JPH0334061B2 - - Google Patents
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- JPH0334061B2 JPH0334061B2 JP60198020A JP19802085A JPH0334061B2 JP H0334061 B2 JPH0334061 B2 JP H0334061B2 JP 60198020 A JP60198020 A JP 60198020A JP 19802085 A JP19802085 A JP 19802085A JP H0334061 B2 JPH0334061 B2 JP H0334061B2
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
- G03G5/102—Bases for charge-receiving or other layers consisting of or comprising metals
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
- G03G5/104—Bases for charge-receiving or other layers comprising inorganic material other than metals, e.g. salts, oxides, carbon
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は第１の層として非晶質シリコン層を、
第２の層として炭素又はシリコンを主成分元素と
する非晶質半導体（以下、ａ−Si1-xCx、０＜ｘ
≦１と記す。）を用い、第１と第２の層とのヘテ
ロ接合を含む電子写真用感光層に関する。
第２の層として炭素又はシリコンを主成分元素と
する非晶質半導体（以下、ａ−Si1-xCx、０＜ｘ
≦１と記す。）を用い、第１と第２の層とのヘテ
ロ接合を含む電子写真用感光層に関する。
従来高い光導電性を有し且つ高い暗抵抗をもつ
ため、長時間の電荷保持能を有し更に高電界を印
加し得る物質としてSe、Cds等が知られている。
しかし、これらの物質は有毒で公害物質に属し、
これに代わる無公害材料を用いた電子写真用感光
層が強く望まれている。
ため、長時間の電荷保持能を有し更に高電界を印
加し得る物質としてSe、Cds等が知られている。
しかし、これらの物質は有毒で公害物質に属し、
これに代わる無公害材料を用いた電子写真用感光
層が強く望まれている。
近年無公害性の材料として、非晶質シリコン
（ａ−Siと記す。）が強い光導電性を有するものと
して注目されているが、この材料の室温暗化抵抗
は高々1013Ω・cm程度であり、電流、電圧特性の
降伏電界が低く、高電圧・高電界を印加すること
ができず、且つ暗電流が大きく、電荷の長時間保
持能も小さいとゆう欠点があつた。
（ａ−Siと記す。）が強い光導電性を有するものと
して注目されているが、この材料の室温暗化抵抗
は高々1013Ω・cm程度であり、電流、電圧特性の
降伏電界が低く、高電圧・高電界を印加すること
ができず、且つ暗電流が大きく、電荷の長時間保
持能も小さいとゆう欠点があつた。
近年ａ−Si1-xCxの製法や存在はPhi1.Mag.、
P1、Vol.35（1978）等に開示されており、炭素濃
度ｘを増加させれば、ある濃度まではエネルギー
ギヤツプ（Eg）が増加し、同時に室温暗比抵抗
も増加することが開示されているが、この材料が
光導電性をもつ事を検討した報告は見当たらな
い。
P1、Vol.35（1978）等に開示されており、炭素濃
度ｘを増加させれば、ある濃度まではエネルギー
ギヤツプ（Eg）が増加し、同時に室温暗比抵抗
も増加することが開示されているが、この材料が
光導電性をもつ事を検討した報告は見当たらな
い。
本発明はこのａ−Si1-xCxの特性を詳細に検討
した結果、炭素を含有するこの材料が高い室温暗
比抵抗を有し、優れた光導電性をもち、且つこの
材料に注入された電荷を輸送し得る機能をもつ事
を発見したことにもとずくものである。更に第１
の非晶質シリコン層と第２の炭素又はシリコンを
主成分元素とする非晶質半導体層ａ−Si1-xCx、
０＜ｘ＜１とのヘテロ接合を形成することによ
り、第１の層の広い感光波長域特性と第２の層の
高い耐電圧性を兼ねそなえた良好な電子写真用感
光層を得たものである。
した結果、炭素を含有するこの材料が高い室温暗
