JPS5873090A - 欠陥ル−プ位置情報格納方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブルメモリシステムの欠陥処理方式に関
する。

磁気バブルメモリ素子はその製造歩留り向上のため、記
憶ループ単位に欠陥の存在を許容している。そこで欠陥
記憶ループの位置は各素子では異なるので４それぞれの
欠陥ループ位置の情報を保持する手段を持つ必要が生ず
る。

従来、磁気ノミプルメモリ装置の欠陥ループ位置情報の
格納は大別して２種の方法があった。

第１の方法はリードオンリメモリ（ＲＯＭ）４Ｃ格納す
る方法であり、第２の方法は磁気パズルメモリ素子自身
の中に欠陥ループ位置情報を格納する方法である。しか
し、第１の方法は磁気バブルメモリ素子の他ＫＲＯＭを
用いるので装置は高価になる。

また、第２の方法はＲＯＭに格納する方法に比して、欠
陥ループ位置情報の記憶の確実性（不揮発性）に関し劣
るが、安価に構成できる利点があった。

一般的に磁気バブルメモリは第１図に示すよ５にマイナ
ループ（ｍＬ）、マツグループ（ＭＰＬ）、リードトラ
ック（ＲＴ）、ディテクタ（Ｄ）、マツプループ用リプ
リケートゲート（ＲＯ）、女ツブループ用すプリケート
ゲー）（Ｒ１）、ライトトラック（ｗ’ｒ）、ジェネレ
ータ（Ｇ）、マツプループ用スワップゲート（ＳＯ）、
マツプループ用スワツプゲー）　（Ｓｌ）より構成され
る。欠陥ループ位置情報を格納するマツプループはデー
タを格納するマツプループと別々のアクセスのためのゲ
ートを持ち、ソフト等のミスにより欠陥ループ位置情報
の破壊を防止している。

しかし、回転磁界駆動回路、ファンクション電流駆動回
路あるいは電源等の故障時はマツプループ中の情報社転
送ミス等により、欠陥ループ位置情報を破壊してしまう
可能性が生じる。

このような状態になった時は何等かの方法でマンプルー
プ上に欠陥ループ位置情報を再書込みする必要が生じる
。再書込みＫは何等かの入力手段を具備し、磁気パプル
メ４１７システム外から各々の磁気パブルメ篭り素子に
対応する欠陥ループ位置情報を入力しなければならず、
保守運用の煩雑さをもたらし、システムの総合コストを
上昇させる原因となる。

本発明の目的は回路の故障、操作ミス等によりある磁気
バブルメモリ素子の欠陥ループ位置情報が破壊された時
、その磁気バブルメモリ装置内で破壊され九磁気バブル
素子の回復を図り欠陥ループ位置情報を復旧することの
できる欠陥ループ位置情報格納方式を提供するヒとＫＴ
。

る。

前記目的を達成するために本発明による欠陥ループ位置
情報格納方式は欠陥マツプループの存在を許容する複数
の磁気バブルメモリ素子より構成される磁気バブル記憶
システムの欠陥ループ位置情報格納方式においてそれぞ
れの磁気バブルメモリ素子の欠陥ループ位置情報を自己
のマイナループ中と互に独立な回路で駆動される他の磁
気バブルメモリ素子のマイナループ中に格納し、ある磁
気バブルメモリ素子の記憶が破壊され九とき、その破壊
された磁気バブルメモリ素子の欠陥ループ位置情報を対
応の磁気パズル素子より読出し、前記記憶が破壊されて
障害が除去された磁気バブルメモリ素子に書込むことに
より復旧するように構成しである。

前記方式によれば、磁気パズルメモリ装置内で、破壊さ
゛れた磁気バブルメモリ素子の復旧ができ、本発明の目
的は完全に達成される。

以下１図面等を参照して本発明をさらに詳しく説明する
。

第意図は本発明方式の欠陥ループ位置情報の格納場所に
関する実施例を示す説明図である。図中、２重枠は動作
している磁気バブル素子を示し、枠内の数字はこのメ４
す素子に格納されている欠陥ループ位置情報のメモリ素
子番号を示している。

第２図（１）は４個のメモリ素子より構成され、そのう
ち唯一のメモリ素子ＢＭｓが駆動される例である。各メ
モリ素子中には自己の欠陥ループ位置情報ととなりのメ
モリ素子の欠陥ループ位置情報を格納している。第２図
（６）は８個のメモリ素子より構成され、そのうち半数
の４個のメモリ素子が同時駆動される例を示している。

各メモリ素子中には自己の欠陥ループ位置と互に同時に
動作しない対応するメモリ素子の欠陥ループ位置の情報
を格納している。

第３図はマツプループの情報格納法の一例を示す説明図
であ°る。マツプループのうちの１ループに同期用フラ
グＦ、自己の欠陥ループ位置情報ｇｏｏ−ｊ！ｏｎ、互
に同時動作しない他のメモリ素子の欠陥ループ位置情報
ｊｓｏ−１ｔｎを格納している例である。ここでｎはマ
ツプループ数を示し、同期用フラグは！イナループの回
転位置検出のため設けた不揮発なフラグ情報であり。

電源断時見失なわれた！イナループ上情報の格納位置を
再び見出すための同期用のフラグ情報である。

第４図は本発明方式の回路構成の一実施例を示すブロッ
ク図である。

本図は２個の磁気バブルメモリＢＭｏ、ＢＭｘより構成
された例である。書込情報ＷＤはファンクシ曹ンドツイ
パＦＤＯ，ＦＤＩＫ、アドレス情報ム祉デコーダＤＩＩ
Ｏで展開した後、ファンクションドライバＦＤｏ　、Ｆ
Ｄ１１回転磁界ドライバＨＤＯ、ＨＤＩＫ供給される。

