JPS5871588A - 薄膜ｅｌ表示パネル - Google Patents
薄膜ｅｌ表示パネルInfo
- Publication number
- JPS5871588A JPS5871588A JP56169615A JP16961581A JPS5871588A JP S5871588 A JPS5871588 A JP S5871588A JP 56169615 A JP56169615 A JP 56169615A JP 16961581 A JP16961581 A JP 16961581A JP S5871588 A JPS5871588 A JP S5871588A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric layer
- thin film
- display panel
- electrode
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
- Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は交流電界の印加に依ってｇＬ（Ｅｌｅｃｔｒ。
Ｌｕｍ１ ｎｅｓｃｅｎｃｅ ）発光を呈する薄膜ＥＬ
表示パネルの構造に関するものである。
表示パネルの構造に関するものである。
従来、表示装置の表示体として、発光層に規則的に高い
交流電界（１０６Ｖ／ａｍ程度）を印加してＥｌ。
交流電界（１０６Ｖ／ａｍ程度）を印加してＥｌ。
発光を得るとともに絶縁耐圧１発光効率及び動作の安定
性等を高めるために０．１〜２．０ｗｔ％のＭｎ（ある
いはＣｕ、ＡＭ、Ｂｒ等）をドープしたＺｎＳ 、 Ｚ
ｎ５ｅ等の半導体発光層をＹ２Ｏ３，ＴｉＯ２等の誘電
体薄膜でサンドインチした三層構造ＺｎＳ：Ｍｎ（又は
Ｚｎ５ｅ：Ｍｎ）ＥＬ単素子開発され、発光緒特性の向
」−が確かめられている。この薄膜ＥＬ素子は数ＫＨｚ
の交ＩＡＩ電界印加によって高輝度発光し、しかも長
寿命であるという特徴を有している。
性等を高めるために０．１〜２．０ｗｔ％のＭｎ（ある
いはＣｕ、ＡＭ、Ｂｒ等）をドープしたＺｎＳ 、 Ｚ
ｎ５ｅ等の半導体発光層をＹ２Ｏ３，ＴｉＯ２等の誘電
体薄膜でサンドインチした三層構造ＺｎＳ：Ｍｎ（又は
Ｚｎ５ｅ：Ｍｎ）ＥＬ単素子開発され、発光緒特性の向
」−が確かめられている。この薄膜ＥＬ素子は数ＫＨｚ
の交ＩＡＩ電界印加によって高輝度発光し、しかも長
寿命であるという特徴を有している。
薄膜ＥＬ素子の１例としてＺｎＳ：Ｍｎ薄膜ＥＬ素子の
基本的構造を第１図に示す。
基本的構造を第１図に示す。
第１図に基いて薄膜ＥＬ素子の構造を具体的に説明する
と、ガラス基板１上に’ｎ２０３，５ｎ０２等の透明電
極２、さらにその１−に積層してｙ２ｏ３゜ＴｉＯ２，
Ａｌｚ０３．Ｓｉ３Ｎ４．ＳｉＯ２等からなる第１の誘
電体層３がスパッタあるいは電子ビーム蒸着法等により
重畳形成されている。第１の誘電体層３上にはＺｎＳ：
Ｍｌ焼結ペレットを電子ビーム蒸着することにより得ら
れるＺｎＳ発光層４が形成されている。この時蒸着用の
ＺｎＳ：Ｍｎ’Ｊｌ結ベレットには活性物質となるＭｎ
が目的にｂり：じた濃度に設定されたベレットが使用さ
れる。ＺｎＳ発光層４１−には第１の誘電体層３と同様
の材質から成る第２の誘電体層５が積層され、更にその
ｌ−にＡρ等から成る背面電極６が蒸着形成されている
。透明１ｕ極２と背面電極６は交流電源７に接続され、
簿膜ＥＬ素子が駆動される。
と、ガラス基板１上に’ｎ２０３，５ｎ０２等の透明電
極２、さらにその１−に積層してｙ２ｏ３゜ＴｉＯ２，
Ａｌｚ０３．Ｓｉ３Ｎ４．ＳｉＯ２等からなる第１の誘
電体層３がスパッタあるいは電子ビーム蒸着法等により
重畳形成されている。第１の誘電体層３上にはＺｎＳ：
Ｍｌ焼結ペレットを電子ビーム蒸着することにより得ら
れるＺｎＳ発光層４が形成されている。この時蒸着用の
ＺｎＳ：Ｍｎ’Ｊｌ結ベレットには活性物質となるＭｎ
が目的にｂり：じた濃度に設定されたベレットが使用さ
