って信号を検出期間内で完全に
読み出すことが不可1となる(不完全読み出し)。即ち
、検出眉間26で端子6の電位が接地レベルに戻らない
伏線が生ずる。さらに、出力信号が砿少な上、波形23
で示すように出力1d号がホールドされないため、出力
信号のホールドと増@を必要とする。このため、バ、フ
ァ回路、8/H回路あるいは積分−路、増幅回路を付加
する必要が生じるから、1g回路の*酸化、消費電力の
増大、4虐の増加など重大な欠点が生じる。
り患えずことにより、次々と信号を検出する。今、−例
として、該コンデン?32,41.51の静m容量値が
そルそれ0.21)F、4.81)F、5001)F
(!: シT:、 dVカ1.5ホtkトであったとす
る。この時の出力信号23のピーク値はたかだか約t7
mVICJぎない。こnは、前述し九従来のコンデ/す
形砿出回路と同様、Vか大きな−となるにもかかわらず
、読み出される信号は極めて小さいという重大な欠点を
生ずる。mスイ、チ素子lが例えばFISTの場合、期
間26に現われる出力15号は、該スイッチ1を閉じる
時に生ずるスイ、チンダ鑵音が重畳される。また該スイ
ッチを開く時、期間25の最初の部分に兇られみよ5に
、出力信号23に負方向(同図では下方向)Oスイ、チ
ンダ雑音が生ずる。このように、微少信号出力に対して
大きなスイ、チ/グs11が存在するから、ダイナミッ
クレンジ、8/Nが非常に小さくなる0本回路の他の欠
点は回路の時定数が大きいため1#号の読み出し速度が
遅くなることである。従って信号を検出期間内で完全に
読み出すことが不可1となる(不完全読み出し)。即ち
、検出眉間26で端子6の電位が接地レベルに戻らない
伏線が生ずる。さらに、出力信号が砿少な上、波形23
で示すように出力1d号がホールドされないため、出力
信号のホールドと増@を必要とする。このため、バ、フ
ァ回路、8/H回路あるいは積分−路、増幅回路を付加
する必要が生じるから、1g回路の*酸化、消費電力の
増大、4虐の増加など重大な欠点が生じる。
本発明の目的は上記従来のlJI伽点を解決し、出力ラ
インの−めで大きな等価コンデンサの影響を全(除去す
ると共に、大きな出力が得られ、読み出しスピードが速
い上、8/N8よびダイナミ。
インの−めで大きな等価コンデンサの影響を全(除去す
ると共に、大きな出力が得られ、読み出しスピードが速
い上、8/N8よびダイナミ。
クレンジが大きく、構成が−めて簡単な検出回路を提供
することにある。
することにある。
本発明によればホトダイオードと駅ホトダイオードを繰
り返し充放−させるスイッチ素子が接続され九ユニ、ト
と、少なくでもコンデ/す、スイッチ素子右よび演痒増
幅器1−1む積分回路を備え、該ユニットの該スイッチ
素子側の端子と該積分回路の反転入力端子が配線静電6
114を含む出力ラインを介して接続され、禮ユニ、ト
のホトダイオード側の端子が電圧源に接続され、腋積分
回路の非反転入力端子が基準電圧源にthlI#lRさ
れ、該積分回路の反転3よび非反転入力端子がスイッチ
素子を介してjlI硫されていることを特徴とする元信
号検出1路が得られる。更に:複数−の前記ユニットと
前記積分回路を備え、砿各ユニ、トのスイッチ素+側O
端子を互いK11Jil!すると共に、該端子と該積分
回路の非反転入力端子を出力ラインを介して接続し、該
ユニットのホトダイオード側の端子を互いに接続した上
肢端子と電圧源を接続し、該積分回路の非反転入力端子
と基準電圧源を接続し、皺積分回路の反転および非反転
入力端子がスイッチ素子を介して接続されていることを
特徴とする光信号検出回路が得られる。またm個(m”
正整数)の前記1二、)で構成されるグロ、りがn個(
aツ正豊数)と、m記積分1ω路と、第1のスイッチ素
子、@2のスイッチ素子、・・・・・・第mのスイ、チ
嵩子の合計m個のスイッチ素子を備え、該各ブー、りO
第14目のユニット内のスイッチ素子側am子を互いに
接続した上肢端子と該第1のスイッチ素子の一方の端を
接続し、該各ブロックの嬉211目のユニット内のスイ
ッチA子側の端子を亙いK1141した玉鎖端子と該第
2のスイッチ素子の一方の端をi1続し、以下同様に、
該各グgffyりのllI目のユニット内のスイッチA
子側の端子を互いに遺統した上肢端子と該第mのスイッ
