JPS5871645A - ＩＣリ−ドフレ−ム用Ａｌクラツド板及びその製造法 - Google Patents
ＩＣリ−ドフレ−ム用Ａｌクラツド板及びその製造法Info
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- JPS5871645A JPS5871645A JP56170396A JP17039681A JPS5871645A JP S5871645 A JPS5871645 A JP S5871645A JP 56170396 A JP56170396 A JP 56170396A JP 17039681 A JP17039681 A JP 17039681A JP S5871645 A JPS5871645 A JP S5871645A
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- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガラス封止型のいわゆるサーディツプ型ＩＣパ
ッケージ）ｆ用いられるリードフレーム素材のＡ！ツク
ラッド板関する。
ッケージ）ｆ用いられるリードフレーム素材のＡ！ツク
ラッド板関する。
近年、ＩＣの高集積度化が進む一方容量の増大が進み、
パッケージ自体の大きさは縮少傾向にあり、必然的にガ
ラス封止部の面積の縮少が余儀なくされている。各種パ
ッケージの中でサーディツプ型ＩＣパッケージも多用さ
れており高信頼性と低コスト化が強く要望されている。
パッケージ自体の大きさは縮少傾向にあり、必然的にガ
ラス封止部の面積の縮少が余儀なくされている。各種パ
ッケージの中でサーディツプ型ＩＣパッケージも多用さ
れており高信頼性と低コスト化が強く要望されている。
このＩＣパッケージのＩＣと外部回路の接続に使用され
るリードフレームの素材として、従来第１図にその斜視
拡大図を示す如く、Ｆｅ−Ｎｉ合金ｌの１表面中央部に
Ａノ２がクラッドされたＡツクラッド板が用いられてい
る。このＡツクラッド板を所定形状に金型によって打抜
き、第２図に示す様に、リードフレーム５として利用さ
れる。基板８上に塔載されたＩＣチップ４とリードフレ
ームのＡノ部７の間がＡノワイヤー８によってボンデン
グされている。そして基板、上蓋及びリードフレームは
低融点ガラス６によって封止される。サーディツプのガ
ラス封止機構は、金属表面の酸化物層とガラスの相互拡
散によるものであるが、封止温度が低温である為、気密
性を保証するためにはガラス封止面積の確保が重要であ
る。一方上述の如くパッケージの小型化の要望も強く、
その両方を満足するためには従来のリードフレーム用Ａ
ツクラッド板では不充分となって来た。
るリードフレームの素材として、従来第１図にその斜視
拡大図を示す如く、Ｆｅ−Ｎｉ合金ｌの１表面中央部に
Ａノ２がクラッドされたＡツクラッド板が用いられてい
る。このＡツクラッド板を所定形状に金型によって打抜
き、第２図に示す様に、リードフレーム５として利用さ
れる。基板８上に塔載されたＩＣチップ４とリードフレ
ームのＡノ部７の間がＡノワイヤー８によってボンデン
グされている。そして基板、上蓋及びリードフレームは
低融点ガラス６によって封止される。サーディツプのガ
ラス封止機構は、金属表面の酸化物層とガラスの相互拡
散によるものであるが、封止温度が低温である為、気密
性を保証するためにはガラス封止面積の確保が重要であ
る。一方上述の如くパッケージの小型化の要望も強く、
その両方を満足するためには従来のリードフレーム用Ａ
ツクラッド板では不充分となって来た。
本発明はこの問題を解消せんとするものでありパッケー
ジの小型化による封止面積の縮少に対処し得るＡツクラ
ッド板を提供するものである。
ジの小型化による封止面積の縮少に対処し得るＡツクラ
ッド板を提供するものである。
すなわち、第８図に本発明のＡツクラッド板の断面を示
す如く、Ｆｅ−Ｎｉ合金１の表面部にＡノ部９をクラッ
ドし、その両側に四部ｌＯを設けることによって封止部
の接触面積の増大を計るものである。
す如く、Ｆｅ−Ｎｉ合金１の表面部にＡノ部９をクラッ
ドし、その両側に四部ｌＯを設けることによって封止部
の接触面積の増大を計るものである。
あるいは第４図に示す如く、Ａツクラッド面及び反対面
の四部表面に、下地の密着性の良いＦｅ −Ｍ合金層１
１を介在させ接触面積増大以外に拡散促進も計ることが
できるものである。
の四部表面に、下地の密着性の良いＦｅ −Ｍ合金層１
１を介在させ接触面積増大以外に拡散促進も計ることが
できるものである。
封止部表面積を増大させる方法として、従来、表面粗さ