れる。ＺｎＳ発光層４１−には第１の誘電体層３と同様
の材質から成る第２の誘電体層５が積層され、更にその
ｌ−にＡρ等から成る背面電極６が蒸着形成されている
。透明１ｕ極２と背面電極６は交流電源７に接続され、
簿膜ＥＬ素子が駆動される。
゛上極２，６間にＡＣ電圧を印加すると、ＺｎＳ発光層
４の両側の誘電体層３，５間に１−記ＡＣ電圧が誘起さ
れることになり、従ってＺｎ８発り二層４内に発生した
電界によって伝導帯に励起されか−）加速されて充分な
エネルギーを得た電子が、自由電子となって発光層界面
へ誘引され、この界面で蓄積されて内部分極を形成する
。この時に高速移動する自由電子が直接Ｍｎ発光センタ
ーを誘起し、励起されたＭｎ発光センターが基底状態に
戻る際に黄橙色のＥ Ｌ尤を放射する。即ち高い交流電
界で加速された自由電子が発光層の界面から他方の界面
へ移動する過程でＺｎＳ発光層４中の発光センターであ
るＺｎサイトに入−１たＭｎ ｌｒ、’：了・の電ｒ−
を励起し、この励起された電子が基底状態に落ちる時、
略々５８５０ｋをピークに幅（７りい波長領域で、強い
ＥＬ発尤を翳する。活性物質としてＭｎ以外に希土類の
弗化物を用いた場合にはこの希。−１−類に特有の緑色
その他の発光色が得られる。
４の両側の誘電体層３，５間に１−記ＡＣ電圧が誘起さ
れることになり、従ってＺｎ８発り二層４内に発生した
電界によって伝導帯に励起されか−）加速されて充分な
エネルギーを得た電子が、自由電子となって発光層界面
へ誘引され、この界面で蓄積されて内部分極を形成する
。この時に高速移動する自由電子が直接Ｍｎ発光センタ
ーを誘起し、励起されたＭｎ発光センターが基底状態に
戻る際に黄橙色のＥ Ｌ尤を放射する。即ち高い交流電
界で加速された自由電子が発光層の界面から他方の界面
へ移動する過程でＺｎＳ発光層４中の発光センターであ
るＺｎサイトに入−１たＭｎ ｌｒ、’：了・の電ｒ−
を励起し、この励起された電子が基底状態に落ちる時、
略々５８５０ｋをピークに幅（７りい波長領域で、強い
ＥＬ発尤を翳する。活性物質としてＭｎ以外に希土類の
弗化物を用いた場合にはこの希。−１−類に特有の緑色
その他の発光色が得られる。
Ｌ記の如き構造を有する簿膜Ｅ Ｌ素子はスペース・フ
ァクタの利点を生かした平面薄型ディスプレイ デバイ
スとして、文字及び図形を含むコンピューターの出力表
示端末機器その他種々の表示装置に文字、記号、静止画
像、動画像等の表示パネルとして利用することができる
。薄膜ＥＬ表示パネルの構造は第２図（イ）（Ｂ）に断
面図、平面図として示す妬く薄膜ＥＬ素子のガラス基板
１と背面ガラス板８で外囲器を構成し、この外囲器内に
薄膜ＥＬ素子の発光動作部を内設するとともに外囲・器
内の空隙部にシリコンオイル９等を充填しているものが
一般的である。またマトリックス表示を実行するため透
明電極２と背面電極６は互いに交差する方向に配列され
た多数のｌ’ｉ状電極群で構１あされ、両電極の交差位
置が表示の絵素となる。
ァクタの利点を生かした平面薄型ディスプレイ デバイ
スとして、文字及び図形を含むコンピューターの出力表
示端末機器その他種々の表示装置に文字、記号、静止画
像、動画像等の表示パネルとして利用することができる
。薄膜ＥＬ表示パネルの構造は第２図（イ）（Ｂ）に断
面図、平面図として示す妬く薄膜ＥＬ素子のガラス基板
１と背面ガラス板８で外囲器を構成し、この外囲器内に
薄膜ＥＬ素子の発光動作部を内設するとともに外囲・器
内の空隙部にシリコンオイル９等を充填しているものが
一般的である。またマトリックス表示を実行するため透
明電極２と背面電極６は互いに交差する方向に配列され
た多数のｌ’ｉ状電極群で構１あされ、両電極の交差位
置が表示の絵素となる。
薄膜ＥＬ素子は前述した如く多層構造であり発光に関り
−する各薄膜の膜厚及び膜特性の制御は非常、に重要な
要件となる。従来これらの制御はへネル作製時にモニタ
ーサンプルを同時製作してこわを測定することによりフ
ィードバックしていた。