チ素子の一方の端を接続し、at第1.第2、・・・−
・第mのスイッチ素子の他方の端を互いに!I統した玉
鎖端と皺積分回路の反転入力端子を出力ラインを介して
IL練し、該各ユニ、トのホトダイオード側の端子を互
いにiI統した玉鎖端子と電圧源を接続し、該積分回路
の非反転入力端子と基準電圧源を接続し、該積分回路の
反転および非反転入力端子がスイッチ素子を介して接続
されていることt−特徴とする光信号検出回路が得らI
Lる。
り返し充放−させるスイッチ素子が接続され九ユニ、ト
と、少なくでもコンデ/す、スイッチ素子右よび演痒増
幅器1−1む積分回路を備え、該ユニットの該スイッチ
素子側の端子と該積分回路の反転入力端子が配線静電6
114を含む出力ラインを介して接続され、禮ユニ、ト
のホトダイオード側の端子が電圧源に接続され、腋積分
回路の非反転入力端子が基準電圧源にthlI#lRさ
れ、該積分回路の反転3よび非反転入力端子がスイッチ
素子を介してjlI硫されていることを特徴とする元信
号検出1路が得られる。更に:複数−の前記ユニットと
前記積分回路を備え、砿各ユニ、トのスイッチ素+側O
端子を互いK11Jil!すると共に、該端子と該積分
回路の非反転入力端子を出力ラインを介して接続し、該
ユニットのホトダイオード側の端子を互いに接続した上
肢端子と電圧源を接続し、該積分回路の非反転入力端子
と基準電圧源を接続し、皺積分回路の反転および非反転
入力端子がスイッチ素子を介して接続されていることを
特徴とする光信号検出回路が得られる。またm個(m”
正整数)の前記1二、)で構成されるグロ、りがn個(
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子、@2のスイッチ素子、・・・・・・第mのスイ、チ
嵩子の合計m個のスイッチ素子を備え、該各ブー、りO
第14目のユニット内のスイッチ素子側am子を互いに
接続した上肢端子と該第1のスイッチ素子の一方の端を
接続し、該各ブロックの嬉211目のユニット内のスイ
ッチA子側の端子を亙いK1141した玉鎖端子と該第
2のスイッチ素子の一方の端をi1続し、以下同様に、
該各グgffyりのllI目のユニット内のスイッチA
子側の端子を互いに遺統した上肢端子と該第mのスイッ
チ素子の一方の端を接続し、at第1.第2、・・・−
・第mのスイッチ素子の他方の端を互いに!I統した玉
鎖端と皺積分回路の反転入力端子を出力ラインを介して
IL練し、該各ユニ、トのホトダイオード側の端子を互
いにiI統した玉鎖端子と電圧源を接続し、該積分回路
の非反転入力端子と基準電圧源を接続し、該積分回路の
反転および非反転入力端子がスイッチ素子を介して接続
されていることt−特徴とする光信号検出回路が得らI
Lる。
以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
第8図に本発明の第1実施例を示す、l、2rよスイッ
チ素子、3#i電荷蓄積形ホトセンサC以上センサ、ホ
トセンサあるいはホトダイオードという)、4は該セン
サ3と一スイ、チ4を接続する配線、5は出力ライ/、
6は出力端子、7は・−比値Bボルトの電圧#(ここで
はB〉0とする)である、31.32.33はそれぞれ
威センサ3の等価ダイオード、等価コンデンサ、′:4
噛抵抗抵抗素子2図に対応する。41は配@4の4噛ツ
ンデンナ、slは出力ラインSの等価コンデンサ、・O
は演算項−I)(以下OF A、、という)61・:I
yデンサ62.スイッチ素子63を含む積分回路、64
社電圧値IBボルトの基準電圧+1[(以下の説明では
、Bv&は接地レベルとする)、35゜36.37,5
2.53は端子、54および55はそれぞれ該積分回路
60の反転および非反転入力端子である。なお該センサ
3、スイッチlを含む回路をここでは便宜上エニv )
30と呼ぶ。第9図に該スイッチ素子1,63の開閉
のタイミングと端子35および6の電位変化の一例を示
す。
チ素子、3#i電荷蓄積形ホトセンサC以上センサ、ホ
トセンサあるいはホトダイオードという)、4は該セン
サ3と一スイ、チ4を接続する配線、5は出力ライ/、
6は出力端子、7は・−比値Bボルトの電圧#(ここで
はB〉0とする)である、31.32.33はそれぞれ
威センサ3の等価ダイオード、等価コンデンサ、′:4
