JPS5873169A - Ｐｉｎ光起電装置及びその製造方法 - Google Patents
Ｐｉｎ光起電装置及びその製造方法Info
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- JPS5873169A JPS5873169A JP57101530A JP10153082A JPS5873169A JP S5873169 A JPS5873169 A JP S5873169A JP 57101530 A JP57101530 A JP 57101530A JP 10153082 A JP10153082 A JP 10153082A JP S5873169 A JPS5873169 A JP S5873169A
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- amorphous silicon
- photovoltaic device
- intrinsic
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/10—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material
- H10F71/103—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material including only Group IV materials
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
発明の背景
本ａ明ｎ−ｒモル７アスシリコン、よ？＃Ｌ、（！１、
装ｗｔｏＪ元起電出力を改良する工う）ζ特別に構成し
たｐ型及び（又は）ｎ型領域を有するＰＩＮアモルファ
スシリコン牛導体Ｖｌ酸に係る。 水素化アモルファスシリコンは＃ｌＩ半導体装置及び特
に離農り元（光起電）装置への応用について将来ｔＶＵ
視されている。アモルファスシリコン腺の結合＃ｌＩ造
中に成る蓋の水素を含ませると半導体ＣａＪ光伝専性が
実質的に増大するという発見は、この材ｆｆＱ）数多く
内応用をこの分野に−たらした。 アモルファスシリコンの最も成功してい６光起電船１ノ
一つは一般的（こＰＩＮ構造と呼はれる構成である。不
例帷曹で使用しそしてとり〕分野で一般的に誌められて
いΦＰＩＮ構造は、半導体材料のｎ型（ｎドープ）領域
及びｐ蓋（ｐドープ）領域り）間に設けらｒした半導体
材料の真性（ノンドープ）領域を有する半導体構造を推
称′１−６．この構造はｐｎ接合粋に較べてより＾い■
。。及び■ｇｃをも罠ら丁ことが鉋められている１本発
明は、ｐ型及びｎｌｌ領域の特別り）形成が電荷キャリ
アの受光起電（ｐｈｏｔｏｇｅｎｅｒｉｔｉｏ、ｎ ｏ
ｆ ｃｈａｒｇｅ ｃａｒｒｌｅｒ ）及び装置出力を
実質的に増大させるＰＩＮホモ接酋に向けられている。 アモルファスシリコンＰＩＮＭＩを構成するいくつかの
技術が業界において知られている。こ（ムらＱ〕技術は
シランＧＩＪグロー放電分解をオリ用してｎＷ、Ｐｌｌ
及び真性のアモルファスシリコン−を形成する。この被
着技術はカールソンの米国％鈴第４０６４５２１号によ
って最４Ｉ＜例示さ几、それにはグロー放電でつくっ７
Ｃ４〜６％の光起１に効率を（するＰＩＮ構造が記載さ
れている。従来技術のＰＩＮ￥１ＬＩｌの王な欠陥は、
ディピッド・カールソンが技術−文％Ｆａｃｔｏｒｓ
Ｉｎｆｌｕ＠ｎｃｉｎｇ ｔｈｅｌｃｆｆｉｏｉ＊ｎ
ａｙ ｏｆ Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ５ｉｌｉｃｏｎ
ＳｏｌａｒＣｅｌｌｍ（ア毫ルファスシリコン太陽電
池の効率に作用する因子）“、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｎｏｎ−ＣｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｏｌｉｄｓ 、
３５−３６ （１９８０） 、 １） 、 ７０７
−７１７で指摘し罠工うに、ｐ型層を通す照射において
、クロー放電被着は、伝導性が悪くしかも装に１こおけ
る電荷キャリアク】受光起電に有意義に寄与せずに入射
光エネルギー？吸収するｐ型層をつ〈ａということであ
Φ６ｐ型階のこの乏しい電子特性はネットソーク中へ９
ノホウ素導入に起因し、−ｔ ｉ’Ｌが午導体ソ〕ギヤ
ｙプ中に欠陥状態（ｄ・ｆ＠ｃｔｓｔａｔｅｓ ｉｎ
ｔｈｏ ｇａｐ） ）もたらし、それが再結廿甲・υ
としてｍ＜、ＺｌＯえて、これら力欠陥状態は元＠収２
も罠らし、それが有効光ギャップ２Ｉ層↓９小さくＴり
。 こカニうなｐＩＮＳｉｌｆｉに対して１本発明は広いバ
ンドギャップ２Ｍし従って元エネルギーを真性層・＼実
質的−ζ透過する↓うにＯ１ｃ構成し罠ｐ型領域８有す
るアモルファスシリコンＰＩＮ装置ｉ：ＦＷ供する１本
明細書に記載し１ζ構成技術は一つ力ｐｉＪｌｖｊ域を
もたらす。さらに本発明は、ｐ型及びｎｍ１ｉｉシ〕バ
ンドギヤツプを調節し、ｆｔ起電ｆ！鉦でつくられる開
放回路電圧の増加をもたらすように。 ｐ型及びｎ型力両ｉＩｆ ｆ特に適合させχ構成？提供
Ｔる。 発明力概要 本発明は、シランソ）グロー放電分解で形成した真性（
ノンドープ）噛１：ｉ：有する一方、アルゴン及び水素
のプラズマ中でＳｔ ターゲットから９反応性スパッ
クリングで形成し罠少なくともｐ型髄域を有する、ハイ
ブリッド構造のアモルファスシリコンＰＩＮＳｉｍに向
けられている。こカバイブリッド構造はｐ型及びｎ型層
（Ｑ九バンドギャップを調節する可能性Ｐもたらし、開
放回路電圧（／Ｊ増加と、ｐ型層９〕光バンドギャップ