比抵抗を有し、優れた光導電性をもち、且つこの
材料に注入された電荷を輸送し得る機能をもつ事
を発見したことにもとずくものである。更に第１
の非晶質シリコン層と第２の炭素又はシリコンを
主成分元素とする非晶質半導体層ａ−Si1-xCx、
０＜ｘ＜１とのヘテロ接合を形成することによ
り、第１の層の広い感光波長域特性と第２の層の
高い耐電圧性を兼ねそなえた良好な電子写真用感
光層を得たものである。
本発明の目的は可視域の光に対し高い光導電性
を有し、高耐電圧性で暗電流が小さく且つ無公害
性の材料を用いた電子写真用感光層を提供するこ
とにある。
を有し、高耐電圧性で暗電流が小さく且つ無公害
性の材料を用いた電子写真用感光層を提供するこ
とにある。
本発明の他の目的は機械的強度に富み、対刷性
に優れた電子写真感光層を提供することにある。
に優れた電子写真感光層を提供することにある。
本発明の更に他の目的は感光波長領域を選定で
き、製作の容易な電子写真感光層を提供すること
にある。
き、製作の容易な電子写真感光層を提供すること
にある。
上記した本発明の目的は第１の非晶質シリコン
層と第２の炭素又はシリコンを主成分元素とする
非晶質半導体層（ａ−Si1-xCx、０＜ｘ＜１）と
のヘテロ接合を形成することにより達成されるも
のである。
層と第２の炭素又はシリコンを主成分元素とする
非晶質半導体層（ａ−Si1-xCx、０＜ｘ＜１）と
のヘテロ接合を形成することにより達成されるも
のである。
以下図面を参照しながら本発明を詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明にもとづく電子写真用感光層の
光導電機能確認用半導体素子の基本構成の一例を
示す図である。１は導電性基板、２はａ−Si層、
３はα−Si1-xCx層であり、両者は組成が異なり、
両者の界面で異種接合を有す。４は透明電導膜で
Pt、Au、In2O、SnO2等が用いられ得る。５，６
は素子を外部電気回路へ接続するための電極であ
る。７は電源、８は負荷抵抗であり、素子の光導
電性を用いる場合には図の電源７に接続する。１
１は入射光である。
光導電機能確認用半導体素子の基本構成の一例を
示す図である。１は導電性基板、２はａ−Si層、
３はα−Si1-xCx層であり、両者は組成が異なり、
両者の界面で異種接合を有す。４は透明電導膜で
Pt、Au、In2O、SnO2等が用いられ得る。５，６
は素子を外部電気回路へ接続するための電極であ
る。７は電源、８は負荷抵抗であり、素子の光導
電性を用いる場合には図の電源７に接続する。１
１は入射光である。
層２，３は可視域の照射光に感応して容易に光
励起電荷担体を生成する第１の層２と、ｘの大き
い組成に選定され、第１の層２で、生成された電
荷担体が注入され、これを輸送するエネルギーギ
ヤツプ（Eg）の相対的に大きい高暗抵抗性・透
光性の第２の層３とで構成される。可視の広い波
長域に対する光感応機能を第１の層２にもたせ、
耐高電界・高電圧性及び注入電荷輸送の機能を第
２の層３にもたせた異種接合を形成したことによ
り、高感度・高耐電圧性を有する光導電性半導体
素子を構成するようにしたものである。なお第１
図の層２，３はいずれが第１の層あるいは第２の
層であつてもかまわない。
励起電荷担体を生成する第１の層２と、ｘの大き
い組成に選定され、第１の層２で、生成された電
荷担体が注入され、これを輸送するエネルギーギ
ヤツプ（Eg）の相対的に大きい高暗抵抗性・透
光性の第２の層３とで構成される。可視の広い波
長域に対する光感応機能を第１の層２にもたせ、
耐高電界・高電圧性及び注入電荷輸送の機能を第
２の層３にもたせた異種接合を形成したことによ
り、高感度・高耐電圧性を有する光導電性半導体
素子を構成するようにしたものである。なお第１
図の層２，３はいずれが第１の層あるいは第２の
層であつてもかまわない。
本発明の半導体素子は前述したように、外部印
加電圧に対し高い耐電圧性を有し、かつ高い光感
度を有する光導電素子として設計する場合には、
第１の層（ａ−Si）に対し第２の層〔ａ−Si1-x
Cx（０＜ｘ＜１）〕の組成を大きく変化させ、か
つ高抵抗のものを用いるように設計すれば良い。
加電圧に対し高い耐電圧性を有し、かつ高い光感
度を有する光導電素子として設計する場合には、
第１の層（ａ−Si）に対し第２の層〔ａ−Si1-x
Cx（０＜ｘ＜１）〕の組成を大きく変化させ、か
つ高抵抗のものを用いるように設計すれば良い。
本発明の半導体素子は例えば以下のようにして
製造することができる。基板としては表面が平滑