−する各薄膜の膜厚及び膜特性の制御は非常、に重要な
要件となる。従来これらの制御はへネル作製時にモニタ
ーサンプルを同時製作してこわを測定することによりフ
ィードバックしていた。
しかしながら、モニターサンプルでは薄膜ＥＬ表示パネ
ルの実際の特性を正確に得ることは困難であり、材料コ
スト的にも損失であるという欠点を有する。
ルの実際の特性を正確に得ることは困難であり、材料コ
スト的にも損失であるという欠点を有する。
本発明はＬ記問題点に鑑み、薄膜ＥＬ表示、６ネルに直
接測定部分を形成することによりノぐネル特。
接測定部分を形成することによりノぐネル特。
性を検知することのできる新規有用な薄膜Ｅ Ｌ表示パ
ネルを提供することを目的とするものである。
ネルを提供することを目的とするものである。
以ド、本発明を実施例に従って図面を参照しながら詳説
する。
する。
第３図は本発明の１実施例を示す電気的特性測定機能を
有する薄膜ＥＬ表示パネルの構成図である。
有する薄膜ＥＬ表示パネルの構成図である。
ガラス基板１］二に形成される透明電極２に列設してそ
の両側端に薄膜ＥＬ素子の各構成簿膜の電気的特性を検
出する端子電極１０を形成する。この端ｒ−組電極０は
薄膜層設領域に延設されているが表示絵素領域には伸展
されず透明電極２とは離間されている。端子電極１０に
には第１の誘電体層３ 、ＺｎＳ発光層４．第２の誘電
体層５のうち１層のみの隅部が積層され、各層３，４．
５は少なくとも３箇所で択一的に全てが３本の端子電極
１０と接触している。端子電極１０は透明電極２の形成
時に同時にＩｎ２Ｏ３，５ｎ０２等で形成した後エツチ
ングで帯状に加（成形すれば得られる。またこの」−に
積層される各薄膜は、第１の誘電体層３゜ＺｎＳ発光層
４．第２の誘電体層５を順次蒸着又はスパッタリングで
層設する際に必要な１層のみを残し、他の２層をマスク
することにより得られる。端ｆ電極１’ ０．１−に積
層された各薄膜３，４，５Ｉ−には端子電極１０と直交
する方向に形成された対向電極１１が積層されている。
の両側端に薄膜ＥＬ素子の各構成簿膜の電気的特性を検
出する端子電極１０を形成する。この端ｒ−組電極０は
薄膜層設領域に延設されているが表示絵素領域には伸展
されず透明電極２とは離間されている。端子電極１０に
には第１の誘電体層３ 、ＺｎＳ発光層４．第２の誘電
体層５のうち１層のみの隅部が積層され、各層３，４．
５は少なくとも３箇所で択一的に全てが３本の端子電極
１０と接触している。端子電極１０は透明電極２の形成
時に同時にＩｎ２Ｏ３，５ｎ０２等で形成した後エツチ
ングで帯状に加（成形すれば得られる。またこの」−に
積層される各薄膜は、第１の誘電体層３゜ＺｎＳ発光層
４．第２の誘電体層５を順次蒸着又はスパッタリングで
層設する際に必要な１層のみを残し、他の２層をマスク
することにより得られる。端ｆ電極１’ ０．１−に積
層された各薄膜３，４，５Ｉ−には端子電極１０と直交
する方向に形成された対向電極１１が積層されている。
対向電極１１は背面電極６の形成工程でマスク蒸着又は
エツチングにより帯状に加工成形され、端子電極１０に
は対向するが表示絵素領域には伸展されずに設置される
。
エツチングにより帯状に加工成形され、端子電極１０に
は対向するが表示絵素領域には伸展されずに設置される
。
端子電極１０と対向電極ＩＩが対向する領域はコンデン
サが形成されていることとなる。従って、端ｆ ’ｉｆ
ｆ極１０極対０電極１１間に電１（りを印加することに
より両電極間に介在する各薄膜３，４．５の電公的特性
を検出することができる。端子電極］０と対向電極１１
間に介設された第１の誘電体層３゜ＺｎＳ発光層４．ま
たは第２の誘電体層５はそわぞれ薄膜ＥＬ素子の成膜時
に同時形成されたものであるため、薄膜Ｅ Ｌ素子の各
構成膜の電気的特性が端子電極１０と対向電極１１を介
して比較的ＩＦ：、確に測定されることとなる。
サが形成されていることとなる。従って、端ｆ ’ｉｆ
ｆ極１０極対０電極１１間に電１（りを印加することに
