JPS5871685A - 半導体発光装置 - Google Patents

半導体発光装置

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JPS5871685A
JPS5871685A JP16976481A JP16976481A JPS5871685A JP S5871685 A JPS5871685 A JP S5871685A JP 16976481 A JP16976481 A JP 16976481A JP 16976481 A JP16976481 A JP 16976481A JP S5871685 A JPS5871685 A JP S5871685A
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JP
Japan
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active layer
current
type
grown
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Pending
Application number
JP16976481A
Other languages
English (en)
Inventor
Yorimitsu Nishitani
西谷　頼光
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS5871685A publication Critical patent/JPS5871685A/ja
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
    • H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
    • H—ELECTRICITY
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    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/223—Buried stripe structure
    • H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
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    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser

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  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 半導体レーザは他のレーザ系に比べて波長の選択が比較
的容易であって、小型、高効率動作、長寿命、高速直接
変調及び単一波長動作などの数々の利点があり、光伝送
・処理の各種の実用システムの光源として用いられてい
る。
本発明は半導体発光装置に係り、特に活性層埋め込み型
のレーザに関する。
＃Ｉ１図は従来の活性層種め込み型レーザの断面図であ
る。第１図に於いて、１はｎ形基板、２はｐ形層、３は
ｎ形クラッド層、４は活性層、５はｎ形層、６はｐ形り
ラッド層、９はｐｌＩ電極、８はｎ側電極ｔそれぞれ示
している。
従来、活性層埋め込み微レーザは基板に溝を設け、該溝
中にクラッド層３．６及び活性層４を埋め込み、ｐ形層
２とｎ形層５のｐ　−ｎ逆バイアスによって電流１＊＊
内部のみに絞り、レーザ発掘を行なっていた。しかしな
がら、実際には電流を構内部に完全に閉じ込めることは
できず、電流は第１図に示し九矢印のようにｐ形りラッ
ド層６からｐ形層２ｋｙｈ９．溝中く形成された活性層
４を経ずに流れる。このような無効電流が生じると。
微分量子効率が低下し、高出力動作を不可能とする動力
１発振閾値電流が上がるという問題がある。
本発明の目的は、活性層内に完全に電流を絞り、無効電
流をなくした半導体発光装置を提供するにある。
本発明は、レーザ発振奮起こす活性層と、該活柱層より
大きい禁制帯幅′ｆ！：有し、且つ該活性層を挾んだ第
１及び第２のクラッド層と會有するダブルへテロ構造の
半導体層と、前記活性層上両側から挾んだ電流路を画定
する電流阻止領域と１有する半導体発光装置に於いて、
前記活性層の元の発振方向でのｗＩ′ｒＩｍの形状を両
端部でつぼめ、該活性層の両側にプロトン照射により前
記電流阻止領域を設けたものである。
活性層の両端部はプロトン照射によって形成された高抵
抗領域と接している為、該高抵抗領域が電流路を画定す
ると共に活性層を経ずに流れる無効電流を完全に防止す
ることができる。
伺、従来活性層とクラッド層から成るダブルへテロ接合
半一体層に、電流路を画定する為に該電流路以外の部分
ケプロトン照射して電流阻止領域を形成することが知ら
れているが、このようなレーザではレーザ発振する活性
層の両端がプロトン照射により損傷全受け、素子特性に
悪影響を与えていた。本発明では活性層断面の両端部の
形状がつぼんでいる為、プロトン照射部分とは、所謂点
