JPS587068B2 - サイリスタ - Google Patents

サイリスタ

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Publication number
JPS587068B2
JPS587068B2 JP49067002A JP6700274A JPS587068B2 JP S587068 B2 JPS587068 B2 JP S587068B2 JP 49067002 A JP49067002 A JP 49067002A JP 6700274 A JP6700274 A JP 6700274A JP S587068 B2 JPS587068 B2 JP S587068B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
emitter
emitter electrode
auxiliary
electrode
Prior art date
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Expired
Application number
JP49067002A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5036084A (ja
Inventor
フオス ペ−タ−
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Publication of JPS5036084A publication Critical patent/JPS5036084A/ja
Publication of JPS587068B2 publication Critical patent/JPS587068B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D18/00—Thyristors
    • H10D18/221—Thyristors having amplifying gate structures, e.g. cascade configurations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
    • H10D62/141—Anode or cathode regions of thyristors; Collector or emitter regions of gated bipolar-mode devices, e.g. of IGBTs
    • H10D62/148—Cathode regions of thyristors

Landscapes

  • Thyristors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、交互に異なる導電型の少なくとも４つの領域
を有する半導体片と、この半導体片内に形成された第一
領域としてのエミツタ領域と、このエミツク領域に設け
られたエミツタ電極と、半導体片内に形成された第二領
域としてのベース領域と、このベース領域に設けられた
制御電極と、補助エミツク領域と、この補助エミツク領
域に設けられ且つベース領域と接続された補助エミツタ
電極と、エミツタ領域とベース領域との間に形成された
少くとも１つのｐｎ接合と、ベース領域又はエミツク領
域内において半導体片の表面にあり短絡路として作用す
る分路とを備え、この分路はｐｎ接合によって遮断され
ておらず、エミツタ電極と補助エミツタ電極とを直接結
合しているサイリスタに関する。
このようなサイリスタは例えばアメリカ特許第３５８６
９２７号明細書に記載されている。
そのサイリスタにおいては、複数の分路が存在している
。
これらの分路はベース領域のある部分によって形成され
、この部分は、エミツタ電極のベース領域と結合された
部分と、補助エミツタ領域との間にある。
また公知のサイリスタのエミツタ電極は突起部を有し、
この突起部はエミツタ領域とベース領域との間のｐｎ接
合を橋絡し、そしてエミツタ電極と補助エミツタ電極と
の間のオーム結合を形成する。
また公知のサイリスタにあっては、エミツタ電極によっ
て橋絡されていないｐｎ接合の長さは、短絡されたｐｎ
接合の長さに比して小さい。
従って主サイリスタを点弧させるのに必要な電流は非常
に大きくなる。
本発明は、上述のようなサイリスタについて、主サイリ
スタのための点弧電流を小さく保持することができるよ
うに改善することを目的とするものである。
この目的は本発明によれば、冒頭に述べたサイリスタに
おいて、一方においてエミツタ電極とエミツク領域とは
、また他方において補助エミツタ電極は、複数の平行に
延び互に導電接続された帯状体から成り、エミツク電極
とエミツタ領域との帯状体は補助エミツタ電極の帯状体
間にあり、エミツタ電極の帯状体の一自由端と補助エミ
ツタ電極との間に前記分路が存在するようにすることに
よって達成される。
本発明の有利な構成によれば、エミツク電極の少くとも
一つの帯状体がその自由端において補助エミツク電極の
下に延びている。
本発明の利点は、分路の抵抗を、エミツク電極の自由端
の延長又は短縮によって極めて正確に調整できる点にあ
る。
次に本発明の実施例を図面について説明する。
図において、半導体基体１はベース領域２、補助エミツ
タ領域３およびエミツタ領域４を有する。
補助エミツタ領域３はリング状になっており、一方エミ
ツタ領域４は帯状の形になっている。
ベース領域２と補助エミツク領域３との間にはｐｎ接合
８，９がある。
エミツタ領域４とベース領域２との間にはｐｎ接合５が
ある。
ベース領域２は制御電極７と結ばれている。
補助エミツク領域３は帯状の部分を有する補助エミツタ
電極１０と電気的に結ばれている。
補助エミツク電極１０、エミツク領域４およびエミツク
電極６の帯状の部分は互にはいりこみ合っており、補助
エミツタ電極１０の帯状の部分は半導体基体１のベース
領域２と結ばれている。
エミツク領域４は帯状の部分の−・端１１が補助エミツ
ク電極１０の下に存在し、その結果エミツク電極と補助
エミツタ電極との間に導電性ブリッジ１２が形成される
。
この導電ブリッジは電気的短絡作用を有し、よく知られ
ているように、サイリスタのｄｕ／ｄｔ値を高めるため
に用いられる。
帯状の領域と電極とを図のように配置したときは、場合
によっては従来の分路用の穴を全くなくすことができる
。
この方法は、例えばエミツタ領域４の端１１を任意に拡
げられないときに有利である。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の実施例の平面図である。 １・・・・・・半導体基体、２・・・・・・ベース領域
、３・・・・・・補助エミツク領域、４・・・・・・エ
ミツタ領域、５・・・・・・ｐｎ接合、６・・・・・・
エミツタ電極、７・・・・・・制御電極、８，９・・・
・・・ｐｎ接合、１０・・・・・・補助エミツタ電極、
１１・・・・・・エミツタ領域の一端、１２・・・・・
・導電性ブリッジ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 交互に異なる導電型の少なくとも４つの領域を有す
    る半導体片と、この半導体片内に形成された第一領域と
    してのエミツタ領域と、このエミツク領域に設けられた
    エミツタ電極と、半導体片内に形成された第二領域とし
    てのベース領域と、このベース領域に設けられた制御電
    極と、補助エミツタ領域と、この補助エミツタ領域に設
    けられ且つベース領域と接続された補助エミツタ電極と
    、エミツク領域とベース領域との間に形成された少くと
    も１つのｐｎ接合と、ベース領域又はエミツタ領域内に
    おいて半導体片の表面にあり短絡路として使用する分路
    とを備え、この分路はＰｎ接合によって遮断されておら
    ず、エミツク電極と補助エミツタ電極とを直接結合して
    いるサイリスタにおいて、一方においてエミツタ電極と
    エミツタ領域とは、又他方において補助エミツタ電極は
    、複数の平行に延び互に導電接続された帯状体から成り
    、エミツク電極とエミツタ領域との帯状体は補助エミツ
    タ電極の帯状体間にあり、エミツタ電極の帯状体の一白
    由端と補助エミツタ電極との間に前記分路が存在するこ
    とを特徴とするサイリスタ。
JP49067002A 1973-06-12 1974-06-12 サイリスタ Expired JPS587068B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2329872 1973-06-12
DE2329872A DE2329872C3 (de) 1973-06-12 1973-06-12 Thyristor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5036084A JPS5036084A (ja) 1975-04-04
JPS587068B2 true JPS587068B2 (ja) 1983-02-08

