JPS5872151A - 感光体の製造法 - Google Patents
感光体の製造法Info
- Publication number
- JPS5872151A JPS5872151A JP16977581A JP16977581A JPS5872151A JP S5872151 A JPS5872151 A JP S5872151A JP 16977581 A JP16977581 A JP 16977581A JP 16977581 A JP16977581 A JP 16977581A JP S5872151 A JPS5872151 A JP S5872151A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- selenium
- photoreceptor
- 5ete
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザなと長波長の光に対して。
高感度でかつ光疲労のない安定な繰返し動作ができるＳ
ｅ／５ｅＴｅ積層感光体の形成方法に関する。
ｅ／５ｅＴｅ積層感光体の形成方法に関する。
従来、長波長用の電子写真感光体として、高湊度にドー
プしたＳ ｅ Ｔ ｅ ／ Ｓ ｅ積層感光体が提案さ
れておＦ）、５ｅＴｅ合金層の形成法において、５ｅＴ
ｅ合金を蒸発源とする方法と、ＳｅとＴｅを別々の蒸発
源を用いて蒸着する方法とがある。まず。
プしたＳ ｅ Ｔ ｅ ／ Ｓ ｅ積層感光体が提案さ
れておＦ）、５ｅＴｅ合金層の形成法において、５ｅＴ
ｅ合金を蒸発源とする方法と、ＳｅとＴｅを別々の蒸発
源を用いて蒸着する方法とがある。まず。
５ｅＴｅ 合金を用いる方法では、ＳｅとＴｅの蒸気圧
が大きく異な９９表面に近くなるに従ってＴｅ過剰な状
態となる。このことによって、感光体として感度ムラ・
帯電性能の劣化などの原因になりやすい。また、Ｓｅと
Ｔｅを別々の蒸発源で蒸着する方法ではとくに高湊度ド
ープ層をつくる場合。
が大きく異な９９表面に近くなるに従ってＴｅ過剰な状
態となる。このことによって、感光体として感度ムラ・
帯電性能の劣化などの原因になりやすい。また、Ｓｅと
Ｔｅを別々の蒸発源で蒸着する方法ではとくに高湊度ド
ープ層をつくる場合。
合金化するために基板加熱などの他の製造条件を非常に
厳密に抑えなければならず、少しの条件の変化によって
大巾に上記感光体特性が不安定になりやすい。
厳密に抑えなければならず、少しの条件の変化によって
大巾に上記感光体特性が不安定になりやすい。
本発明の目的は、長波長光に対し高感度で、かつ帯電・
露先の電子写真プロセスの繰返しに対し。
露先の電子写真プロセスの繰返しに対し。
感度ムラをなくシ、帯電特性を安定化させるための５ｅ
Ｔｅ層を含む感光体の製造法に関する。
Ｔｅ層を含む感光体の製造法に関する。
以下図面を参照しながら本発明の好ましい実施例につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するだめの図で、１は
ペルジャー、２は基台、３け排気用導管で図示しない排
気モータに接続される。４はホルダ、５はアルミニウム
（Ａ／）基板、６は幕板加熱用ヒータ、７ａ、７ｂはボ
ードであって各々セレン（Ｓｅ）、セレンテルル（Ｓｅ
Ｔｅ）合金が載置さ排気モータに求ジベルジャー１円の
空気が排気用導管３から排出され、ペルジャーｌ内が真
空状態になった時点で、ヒータ６ｆより６０℃に加熱さ
れた状態にある基板５に、ボート７ｓＫあるＳｅを加熱
して５０μｍの厚さに蒸着し、そのＳｅ層の上に２５ｗ
ｔ％Ｔｅ濃度の５ｅＴｅ合金をボート７即ち蒸発源温度
３５０℃で１μｍの厚さに蒸着し、さらに５ｅＴｅを蒸
着しつつ同時にポートのＳｅを加熱して、Ｓｅを蒸着し
、Ｔｅ濃度を１０ｗｔチまで低下せしめた層を１μｍ程
度設けた。
ペルジャー、２は基台、３け排気用導管で図示しない排
気モータに接続される。４はホルダ、５はアルミニウム
（Ａ／）基板、６は幕板加熱用ヒータ、７ａ、７ｂはボ
