JPS5873010A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS5873010A JPS5873010A JP17099581A JP17099581A JPS5873010A JP S5873010 A JPS5873010 A JP S5873010A JP 17099581 A JP17099581 A JP 17099581A JP 17099581 A JP17099581 A JP 17099581A JP S5873010 A JPS5873010 A JP S5873010A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- conductors
- thin film
- magnetic head
- yokes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特に磁気ディスク用、Ｖ Ｔ ｒ（、用など
に用いられる、ヨーク構造を形成するために２層の磁性
材料で構成されていて、磁気記録媒質上のトラックに磁
気的な変化を記録し、もしくはそれから再生する複数回
巻線された導体コイルを有煉る誘導型薄膜磁気ヘッドに
関する。
に用いられる、ヨーク構造を形成するために２層の磁性
材料で構成されていて、磁気記録媒質上のトラックに磁
気的な変化を記録し、もしくはそれから再生する複数回
巻線された導体コイルを有煉る誘導型薄膜磁気ヘッドに
関する。
従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、第１図（ａ）、（ｂ
）に示すように、非磁性基板１０上に形成された磁気ヨ
ーク部１１．１１′を励磁するために巻線された導体コ
イル１２〜１６の線幅は同一であった。そのだめ励磁電
流を通電した場合に１．１２〜１６の各配線には同一密
度の電流が流れ、各配線近傍の磁性材料にそれぞれ同一
磁界が印加されることに々ろ。通常薄膜ヘッドにおいて
よく認められているように、上記磁気ヨーク部１１′に
第１図（ｂ）に示すような凹凸がある場合には、各段差
部で同時に磁性材料がそれぞれ飽和してしまい、変換ギ
ャップ部にまで効率よく磁束を収束させることができな
いという欠点があった。磁性膜の平坦化に鋭意努力し、
凹凸を無くした場合にでも、各配線近傍の磁性材料部で
それぞれ同時に飽和する傾向は常にある。これは、上下
の磁気ヨーク１１′、１１間での磁束の漏れが第１図の
ような構造の薄膜磁気ヘッドにおいては比較的大きいと
いうことによる。この５ことは、記録時の電流効率が最
適化されていないことに基因する°。図中１８は導体コ
イルの巻線間、およびそれらと上部導体１７および磁気
ヨーク部１１．１１′を絶縁するだめの絶縁膜、１９は
保護膜である。第１図において（第２図および第３図に
おいても同様）、（ａ）図は（１））図のＡ −Ａ’線
に沿って切った断面図を示し、（Ｉ））図においてわか
り易くするために導体コイルに斜線が施こされている。
）に示すように、非磁性基板１０上に形成された磁気ヨ
ーク部１１．１１′を励磁するために巻線された導体コ
イル１２〜１６の線幅は同一であった。そのだめ励磁電
流を通電した場合に１．１２〜１６の各配線には同一密
度の電流が流れ、各配線近傍の磁性材料にそれぞれ同一
磁界が印加されることに々ろ。通常薄膜ヘッドにおいて
よく認められているように、上記磁気ヨーク部１１′に
第１図（ｂ）に示すような凹凸がある場合には、各段差
部で同時に磁性材料がそれぞれ飽和してしまい、変換ギ
ャップ部にまで効率よく磁束を収束させることができな
いという欠点があった。磁性膜の平坦化に鋭意努力し、
凹凸を無くした場合にでも、各配線近傍の磁性材料部で
それぞれ同時に飽和する傾向は常にある。これは、上下
の磁気ヨーク１１′、１１間での磁束の漏れが第１図の
ような構造の薄膜磁気ヘッドにおいては比較的大きいと
いうことによる。この５ことは、記録時の電流効率が最
適化されていないことに基因する°。図中１８は導体コ
イルの巻線間、およびそれらと上部導体１７および磁気
ヨーク部１１．１１′を絶縁するだめの絶縁膜、１９は
保護膜である。第１図において（第２図および第３図に
おいても同様）、（ａ）図は（１））図のＡ −Ａ’線
に沿って切った断面図を示し、（Ｉ））図においてわか
り易くするために導体コイルに斜線が施こされている。
本発明の目的は、したがって、電流効率を向上し、変換
ギャップ部にまで効率よく磁束を収束することを可能に
する薄膜磁気ヘッドを提供することである。
ギャップ部にまで効率よく磁束を収束することを可能に
する薄膜磁気ヘッドを提供することである。
上記目的を達成するために、本発明による、冒頭に述べ
た種類の磁気ヘッドはヨーク構造にはさまれる部分の巻
線の断２面が変換ギャップ部から離れるにしたがって大
きくなっていることを特徴とする 特に、ヨーク部の幅が変換ギャップ部より離れるにした