Family

ID=5883757

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP49067002A Expired JPS587068B2 (ja) 1973-06-12 1974-06-12 サイリスタ

Country Status (9)

Country Link
JP (1) JPS587068B2 (ja)
AT (1) AT330297B (ja)
BE (1) BE816223A (ja)
CH (1) CH572279A5 (ja)
DE (1) DE2329872C3 (ja)
FR (1) FR2233716B1 (ja)
GB (1) GB1477513A (ja)
NL (1) NL7404409A (ja)
SE (1) SE406841B (ja)

Families Citing this family (4)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (1)

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DE2210386A1 (de) * 1972-03-03 1973-09-06 Siemens Ag Thyristor

Also Published As

Publication number Publication date
GB1477513A (en) 1977-06-22
NL7404409A (ja) 1974-12-16
ATA368374A (de) 1975-09-15
SE7407777L (ja) 1975-01-15
AT330297B (de) 1976-06-25
JPS5036084A (ja) 1975-04-04
CH572279A5 (ja) 1976-01-30
DE2329872A1 (de) 1975-01-09
SE406841B (sv) 1979-02-26
DE2329872B2 (de) 1978-08-24
FR2233716A1 (ja) 1975-01-10
BE816223A (fr) 1974-09-30
FR2233716B1 (ja) 1978-08-11
DE2329872C3 (de) 1979-04-26

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