を論節し欠場合に、ｐ型層による実質的なキャリヤ発生
なしり〕吸収を行なう長期安定欠陥の克服とをも罠らす
。こり）ｐ型層力構属ではＰａｉ！層自身での電荷キャ
リヤによる受光起電が高められるという付随的な利点が
ある。 本発明は青色スペクトル領域における光出力ウフ向上で
示される工うな増加し罠光起電応答性？有する改良され
たアモルファスシリコンＰ］［Ｎ装置に向けら（ｔてい
る。こ２）発明２説明するために、ｗＡ１囚にＰＩＮｍ
ｉｉ力拡大ｍ面断面園を示す。基板１０は一般的に上に
設けられる膜を物理的に支持する基板からなる。基板ｌ
Ｏは、以下に記載するような、上に設ける層を貫通する
ピンホールを避ける友めに、その層の厚さのオーダー（
寸法）の空隙や突起が実質的にない、主＊ｉｉｔ＊コー
ティング表向′）令する。第１因（２Ｊ態様では、基板
ｌＯは一般的に不透明な材料からなるように描かれてい
る。Ｘる態様では、基板１０は例えばセラミック９）よ
うな非電導性＠料からなることができるが、それには４
電性材料１１’／Ｊ上＠階か必蒙である。 選択的に、基板ｉｏは支持基板として及び光起電製置ク
ツ操作におけ少電流を生ずる電極さして働く％ｋからな
Φことができる。いずれの場合にも、基板のコーティン
グ表面はコーティング表面から不楯望な汚染物及び粒子
を除去するために完全に清浄〔ヒ丁０．好ましい態様で
は、を極１０はＮ−型シリコンとオーム接触を形成する
ことが知られている金属例えばモリブデン又はステンレ
ス鋼からなることができる。基板ｌＯが非導電性拐科か
らなる場合には、１ｒ１１１がＮ−型アモルファスシリ
コンとオーム接触を形成することが知られている金属例
えば前記のモリブデン又はクロムＱＪ層からなり、かつ
基板に約１０００〜２０００Ａの厚さて被着することが
好ましい。 ｊｉｌｌ１２は基板のコーティング表山上に被着し友釣
１００Ａ〜約１００ＯＡの厚さのＮｕ水水素化７ルルフ
アスシリコンらなる。水嵩化アモルファスシリコンの技
術に関連して記載されΦ用飴「Ｎｆｆ１（Ｎドープ）」
は、フェルミレベルを伝導帯に近すけ従って膜の導電性
を高める工うに働くリン。 ヒ素及びアンチモンなど力電子的に作出すΦＦ−バント
を含むアモルファスシリコン鳩として足叙することがで
きる。 Ｎ型層１２Ｖｉ反応性スパッタリング又はグロー放電の
いずれかの技術でつくることができる。水素化アモルフ
ァスシリコンＩ／Ｊ ｎ Ｗ Ｎは少量り】ホスフィン
ド−ピングガス２含むシランのグロー放電針ｊ！！ｌ’
？形カｙて゛き２〕。こ９）分解方法は最初に基板２２
００〜４００℃の温度に加熱する工程を含む。 成るＬｔ様では、鼻根をＡｒ 放電中でスバッタエッナ
ンクして史に清浄にすることができる。次いでＳｉｎ、
中０．１＝１％ＰＨ２からなる供給ガスを反１ｔ、管：
（供給し、圧力を所望レベル、通常１（）〜１０ （Ｊ
（Ｊ ｍ’ｒｏｒｌ・ に上げる０次いでＤＣ又Ｕ
ＲＦｔ圧２印加り、てカス０）イオン化２冥施する。膜
のｒ−Ｗ Ｇ’ １ ｋ ８、］乙Ｍ ｌ ００〜ｌ
０００ Ａ ヘラ１ｌｚｋ侵’ｊ−討１各 し７、 そ
りＪ抜ｔＦ３１？解酌゛、する。 こｆｌらい膜ツノ伝尋性に一般的に１０−”Ω−１Ｆｉ
＋ −’であり、そ石、らの光キャップ灯り相当する１
〔性り〕Ｉ！ｉより小さい［Ｅｇ（真性） ｔ、 ７
ｅＶ、 Ｅｇ（ｎＫｌ−） （、１，７ｅＶ 〕。 ｔｉｔｌｅ的なＭｂｋにおいて、水累化アモルファスシ
リコン力ｒｉ型胤・を水素、アルゴン及びポスフィン力
分圧中で反応性スパッタリングして横取することが−（
゛きイ、）。１１型輸タ〕スパツタリング方法は次Ｑ〕
工杭’ｊ−’ｃｓ’む０最初１こ、基板を２ ＋１０へ
１（１０℃Ｑ〕貌度に加熱ずイへアルゴンプラズマ中で
タ−ゲット及び基板グ〕両方をスパッタエツチングする
１、ホスフィン、水嵩及びアルゴンク）気体混合−をス
パッタリング室に形成する。ホスフィン力分圧は５ＸＩ
Ｏ−’〜５Ｘ１０−’ Ｔｏｒｒ、水嵩Ｑ】分Ｉｆ：
、Ｈ５ｘ１０−’ 〜２．ＯＸ Ｊ ０−３Ｔｏｒｒ、
そしてアルゴンの分圧は３ＸｌＯ−” 〜１５Ｘ１０−
” Ｔｏｒｒ である、直径５インチのシリコンターゲ
ットｌζ１（Ｊ（１〜３００７７ ｔ−ＣＩＪＲＰ”電
力をかける。ｋｆｔｌ＋ｉｊｉ。Ｊ厚さ、通常ｉ ｏ
ｏ−ｉ ｏ ｕ ｕＡ＃ｃｒａ長さｔａ。この膜の伝導
度は約１０−”Ω−′３柵であり、そり光ギャップは含
まれる水素の蓋に依存してｔ６〜１．９０ｅＶである。 水素化アモルファスシリコンの真性〜工４は、実質的に
ノンドープのシランカブロー放電分解で破着した約０．
２ミクロン−約１０ミクロンＱ〕厚さのノンドープアモ
ルファスシリコンからなる。本明細書で使用ＴΦよう（
（、用語「真性」汀、最少臘の不純物を含む１こめにそ
の電子的特性が膜・〕】構造とＳｊ及びＭＣＩ）會ｖｍ
とで決まるものとしてｔＲａ付けられるアモルファスシ
リコン領域を短足￥０゜艮好なバ性−Ｖユ、艮好な構造
的峙件ｋ ７１’； ’ｉミーギヤ・ブ苧力状、ｆ線つ
り低い密度（ａ ＩＯＷ ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ５ｔ
ａｔｅｓｉｎ ｔｈｅ ｇａｐ）としても規定すること
ができる。シランカブロー放電分解に、Ｃ◇真性層の形
成ば次カ」二輪を百０も力とし゛Ｃ−収自月こ日己載す
ることかで１！Φ。 ｍ４υ６Ｃ４’ｔｉｔ’＠ ｋ
ｋｌｊＴ Ｗ ン）ｍ ’ｇ、 ａ常 ２ｏ。 〜４（Ｊ（ＪＣｔ（：上げ。。次＾で５ｉｎ４燃Ｖ＝斗
３反しら器に供鵬し、ｊ上刃ｒ所４力高さ、通′に１ｏ
〜ｉｏｏ。 ｍ’ｌ’ｏｒｒｔこ’Ｊ−４＋。次いでＬｌ（、’ ”
！ｔＪ ＲＦ ’４）ｆ ’ｃ目」加してクロー故−を
開始させる。そ？１から膜を１力Δ力厚さ、遁盾（Ｊ、
２＝ｌ（Ｊμｒ１ｔまで成長させ、そし′〔電圧３−ユ