で光導電体層を堆積する温度例えば150゜〜400℃
に耐え得るものであれば良く、結晶性・非結晶性
を問わない。例えばSi単結晶等の半導体、ステン
レス・アルミニユーム等の金属：石英ガラスやセ
ラミツクスあるいは上記温度に耐え得るプラスチ
ツクフイルム等の絶縁体の表面に金属や金属酸化
物等の導電性被膜をもうけたものが用いられ得
る。これらの基板表面を清浄にしたのち、グロー
放電装置内に設置し、基板温度を適宜加熱する。
室温で構造が安定な気体状を呈するシリコン化合
物、例えばSiH4と室温で構造が安定な気体状を
呈する炭素の化合物例えばC2H4を所望の濃度比
に混合した第１の組成比を有する混合ガス及び第
２の組成比を有する混合ガスをそれぞれ不活性ガ
ス例えばアルゴンに稀釈し、これらの稀釈混合ガ
スを上記グロー放電装置内に順次導き、10-2〜
101Torr台の圧力のもとでグロー放電により順次
所望の時間分解することにより、基板上にはそれ
ぞれ所望の組成・膜厚を有するａ−Si層とａ−
Si1-xCxの層からなる異種接合が形成される。
製造することができる。基板としては表面が平滑
で光導電体層を堆積する温度例えば150゜〜400℃
に耐え得るものであれば良く、結晶性・非結晶性
を問わない。例えばSi単結晶等の半導体、ステン
レス・アルミニユーム等の金属：石英ガラスやセ
ラミツクスあるいは上記温度に耐え得るプラスチ
ツクフイルム等の絶縁体の表面に金属や金属酸化
物等の導電性被膜をもうけたものが用いられ得
る。これらの基板表面を清浄にしたのち、グロー
放電装置内に設置し、基板温度を適宜加熱する。
室温で構造が安定な気体状を呈するシリコン化合
物、例えばSiH4と室温で構造が安定な気体状を
呈する炭素の化合物例えばC2H4を所望の濃度比
に混合した第１の組成比を有する混合ガス及び第
２の組成比を有する混合ガスをそれぞれ不活性ガ
ス例えばアルゴンに稀釈し、これらの稀釈混合ガ
スを上記グロー放電装置内に順次導き、10-2〜
101Torr台の圧力のもとでグロー放電により順次
所望の時間分解することにより、基板上にはそれ
ぞれ所望の組成・膜厚を有するａ−Si層とａ−
Si1-xCxの層からなる異種接合が形成される。
素子製造例
基板１にはSi単結晶（ｐ型10Ω・cm）、ステン
レス、石英ガラス上にIn2O3：SnO2（ITO）透明
導電膜をもうけたものを用いた。13.5MHz高周波
グロー放電装置内で基板温度を250℃に保ち、先
ず第１の層２を約1μｍ形成するため20vol・％の
SiH4を含むArガスを導入し、0.1Torrの圧力でグ
ロー放電分解した。ここで第１の層２であるａ−
Si層が形成された。なお層２は水素の含有された
ａ−Siとなる。ついでC2H4とSiH4を各々18vol・
％濃度混合したArガスを導入し、同じく0.1Torr
でグロー放電分解を行ない第２の層３を約1μｍ
堆積させた。その後Si単結晶、ステンレス基板上
に堆積したａ−Si層とａ−Si1-xCx層の異種接合
を有する膜上にITO4を約1500Å形成した。なお
Ｘ線マイクロアナリシス法による測定の結果第２
の層の組成Ｘは約35％であつた。
レス、石英ガラス上にIn2O3：SnO2（ITO）透明
導電膜をもうけたものを用いた。13.5MHz高周波
グロー放電装置内で基板温度を250℃に保ち、先
ず第１の層２を約1μｍ形成するため20vol・％の
SiH4を含むArガスを導入し、0.1Torrの圧力でグ
ロー放電分解した。ここで第１の層２であるａ−
Si層が形成された。なお層２は水素の含有された
ａ−Siとなる。ついでC2H4とSiH4を各々18vol・
％濃度混合したArガスを導入し、同じく0.1Torr
でグロー放電分解を行ない第２の層３を約1μｍ
堆積させた。その後Si単結晶、ステンレス基板上
に堆積したａ−Si層とａ−Si1-xCx層の異種接合
を有する膜上にITO4を約1500Å形成した。なお
Ｘ線マイクロアナリシス法による測定の結果第２
の層の組成Ｘは約35％であつた。
この素子の光電特性の測定はＡ光源タングステ
ンランプを用い照度230Lxで行つた。
ンランプを用い照度230Lxで行つた。
実施例 １
第２図はｐ型Si基板上にａ−Si層とａ−Si1-x
Cx（０＜ｘ＜１）層の異種接合をもうけ、更に
ITO透明導電膜をもうけた素子の特性を示す。図
に於て曲線１５はSi基板を負にバイアスした場合
の暗電流を、曲線１６は同光電流を示す。又曲線
１７は基板を正にバイアスした場合の暗電流を示
し、曲線１９が光電流を示す。