噛抵抗抵抗素子2図に対応する。41は配@4の4噛ツ
ンデンナ、slは出力ラインSの等価コンデンサ、・O
は演算項−I)(以下OF A、、という)61・:I
yデンサ62.スイッチ素子63を含む積分回路、64
社電圧値IBボルトの基準電圧+1[(以下の説明では
、Bv&は接地レベルとする)、35゜36.37,5
2.53は端子、54および55はそれぞれ該積分回路
60の反転および非反転入力端子である。なお該センサ
3、スイッチlを含む回路をここでは便宜上エニv )
30と呼ぶ。第9図に該スイッチ素子1,63の開閉
のタイミングと端子35および6の電位変化の一例を示
す。
71#i該スイ、チ1に、該スイッチ63に対応し、1
1あるいは72が^レベルおよび低レベルで示されてい
る期間はそれぞれ各スイッチが閉あるいはllO状態を
示している。73および74はそれぞれ端子35の電位
変化および端子6のtt位変化(即ち、出力信号)であ
るs’−1:875については畿述する。
1あるいは72が^レベルおよび低レベルで示されてい
る期間はそれぞれ各スイッチが閉あるいはllO状態を
示している。73および74はそれぞれ端子35の電位
変化および端子6のtt位変化(即ち、出力信号)であ
るs’−1:875については畿述する。
以下では該スイッチ2がない場αの動作を説明する。な
お従来の検出回路の説明と同様、該センす3には常時光
が照射されており、該抵抗素子33はある有限の抵抗値
を有しているものとする。
お従来の検出回路の説明と同様、該センす3には常時光
が照射されており、該抵抗素子33はある有限の抵抗値
を有しているものとする。
また該電圧源7の電位Eはある正の値(例えばlOボル
ト)、該基準鑞圧源64の電位EkLはj地レベルとす
る。リセット期間81で該スイッチ63が閉じると該コ
ンデンサ62が放電すると共に、4子54の電位は該U
P Amp 61 、/)イマジナリシ、−トを介し接
地レベルとなっているから、端子6の電位も74に示す
ように接地レベルへ戻る。同f1に端子52.53も接
地レベルとなるから、該コンデンサ51は!!!L11
Kする0次の43禰82ではいずれのスイッチ素子も−
の状lItにある。従りて、該コンデンサ32に蓄積さ
れているmaは該抵抗素子33を介し、逐次放電されて
いるがら、端子35,370m位は、73に示すように
、次の期間J3で該スイッチlか閉じる時刻まで、逐次
変化(この場合、上昇)する、従うて該コンデンサ32
と411C蓄積されたttto変動分は端子35.37
の電位の変―分に両コンデ/すの静電容量の相を乗算し
た結果に尋しい。次の検出期間s3で、該スイッチlが
閉じると、各コンデンす!!、41,51.62に電荷
の両分布が生じ、端子54(同様に35.37,52.
j3)の電位が変−する、一方OP ADIg) 61
は該端子54の電位をイマジナリショートを介し基準電
圧レベル(接地レベル)へ戻そ5と働くゆ以上の動作を
繰り返えすことにより、最終的には4子53の電位砿接
鳩レベルに復帰する。従って、一時的に、鋏ブンブン−
?−51は電荷の充放電を行なうが、最終的にはC定常
状態では)該コンデンサ51には電荷は蓄積されること
はない。
ト)、該基準鑞圧源64の電位EkLはj地レベルとす
る。リセット期間81で該スイッチ63が閉じると該コ
ンデンサ62が放電すると共に、4子54の電位は該U
P Amp 61 、/)イマジナリシ、−トを介し接
地レベルとなっているから、端子6の電位も74に示す
ように接地レベルへ戻る。同f1に端子52.53も接
地レベルとなるから、該コンデンサ51は!!!L11
Kする0次の43禰82ではいずれのスイッチ素子も−
の状lItにある。従りて、該コンデンサ32に蓄積さ
れているmaは該抵抗素子33を介し、逐次放電されて
いるがら、端子35,370m位は、73に示すように
、次の期間J3で該スイッチlか閉じる時刻まで、逐次
変化(この場合、上昇)する、従うて該コンデンサ32
と411C蓄積されたttto変動分は端子35.37
の電位の変―分に両コンデ/すの静電容量の相を乗算し
た結果に尋しい。次の検出期間s3で、該スイッチlが
閉じると、各コンデンす!!、41,51.62に電荷
の両分布が生じ、端子54(同様に35.37,52.