ずす。 材料９元バンドギャップ’ＩＪＡ節Ｐ提ｉ＃Ｌ”ｒる工
うに時に適合させた形成方法を舊するｐ散水素化アモル
ノアスンリコン噛１６？真件１−１４上に被着「ロウ絹
ｍｌｌ’ｐｍ（ｐドープ）−１μ、水素化アモルノアス
ンリシン力技術に開運して規定さｒしてぃ＾工うに、ン
エルミレベル分価電子帯に近づけ従って映αノ伝導性２
同りさせる〜５（ζ働くボウ粱り］工つな電子的れｈ性
ドーパント３台−んでいるアセルファスシリコン膜とし
て特徴付けるこさができる。 厚さ約８０ｘ〜約３ｏｏｆりＩｐ型階は水素、アルゴン
及びジボラン９ノ分圧中０）多結晶シリコンターゲット
から反応性スパッタリングされ小。ｐ副層カスバユ・ク
リング処理は次シ、】工程＋）含む。ｎ２ｍ及びｐ副層
り）被着の間基板は艷１じ諺度に保つ。ジボラン０１３
分圧ｉ！５ＸＩＯ−＠〜５Ｘ１０− ”ｌ’ｏｒｒであ
り、水素（／Ｊ分圧は０．５−、２．０ ｍ Ｔｏｒｒ
、そしてアルゴンＱ）分圧は３〜１５ｍＴｏｒｒ であ
る。スパッタリングの電ＥＥ（電力）条件はｎ Ｗ Ａ
１１ｌ ｊ（ついて記載し罠もＱ］と同じであ０．こＱ
）膜の伝導度μＩ （＋ −”〜１０’−”Ω−１３−
１であり、その元キャップは１．８・ＶＺジ大きい。 本明細書に記載したように水素化ア干ルノアスシリコン
Ｑ）ｐ型層？特別に適合せしめて構成す金と、業界で他
の者に裏って認められているＬ′）にｓ１置の開放回路
電圧を高めるばかりでなく、さらに実質的な慮の入射光
がそこ２通過して下−ＬＪ）■−の高い九発生領域で吸
収さｎ６半導体「ウィンド層」Ｐも提供Ｔる、ｐ型ｍ）
もよらず。不可部１．４
装ｗｔｏＪ元起電出力を改良する工う）ζ特別に構成し
たｐ型及び（又は）ｎ型領域を有するＰＩＮアモルファ
スシリコン牛導体Ｖｌ酸に係る。 水素化アモルファスシリコンは＃ｌＩ半導体装置及び特
に離農り元（光起電）装置への応用について将来ｔＶＵ
視されている。アモルファスシリコン腺の結合＃ｌＩ造
中に成る蓋の水素を含ませると半導体ＣａＪ光伝専性が
実質的に増大するという発見は、この材ｆｆＱ）数多く
内応用をこの分野に−たらした。 アモルファスシリコンの最も成功してい６光起電船１ノ
一つは一般的（こＰＩＮ構造と呼はれる構成である。不
例帷曹で使用しそしてとり〕分野で一般的に誌められて
いΦＰＩＮ構造は、半導体材料のｎ型（ｎドープ）領域
及びｐ蓋（ｐドープ）領域り）間に設けらｒした半導体
材料の真性（ノンドープ）領域を有する半導体構造を推
称′１−６．この構造はｐｎ接合粋に較べてより＾い■
。。及び■ｇｃをも罠ら丁ことが鉋められている１本発
明は、ｐ型及びｎｌｌ領域の特別り）形成が電荷キャリ
アの受光起電（ｐｈｏｔｏｇｅｎｅｒｉｔｉｏ、ｎ ｏ
ｆ ｃｈａｒｇｅ ｃａｒｒｌｅｒ ）及び装置出力を
実質的に増大させるＰＩＮホモ接酋に向けられている。 アモルファスシリコンＰＩＮＭＩを構成するいくつかの
技術が業界において知られている。こ（ムらＱ〕技術は
シランＧＩＪグロー放電分解をオリ用してｎＷ、Ｐｌｌ
及び真性のアモルファスシリコン−を形成する。この被
着技術はカールソンの米国％鈴第４０６４５２１号によ
って最４Ｉ＜例示さ几、それにはグロー放電でつくっ７
Ｃ４〜６％の光起１に効率を（するＰＩＮ構造が記載さ
れている。従来技術のＰＩＮ￥１ＬＩｌの王な欠陥は、
ディピッド・カールソンが技術−文％Ｆａｃｔｏｒｓ
Ｉｎｆｌｕ＠ｎｃｉｎｇ ｔｈｅｌｃｆｆｉｏｉ＊ｎ
ａｙ ｏｆ Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ５ｉｌｉｃｏｎ
ＳｏｌａｒＣｅｌｌｍ（ア毫ルファスシリコン太陽電
池の効率に作用する因子）“、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｎｏｎ−ＣｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｏｌｉｄｓ 、
３５−３６ （１９８０） 、 １） 、 ７０７
−７１７で指摘し罠工うに、ｐ型層を通す照射において
、クロー放電被着は、伝導性が悪くしかも装に１こおけ
る電荷キャリアク】受光起電に有意義に寄与せずに入射
光エネルギー？吸収するｐ型層をつ〈ａということであ
Φ６ｐ型階のこの乏しい電子特性はネットソーク中へ９
ノホウ素導入に起因し、−ｔ ｉ’Ｌが午導体ソ〕ギヤ
ｙプ中に欠陥状態（ｄ・ｆ＠ｃｔｓｔａｔｅｓ ｉｎ
ｔｈｏ ｇａｐ） ）もたらし、それが再結廿甲・υ
としてｍ＜、ＺｌＯえて、これら力欠陥状態は元＠収２
も罠らし、それが有効光ギャップ２Ｉ層↓９小さくＴり
。 こカニうなｐＩＮＳｉｌｆｉに対して１本発明は広いバ
ンドギャップ２Ｍし従って元エネルギーを真性層・＼実
質的−ζ透過する↓うにＯ１ｃ構成し罠ｐ型領域８有す
るアモルファスシリコンＰＩＮ装置ｉ：ＦＷ供する１本
明細書に記載し１ζ構成技術は一つ力ｐｉＪｌｖｊ域を
もたらす。さらに本発明は、ｐ型及びｎｍ１ｉｉシ〕バ
ンドギヤツプを調節し、ｆｔ起電ｆ！鉦でつくられる開
放回路電圧の増加をもたらすように。 ｐ型及びｎ型力両ｉＩｆ ｆ特に適合させχ構成？提供
Ｔる。 発明力概要 本発明は、シランソ）グロー放電分解で形成した真性（
ノンドープ）噛１：ｉ：有する一方、アルゴン及び水素
のプラズマ中でＳｔ ターゲットから９反応性スパッ
クリングで形成し罠少なくともｐ型髄域を有する、ハイ
ブリッド構造のアモルファスシリコンＰＩＮＳｉｍに向
けられている。こカバイブリッド構造はｐ型及びｎ型層
（Ｑ九バンドギャップを調節する可能性Ｐもたらし、開
放回路電圧（／Ｊ増加と、ｐ型層９〕光バンドギャップ
を論節し欠場合に、ｐ型層による実質的なキャリヤ発生
なしり〕吸収を行なう長期安定欠陥の克服とをも罠らす