で接していることになり、プロトン照射による活性層両
端部への損傷はほとんどない。
以下１本発明の一実施例全説明することにする。
第２図は本発明の一実施例の活性層埋め込み型レーザの
断面図である。
本実施例の製造工程を簡単に説明する。不純物がＩ　Ｘ
　１０　”ｅｅｌ　−”　　ドープされた面方位（１０
０）のｎ形イ／ンウム・リン（工ｎＰ）基板９上に不純
物が３　ｘ　ｌ　ＯＩ？ｃｍ　”ドープされたｐ形Ｉｎ
Ｐ層１０を厚さ１μｍ成長させた後、化学エツチングに
よって深さ２．５μｍの７字盤の溝が形成される。
次に、該溝の中に厚さＬフμｍの不純物が３×１０”３
　　ドープされたｎ形ＩｎＰクラッド層１１及び厚さ０
１５μｍのインジウム・ガリウム・ヒ事・リン（ＩｎＧ
ａＡｓＰ）活性層１２ｔ−順次液相成長させる。このと
き、Ｖ字型の溝が設けられていないｐ形ＩｎＰＪ１１０
上にもｎ形１ｎＦ層及びＩｎＧａＡｓＰ層が順次形成さ
れる。また、活性層１２の断面形状は両端部がつぼんだ
三日月状となる。次いで、３　Ｘ　Ｉ　Ｏ”Ｉｍ”の不
純物がドープされたＰ形ＩｎＰクラッド層１３に活性層
１２の中央部から厚さ約１５μｍ液相成長させ、更に不
純物がｌＸｌ０”ａ＋＋”　　ドープされたＰ形ＩｎＧ
ａＡｓＰ層１４を厚さ１μｍ成長させる。活性層１２が
配置された領域に相当するＰ形Ｉｎ、ＧａＡｓＰＪｌ１
４上にマスクを設け、該マスクを介して１０”ｃ、’の
プロトンを活性層１２０両１部分の位置？越える深さま
で照射して高抵抗領域１５ｉ形成すると、活性層１２の
両端部にほぼ線状に接することになる。該活性層１２の
両端部では層の厚みがない為、プロトン照射によって◆
ける活性層１２への損傷は素子特性に影響１及ぼさない
。この後、マスク１＊す除き基板の上下にＰ形電極１６
とｎＱ電極１７會形成する。本実施例のレーザを用いて
レーザ発振を行なったところ、プロトン非照射の場合の
閾値電流４０ｍＡが２８ｍＡに改善した。また微分量子
効率が３％向上した。
本実施例によれば、プロトン照射部１５は活性層１２の
両端部に接して形成されている為、Ｐ彫工ｎＰクラッド
層１３に注入され要電流は、必らず活性層１２ｆ通って
流れる。従って、活性層１２を経ずに流れる無効電流が
なくなり、微分量子効率及び発振閾値電流を改善でき九
。
本発明によれば、活性層内に電ｆｉｉ−完全に絞ること
ができる。即ち、無効電流をなくすことができるので、
微分量子効率が向上し発振閾値電流が下がるという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の活性層埋め込み型レーザの断面図、第２
図は本実施例のレーザの断面図でおる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. レーザ発振を起こす活性層と、該活性層より大きい禁制
    帯幅を有し、且つ該活性層を挾んだ第１及び第２のクラ
    ッド層とｔ有するダブルへテロ構造の半導体層と、前記
    活性層を両側から挾んだ電流路を画定する電ｆＩｔ阻止
    領域とｔ有する半導体発光装置に於いて、前記活性層の
    元の見損方向での断面の形状全両端部でつぼめ、該活性
    層の両側にプロトン照射により前記電流阻止領域を設け
    たことｔ％黴とする半導体発光装置。
JP16976481A 1981-10-23 1981-10-23 半導体発光装置 Pending JPS5871685A (ja)

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JPS5871685A true JPS5871685A (ja) 1983-04-28

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ID=15892416

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60247988A (ja) * 1984-04-12 1985-12-07 エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン 半導体レ−ザ

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS531482A (en) * 1976-06-25 1978-01-09 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor injection type laser
JPS5391086A (en) * 1977-01-21 1978-08-10 Sumitomo Chem Co Ltd Imparting method for water absorption and retention properties
JPS5469201A (en) * 1977-11-11 1979-06-04 Osaka Gas Co Ltd Method of handling soil and sand for road excavating work

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