j3)の電位が変−する、一方OP ADIg) 61
は該端子54の電位をイマジナリショートを介し基準電
圧レベル(接地レベル)へ戻そ5と働くゆ以上の動作を
繰り返えすことにより、最終的には4子53の電位砿接
鳩レベルに復帰する。従って、一時的に、鋏ブンブン−
?−51は電荷の充放電を行なうが、最終的にはC定常
状態では)該コンデンサ51には電荷は蓄積されること
はない。
一方、端子35.37の電位も接地レベルとなるから、
該コンデンサ32線元の状態に光電され、該コ/デ/す
41は放電する。従って、前述したように、該期間83
が開始する直前までに変動し九両コンデンサ32と41
の区々変動分はこの時 点で%1−IE、トされ、該変
動電萄分に相当する電荷量が該コンデンサ62に積分さ
れたことになる。
該コンデンサ32線元の状態に光電され、該コ/デ/す
41は放電する。従って、前述したように、該期間83
が開始する直前までに変動し九両コンデンサ32と41
の区々変動分はこの時 点で%1−IE、トされ、該変
動電萄分に相当する電荷量が該コンデンサ62に積分さ
れたことになる。
従りて、74に不すよ5に、端子6の電位は接地レベル
より下がり、出力信号成分となる。次のホールド期間8
4で、該スイッチlが開いても、端子6の出力信号は7
4に示すよ5に、検出期間83の値をホールドする。と
同時に原コ/デンサ32は該抵抗素子33を介し、放電
を開始す6(73参照)0以上#4m01間81,82
゜83.84を一周期とし、これを繰り返えすことによ
り、順次信号の検出が行なわれる。
より下がり、出力信号成分となる。次のホールド期間8
4で、該スイッチlが開いても、端子6の出力信号は7
4に示すよ5に、検出期間83の値をホールドする。と
同時に原コ/デンサ32は該抵抗素子33を介し、放電
を開始す6(73参照)0以上#4m01間81,82
゜83.84を一周期とし、これを繰り返えすことによ
り、順次信号の検出が行なわれる。
今該コンデンサ32,41.62の静電容量をそれぞれ
0.2p?、 t8pF、 5.0.F とし、譲ス
イッチlが閉じる直前に端子35の電位が約lボルト上
昇したとすれば、通常500〜1.0009Fという大
きな値のコンデンサ51の静電容量値K11li−係に
、端子6の出力信号「工約−1ボルトとなる。この憾は
従来の検出回路に比べ、極めて大きな−である。
0.2p?、 t8pF、 5.0.F とし、譲ス
イッチlが閉じる直前に端子35の電位が約lボルト上
昇したとすれば、通常500〜1.0009Fという大
きな値のコンデンサ51の静電容量値K11li−係に
、端子6の出力信号「工約−1ボルトとなる。この憾は
従来の検出回路に比べ、極めて大きな−である。
また、該スイッチ素子lがFNT→で構成さ7Lる勘合
、該スイッチの開閉時に互いに反対力1−へのスイッチ
ング雑音を生じる。しかし本発#41こよれGズ該スイ
、チング雑會はコンデンサ62で互&’+’Cキャンセ
ルされる方向で積分されるから、期間84で傷られる信
号はきわめて唯會の少ない出力信号となる。
、該スイッチの開閉時に互いに反対力1−へのスイッチ
ング雑音を生じる。しかし本発#41こよれGズ該スイ
、チング雑會はコンデンサ62で互&’+’Cキャンセ
ルされる方向で積分されるから、期間84で傷られる信
号はきわめて唯會の少ない出力信号となる。
以上、咳スイッチ2が付加されていない場合について説
明した。次Kmスイ、チ2が付加された場合を説明する
。今咳スイ、チ2のi;ll閲状態が。
明した。次Kmスイ、チ2が付加された場合を説明する
。今咳スイ、チ2のi;ll閲状態が。
該スイッチ63の開閉のタイミングと同一で、第9図7
2で示されるものとする。今何らかの原因で、例えば外
乱による雑鱈で、端子52.53の電位が接地レベルと
興なる場合、該コンデンサ51に:III積゛された雑
音による電荷t−強制的に放電させることが出来る。ま
た該スイッチlの開閉タイミングが75で、スイッチ4
2と63のタイミングが72で示される場合、該リセッ
ト期間81中に咳コンデンサ32,41.51を強制的
かつ急速にリセットすることができる。即ち、配線4゜
出力ライン5あるい紘抵抗素子70に雑音が重畳された
場合、あるいは駆動モードが―めて高速な場合等に譲ス
イ、チ1,2によるリセットが轡めて有効である。
2で示されるものとする。今何らかの原因で、例えば外
乱による雑鱈で、端子52.53の電位が接地レベルと
興なる場合、該コンデンサ51に:III積゛された雑
音による電荷t−強制的に放電させることが出来る。ま
た該スイッチlの開閉タイミングが75で、スイッチ4
2と63のタイミングが72で示される場合、該リセッ
ト期間81中に咳コンデンサ32,41.51を強制的