。こり）ｐ型層力構属ではＰａｉ！層自身での電荷キャ
リヤによる受光起電が高められるという付随的な利点が
ある。 本発明は青色スペクトル領域における光出力ウフ向上で
示される工うな増加し罠光起電応答性？有する改良され
たアモルファスシリコンＰ］［Ｎ装置に向けら（ｔてい
る。こ２）発明２説明するために、ｗＡ１囚にＰＩＮｍ
ｉｉ力拡大ｍ面断面園を示す。基板１０は一般的に上に
設けられる膜を物理的に支持する基板からなる。基板ｌ
Ｏは、以下に記載するような、上に設ける層を貫通する
ピンホールを避ける友めに、その層の厚さのオーダー（
寸法）の空隙や突起が実質的にない、主＊ｉｉｔ＊コー
ティング表向′）令する。第１因（２Ｊ態様では、基板
ｌＯは一般的に不透明な材料からなるように描かれてい
る。Ｘる態様では、基板１０は例えばセラミック９）よ
うな非電導性＠料からなることができるが、それには４
電性材料１１’／Ｊ上＠階か必蒙である。 選択的に、基板ｉｏは支持基板として及び光起電製置ク
ツ操作におけ少電流を生ずる電極さして働く％ｋからな
Φことができる。いずれの場合にも、基板のコーティン
グ表面はコーティング表面から不楯望な汚染物及び粒子
を除去するために完全に清浄〔ヒ丁０．好ましい態様で
は、を極１０はＮ−型シリコンとオーム接触を形成する
ことが知られている金属例えばモリブデン又はステンレ
ス鋼からなることができる。基板ｌＯが非導電性拐科か
らなる場合には、１ｒ１１１がＮ−型アモルファスシリ
コンとオーム接触を形成することが知られている金属例
えば前記のモリブデン又はクロムＱＪ層からなり、かつ
基板に約１０００〜２０００Ａの厚さて被着することが
好ましい。 ｊｉｌｌ１２は基板のコーティング表山上に被着し友釣
１００Ａ〜約１００ＯＡの厚さのＮｕ水水素化７ルルフ
アスシリコンらなる。水嵩化アモルファスシリコンの技
術に関連して記載されΦ用飴「Ｎｆｆ１（Ｎドープ）」
は、フェルミレベルを伝導帯に近すけ従って膜の導電性
を高める工うに働くリン。 ヒ素及びアンチモンなど力電子的に作出すΦＦ−バント
を含むアモルファスシリコン鳩として足叙することがで
きる。 Ｎ型層１２Ｖｉ反応性スパッタリング又はグロー放電の
いずれかの技術でつくることができる。水素化アモルフ
ァスシリコンＩ／Ｊ ｎ Ｗ Ｎは少量り】ホスフィン
ド−ピングガス２含むシランのグロー放電針ｊ！！ｌ’
？形カｙて゛き２〕。こ９）分解方法は最初に基板２２
００〜４００℃の温度に加熱する工程を含む。 成るＬｔ様では、鼻根をＡｒ 放電中でスバッタエッナ
ンクして史に清浄にすることができる。次いでＳｉｎ、
中０．１＝１％ＰＨ２からなる供給ガスを反１ｔ、管：
（供給し、圧力を所望レベル、通常１（）〜１０ （Ｊ
（Ｊ ｍ’ｒｏｒｌ・ に上げる０次いでＤＣ又Ｕ
ＲＦｔ圧２印加り、てカス０）イオン化２冥施する。膜
のｒ−Ｗ Ｇ’ １ ｋ ８、］乙Ｍ ｌ ００〜ｌ
０００ Ａ ヘラ１ｌｚｋ侵’ｊ−討１各 し７、 そ
りＪ抜ｔＦ３１？解酌゛、する。 こｆｌらい膜ツノ伝尋性に一般的に１０−”Ω−１Ｆｉ
＋ −’であり、そ石、らの光キャップ灯り相当する１
〔性り〕Ｉ！ｉより小さい［Ｅｇ（真性） ｔ、 ７
ｅＶ、 Ｅｇ（ｎＫｌ−） （、１，７ｅＶ 〕。 ｔｉｔｌｅ的なＭｂｋにおいて、水累化アモルファスシ
リコン力ｒｉ型胤・を水素、アルゴン及びポスフィン力
分圧中で反応性スパッタリングして横取することが−（
゛きイ、）。１１型輸タ〕スパツタリング方法は次Ｑ〕
工杭’ｊ−’ｃｓ’む０最初１こ、基板を２ ＋１０へ
１（１０℃Ｑ〕貌度に加熱ずイへアルゴンプラズマ中で
タ−ゲット及び基板グ〕両方をスパッタエツチングする
１、ホスフィン、水嵩及びアルゴンク）気体混合−をス
パッタリング室に形成する。ホスフィン力分圧は５ＸＩ
Ｏ−’〜５Ｘ１０−’ Ｔｏｒｒ、水嵩Ｑ】分Ｉｆ：
、Ｈ５ｘ１０−’ 〜２．ＯＸ Ｊ ０−３Ｔｏｒｒ、
そしてアルゴンの分圧は３ＸｌＯ−” 〜１５Ｘ１０−
” Ｔｏｒｒ である、直径５インチのシリコンターゲ
ットｌζ１（Ｊ（１〜３００７７ ｔ−ＣＩＪＲＰ”電
力をかける。ｋｆｔｌ＋ｉｊｉ。Ｊ厚さ、通常ｉ ｏ
ｏ−ｉ ｏ ｕ ｕＡ＃ｃｒａ長さｔａ。この膜の伝導
度は約１０−”Ω−′３柵であり、そり光ギャップは含
まれる水素の蓋に依存してｔ６〜１．９０ｅＶである。 水素化アモルファスシリコンの真性〜工４は、実質的に
ノンドープのシランカブロー放電分解で破着した約０．
２ミクロン−約１０ミクロンＱ〕厚さのノンドープアモ
ルファスシリコンからなる。本明細書で使用ＴΦよう（
（、用語「真性」汀、最少臘の不純物を含む１こめにそ
の電子的特性が膜・〕】構造とＳｊ及びＭＣＩ）會ｖｍ
とで決まるものとしてｔＲａ付けられるアモルファスシ
リコン領域を短足￥０゜艮好なバ性−Ｖユ、艮好な構造
的峙件ｋ ７１’； ’ｉミーギヤ・ブ苧力状、ｆ線つ
り低い密度（ａ ＩＯＷ ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ ５ｔ
ａｔｅｓｉｎ ｔｈｅ ｇａｐ）としても規定すること
ができる。シランカブロー放電分解に、Ｃ◇真性層の形
成ば次カ」二輪を百０も力とし゛Ｃ−収自月こ日己載す
ることかで１！Φ。 ｍ４υ６Ｃ４’ｔｉｔ’＠ ｋ
ｋｌｊＴ Ｗ ン）ｍ ’ｇ、 ａ常 ２ｏ。 〜４（Ｊ（ＪＣｔ（：上げ。。次＾で５ｉｎ４燃Ｖ＝斗
３反しら器に供鵬し、ｊ上刃ｒ所４力高さ、通′に１ｏ
〜ｉｏｏ。 ｍ’ｌ’ｏｒｒｔこ’Ｊ−４＋。次いでＬｌ（、’ ”
！ｔＪ ＲＦ ’４）ｆ ’ｃ目」加してクロー故−を
開始させる。そ？１から膜を１力Δ力厚さ、遁盾（Ｊ、
２＝ｌ（Ｊμｒ１ｔまで成長させ、そし′〔電圧３−ユ
ずす。 材料９元バンドギャップ’ＩＪＡ節Ｐ提ｉ＃Ｌ”ｒる工
うに時に適合させた形成方法を舊するｐ散水素化アモル