ードであって各々セレン（Ｓｅ）、セレンテルル（Ｓｅ
Ｔｅ）合金が載置さ排気モータに求ジベルジャー１円の
空気が排気用導管３から排出され、ペルジャーｌ内が真
空状態になった時点で、ヒータ６ｆより６０℃に加熱さ
れた状態にある基板５に、ボート７ｓＫあるＳｅを加熱
して５０μｍの厚さに蒸着し、そのＳｅ層の上に２５ｗ
ｔ％Ｔｅ濃度の５ｅＴｅ合金をボート７即ち蒸発源温度
３５０℃で１μｍの厚さに蒸着し、さらに５ｅＴｅを蒸
着しつつ同時にポートのＳｅを加熱して、Ｓｅを蒸着し
、Ｔｅ濃度を１０ｗｔチまで低下せしめた層を１μｍ程
度設けた。
こうして得られた５ｅＴｅ／Ｓｅ＆層体を恒温槽で７０
℃３０分間熱処理することによって感光体とした。。
℃３０分間熱処理することによって感光体とした。。
このようにして得た感光体を第２図に示すようにドラム
状にしてこの感光体ドラムを用いて９通常の電子写真プ
ロセスによりその感光特性の変化を調べた。
状にしてこの感光体ドラムを用いて９通常の電子写真プ
ロセスによりその感光特性の変化を調べた。
第２図において、Ｔ１ｔｉ帯電器、Ｌは露光部であって
半導体レーザ光源、又は可視光である複写光の光源を有
する。Ｋは感光体ドラムの表面電位を測る電位計、Ｇは
現像器ｗＴ２は転写コロトロン、ＰＦｉ、記録紙９Ｍは
除電ランプ＋Ｔｓは除電用ＡＣコロナ帯電器、Ｃはクリ
ーナである。
半導体レーザ光源、又は可視光である複写光の光源を有
する。Ｋは感光体ドラムの表面電位を測る電位計、Ｇは
現像器ｗＴ２は転写コロトロン、ＰＦｉ、記録紙９Ｍは
除電ランプ＋Ｔｓは除電用ＡＣコロナ帯電器、Ｃはクリ
ーナである。
で感光ドラム表面の露光部及び非露光部の電位を測定す
る。
る。
その後現像器Ｇにより現像を行ない、そのトナー像を記
録紙に転写する。そして感光体ドラム表面に残留するト
ナーの電荷、および感光体ドラム表面電荷を除去するた
め、除電ランプＭ及びＡＣコロナ帯電器Ｔｓでその残留
電荷を中和し、クリーナＣで残留トナーを除去する。そ
して再び前述の一様帯電工程を開始する。半導体レーザ
として波長７８０關のレーザビームを用いた場合、配録
エネルギーは２μｍ／ｄ！であシ、記録紙１０万枚詭 へのＭ録を行なったが第３図に実軸で示すように光感度
の変化はなく、（破線は前述の従来の製法により得た感
光体を用いた場合の光感度特性である。）また感光体ド
ラム表面における電位の変化はなかった。
録紙に転写する。そして感光体ドラム表面に残留するト
ナーの電荷、および感光体ドラム表面電荷を除去するた
め、除電ランプＭ及びＡＣコロナ帯電器Ｔｓでその残留
電荷を中和し、クリーナＣで残留トナーを除去する。そ
して再び前述の一様帯電工程を開始する。半導体レーザ
として波長７８０關のレーザビームを用いた場合、配録
エネルギーは２μｍ／ｄ！であシ、記録紙１０万枚詭 へのＭ録を行なったが第３図に実軸で示すように光感度
の変化はなく、（破線は前述の従来の製法により得た感
光体を用いた場合の光感度特性である。）また感光体ド
ラム表面における電位の変化はなかった。
このように感光体の特性が改善された理由は。
下地Ｓｅ層上に５ｅＴｅ層のみをまづ形成し、高濃度に
テルル（Ｔｅ）をドープした５ｅＴｅ 層を形成して半
導体レーザ等の光波長光に対して高い感度を有する感光
層を得１次いでこの感光層上に５ｅＴｅ合金とＳｅを同
時に蒸着することにより。
テルル（Ｔｅ）をドープした５ｅＴｅ 層を形成して半
導体レーザ等の光波長光に対して高い感度を有する感光
層を得１次いでこの感光層上に５ｅＴｅ合金とＳｅを同
時に蒸着することにより。
Ｔｅ濃度を低減せしめて、前述の光疲労を抑えるととも
に、過剰のＴｅに基因する帯電電荷保持能力の低下を防
止するようにしたためである。
に、過剰のＴｅに基因する帯電電荷保持能力の低下を防
止するようにしたためである。
なお、この５ｅＴｅ ）−上にＳｅ層を形成することに
感光体表面の耐耗性を向上せしめることができる。
感光体表面の耐耗性を向上せしめることができる。
本発明によればｅＴｅの分布が均一となり、かつ感光体