かつ急速にリセットすることができる。即ち、配線4゜
出力ライン5あるい紘抵抗素子70に雑音が重畳された
場合、あるいは駆動モードが―めて高速な場合等に譲ス
イ、チ1,2によるリセットが轡めて有効である。
第1061K不発明の縞2の実m例を示す。本実施例は
第8図に示したユニ、ト30を複数個に拡張し、アレイ
化している。、410図において81゜82.83は第
8図の該ユニット30に対応し。
第8図に示したユニ、ト30を複数個に拡張し、アレイ
化している。、410図において81゜82.83は第
8図の該ユニット30に対応し。
合計l閲(/=正!II数)噛えている。なお同図の各
構成便素は第8図の同一番号の構成要素と同一である。
構成便素は第8図の同一番号の構成要素と同一である。
第11図は第10117)各スイッチの開閉状態と出力
信号波形の一例を示したものである。
信号波形の一例を示したものである。
91は該ユニット81のスイッチ1,92は核ユニ、ト
82のスイッチ1,93Fi該ユニツト83のスイッチ
1.94は該スイッチ2および6にそれぞれ対応し、各
波形の高レベルおよび低レベルの期間がそれぞれ各スイ
ッチが閉じている期間るよび關いている期間に相当する
。95は端子6より優られる出力信号波形で−bる。な
お不実14i例の動作は41J!施例(第8図)と′基
本的には四槽である。′fcだし該各ユニット81,8
2,83のスイッチlば、第11図にボしたように、一
定の周期でかつ規則正しく順次開閉し、各ユニ、)81
゜82.83の該センサ3tJ次読み出すj11方式と
なりている。従って、iIl数−の該センサ3から同時
に11号tdみ出すことσない。
82のスイッチ1,93Fi該ユニツト83のスイッチ
1.94は該スイッチ2および6にそれぞれ対応し、各
波形の高レベルおよび低レベルの期間がそれぞれ各スイ
ッチが閉じている期間るよび關いている期間に相当する
。95は端子6より優られる出力信号波形で−bる。な
お不実14i例の動作は41J!施例(第8図)と′基
本的には四槽である。′fcだし該各ユニット81,8
2,83のスイッチlば、第11図にボしたように、一
定の周期でかつ規則正しく順次開閉し、各ユニ、)81
゜82.83の該センサ3tJ次読み出すj11方式と
なりている。従って、iIl数−の該センサ3から同時
に11号tdみ出すことσない。
嬉12図に本発明の第3の実施例を示す0本夷確例は1
s10図に示し九実−例をさらpc拡大したものである
。即ち、m個(rn=正整数)の前記ユニットを1ブロ
ツクとしてさらに該プロ、りをn個(膳冨正!l数)設
けた構成である。 101,103゜111.113,
121,123Fi第8図、/) ユニy ) 30
K対応している。101,103は第1番目のグー、り
を構成し、それぞれ肢グp、り内の1番目およびm1l
lのユニットである。なお該1番目のブロック内の第2
番目から第(ml)$dのユニットは第12図では省略
されて縞刀1t′Lでいる。以下間fiK111,11
3 ハソレぞれm2−1目ノア’f、り内の第1番目、
第m番目のユニット、121,123は第yh41/目
のプロ、り内の第1番目、第m番目のユニ、ト、である
。但し第12図でF13番目から第(n 1)井目の
グー、りは省略さルて描かれている。 201,202
,203 はスイッチ索子でそれぞれ各グー、り内の
1#目のユニット(101,111゜121)、第2番
目のユニット(Ilr略されている)、菖m曹目の!二
、 ) (103,113,123) K対応している
。なお同図の他の構成要素鵜第8図の同一番号の構成1
!巣と同一である。
s10図に示し九実−例をさらpc拡大したものである
。即ち、m個(rn=正整数)の前記ユニットを1ブロ
ツクとしてさらに該プロ、りをn個(膳冨正!l数)設
けた構成である。 101,103゜111.113,
121,123Fi第8図、/) ユニy ) 30
K対応している。101,103は第1番目のグー、り
を構成し、それぞれ肢グp、り内の1番目およびm1l
lのユニットである。なお該1番目のブロック内の第2
番目から第(ml)$dのユニットは第12図では省略
されて縞刀1t′Lでいる。以下間fiK111,11
3 ハソレぞれm2−1目ノア’f、り内の第1番目、
第m番目のユニット、121,123は第yh41/目
のプロ、り内の第1番目、第m番目のユニ、ト、である
。但し第12図でF13番目から第(n 1)井目の
グー、りは省略さルて描かれている。 201,202
,203 はスイッチ索子でそれぞれ各グー、り内の
1#目のユニット(101,111゜121)、第2番
目のユニット(Ilr略されている)、菖m曹目の!二