ノアスンリコン噛１６？真件１−１４上に被着「ロウ絹
ｍｌｌ’ｐｍ（ｐドープ）−１μ、水素化アモルノアス
ンリシン力技術に開運して規定さｒしてぃ＾工うに、ン
エルミレベル分価電子帯に近づけ従って映αノ伝導性２
同りさせる〜５（ζ働くボウ粱り］工つな電子的れｈ性
ドーパント３台−んでいるアセルファスシリコン膜とし
て特徴付けるこさができる。 厚さ約８０ｘ〜約３ｏｏｆりＩｐ型階は水素、アルゴン
及びジボラン９ノ分圧中０）多結晶シリコンターゲット
から反応性スパッタリングされ小。ｐ副層カスバユ・ク
リング処理は次シ、】工程＋）含む。ｎ２ｍ及びｐ副層
り）被着の間基板は艷１じ諺度に保つ。ジボラン０１３
分圧ｉ！５ＸＩＯ−＠〜５Ｘ１０− ”ｌ’ｏｒｒであ
り、水素（／Ｊ分圧は０．５−、２．０ ｍ Ｔｏｒｒ
、そしてアルゴンＱ）分圧は３〜１５ｍＴｏｒｒ であ
る。スパッタリングの電ＥＥ（電力）条件はｎ Ｗ Ａ
１１ｌ ｊ（ついて記載し罠もＱ］と同じであ０．こＱ
）膜の伝導度μＩ （＋ −”〜１０’−”Ω−１３−
１であり、その元キャップは１．８・ＶＺジ大きい。 本明細書に記載したように水素化ア干ルノアスシリコン
Ｑ）ｐ型層？特別に適合せしめて構成す金と、業界で他
の者に裏って認められているＬ′）にｓ１置の開放回路
電圧を高めるばかりでなく、さらに実質的な慮の入射光
がそこ２通過して下−ＬＪ）■−の高い九発生領域で吸
収さｎ６半導体「ウィンド層」Ｐも提供Ｔる、ｐ型ｍ）
もよらず。不可部１．４
【こ紀偵しｌζ広（″１バンド
ギャンブカｐ型層力形成ｔユ、γモルフｒスシリＪンハ
イドライド（ｈ欠陥状態ツｒＳ０に窪的な迫、ｂ＋＋な
く１階クツ長いキャリヤ寿命を＆？Ｎ−２、領域のホウ
累トービンクＱ１比較的高い効率？従快しながら、光道
さＣる。 Ａ−ム＋ｆ寛秘１８は透明な伝尋性識化物、例えば酸化
錫インジウム、錫酸カドミウム、又は酸化ｌ＆！２含む
ことができる。これらす）ｎＷ牛導体酸化物μ当業省が
比較的に高くドープさ′Ｊ′１．たｐ城ア七ルフｒヌシ
リコンとオーム接触２形底す◇もシ）として認めＱもシ
〕である。加えて、これらの屈折率はｐＷ７モルフｒス
シリコンの四面とマツチし反射防止膜とな０比較的艮好
な屈折率と与え０．好′ましい態様では、ｖＬＬｌ８は
、直往５インチでＩｒ＋２０３ ／ ９ ’ｈｔｌ ９
１ｒ−８ｎ０２ Ｑ）ｌｄｉｂＶ、２＋ −ｒ ６スバ
ンタリングクーケノト５から反応性スパッタリングした
酸化錫インジウム層からなる＋＋ ターゲットには５０
ワノ＋−ａ）１ｆＬ力を供給す句。酸化錫インジウム層
）被着中基板り約２５０℃に加熱する。酸化錫インジウ
ム層ＱＪ厚さは５００〜７００Ａである工うに選ぶ、比
較的に大面積の１１では、層１８の伝導性を例えば貴金
属の工つな高い導電性の材料によるグリッド２０で補強
してもよい、グリッドパターンを最適化する手段、グリ
ッドの厚さ、及びグリッド自身を形成する手段は光起電
装置の業界において周知である。第１図の−１２及び１
６２逆に丁Φことができる。この場合、最初にＰｇ層を
スパッタリングし、続いてＩ層２グロー放電し、そして
ｎ１ｌｊｉｌをスパッタリング（又にグロー放電）する
、 ｊｌｌｌ ８及び２０は前と同じである。 １１１１４２図に示した態様では、実質的に透明な基板
３０がＷｌｍに基板を通して照射することを許容する。 従って、基板３０は［長約Ｏ，ａミクロン〜約２．０ミ
クロンの光エネルギーの実質的な透過（ａ明性）を示す
材料から選ぶ、基ＩＥ３０に使用するのに適した材料に
祉例えばガラス、石英、サファイアがある。＠１図の態
様について前述したＬうに、基板３０Ｑ」コーティング
表面を入念に清浄化して、上側に形成する膜にピンホー
ルをもたらす粒子等を除去する。伝導性酸化物はその上
に被着されるｐ型アモルファスシリコン層トＱ）オーム
接触を提供すΦように選ぶ、この工うな酸化物の例には
酸化錫インジウム、錫酸カドミニウム、又はアンチモン
をドープした酸化錫がある。比較的大（２）横Ｑ】ｗｉ
Ｉｌｌのために、高い導電性金属、例えばニクロム、銀
勢からなるグリッド１３１に工って層３２Ｑ】伝導性を
補強することができる。 ｊｍ３２の表面上にｐｓｉ水素水素化７フルフアスシリ
コ２１４を反応性スパッタリングする。この鳩ジノ厚さ
は一般的にｌｏｏ！である０層３４の被着パラメータは
第）因Ｃ）〕層１６として示した先の態様の２ｍ４１Ｈ
）ためｉ（起振し九ものと贅質的にｍ−である。 真性アモルファスシリコンｒＩ１１３６を約２００ Ａ
〜約５０ＯＡの厚さに４３４上に被着丁心、真性層及び
ｐａｌ！層について述べた工うに％ｎ渥層の構成は先ｃ
／Ｊｌｌ様で述べ友ｎｌｌ鳩と実質的にｍ−である。 オー五ＷＭ４ＯＵｎ製アモルファスシリコンとオーム接
触を形成することが知られている材料、例えばクロム、
モリブデン等から選択する。これらＱ）＠は蒸着又はス
パッタリングで被着される。 先り）態様で述べた工うに、ｐ型層３４の特別に適合さ
れた構成は、改良された嗅ｆｅ、匙電及びドーピング効
率特性を有する広いバンドギャップ半導体をもたらして
、増加し友開放回路電圧と向上した青色応答性の両方？
有するアモルファスシリコンＰ Ｉ Ｎｕｌｌをもたら
す。 第３図を参照すると、曲線Ｂ及びＣは、従来技術のＰ
Ｉ Ｎ１１ｉにＰ型層儒から光照射した場合り）スペク
トル光応答性？一般的に特徴付け／）収集効率２ベクト
ルを示してい６．対照して、本発明に依り構成し友改良
ＰＩＮｌｉｉｉにおけるスペクトルＡを示したが、全波
長領域における実質的に増大した光応答性を明示してい
る。
ギャンブカｐ型層力形成ｔユ、γモルフｒスシリＪンハ
イドライド（ｈ欠陥状態ツｒＳ０に窪的な迫、ｂ＋＋な
く１階クツ長いキャリヤ寿命を＆？Ｎ−２、領域のホウ