より両電極間に介在する各薄膜３，４．５の電公的特性
を検出することができる。端子電極］０と対向電極１１
間に介設された第１の誘電体層３゜ＺｎＳ発光層４．ま
たは第２の誘電体層５はそわぞれ薄膜ＥＬ素子の成膜時
に同時形成されたものであるため、薄膜Ｅ Ｌ素子の各
構成膜の電気的特性が端子電極１０と対向電極１１を介
して比較的ＩＦ：、確に測定されることとなる。
第４図は本発明の他の実施例を示す膜厚測定機能を有す
る薄膜Ｅ Ｌ表示パネルの構成図である。
る薄膜Ｅ Ｌ表示パネルの構成図である。
第５図は第４図に示す薄膜ＥＩ、表示パネルのＸｌ、Ｙ
断面図である。
断面図である。
ガラス基板１に形成された透明電極２４：に＊ｉ次積層
される第１の誘電体層３ 、ＺｎＳ発光層４゜第２の誘
電体層５の成膜工程に於いて、各薄膜の端部の２部分に
各々独立した急峻な段差端面を形成する。即ち、第１の
誘電体層３については透明電極２を介してガラス基板１
上に層設した後背面電極６の端が延設される側の端面の
一部をエツチング等で加工し、急峻な段差端面とする。
される第１の誘電体層３ 、ＺｎＳ発光層４゜第２の誘
電体層５の成膜工程に於いて、各薄膜の端部の２部分に
各々独立した急峻な段差端面を形成する。即ち、第１の
誘電体層３については透明電極２を介してガラス基板１
上に層設した後背面電極６の端が延設される側の端面の
一部をエツチング等で加工し、急峻な段差端面とする。
またこの段差端面が形成された近傍の層トには第２の誘
電体層５がマスクによって積層されておらず、直接背面
電極６が堆積されてい乞。背面電極６は第１の誘電体層
３の段差部直−ｈ面より段差形状に沿って屈曲され、ガ
ラス基板１の面上へ展伸されている。背面電極６はＡｌ
１等の光反射性を有する金属膜であり、膜厚は一定に形
成されているため、この段差部に於ける背面電極６の高
さの変化を測定すれば第１の誘電体層３の膜厚を求める
ことができる。背面電極６の段差長は干渉顕微鏡を用い
ることにより光の干渉縞より容易に測定することが可能
である。次に第２の誘電体層５については、透明電極２
を介してガラス基板１１；に形成される第１の誘電体層
３の一部をマスクして欠損部を形成し、この欠損部を利
用して第２の誘電体層５の端部の一部分を直接ガラス基
板ＩＩ−に層設するとともにこの端部を加工して急峻な
段差端面とする。
電体層５がマスクによって積層されておらず、直接背面
電極６が堆積されてい乞。背面電極６は第１の誘電体層
３の段差部直−ｈ面より段差形状に沿って屈曲され、ガ
ラス基板１の面上へ展伸されている。背面電極６はＡｌ
１等の光反射性を有する金属膜であり、膜厚は一定に形
成されているため、この段差部に於ける背面電極６の高
さの変化を測定すれば第１の誘電体層３の膜厚を求める
ことができる。背面電極６の段差長は干渉顕微鏡を用い
ることにより光の干渉縞より容易に測定することが可能
である。次に第２の誘電体層５については、透明電極２
を介してガラス基板１１；に形成される第１の誘電体層
３の一部をマスクして欠損部を形成し、この欠損部を利
用して第２の誘電体層５の端部の一部分を直接ガラス基
板ＩＩ−に層設するとともにこの端部を加工して急峻な
段差端面とする。
この第２の誘電体層５の段差端面はに述した第１の誘電
体層の段差端面の横方向へ若干の距離を隔てて並設する
。第２の誘電体層５の段差端面近傍には同様に背面電極
６が段差形状に沿って屈曲配置されるため、この背面電
極６の段差長を干渉顕微鏡で測定することにより第２の
誘電体層５の膜厚を求めることができる。ＺｎＳ発光層
４については、第５図に示す妬く第１の誘電体層３１−
、にＺｎＳ発光層４を積層するとともにその端部の一部
分に急峻な段差端面を形成した後節２の誘電体層５を積
層することによりＺｎＳ発光層４に形成された急峻な段
差端面形状を第２の誘電体層５へ転移させ、この部分で
第２の誘電体層５」；に堆積される背面電極６の段差長
を測定することによりＺｎＳ発光層４の膜厚ｄを求める
ことができる。
体層の段差端面の横方向へ若干の距離を隔てて並設する