、 ) (103,113,123) K対応している
。なお同図の他の構成要素鵜第8図の同一番号の構成1
!巣と同一である。
第13図は第12図の各スイッチ索子の開閉状態と出力
波形の一例をボしたものである。300は第1番目のグ
ー、りに属するユニ、 ) 101,103のスイッチ
素子1に対応する。同様K 310は第2番目のグー、
りKJliするユニ、 ) 111,113のスイッチ
素子IK、320は’dE n a目のグーツクに属す
るユニ、 ) 141,123のスイッチ索子lにそれ
ぞれ対応する。401,402,403 はそれぞル
スイ。
波形の一例をボしたものである。300は第1番目のグ
ー、りに属するユニ、 ) 101,103のスイッチ
素子1に対応する。同様K 310は第2番目のグー、
りKJliするユニ、 ) 111,113のスイッチ
素子IK、320は’dE n a目のグーツクに属す
るユニ、 ) 141,123のスイッチ索子lにそれ
ぞれ対応する。401,402,403 はそれぞル
スイ。
チ素子201,202,203に対応する。SOOはス
イ。
イ。
チ素子2,63に対応すゐ。なお各液形の高レベルおよ
び低レベルの期間がそれぞれ各スイッチ索子が閉じてい
る期間および開いている期間に相当する。600は端子
6より慢らルる出力波形の一例で、高レベルかはぼ1準
電圧レベルに、低レベルが信号成分に対応する。
び低レベルの期間がそれぞれ各スイッチ索子が閉じてい
る期間および開いている期間に相当する。600は端子
6より慢らルる出力波形の一例で、高レベルかはぼ1準
電圧レベルに、低レベルが信号成分に対応する。
本実施例の基本動作は第1および第2実施例と全く一様
であるから、ここでは各スイッチ素子の開閉状態と各ユ
ニットからの信号続出し一序について簡単に説明する。
であるから、ここでは各スイッチ素子の開閉状態と各ユ
ニットからの信号続出し一序について簡単に説明する。
今期間6(11で、第11F目のグー、夕のユニ、 )
101,103のスイッチ素子lOみが閉じており、
他のプロ、りのユニットのスイッチ素子1は全部開いて
いる。該期間601でスイッチ素子201,202,2
03カそれぞ;1L401,402゜403で示すよう
に順次IjI閉する。各スイッチ素子201、!Oれ2
03 が順次閉じて次に開いた後、スイッチ素子2,
62により第12図の回路は毎回曽セットされる。従っ
て、第1着目のブロックにあるユニ、 ) 101,1
03の信号は600で示すよ5に順次端子6より読み出
される。該第111目のブー、りのm#目のユ=、、)
O1J号が挽み出された後1次の期間602では砿講l
膏目のプロ、りのスイッチ索子1が開いて、第24目の
プロ、りのユニット111,113のスイッチ索子lが
閉じる。一方、スイy+1子201,202,203
a*sa同様順次閉じた後間いくから稟12図の回路は
そのたびにす七、トされる。従って、該期間602では
第21I目のグー、りのユニ、 ) 111,113か
ら順次信号が疏み出される。以下、同様に第n着目のプ
ρ、りのユニ、トからも順次読み出される0次に第1番
目のプロ、りのユニ、トからの信号読み出しへ再び戻る
。以後これを繰り返えすことにより光信号O頑vC読み
出しを行ない複数個の該ユニ、トのセンサから同時に信
号を吠み出すことはない。
101,103のスイッチ素子lOみが閉じており、
他のプロ、りのユニットのスイッチ素子1は全部開いて
いる。該期間601でスイッチ素子201,202,2
03カそれぞ;1L401,402゜403で示すよう
に順次IjI閉する。各スイッチ素子201、!Oれ2
03 が順次閉じて次に開いた後、スイッチ素子2,
62により第12図の回路は毎回曽セットされる。従っ
て、第1着目のブロックにあるユニ、 ) 101,1
03の信号は600で示すよ5に順次端子6より読み出
される。該第111目のブー、りのm#目のユ=、、)
O1J号が挽み出された後1次の期間602では砿講l
膏目のプロ、りのスイッチ索子1が開いて、第24目の
プロ、りのユニット111,113のスイッチ索子lが
閉じる。一方、スイy+1子201,202,203
a*sa同様順次閉じた後間いくから稟12図の回路は
そのたびにす七、トされる。従って、該期間602では
第21I目のグー、りのユニ、 ) 111,113か
ら順次信号が疏み出される。以下、同様に第n着目のプ
ρ、りのユニ、トからも順次読み出される0次に第1番
目のプロ、りのユニ、トからの信号読み出しへ再び戻る
。以後これを繰り返えすことにより光信号O頑vC読み
出しを行ない複数個の該ユニ、トのセンサから同時に信
号を吠み出すことはない。
以上:&明した通り1本発明によれば、出力ライン5の