累トービンクＱ１比較的高い効率？従快しながら、光道
さＣる。 Ａ−ム＋ｆ寛秘１８は透明な伝尋性識化物、例えば酸化
錫インジウム、錫酸カドミウム、又は酸化ｌ＆！２含む
ことができる。これらす）ｎＷ牛導体酸化物μ当業省が
比較的に高くドープさ′Ｊ′１．たｐ城ア七ルフｒヌシ
リコンとオーム接触２形底す◇もシ）として認めＱもシ
〕である。加えて、これらの屈折率はｐＷ７モルフｒス
シリコンの四面とマツチし反射防止膜とな０比較的艮好
な屈折率と与え０．好′ましい態様では、ｖＬＬｌ８は
、直往５インチでＩｒ＋２０３ ／ ９ ’ｈｔｌ ９
１ｒ−８ｎ０２ Ｑ）ｌｄｉｂＶ、２＋ −ｒ ６スバ
ンタリングクーケノト５から反応性スパッタリングした
酸化錫インジウム層からなる＋＋ ターゲットには５０
ワノ＋−ａ）１ｆＬ力を供給す句。酸化錫インジウム層
）被着中基板り約２５０℃に加熱する。酸化錫インジウ
ム層ＱＪ厚さは５００〜７００Ａである工うに選ぶ、比
較的に大面積の１１では、層１８の伝導性を例えば貴金
属の工つな高い導電性の材料によるグリッド２０で補強
してもよい、グリッドパターンを最適化する手段、グリ
ッドの厚さ、及びグリッド自身を形成する手段は光起電
装置の業界において周知である。第１図の−１２及び１
６２逆に丁Φことができる。この場合、最初にＰｇ層を
スパッタリングし、続いてＩ層２グロー放電し、そして
ｎ１ｌｊｉｌをスパッタリング（又にグロー放電）する
、 ｊｌｌｌ ８及び２０は前と同じである。 １１１１４２図に示した態様では、実質的に透明な基板
３０がＷｌｍに基板を通して照射することを許容する。 従って、基板３０は［長約Ｏ，ａミクロン〜約２．０ミ
クロンの光エネルギーの実質的な透過（ａ明性）を示す
材料から選ぶ、基ＩＥ３０に使用するのに適した材料に
祉例えばガラス、石英、サファイアがある。＠１図の態
様について前述したＬうに、基板３０Ｑ」コーティング
表面を入念に清浄化して、上側に形成する膜にピンホー
ルをもたらす粒子等を除去する。伝導性酸化物はその上
に被着されるｐ型アモルファスシリコン層トＱ）オーム
接触を提供すΦように選ぶ、この工うな酸化物の例には
酸化錫インジウム、錫酸カドミニウム、又はアンチモン
をドープした酸化錫がある。比較的大（２）横Ｑ】ｗｉ
Ｉｌｌのために、高い導電性金属、例えばニクロム、銀
勢からなるグリッド１３１に工って層３２Ｑ】伝導性を
補強することができる。 ｊｍ３２の表面上にｐｓｉ水素水素化７フルフアスシリ
コ２１４を反応性スパッタリングする。この鳩ジノ厚さ
は一般的にｌｏｏ！である０層３４の被着パラメータは
第）因Ｃ）〕層１６として示した先の態様の２ｍ４１Ｈ
）ためｉ（起振し九ものと贅質的にｍ−である。 真性アモルファスシリコンｒＩ１１３６を約２００ Ａ
〜約５０ＯＡの厚さに４３４上に被着丁心、真性層及び
ｐａｌ！層について述べた工うに％ｎ渥層の構成は先ｃ
／Ｊｌｌ様で述べ友ｎｌｌ鳩と実質的にｍ−である。 オー五ＷＭ４ＯＵｎ製アモルファスシリコンとオーム接
触を形成することが知られている材料、例えばクロム、
モリブデン等から選択する。これらＱ）＠は蒸着又はス
パッタリングで被着される。 先り）態様で述べた工うに、ｐ型層３４の特別に適合さ
れた構成は、改良された嗅ｆｅ、匙電及びドーピング効
率特性を有する広いバンドギャップ半導体をもたらして
、増加し友開放回路電圧と向上した青色応答性の両方？
有するアモルファスシリコンＰ Ｉ Ｎｕｌｌをもたら
す。 第３図を参照すると、曲線Ｂ及びＣは、従来技術のＰ
Ｉ Ｎ１１ｉにＰ型層儒から光照射した場合り）スペク
トル光応答性？一般的に特徴付け／）収集効率２ベクト
ルを示してい６．対照して、本発明に依り構成し友改良
ＰＩＮｌｉｉｉにおけるスペクトルＡを示したが、全波
長領域における実質的に増大した光応答性を明示してい
る。
第１図は本発明に依るＰＩＮアモルファスシリコン装置
の拡大−勇断面図、第２図は本発明に依るＮＩＰアモル
ファスシリコン＠置ａ〕拡大１１方１＊ｒ面図、第３図
祉本発明に依り製造し九ＰＩＮ装置の光起電応答性【従
来技術Ｑ）それと比較するグラフでＩｈΦ。 ｌＯ・・・・・・基板、１２・・・・・・Ｎ１１ｍ１．
１４・・・・・・１層、１６・・・・・・ｐ型層、１８
・・・・・・電極、３０・・・・・・基板１．３４・・
・・・・ｐ型層、３６・・・・・・ＩＩＩ、３８ ・・
・Ｎ型層。 特ト出動人 エクソン リサーチ アンド エンジニアリング カンパニー 特許出願代理人 弁理士 宵 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士、古 負 哲 次 ９ｆ理士 山 口 昭 之 図面の浄書（内容に変更なし） 九 １１ ＦＩＧ、 １ ＦＩＧ、 ３ 手続補正書（方式） ％式％ 特許庁長官 若松 オロ 夫 殿 １、二ｊ￥件の表示 昭和５７年 特許願 第１０１５３０号２、発明の名
称 ＰＩＮ光起祇装置及びその製造方法 ３、補正をする者 小件との関係 特許出願人 ４、代理人 一ル ・、１ ・１ （外 ３ 乙） ５、神正砧令の日付 昭邊１ｊ５７年９月２８日 （発送日）６、補正の対象 図 面 ７ 補正の内容 図面の浄書（内容に変更なし） ８ 添付書類の目録 浄書図面 １通
の拡大−勇断面図、第２図は本発明に依るＮＩＰアモル
ファスシリコン＠置ａ〕拡大１１方１＊ｒ面図、第３図
祉本発明に依り製造し九ＰＩＮ装置の光起電応答性【従
来技術Ｑ）それと比較するグラフでＩｈΦ。 ｌＯ・・・・・・基板、１２・・・・・・Ｎ１１ｍ１．
１４・・・・・・１層、１６・・・・・・ｐ型層、１８
・・・・・・電極、３０・・・・・・基板１．３４・・
・・・・ｐ型層、３６・・・・・・ＩＩＩ、３８ ・・