各磁気バブルメモリ素子ＢＭｏ　、ＢＭｔはそれぞれ対
応するファンクションドライバと回転磁界ドライバによ
り駆動されるが、両者のうち片方の回路のみが動作する
。例えは、ＦＤＯとＨＤＯあるいはＦＤｌとＨＤｔとが
動作する。

磁気バブルメモリ素子の出力はセンスアンプ８Ａ６，８
Ａ１で増幅され先後、貌出しデータＲＤとして、また欠
陥ループマツピングメモリＭへ送られ、さらにマツビン
グメ篭りＭからはマツピングデータＭＤとして外部へ送
出される。

読出しデータＲＤ、書込データＷＤはマツピングデータ
ＭＤＫより欠陥ループ処Ｓ（欠陥ループ上への書込み禁
止および貌出しデータの非欠陥ループのみでの編集）を
受ける。

磁気バブルメモリ素子ＢＭｏ、ＢＭ１のマツプループ上
には各々両者の欠陥ループ位置情報が格納されて込る。

通常動作においては、磁気バブルメモリ素子ＢＭＯから
紘磁気バブルメモリ素子ＢＭＯの。

また磁気バブルメモリ素子ＢＭｔからはＢＭｔの欠陥ル
ープ位置情報を読出し、Ｔｏらかしめマツピングメモリ
ＭＫ格納しておき、欠陥ループ処りｌ祉マツビン゛グメ
モリＭの情報ｉ−ｔとに行なう。

ファンクションドライバあるいは回転磁界ドライバの障
害、！えはその制御回路の障害により磁気バブルメ毫す
素子内のデータが破壊された場合、下記の動作で回復宴
れる。

壜ず、障害の原因となう九回路を検出し、その障害を除
去した後、障害とならなかったメモリ素子から障害であ
ったメモリ素子の欠陥ループ位置情報を読出し、同情報
を障害であったメ毫す素子のマツグループ上に書込む。

さらに障害とならなかったメモリ素子の欠陥ループ位置
情報も同様和して障害であったメモリ素子のマツプルー
プ上に書込む。

以上、磁気バブルメモリ素子２個で構成された例を示し
九が、第鵞図で示したさらに多数のメ毫り素子で構成さ
れ九りステ牟において亀岡様の動作で障害からの回復が
可能である。

ζζで、障害検出について言及すると、本発明方式は複
数の磁気パブルメ毫り素子に分散して格納しである欠陥
ループ位置情報がすべて破壊されないことを前提にして
成り立っており。

障害の波及が限定された形で検出される必要性がある。

なお、との問題は従来から公表されている各種手法によ
って容ｊＫ解決できる。すなわち！ゴナループ上に−ｒ
イナアドレステエツタデータを格納して各ブロックアク
セス時、そのチェックヲ行ない、１回のプロッタアクセ
ス動作毎に閉じ丸形でマツグループ上ビツトの同期ずれ
を微視する手法等である。

また１本発明は以上説明した１装置内の互に同時動作し
ない磁気ノ（ブルメ峰り素子間に欠陥ループ位置情報を
分散格納するのみならず、複数の磁気バブルメモリ装置
間で分散格納する方式％式％ 本発明方式は以上詳しく説明したように、磁気バブルメ
モリ素子の欠陥ループ位置情報格納に関し、特別のリー
ドオンリメモリを必要とし表いで、欠陥ループ位置情報
の記憶の信頼性を向上する磁気パ゛プルメモリシステム
を安価に提供できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は磁気バブルメモリ素子の構成図、第２図は欠陥
ループの格納方式の一例を示す説明図、第３図は欠陥ル
ープ位置情報の！ゴナループ上への格納の一例管示す説
明図、第４図社本発明の一実施例を示すブロック図であ
る。 Ｄ・・・ディテクタ　　ＲＴ・・・リードトラックＲＯ
ｅ　Ｒ１・・・リプリケータ ８０．８１・・・スワップゲート ＷＴ・・・ライトトラック　Ｇ・・・ジェネレータｍＬ
・・・マツプルーフ　ＭＰＬ・・、マツプルーフＢＭＯ
−８Ｍ３．８ＭＧＯ−ＢＭｔ３−・・磁気パブルＦ・・
・同期用フラグ　ＷＤ−・書込みデータ人・・・アドレ
ス　　　　Ｄ　Ｎｏ−・・デコーダＦＤｏ　、　１・・
・ファンクシ冒ンドライバＨＤ０．１・・・回転磁界ド
ライバ ８Ａ０．１・・・センスアンプ Ｍ・・・マツピングメモリ ＲＤ・・・読出しデータ Ｍ　Ｄ−・・マツピングデータ 特許出願人　日本電気株式会社 代理人　弁理士　井　ノ　ロ　　壽 オフ！’２１ 才２図 （８） （ｂ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 欠陥マイナループの存在を許容する複数の磁気バブルメ
   モリ素子により構成される磁気バブル記憶システムの欠
   陥ループ位置情報格納方式において、各々の磁気バブル
   メモリ素子の欠陥ループ位置情報を自己のマイナループ
   中と、崖に独立な回路で駆動される他の磁気バブルメモ
   リ素子のマイナルーブ中に格納、シ、ある磁気バブルメ
   モリ素子の記憶が破壊されたとき、その破壊された磁気
   バプルメ篭り素子の欠陥ループ位置情報を対応の磁気バ
   ブルメモリ素子より読出し、前記記憶が破壊されて障害
   が除去された磁気パプルメそり素子に書込むことにより
   復旧することを特徴とする磁気パズルメモリの欠陥ルー
   プ位置情報格納方式。