極めて大きなコンデ/すに信号電荷は全く蓄積されるこ
とはない。従って、本発明は従来の検出回路の出力信号
が重めて微少であったとか。
極めて大きなコンデ/すに信号電荷は全く蓄積されるこ
とはない。従って、本発明は従来の検出回路の出力信号
が重めて微少であったとか。
疏み・出しS度が極めて遅かったという出力ラインのコ
ンデンサの容量値が極めて大きいことに起因した欠点を
完全に除去でき、さらに−めで大きな出力信号を得るこ
とができるという優れ九幼果を有する。さらに出力信号
が大きいから、バッファ回路や増幅回路など複雑な信号
9&jI111w11に必賛としない。このため回路が
簡単vc itす、消貴鴫力や雑音の増加を阻止できる
。またフィードスルーやスイ、千ング雑會の影#を健め
て小嘔くできるのでダイナミックレンジは大幅に拡大さ
れる。さらに信号dみ出しの速度が早いから、信号の完
全dみ出しとII6遍―作ができ葛といっ九優れた効果
が生じる。
ンデンサの容量値が極めて大きいことに起因した欠点を
完全に除去でき、さらに−めで大きな出力信号を得るこ
とができるという優れ九幼果を有する。さらに出力信号
が大きいから、バッファ回路や増幅回路など複雑な信号
9&jI111w11に必賛としない。このため回路が
簡単vc itす、消貴鴫力や雑音の増加を阻止できる
。またフィードスルーやスイ、千ング雑會の影#を健め
て小嘔くできるのでダイナミックレンジは大幅に拡大さ
れる。さらに信号dみ出しの速度が早いから、信号の完
全dみ出しとII6遍―作ができ葛といっ九優れた効果
が生じる。
以上、異体的な実施例をあげて本発明を説明し丸、上記
では動作の方法やスイッチの開閉のタイ1ノダは一例を
示し丸ものでうって、本発明の機峻が満足されれば、上
記の一例に限定されることはない、ホトセンサ(ホトダ
イオード)の!l!明に用いた等価ダイオードの向き(
極性)あるいは電圧源、基準電圧源の大きさおよびその
411性も一例であって、これに限定されない、実施例
に用いたスイッチ素子はスイツナング砿噛があればどの
ようなスイッチでも良い、例えば、トランジスタ、FE
T轡がある。また本発明の検出回路はスイッチを順次開
閉走査する走査回路と同一の半導体基板上に形成されて
も小まわない。
では動作の方法やスイッチの開閉のタイ1ノダは一例を
示し丸ものでうって、本発明の機峻が満足されれば、上
記の一例に限定されることはない、ホトセンサ(ホトダ
イオード)の!l!明に用いた等価ダイオードの向き(
極性)あるいは電圧源、基準電圧源の大きさおよびその
411性も一例であって、これに限定されない、実施例
に用いたスイッチ素子はスイツナング砿噛があればどの
ようなスイッチでも良い、例えば、トランジスタ、FE
T轡がある。また本発明の検出回路はスイッチを順次開
閉走査する走査回路と同一の半導体基板上に形成されて
も小まわない。
第1図は従来の検出回路、第2図、43図はセンナの等
価回路、第4−は第1図の等価回路、第5図は第4図の
スイッチの開閉と411号のタイミング、第6図は他の
従来の検出回路、第7図は第6図のスイッチの開閉と信
号のタイζング、t48図は本発明に係る第1実施例を
不す検出回路、第9図は第8図の検出回路を駆−するス
イッチ開閉のタイミングと信号波形の一例を示す図、!
@10図は同じく、本発明に係るtjk2実施例を示す
検出回路、J%11図は第1θ図の検出回路を駆動する
スイッチの開閉のタイミングと信号波形の一例を示す図
、第12図は同じく本発明に係る第3央厖例を示す檎出
回1M、譲13図は第12図の膚出l路を駆wbするス
イッチの開開のタイミングと信号波形の一例を示す図で
ある。1,2,63,201゜202.203はスイッ
チ素子、3はセンナ、4#′i配線、5は出力ライン、
6L出力端子、7は゛電圧源、31はダイオード、32
,41,50,51゜62はコンデンサ、33はa仇素
子、34は電流−160は槓分崗路、61 dOP A
mp、 64 t;l1jii準電圧源、81 、82
、83 、101.It)3,111゜113.12
1,123はユニ、トである。 第1図 第2図 w、J3図 窮4図 第5図 6 415 ′#16図 第7図 24 25 25第8図 第9図 81 82 83 84 85#+10
図 一一一一一一」l−一一一一一 1 第12図 w113図 1−= ++−二一一一「−一し− 601602603
価回路、第4−は第1図の等価回路、第5図は第4図の
スイッチの開閉と411号のタイミング、第6図は他の
従来の検出回路、第7図は第6図のスイッチの開閉と信
号のタイζング、t48図は本発明に係る第1実施例を
不す検出回路、第9図は第8図の検出回路を駆−するス
イッチ開閉のタイミングと信号波形の一例を示す図、!