・Ｎ型層。 特ト出動人 エクソン リサーチ アンド エンジニアリング カンパニー 特許出願代理人 弁理士 宵 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士、古 負 哲 次 ９ｆ理士 山 口 昭 之 図面の浄書（内容に変更なし） 九 １１ ＦＩＧ、 １ ＦＩＧ、 ３ 手続補正書（方式） ％式％ 特許庁長官 若松 オロ 夫 殿 １、二ｊ￥件の表示 昭和５７年 特許願 第１０１５３０号２、発明の名
称 ＰＩＮ光起祇装置及びその製造方法 ３、補正をする者 小件との関係 特許出願人 ４、代理人 一ル ・、１ ・１ （外 ３ 乙） ５、神正砧令の日付 昭邊１ｊ５７年９月２８日 （発送日）６、補正の対象 図 面 ７ 補正の内容 図面の浄書（内容に変更なし） ８ 添付書類の目録 浄書図面 １通
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、水素化アモルファスシリコン本体を有するＰＩＮ光
起電装置であって、 河）基板。 （ロ）前記基板ｌこ被着したｎ型アモルファスンリコン
１ｌｌ１１ （ハ）前記ｒｓｆｌｉ層に被着した真性アモルフーｒス
シリコンＩ。 に）前記真性層に反応性７バツタリング（７罠ｐＨアモ
ルファスシリコン層、該ｐ型層は１１．８ｅＶ エフ大
きいバンドギャップを庸するこき２％黴とし、かつ前記
真性層と半導体Ｗ！酋を形成する、を含んでＭｔ６光起
電ｗｉｔ。 λ 前記ｐ麿鳩が約１．８ｅＶ〜約２．ＯｅＶの）ゝン
ドギャップを有するｌ＊求の範囲Ｉ１１項紀叡の光起電
ｔｉＩ１１゜ ３、＃紀ｐ麿場における波長領域４００（Ｊ〜６０００
Ａの入射光が実質的に吸収されずに＃ｐ製層を通過して
前記真性層に工らて吸収される特許請求の範囲第２ＪＪ
記載の光起電装置。 ４、＃Ｉ紀ｐｇ層がそれぞれ約０．５ｍＴｏｒｒ〜約２
、ＯｍＴｏｒｒ及び約３ｍＴｏｒｒ〜約１５ｍＴｂｒｒ
の水嵩及びアルゴン分圧で反応性スパッタリングさ
れてＭｔ６％ｎｔｇ求の範囲第３項記載の光起電装置。 ５、＃記ｈ＊がｎＭアモルファスシリコンとオーム接触
を形成することが知られている導電性材料９少なくとも
一領域を有する特許請求の範Ｗｊ１＊４１１記載の光起
電装置。 ６、前記ｐ＃Ｍ層が前記基板に約０ボルト〜約十ＩＵＯ
ポルト（１）ＤＣバイアスをかけながらスパッタリング
して敢る特許請求の範−＠５項記載σ〕光起電装置。 ７、 １Ｉｉｌ記真性アモルファスシリコン層がシラン
のグロー放電分解にエフ被着されて成る特許請求の範囲
ｗ４６項記ｗＸの光起電装置。 ８、 ｓｌｉ記ｎ型アモルファスシリコン層がネスフ
ィンをドープしてシランカブロー放電分解又はＡｒ ”
Ｈ２” Ｐ Ｈｓ Ｅ含むプラズマ中い、Ｘバッタ
リングで被着されて成る特許請求の範凹ｌ＠６項紀観の
光起電装置。 ９、 ＠記ｐａｉ１層が約ｓ ｏ Ａ： 〜約ｚｏｏ
ｉの厚さである特許請求の範ＷＩＩＩａ項記載の光起電
ｖｉｉ智。 幻、増加し丸背色光応答性を示す水素化アモルファスシ
リコンＰＩＮ光起電ｆｌ置２Ｍ造する方法であって、 （イ） ｎｕアモルファスシリコンとオーム振触を形
成Ｔ６１１電性材Ｈの少なくとも一慣域を有する基４１
を提供し、 ＃１）前記オーム接着上にｎ１Ｍ水嵩化アモルファスシ
リコン層を被着し、 Ｐｊ シラン（１）グ随−放電分解によって前記ｎ［
１１１上にノンドープの真性水嵩化アモルファスンリコ
νｍを被着し。 ←）ＩＩＩ記真性層上にす真性層と半導体飯台を形ｇＴ
るＰａＭ水素化アモルファスンリコン層を反応性スパッ
タリングし、 （ホ）前記真性層上にそこにオーム接触１ｉ−形成する
導電性材料層を被着する。 工程を含む方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/311,546 US4407710A (en) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | Hybrid method of making an amorphous silicon P-I-N semiconductor device |
| US311546 | 1981-10-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5873169A true JPS5873169A (ja) | 1983-05-02 |
Family
ID=23207390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57101530A Pending JPS5873169A (ja) | 1981-10-15 | 1982-06-15 | Ｐｉｎ光起電装置及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4407710A (ja) |
| EP (1) | EP0077601A3 (ja) |
| JP (1) | JPS5873169A (ja) |
| AU (1) | AU548005B2 (ja) |
| CA (1) | CA1187588A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63105091U (ja) * | 1986-12-19 | 1988-07-07 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4527179A (en) * | 1981-02-09 | 1985-07-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Non-single-crystal light emitting semiconductor device |