がって増大するヨーク構造を有する薄膜磁気ヘッドにお
いては、線断面積比はヨーク部の幅の増加比以上に増大
する。
た種類の磁気ヘッドはヨーク構造にはさまれる部分の巻
線の断２面が変換ギャップ部から離れるにしたがって大
きくなっていることを特徴とする 特に、ヨーク部の幅が変換ギャップ部より離れるにした
がって増大するヨーク構造を有する薄膜磁気ヘッドにお
いては、線断面積比はヨーク部の幅の増加比以上に増大
する。
実施例
第２図に、巻線数を６とした場合の、本発明よりなる実
施例を示す。非磁性ガラス基板２０上に構成されたＡｌ
導体コイル２６．２４．２５によって励磁される磁性材
料（８２Ｎｉ １７ Ｆｅから成る磁気ヨーク部）２６
．２６′の幅はトラック幅ｔＷに略等しく６０μｍであ
り、長さは略１５０μｍである。また、８２Ｎ＋１７Ｆ
ｅ１Ａｌの膜厚はそれぞれ略２μｍ、１μｍとした。上
記磁性材料からなる磁気ヨーク部２６．２６′にはさま
れる上記導体コイル２５．２４．２６は変換ギヤノブ部
２７から離れるにしたがって幅が広くなっており、幅Ｗ
３、Ｗ２、Ｗｌはそれぞれ２０．６０．４０ μｍであ
る。巻線後部２１．２２の幅については特に制限はない
が、抵抗値を低減させるためには、線幅を広くした方が
好ましく、本実施例では°略４０μｍである。導体コイ
ル２１〜２５相互間およびそれらと磁気ヨーク部２６．
２６′および上部導体２８の間はＳ ｉ ０２やＡｌ２
Ｏ３から成る絶縁層２９で電気的に絶縁されており、上
部導体２８および磁性材料２６′は同様に５ｉ０２やＡ
ｌ２Ｏ３から成る保護膜５０によって被覆されている。
施例を示す。非磁性ガラス基板２０上に構成されたＡｌ
導体コイル２６．２４．２５によって励磁される磁性材
料（８２Ｎｉ １７ Ｆｅから成る磁気ヨーク部）２６
．２６′の幅はトラック幅ｔＷに略等しく６０μｍであ
り、長さは略１５０μｍである。また、８２Ｎ＋１７Ｆ
ｅ１Ａｌの膜厚はそれぞれ略２μｍ、１μｍとした。上
記磁性材料からなる磁気ヨーク部２６．２６′にはさま
れる上記導体コイル２５．２４．２６は変換ギヤノブ部
２７から離れるにしたがって幅が広くなっており、幅Ｗ
３、Ｗ２、Ｗｌはそれぞれ２０．６０．４０ μｍであ
る。巻線後部２１．２２の幅については特に制限はない
が、抵抗値を低減させるためには、線幅を広くした方が
好ましく、本実施例では°略４０μｍである。導体コイ
ル２１〜２５相互間およびそれらと磁気ヨーク部２６．
２６′および上部導体２８の間はＳ ｉ ０２やＡｌ２
Ｏ３から成る絶縁層２９で電気的に絶縁されており、上
部導体２８および磁性材料２６′は同様に５ｉ０２やＡ
ｌ２Ｏ３から成る保護膜５０によって被覆されている。
以上のように、変換ギャップ部から位置が遠ざかるにし
たがつ−Ｃ巻線の線幅を大きくすることで、磁性材料２
６．２６′部の磁化がギャップ部から遠ざかるに伴い飽
和しにくくなる傾向が増大し、記録時の電流効率１が向
上するため、本発明による磁気ヘッドは、線幅を等しく
６０μｍとした従来型の磁気ヘッドに比べ、同一電流で
励磁した時の記録磁界が約１．２倍となり、記録特性が
優れていた。巻線数、トラック幅をそれぞれ、８．３０
μｍとした磁気ヘッドにおいても同様の結果が得られた
。
たがつ−Ｃ巻線の線幅を大きくすることで、磁性材料２
６．２６′部の磁化がギャップ部から遠ざかるに伴い飽
和しにくくなる傾向が増大し、記録時の電流効率１が向
上するため、本発明による磁気ヘッドは、線幅を等しく
６０μｍとした従来型の磁気ヘッドに比べ、同一電流で
励磁した時の記録磁界が約１．２倍となり、記録特性が
優れていた。巻線数、トラック幅をそれぞれ、８．３０
μｍとした磁気ヘッドにおいても同様の結果が得られた
。
第３図に、磁気ヨーク幅を変えた場合の、本発明により
成る薄膜磁気ヘッドの実施例を示す。膜厚１．’５μｍ
の、８１．５Ｎｉ １８．５Ｆ’ｅ Ｊ、りなる磁気
ヨーク部６９．６９′のトラック幅ｔＷは３０μｍであ
り、ヨークの幅は変換ギャップ部４０から離れるにした
がって略４５°の角度で広がっている。上記ヨークには
さまれるＡ１巻線コイル各部、６８．３７．３６．３５
での磁気ヨーク部３９′の幅はそれぞれ略４０．８０．
１３０．１７０μｍであり、その比は１：２：６．２５
：４．２５ である。こ＼で、巻線コイルｓ’ｓ、３７
．６６．３５の幅はそれぞれ略８．１６．２６．６５μ
ｍであり、上記ヨーク部の幅比と同一としである。３１
〜６４は後部導体コイルを示し、６０は非磁性基板、４
１は上部導体、４２は絶縁層、４３は保護膜である。
成る薄膜磁気ヘッドの実施例を示す。膜厚１．’５μｍ
の、８１．５Ｎｉ １８．５Ｆ’ｅ Ｊ、りなる磁気
ヨーク部６９．６９′のトラック幅ｔＷは３０μｍであ
り、ヨークの幅は変換ギャップ部４０から離れるにした
がって略４５°の角度で広がっている。上記ヨークには
さまれるＡ１巻線コイル各部、６８．３７．３６．３５
での磁気ヨーク部３９′の幅はそれぞれ略４０．８０．
１３０．１７０μｍであり、その比は１：２：６．２５
