JPS5870833A - 反応蒸気相内で薄層を溶着させるための装置 - Google Patents

反応蒸気相内で薄層を溶着させるための装置

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JPS5870833A
JPS5870833A JP57171106A JP17110682A JPS5870833A JP S5870833 A JPS5870833 A JP S5870833A JP 57171106 A JP57171106 A JP 57171106A JP 17110682 A JP17110682 A JP 17110682A JP S5870833 A JPS5870833 A JP S5870833A
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ミシエル・モレル
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、反応蒸気相内における大きな表面上に−ｆプ
ラズマよって薄層を溶着させるための装置に関する。
その装置は、特に絶縁材料（ガラスの如き）から作られ
た大きな基質（数デシメートル）上に牛導体、絶縁体ま
たは金属を溶着させるのに用いられる。本発明に対する
適用の好ましい分野は、電子回路、平らなディスプレイ
スクリーンまたは太陽電池の製造である。
本発明に用いられる基礎的な技術は公知である。
それは高周波電磁界によって作られるプラズマの作用に
よって溶着させるべき元素のための搬送体として作用す
るガスの分解を含む。この方法は、化学的な蒸気溶着（
Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｕｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ＼即ちＯＶＤとして知られる作用ガス相内における溶
着のプロセスの範囲にはいる。ガスがそれを加熱するこ
とによって分解されるＯＶＤプロセスと比較すれば、プ
ラズマの使用は比較的低い作用温度（６００℃以下）に
導く利点を有し、それはガラスの如き低摩の基質を用い
ることを可能にする。
これまで知られたプラズマＯＶＤ装置は、良好な均一性
をもつ大きな表面層を得ることを可能にしない。
本発明の目的はこの欠点を解消することである。
この目的のため、本発明によれば、ガスの導入、分散お
よび励起装置は、一つのそして溶着ヘッドを得ることを
可能にする。さらに、基質を移動させることによって大
きな表面層が得られるように、前記溶着ヘラ「に関する
被覆されるべき基質の相対的な移動が可能である。
さらに特に、本発明は反応蒸気相内において層を溶着さ
せるための装置に関し、それ自体公知の方法で、密閉さ
れた囲いと、前記囲いの中に適切な組成のがスを導入す
るための装置と、前記と同一の囲いの中にプラズマを生
成することができる高周波電磁界を導入するための装置
と、サンプルホルダとを有し、そこにおいて、前記ガス
導入装置および高周波電磁界導入装置は高周波電磁界を
伝播することができる同軸導体を有するヘッド内に共に
持ち込まれ、前記導体は密閉通路を通って前記囲いの中
にはいシ且つ外部鞘および内部コアによって構成され、
前記内部コアはガス供給装置に接続され、その下部にあ
って直線状セグメントに沿って一様に分布する開口を有
する室内にはいっておシ、前記サンプルホルダは前記室
の開口の下方に且つその直ぐ近くに位置されておシ、前
記導体の外部鞘は前記室を取巻く金属製スカートに接続
されてお如、一方、前記開口をもったセグメントと直角
な方向に前記ヘッドに関する前記サンプルホルダの相対
的移動をさせるための装置が設けられている。
以下の本発明の非限定実施態様について、添付図面を参
照して詳細に説明する。
第１図は密閉された壁１０によって画成された真空の囲
いを断面で示しておシ、外部鞘１２および内部コア１４
を有する同軸導体、はその上方端に接続プラグ１６が設
けられ、その接続ブラダは同軸の導線と接続することが
でき、その導線はそれ自身図示しない高周波発生源に接
続されている。
前記同軸導体はフランジ２０によって固着されたジヨイ
ント１８によって本質的に形成された密閉通路を通って
壁１０を貫通している。コア１４は絶縁リング２２．２
４によって鞘１２内に保持されている。さらに中空コア
には開口２６が設け−ちし、ソの開口を通ってコアの内
部空間は前記二つの導体によって画成された環状空間に
接続されている。ガスはパイプ２８を通して環状空間内
に導入することができる。
開口３２をもった湾曲部３ｏがコア１４の下端と接続さ
れている。その湾曲部は二つの金属製エンドカバー＝３
５．３６によって閉鎖された金属製シリンダ３４によっ
て画成された室３３内に配置されている。シリンダは、
その下部にあってその母線の一つに沿い、一方の端部カ
バーから他方の端部カバーまで延びる直線状のセグメン
トに沿って一様に分布する開口４ｏの列を有している。
開口２６．３２．４０は放電加工によって設けることが
できる。
金属製スカート３８はシリンダ３４を取巻き、鞘１２に
電気的に接続されている。
本装置はまたサンプルホルダ４２を有し、そのサンプル
ホルダはシリンダ３４の下方に且つその直ぐ近くに位置
している。このサンプルホルダは開口４０の列に直角の
方向、即ち第１図の紙面に直角の方向に移動させる手段
４４と一体になっている。
本装置はつぎのように作用する。ガスは、パイプ２８を
通って導入され、開口２６を通ってコア１４内にはいシ
、それから湾曲部３０に達し、そこから開口３２を通っ
て室３３内に均一に分散される。そこからこのガスは開
口４０を通ってサンプルホルダの方向に排出される。そ
のがスはシリコンを溶着させる目的のためシラン（ｓ１
Ｈ４）とするこＬができる。８１０２を得るため酸素搬
送ガスがシランに供給され、その酸素搬送ガスの例とし
てはＮ２０がある。
高周波励起電磁場は同軸導体内を伝播し、スカート３８
、シリンダ３４およびエンドカバー３５゜３６によって
画成される空間内に放射される。そのときプラズマがセ
グメント担時開口４０に沿って十分に生成される。ガス
はとの領斌内で分解され、溶着がセグメントに沿って十
分に行なわれる。
基質を移動させることによってその基質は大きな表面均
一溶着を受ける。
第２図は本発明による装置を側面から見た全体説明図で
ある。そこでの基質の移動方向は図面の紙面内にある。
第１図と比較して、第２図もまた、例えば２７ＭＨｚで
作動する高周波発生器５０およびガス供給源５２を示し
ている。第２図には、開口４０が分布しているセグメン
トと平行表方向にヘッドのスカート３８に沿って配置さ
れた二つの管状の赤外線ランプ５４．５６を見ることも
できる。これらのう／ゾは溶着の開基質を適切な温度に
加熱する。
勿論、これらのランプは必要不可欠ではない。
がス分散室およびそれを取巻くスカートの形状は唯単に
例示するために表わされているのであって、それ以外の
形状のものを用いることができることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明による体質的な装置の断面図、第２図
は、本装置の全体線図的側面図である。 １２・・・外部Ｍ　　　３５．３６・・・エンドカバー
１４・・・内部コア　　３８・・・スカート２６・・・
開口　　　４０・・・開口 ２８・・・パイプ　　４２・・・サンプルホルダ３０・
・・湾曲部　　５０・・・高周波発生器３２・・・開口
　　　５２・・・ガス供給源３３・・・室　　　　５４
，５６・・・ランプ３４・・・シリンダ 代理人　浅　村　　　皓 外４名 第１頁の続き ■出願　　人　ミシエル・モレル フランス国ペロ・ギュイルツク ・パン・アン・アレ（番地な し） ■出　願　人　ジャン・ルック・ファバンネツク フランス国ペロ・ギュイルツク ・サン・ケ・ペロ・シテ・ドウ ・バロン１６