。第２の誘電体層５の段差端面近傍には同様に背面電極
６が段差形状に沿って屈曲配置されるため、この背面電
極６の段差長を干渉顕微鏡で測定することにより第２の
誘電体層５の膜厚を求めることができる。ＺｎＳ発光層
４については、第５図に示す妬く第１の誘電体層３１−
、にＺｎＳ発光層４を積層するとともにその端部の一部
分に急峻な段差端面を形成した後節２の誘電体層５を積
層することによりＺｎＳ発光層４に形成された急峻な段
差端面形状を第２の誘電体層５へ転移させ、この部分で
第２の誘電体層５」；に堆積される背面電極６の段差長
を測定することによりＺｎＳ発光層４の膜厚ｄを求める
ことができる。
以［−の如く薄膜ＥＬ素子を構成する各薄膜３，４゜５
にそれぞれ独立して急峻な段差端面を形成し、この部分
の背面電極６の高さ変化を測定することにより各薄膜３
，４．５のそれぞれの膜厚が得られる。尚、背面電極６
を用いるかわりに光反射性の膜を新たに形成し、この膜
の段差端面に於ける屈曲変化により膜厚を求めることも
可能である。
にそれぞれ独立して急峻な段差端面を形成し、この部分
の背面電極６の高さ変化を測定することにより各薄膜３
，４．５のそれぞれの膜厚が得られる。尚、背面電極６
を用いるかわりに光反射性の膜を新たに形成し、この膜
の段差端面に於ける屈曲変化により膜厚を求めることも
可能である。
以ト詳説した如く本発明によれば簿膜Ｅ Ｌ表示パネル
内に素子構成膜の電気的特性、膜厚等の物理的特性を測
定することのできる機能部が構成されているため、表示
パネルの評価を直接的にかつ重鐘に行なうことができる
。
内に素子構成膜の電気的特性、膜厚等の物理的特性を測
定することのできる機能部が構成されているため、表示
パネルの評価を直接的にかつ重鐘に行なうことができる
。
第１図は薄膜ＥＬ素子の基本的構造を示す構成図である
。 第２図人（Ｂ）は薄膜ＥＬ表示パネルの構造を示す断面
図及び平面図である。 第３図は本発明の１実施例を示す薄膜Ｅ Ｌ表示パネル
の構成図である。 第４図は本発明の他の実施例を示す薄膜Ｅ Ｌ表示パネ
ルの構成図である。第５図は第４図のＸＹ断面図である
。 ３・・第１の誘電体層 ４・・・ＺｎＳ発光層５１．
、第２の誘電体層 ６・背面電極 ＋６・・端子電
極 １１・対向電極 ト代理人 弁理士 福 士 愛 彦 手続補正書 菫、事件の表示 特願昭５６−１６９６１５ ２、発明の名称 薄膜ＥＬ表示パネル ３、補正をする者 ＋４１件との関係 特許出願人 ４、代 理 人 住 所 ８５４５大阪市阿倍野区長池町２２番２２号自
発 ６、補正の対象 ７、補正の内容 （１）明細書の発明の詳細な説明の項に於いて、２頁２
行目に「・・・サンドイッチ・・」とあるのを「・・サ
ンドイッチ・・・」と訂正します。 （２）同、７頁１９行目に１・・・層設した後背面」と
あるのを１・・・積層する際に背面」と訂正します。 （３）同、７頁２０行目より８頁１行目に「・・・をエ
ツチング等で加工し、・・・」とあるのを「・・をマス
クして・・・」と訂正します。 （４）同、８頁１行目より４行目に「またこの段差・・
・堆積されている。背面」とあるのを「その後ＺｎＳ発
光層４．第２の誘電体層５を積層することにより、第１
の誘電体層３に形成された急峻な段差端面形状が第２の
誘電体層５へ転移される。その結果として背面」と訂正
します。 （５）同、８頁１４行目より１８８行目「透明電極２を
介して・・・段差端面とする。」とあるのをｒＺｎＳ発
光層４上に第２の誘電体層５を積層する際に背面電極６
の端が延設される側の端面の一部をマスクして、急峻な
段差端面とする。」と訂正します。 （６）同、９頁８行目に「部分に急峻な・・・」とある
のを［部分をマスクして急峻な・・］と訂正します。 （７）添附図面の第４図を別紙の如く訂正します。 以 上
。 第２図人（Ｂ）は薄膜ＥＬ表示パネルの構造を示す断面
図及び平面図である。 第３図は本発明の１実施例を示す薄膜Ｅ Ｌ表示パネル
の構成図である。 第４図は本発明の他の実施例を示す薄膜Ｅ Ｌ表示パネ