| JPS59108370A (ja) * | 1982-12-14 | 1984-06-22 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光起電力装置 |
| GB2137810B (en) * | 1983-03-08 | 1986-10-22 | Agency Ind Science Techn | A solar cell of amorphous silicon |
| US4529619A (en) * | 1984-07-16 | 1985-07-16 | Xerox Corporation | Ohmic contacts for hydrogenated amorphous silicon |
| US5273919A (en) * | 1985-06-20 | 1993-12-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing a thin film field effect transistor |
| JP2907128B2 (ja) * | 1996-07-01 | 1999-06-21 | 日本電気株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
| JP5857237B2 (ja) * | 2010-11-29 | 2016-02-10 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 太陽電池セル及び太陽電池モジュール |
| US9112103B1 (en) | 2013-03-11 | 2015-08-18 | Rayvio Corporation | Backside transparent substrate roughening for UV light emitting diode |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4064521A (en) * | 1975-07-28 | 1977-12-20 | Rca Corporation | Semiconductor device having a body of amorphous silicon |
| US4342044A (en) * | 1978-03-08 | 1982-07-27 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method for optimizing photoresponsive amorphous alloys and devices |
| FR2461763A1 (fr) * | 1979-07-20 | 1981-02-06 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'elaboration de couches de silicium amorphe fluore par la methode de pulverisation cathodique |
| US4339470A (en) * | 1981-02-13 | 1982-07-13 | Rca Corporation | Fabricating amorphous silicon solar cells by varying the temperature _of the substrate during deposition of the amorphous silicon layer |
| US4417092A (en) * | 1981-03-16 | 1983-11-22 | Exxon Research And Engineering Co. | Sputtered pin amorphous silicon semi-conductor device and method therefor |
-
1981
- 1981-10-15 US US06/311,546 patent/US4407710A/en not_active Expired - Fee Related
-
1982
- 1982-06-08 AU AU84667/82A patent/AU548005B2/en not_active Ceased
- 1982-06-15 EP EP82303096A patent/EP0077601A3/en not_active Withdrawn
- 1982-06-15 JP JP57101530A patent/JPS5873169A/ja active Pending
- 1982-06-17 CA CA000405405A patent/CA1187588A/en not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63105091U (ja) * | 1986-12-19 | 1988-07-07 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU8466782A (en) | 1983-04-21 |
| AU548005B2 (en) | 1985-11-14 |
| CA1187588A (en) | 1985-05-21 |
| EP0077601A3 (en) | 1984-10-03 |
| EP0077601A2 (en) | 1983-04-27 |
| US4407710A (en) | 1983-10-04 |
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