を粗くするため−プラッシュ研摩等のメカニカルな方法
があるが、寸法精度の問題があるばかりでなく、研摩粉
の残存による表面汚染が、ガラス封止後の気密性の要因
となるほど実用上問題があった。
を粗くするため−プラッシュ研摩等のメカニカルな方法
があるが、寸法精度の問題があるばかりでなく、研摩粉
の残存による表面汚染が、ガラス封止後の気密性の要因
となるほど実用上問題があった。
本発明品はこのような問題を解消するものである。ガラ
ス封止部にＡＪを残す考えもあるが、ＡＪは封止ガラス
との熱膨張係数の差が大きく、封止部からはみ出すとエ
レクトロ・マイグレーションやＡＪの腐食などの問題が
生起することがあるのでＡＪはワイヤーボンディング部
のみに残し、他は除去することによって四部として封止
部との表面積増大に寄与させるのが本発明の特徴である
。
ス封止部にＡＪを残す考えもあるが、ＡＪは封止ガラス
との熱膨張係数の差が大きく、封止部からはみ出すとエ
レクトロ・マイグレーションやＡＪの腐食などの問題が
生起することがあるのでＡＪはワイヤーボンディング部
のみに残し、他は除去することによって四部として封止
部との表面積増大に寄与させるのが本発明の特徴である
。
本発明のＡツクラッド板を製造する方法は次の通りであ
る。先ず第１図た示す如きＡツクラッドＦ ｅ −Ｎ
ｉ合金板を準備し、Ａノ部２のうち、ワイヤーボンディ
ングに必要な部分（第８図、第４図の９）にレジスト膜
の形成、あるいは耐薬品テープを貼り付けによってマス
キングし、 ＮａＯＨ溶液等のアルカリ浸漬によってマ
スキング部以外のＡＪを除去し、そのあとレジスト又は
テープを除き、第４図の断面を有するＡツクラッドＦｅ
−Ｎｉ合金テープを製造することができる。
る。先ず第１図た示す如きＡツクラッドＦ ｅ −Ｎ
ｉ合金板を準備し、Ａノ部２のうち、ワイヤーボンディ
ングに必要な部分（第８図、第４図の９）にレジスト膜
の形成、あるいは耐薬品テープを貼り付けによってマス
キングし、 ＮａＯＨ溶液等のアルカリ浸漬によってマ
スキング部以外のＡＪを除去し、そのあとレジスト又は
テープを除き、第４図の断面を有するＡツクラッドＦｅ
−Ｎｉ合金テープを製造することができる。
このＡ！ツクラッド板所定形状ｔて打抜いたリードフレ
ーム１２を用いてＩＣパッケージを作製した例を第５図
にて示す。
ーム１２を用いてＩＣパッケージを作製した例を第５図
にて示す。
実施例
予めＡノ巾６．８ＬｌｌＬをその中央にクラッドした４
０％Ｎｉ−Ｆｅ合金テープを用意し、その中央部に４５
ｕ巾の耐薬品性テープを連続的に接着した後、２０９６
ＮａＯＨ水溶液中で不要部のＡＪを溶解除去して、第８
図に示す如き、中央部４５ＪＬｊＬ巾のＡＪがクラッド
され、その両側に０．９μ巾の表面粗さを大きくした四
部を有するＡノークラッドＦｅ−Ｎｉテープを製作した
。
０％Ｎｉ−Ｆｅ合金テープを用意し、その中央部に４５
ｕ巾の耐薬品性テープを連続的に接着した後、２０９６
ＮａＯＨ水溶液中で不要部のＡＪを溶解除去して、第８
図に示す如き、中央部４５ＪＬｊＬ巾のＡＪがクラッド
され、その両側に０．９μ巾の表面粗さを大きくした四
部を有するＡノークラッドＦｅ−Ｎｉテープを製作した
。
第５図は、本発明によるＡツクラッドＦｅ−Ｎｉテープ
から打抜いて作製したリードフレームによるサーディツ
プ型ＩＣパッケージを示す。本発明品によるＡツクラッ
ドテープを素材としたリードフレームのガラス封止部の
接着強度は９〜１１Ｋｐであり、第１図の如き従来のＡ
１合金テープを用いた場合の７〜８ Ｋｙに較べて約２
０％接着強度が向上した。また、パッケージ後のＩＣの
高温高温テストでも°リーク不良率を著しく減少するこ
とができた。
から打抜いて作製したリードフレームによるサーディツ
プ型ＩＣパッケージを示す。本発明品によるＡツクラッ
ドテープを素材としたリードフレームのガラス封止部の
接着強度は９〜１１Ｋｐであり、第１図の如き従来のＡ
１合金テープを用いた場合の７〜８ Ｋｙに較べて約２
０％接着強度が向上した。また、パッケージ後のＩＣの
高温高温テストでも°リーク不良率を著しく減少するこ
とができた。
第１図は従来のリードフレーム用Ａツクラッドテープの
斜視図、第２図は第１図のテープを素材としたリードフ
レーム使用のＩＣパッケージの断面図、第８図、第４図
は本発明のＡツクラッド板の実施例の断面図、第５図は
本発明のＡツクラッド板を素材としたリードフレームで
作製したＩＣパッケージの断面図である。 １ ： Ｆｅ−Ｎｉ合金、２：ＡＪ、３：基板、４：Ｉ
Ｃチップ、５，１２：リードフレーム、６：封止ガラス
、７，９：ＡＪ、８：Ａノボンデンデイングワイヤー、