ルの構成図である。第５図は第４図のＸＹ断面図である
。 ３・・第１の誘電体層 ４・・・ＺｎＳ発光層５１．
、第２の誘電体層 ６・背面電極 ＋６・・端子電
極 １１・対向電極 ト代理人 弁理士 福 士 愛 彦 手続補正書 菫、事件の表示 特願昭５６−１６９６１５ ２、発明の名称 薄膜ＥＬ表示パネル ３、補正をする者 ＋４１件との関係 特許出願人 ４、代 理 人 住 所 ８５４５大阪市阿倍野区長池町２２番２２号自
発 ６、補正の対象 ７、補正の内容 （１）明細書の発明の詳細な説明の項に於いて、２頁２
行目に「・・・サンドイッチ・・」とあるのを「・・サ
ンドイッチ・・・」と訂正します。 （２）同、７頁１９行目に１・・・層設した後背面」と
あるのを１・・・積層する際に背面」と訂正します。 （３）同、７頁２０行目より８頁１行目に「・・・をエ
ツチング等で加工し、・・・」とあるのを「・・をマス
クして・・・」と訂正します。 （４）同、８頁１行目より４行目に「またこの段差・・
・堆積されている。背面」とあるのを「その後ＺｎＳ発
光層４．第２の誘電体層５を積層することにより、第１
の誘電体層３に形成された急峻な段差端面形状が第２の
誘電体層５へ転移される。その結果として背面」と訂正
します。 （５）同、８頁１４行目より１８８行目「透明電極２を
介して・・・段差端面とする。」とあるのをｒＺｎＳ発
光層４上に第２の誘電体層５を積層する際に背面電極６
の端が延設される側の端面の一部をマスクして、急峻な
段差端面とする。」と訂正します。 （６）同、９頁８行目に「部分に急峻な・・・」とある
のを［部分をマスクして急峻な・・］と訂正します。 （７）添附図面の第４図を別紙の如く訂正します。 以 上
Claims (1)
- １ 交流電圧の印加によりＥＬ発尤を呈する発光層と誘
電体層の積層体を１対の電極間に介設して成る薄膜ＥＬ
素子゛を内設した薄膜ＥＬ表示パネルに於いて、前記発
光層と前記誘電体層を個別に選択してその物理的特性を
測定する機能部を置設したことを特徴とする薄膜ＥＬ表
示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56169615A JPS5871588A (ja) | 1981-10-22 | 1981-10-22 | 薄膜ｅｌ表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56169615A JPS5871588A (ja) | 1981-10-22 | 1981-10-22 | 薄膜ｅｌ表示パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5871588A true JPS5871588A (ja) | 1983-04-28 |
| JPS6139717B2 JPS6139717B2 (ja) | 1986-09-05 |
Family
ID=15889776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56169615A Granted JPS5871588A (ja) | 1981-10-22 | 1981-10-22 | 薄膜ｅｌ表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5871588A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6353411U (ja) * | 1986-09-25 | 1988-04-11 |
-
1981
- 1981-10-22 JP JP56169615A patent/JPS5871588A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6139717B2 (ja) | 1986-09-05 |
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