：４．２５ である。こ＼で、巻線コイルｓ’ｓ、３７
．６６．３５の幅はそれぞれ略８．１６．２６．６５μ
ｍであり、上記ヨーク部の幅比と同一としである。３１
〜６４は後部導体コイルを示し、６０は非磁性基板、４
１は上部導体、４２は絶縁層、４３は保護膜である。
本発明により成る薄膜磁気ヘッドは、巻線幅をすべて６
０μｍと等しくした同一コア形状、同一巻線の従来型薄
膜磁気ヘッドに比べ、同一電流を通電した場合の記録磁
界が略１．４倍と大きく、ｇ６録特性が優れていた。本
実施例においては、ヨーク幅の増加比と巻線線幅比とを
同一としたが、巻線線幅比を１ ： ２．２ ： ３．
５ ： ４．５と大きくした方が効率がより高く、略１
．４５倍の記録磁界が得られた。逆に、線幅比の増加比
をヨーク幅の増加比よりも小さくし、１ ： １．１
： １．２ ： １．５とした場合には、その特性はあ
１り向上せず、線幅が同一である従来型薄膜ヘッドに比
べて約１．１倍の特性の向」二しか認められなかつん。
０μｍと等しくした同一コア形状、同一巻線の従来型薄
膜磁気ヘッドに比べ、同一電流を通電した場合の記録磁
界が略１．４倍と大きく、ｇ６録特性が優れていた。本
実施例においては、ヨーク幅の増加比と巻線線幅比とを
同一としたが、巻線線幅比を１ ： ２．２ ： ３．
５ ： ４．５と大きくした方が効率がより高く、略１
．４５倍の記録磁界が得られた。逆に、線幅比の増加比
をヨーク幅の増加比よりも小さくし、１ ： １．１
： １．２ ： １．５とした場合には、その特性はあ
１り向上せず、線幅が同一である従来型薄膜ヘッドに比
べて約１．１倍の特性の向」二しか認められなかつん。
なお線幅比を減少させて１ ：０．８ ： ０．６ ：
０．４．１：０．８５．０．７５：０．６５ ： ０．
５５．１ ：０．９ ：、 ０．８ ＝０．７ とし
た場合には、線幅が同一である従来型薄膜ヘットに比べ
て特性はそれぞれ７５係、８０係、９０係と劣化した。
０．４．１：０．８５．０．７５：０．６５ ： ０．
５５．１ ：０．９ ：、 ０．８ ＝０．７ とし
た場合には、線幅が同一である従来型薄膜ヘットに比べ
て特性はそれぞれ７５係、８０係、９０係と劣化した。
本発明による効果は、線幅は変えず、線側を変えろこと
でも得られることは言うまでもない。
でも得られることは言うまでもない。
なお、第２図、第３図におけるヨーク部２６．３９部を
省略して非磁性基板２０．３０をＭローＺｎフェライト
、Ｎｉ−Ｚｎフェライトなどの磁性基板としても同様の
効果が得られた。また、特に垂直磁気記録用の磁気ヘッ
ドとしては、非磁性基板のま＼磁気ヨーク部２６．３９
を省略してもよい。
省略して非磁性基板２０．３０をＭローＺｎフェライト
、Ｎｉ−Ｚｎフェライトなどの磁性基板としても同様の
効果が得られた。また、特に垂直磁気記録用の磁気ヘッ
ドとしては、非磁性基板のま＼磁気ヨーク部２６．３９
を省略してもよい。
第１図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ従来の薄膜磁気ヘ
ッドの断面図および平面図、第２図（ａ）および（１）
）は本発明の一実施の態様におけろ薄膜磁気ヘッドのそ
れぞれ断面図および平面図、第６図（ａ）および（ｂ）
は本発明の他の一つの実施の態様における薄膜磁気ヘッ
ドのそれぞれ断面図および平面図である。 １０．２０．呂Ｏ・・・非磁性基板 １１．１１′、２６．２６′、６９．６９′・・・磁気
ヨーク部 １２〜１６．２１〜２５．６１〜６８ ・・・導体コイル ２７．４０・・・変換ギヤノブ部 １７．２８．４１・・・上部導体 １８．２９．４２・・・絶縁層 １９．５０．４６・・・保護膜 代理人弁理士 中村純之助 第１頁の続き ０発 明 者 品用公成 国分寺市東恋ケ窪−丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 前板登行 国分寺市東恋ケ窪−丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 由比藤勇 国分寺市東恋ケ窪−丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 菱山定夫 国分寺市東恋ケ窪−丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内
ッドの断面図および平面図、第２図（ａ）および（１）
）は本発明の一実施の態様におけろ薄膜磁気ヘッドのそ
れぞれ断面図および平面図、第６図（ａ）および（ｂ）
は本発明の他の一つの実施の態様における薄膜磁気ヘッ
ドのそれぞれ断面図および平面図である。 １０．２０．呂Ｏ・・・非磁性基板 １１．１１′、２６．２６′、６９．６９′・・・磁気