@10図は同じく、本発明に係るtjk2実施例を示す
検出回路、J%11図は第1θ図の検出回路を駆動する
スイッチの開閉のタイミングと信号波形の一例を示す図
、第12図は同じく本発明に係る第3央厖例を示す檎出
回1M、譲13図は第12図の膚出l路を駆wbするス
イッチの開開のタイミングと信号波形の一例を示す図で
ある。1,2,63,201゜202.203はスイッ
チ素子、3はセンナ、4#′i配線、5は出力ライン、
6L出力端子、7は゛電圧源、31はダイオード、32
,41,50,51゜62はコンデンサ、33はa仇素
子、34は電流−160は槓分崗路、61 dOP A
mp、 64 t;l1jii準電圧源、81 、82
、83 、101.It)3,111゜113.12
1,123はユニ、トである。 第1図 第2図 w、J3図 窮4図 第5図 6 415 ′#16図 第7図 24 25 25第8図 第9図 81 82 83 84 85#+10
図 一一一一一一」l−一一一一一 1 第12図 w113図 1−= ++−二一一一「−一し− 601602603
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 ホトダイオードと該ホトダイオードを繰り返し光
放電させるスイッチ素子が接続されたユニ、)と、少な
くてもコンデンサ・、スイッチ素子および演算項−湯を
含む積分回路倉−え、該ユニットの鎮スイ、チ巣子偵の
端子と跋槓分回麺の反転入力端子が配線静4番皺を甘む
出力ラインを介して接続され、練ユニ、トのホトダイオ
ード關の端子が゛電圧源に接穂され、譲噴分回路の非反
転入力端子が基準電圧源に接続され、−積分回路の反転
および非反転入力端子かスイッチ素子を介して装線され
でいることを待歇とする光信号検出回路つ λ 複数個の―紀ユニ、トと繭記積分−路に儂え。 該各ユニットのスイッチ本子傭の端子を互いに接続する
と共に、シ趨子と該積分回路の非反転入力端子を出力ラ
インを介して接続し、該ユニ、トのホトダイオード側の
端子を互いに接続した上載端子と電圧龜を接続し、該積
分回路の非反転入力端子と基準電圧源をIi!続し、該
積分回路0[転および非反転入力端子がスイッチ素子を
介して接続されていることを特徴とする光信号検出回路
。 1 ■個(m=正整数)の前記ユニットで構成されるグ
ー、りが膳*(m=正整数)と、前記積分回路と1Ml
のスイッチ素子、第2のスイ。 チ素子、・・・・・・第1のスイッチ素子の合1m11
#のスイッチ素子を備え、皺各プロ、りのs1番目のユ
ニット内のスイッチ索子側や端子を互いにII統した上
載端子と賦第1のスイッチ素子の一方0@をII続し、
該各ブー、夕の第2番目の二品、ト内Oスイ、チ索子側
の端子を互いに接続し九上該端子と該第20スイ、チ素
子の一方の端金*ML、以下一様に、該各グ―、夕のm
番目のユニット内のスイッチ素子−の端子金工いKJI
続した上載端子と該第mのスイッチ素子の一方の端を接
続し、該1.第2、・・・・・・tsmのスイッチ素子
の他方の端を互いに接続した上載噌と線積分回路の反転
入力端子を出力ラインを介して接続し、該ユニ、トのホ
トダイオード側の端子を互いに接続した上載端子と電圧
源を!#続し、該積分回路の非反転入力端子と基$電圧
源を接続し、該積分回路の反転および非反転入力端子ρ
;スイッチ素子を介して#繞されていることを特徴とす
る元14号検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56169148A JPS5870133A (ja) | 1981-10-22 | 1981-10-22 | 光信号検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56169148A JPS5870133A (ja) | 1981-10-22 | 1981-10-22 | 光信号検出回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5870133A true JPS5870133A (ja) | 1983-04-26 |
| JPH0381091B2 JPH0381091B2 (ja) | 1991-12-27 |
Family
ID=15881169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56169148A Granted JPS5870133A (ja) | 1981-10-22 | 1981-10-22 | 光信号検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5870133A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05133801A (ja) * | 1991-11-12 | 1993-05-28 | Hamamatsu Photonics Kk | ホトダイオードアレイ型光検出装置および光検出方法 |
| JP2002340670A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-27 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出装置 |
| JP2009004935A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路およびそれを用いたicカード |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55116226A (en) * | 1979-03-03 | 1980-09-06 | Hitachi Ltd | Discharging current integration-type photodetector |
-
1981
- 1981-10-22 JP JP56169148A patent/JPS5870133A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55116226A (en) * | 1979-03-03 | 1980-09-06 | Hitachi Ltd | Discharging current integration-type photodetector |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05133801A (ja) * | 1991-11-12 | 1993-05-28 | Hamamatsu Photonics Kk | ホトダイオードアレイ型光検出装置および光検出方法 |
| JP2002340670A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-27 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出装置 |
| JP2009004935A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路およびそれを用いたicカード |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0381091B2 (ja) | 1991-12-27 |
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