表面層では低濃度となっているため、１）感度ムラがな
くなる。２）帯電性能が向上する。
表面層では低濃度となっているため、１）感度ムラがな
くなる。２）帯電性能が向上する。
３）光疲労がなくなる。４）耐摩耗性が向上する。
などの効果がある。
第１図は９本発明の一実施例構成図、第２図電子写真プ
ロセスを説明する図、第３図は感光体の光感度特性を示
す図である。 １：ベルジャー、４：ホルダ、５：基板。 ６：ヒータ＋ ７ａ、 ７ｂ ：ボート。
ロセスを説明する図、第３図は感光体の光感度特性を示
す図である。 １：ベルジャー、４：ホルダ、５：基板。 ６：ヒータ＋ ７ａ、 ７ｂ ：ボート。
Claims (2)
- （１）下地セレン（Ｓｅ）層と、該セレン層上に形成さ
れたセレンテルル（ＳｅＴｅ）合金層を有する感光体の
製造法において、前記下地セレン層を形成する工程後、
５ｅＴｅ合金層を所定の層厚になるまで形成し９次いで
、該５ｅＴｅ合金層上にセレンおよびセレンテルル合金
を同時に蒸着するようにしたことを特徴とｒ する感光体の製造法。 - （２）前記セレンおよびセレンテルル合金を同時に蒸着
する工程後、セレン蒸着層を形成することを特徴とする
特許請求の範囲！（１）項に記載の感光体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16977581A JPS5872151A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 感光体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16977581A JPS5872151A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 感光体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5872151A true JPS5872151A (ja) | 1983-04-30 |
Family
ID=15892624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16977581A Pending JPS5872151A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 感光体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5872151A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4904559A (en) * | 1988-10-24 | 1990-02-27 | Xerox Corporation | Processes for suppressing the fractionation of chalcogenide alloys |
| KR100601332B1 (ko) | 2004-06-10 | 2006-07-13 | 박병주 | 유기 반도체 소자, 그의 제조 방법 및 제조 장치 |
-
1981
- 1981-10-23 JP JP16977581A patent/JPS5872151A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4904559A (en) * | 1988-10-24 | 1990-02-27 | Xerox Corporation | Processes for suppressing the fractionation of chalcogenide alloys |
| KR100601332B1 (ko) | 2004-06-10 | 2006-07-13 | 박병주 | 유기 반도체 소자, 그의 제조 방법 및 제조 장치 |
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