ヨーク部 １２〜１６．２１〜２５．６１〜６８ ・・・導体コイル ２７．４０・・・変換ギヤノブ部 １７．２８．４１・・・上部導体 １８．２９．４２・・・絶縁層 １９．５０．４６・・・保護膜 代理人弁理士 中村純之助 第１頁の続き ０発 明 者 品用公成 国分寺市東恋ケ窪−丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 前板登行 国分寺市東恋ケ窪−丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 由比藤勇 国分寺市東恋ケ窪−丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 菱山定夫 国分寺市東恋ケ窪−丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内
Claims (1)
- （１） ヨーク構造を形成するために２層の磁性１料
で構成さねていて、磁気記録媒質上のトラックに磁気的
々変化を記録し、もしくはそれから再生する複数回巻線
された導体コイルを有する誘導Ｊ％ｌＩ薄膜磁気ヘッド
において、上記ヨーク構造にｒ４、さ捷れろ部分の上記
巻線の断面が変換ギャップ部から離れるにしたがって大
きくなっていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 、（２） ヨーク部の幅が変換ギャップ部より離れる
にしだがって増大するヨーク構造を有する前記薄膜磁気
ヘッドにおいて、ヨーク部の幅の増加比以上に線断面積
比が増大することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17099581A JPS5873010A (ja) | 1981-10-26 | 1981-10-26 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17099581A JPS5873010A (ja) | 1981-10-26 | 1981-10-26 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5873010A true JPS5873010A (ja) | 1983-05-02 |
Family
ID=15915159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17099581A Pending JPS5873010A (ja) | 1981-10-26 | 1981-10-26 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5873010A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990003641A1 (de) * | 1988-09-19 | 1990-04-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Dünnfilm-magnetkopf mit einer flachen schreib-/lesespulenwicklung |
| WO2001099112A3 (en) * | 2000-06-20 | 2002-07-11 | Seagate Technology Llc | Disc drive with layered write coil |
-
1981
- 1981-10-26 JP JP17099581A patent/JPS5873010A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990003641A1 (de) * | 1988-09-19 | 1990-04-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Dünnfilm-magnetkopf mit einer flachen schreib-/lesespulenwicklung |
| WO2001099112A3 (en) * | 2000-06-20 | 2002-07-11 | Seagate Technology Llc | Disc drive with layered write coil |
| GB2379793A (en) * | 2000-06-20 | 2003-03-19 | Seagate Technology Llc | Disc drive with layered write coil |
| US6654202B2 (en) | 2000-06-20 | 2003-11-25 | Seagate Technology Llc | Disc drive with layered write coil |
| GB2379793B (en) * | 2000-06-20 | 2004-03-17 | Seagate Technology Llc | Disc drive with layered write coil |
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