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）密閉された囲いと、前記囲いの中に適切な組成の
    ガスを導入するための装置と、前記と同一の囲いの中に
    プラズマを生成することがで龜る高周波電磁界を導入す
    るための装置と、サンプルホルダとを有し、そこにおい
    て、前記ガス導入装置および高周波電磁界導入装置は高
    周波電磁界を伝播することができる同軸導体を有するヘ
    ラｒ内に共に持ち込まれ、前記導体は密閉通路を通って
    前記囲いの中にはい夛且クガス供給装置に接続された外
    部箱および中空内部コアによって構成され九反応蒸気相
    内で薄層を溶着させるための装置であって、本装置は、
    一つの母線に沿う多数の開口を有するシリンダによって
    構成された室を有し、前記シリンダは二つのエンドカバ
    ーによって閉鎖され、前記コアは前記シリンダ内に配置
    されたガス分散湾曲部によって前記室と連接され、前記
    導体の外部箱は前記室を取巻く金属製スカートに接続さ
    れ、一方、前記サンプルホルダは前記開口の列の下方に
    位置されておシ、さらに、前記開口の列と直角な方向に
    前記ヘッドに関する前記サンプルホルダの相対的移動を
    させるための装置が設けられていることを特徴とする反
    応蒸気相内で薄層を溶着させるための装置。
  2. （２）前記中空コアにガスを供給するための装置は、前
    記外部箱にはいるパイプと、前記コアを画成する壁内に
    作られた開口とを有することを特徴とする特許請求の範
    囲第１項記載の装置。
  3. （３）　　さらに、前記ヘッドの外側に、前記スカート
    に沿い且つ前記開口の列に平行に位置された少なくとも
    一つの管状赤外線ランプを有することを特徴とする特許
    請求の範囲第１項記載の装置。
JP57171106A 1981-10-02 1982-10-01 反応蒸気相内で薄層を溶着させるための装置 Pending JPS5870833A (ja)

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FR8118602 1981-10-02
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Publications (1)

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JPS5870833A true JPS5870833A (ja) 1983-04-27

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DE (1) DE3235868A1 (ja)
FR (1) FR2514033B1 (ja)
GB (1) GB2106939B (ja)

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