ｌＯ：凹部、１１ ： Ｆｅ −Ａｎ層Ｘ１１図 ル２図 カ３図 ヤ４図 １ 卑５図 ３ ２０３−
斜視図、第２図は第１図のテープを素材としたリードフ
レーム使用のＩＣパッケージの断面図、第８図、第４図
は本発明のＡツクラッド板の実施例の断面図、第５図は
本発明のＡツクラッド板を素材としたリードフレームで
作製したＩＣパッケージの断面図である。 １ ： Ｆｅ−Ｎｉ合金、２：ＡＪ、３：基板、４：Ｉ
Ｃチップ、５，１２：リードフレーム、６：封止ガラス
、７，９：ＡＪ、８：Ａノボンデンデイングワイヤー、
ｌＯ：凹部、１１ ： Ｆｅ −Ａｎ層Ｘ１１図 ル２図 カ３図 ヤ４図 １ 卑５図 ３ ２０３−
Claims (2)
- （１）サーディツプ型ＩＣパッケージ用ＡツクラッドＦ
ｅ−Ｎ ｉ板において、リードフレームのワイヤーボ
ンド部のみにＡ１層があり、その両側に四部が形成され
ていることを特徴とするｔＣリードフレーム用Ａツクラ
ッド板。 - （２）サーディツプ型ＩＣパッケージ用ＡツクラッドＦ
ｅ−Ｎｉ板の製造法において、Ｆｅ−Ｎｉ板上のガラス
封着に接する部分全面にＡノをクラッドを行いその後、
ワイヤボンディングに必要な部分をマスキングしてそれ
以外をエツチングによりＡノを除去することを特徴とす
るＡ１層の両側が四部を形成しているＩＣリードフレー
ム用Ａツクラッド板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56170396A JPS5871645A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | ＩＣリ−ドフレ−ム用Ａｌクラツド板及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56170396A JPS5871645A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | ＩＣリ−ドフレ−ム用Ａｌクラツド板及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5871645A true JPS5871645A (ja) | 1983-04-28 |
| JPS6222532B2 JPS6222532B2 (ja) | 1987-05-19 |
Family
ID=15904146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56170396A Granted JPS5871645A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | ＩＣリ−ドフレ−ム用Ａｌクラツド板及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5871645A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4750262A (en) * | 1986-05-01 | 1988-06-14 | International Business Machines Corp. | Method of fabricating a printed circuitry substrate |
| CN111090058A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-05-01 | 珠海格力电器股份有限公司 | 框架、其制备方法以及高温反相偏压试验 |
-
1981
- 1981-10-23 JP JP56170396A patent/JPS5871645A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4750262A (en) * | 1986-05-01 | 1988-06-14 | International Business Machines Corp. | Method of fabricating a printed circuitry substrate |
| CN111090058A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-05-01 | 珠海格力电器股份有限公司 | 框架、其制备方法以及高温反相偏压试验 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6222532B2 (ja) | 1987-05-19 |
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