Cx（０＜ｘ＜１）層の異種接合をもうけ、更に
ITO透明導電膜をもうけた素子の特性を示す。図
に於て曲線１５はSi基板を負にバイアスした場合
の暗電流を、曲線１６は同光電流を示す。又曲線
１７は基板を正にバイアスした場合の暗電流を示
し、曲線１９が光電流を示す。
光導電素子特性としては、上記照度に於て約１
×103倍の光電流・暗電流比が得られ、更に暗電
流密度が１×10-10A／cm2を越える印加電圧は約
10Vであり、この時の平均電界として約３×
104V／cmを得る。比較のため示せばａ−Siのみ
の層を用いて暗電流密度１×10-10A／cm2以下を
得る事は現状では不可能である。
×103倍の光電流・暗電流比が得られ、更に暗電
流密度が１×10-10A／cm2を越える印加電圧は約
10Vであり、この時の平均電界として約３×
104V／cmを得る。比較のため示せばａ−Siのみ
の層を用いて暗電流密度１×10-10A／cm2以下を
得る事は現状では不可能である。
このような暗電流密度の減少は本発明によるα
−Si1-xCx（０＜ｘ＜１）層によるものであり、平
均電界３×104V／cmで１×10-10A／cm2の電流密
度とすれば暗時の平均比抵抗は３×1014Ω・cm相
当と計算され、本発明のα−Si1-xCx（０＜ｘ＜
１）層は非導電性を有するものである。
−Si1-xCx（０＜ｘ＜１）層によるものであり、平
均電界３×104V／cmで１×10-10A／cm2の電流密
度とすれば暗時の平均比抵抗は３×1014Ω・cm相
当と計算され、本発明のα−Si1-xCx（０＜ｘ＜
１）層は非導電性を有するものである。
実施例 ２
ITO表面電極をもうけたステンレス基板上の素
子も、暗電流・光電流特性ともに、第２図とほと
んど同様の特性を示した。
子も、暗電流・光電流特性ともに、第２図とほと
んど同様の特性を示した。
実施例 ３
約1000ÅのAu・Sb合金膜を表面電極としても
うけたSi基板上の素子特性を第３図に示す。曲線
２０，２１基板を負にバイアスした場合の暗電流
光電流を各々示す。又曲線２２，２３は基板を正
にバイアスした場合の暗電流・光電流を示す。光
電流密度は第３図に比べ低下しているが、これは
比較的“厚い”半透明電導膜を用いたためであ
る。しかし暗電流は特に変化していない。更に
Au・Sb電極を用いたため、本電極とａ−Si1-xCx
（０＜ｘ＜１）層との界面の障壁が減少したため
か、光起電力は発生せず正負両バイアス方向とも
極めて良く似かよつた特性を示す。
うけたSi基板上の素子特性を第３図に示す。曲線
２０，２１基板を負にバイアスした場合の暗電流
光電流を各々示す。又曲線２２，２３は基板を正
にバイアスした場合の暗電流・光電流を示す。光
電流密度は第３図に比べ低下しているが、これは
比較的“厚い”半透明電導膜を用いたためであ
る。しかし暗電流は特に変化していない。更に
Au・Sb電極を用いたため、本電極とａ−Si1-xCx
（０＜ｘ＜１）層との界面の障壁が減少したため
か、光起電力は発生せず正負両バイアス方向とも
極めて良く似かよつた特性を示す。
従つて良好な異種接合面が形成されていると推
測される。
測される。
実施例 ４
実施例３と約1000ÅのAuSb合金膜を表面電極
としてもうけたステンレス基板上の素子も、第３
図とほとんど同様の特性を示す。
としてもうけたステンレス基板上の素子も、第３
図とほとんど同様の特性を示す。
実施例 ５
前記実施例の素子の製作に用いたａ−Si1-xCx
（０＜ｘ＜１）層及び従来素子であるSe、CdS等
を光導電膜とする素子をステンレス製ピンセツト
の先端で引つ掻き、機械的強度を比較した。
（０＜ｘ＜１）層及び従来素子であるSe、CdS等
を光導電膜とする素子をステンレス製ピンセツト
の先端で引つ掻き、機械的強度を比較した。
従来のSe、CdSを用いた素子は容易に傷ついた
が、本発明による素子では相当の力で押圧した
が、何ら機械的損傷は認められなかつた。
が、本発明による素子では相当の力で押圧した
が、何ら機械的損傷は認められなかつた。
第４図に前記した実施例の素子の光導電特性の
分光感度分布を示す。曲線２４，２５は各々表面
電極としてAu・Sb、ITOをもうけた素子の特性
である。曲線２６はａ−Si単層膜（約0.7μｍ）の
分光感度分布を相対値として示す。曲線２４，２
５は約490nｍに最高感度を有し、これより長波
長側では、曲線２６とほぼ相似の傾向を示して感
度が低下する。前述したように本実施例の素子の
第２の層の組成はｘ＝0.35であり、この組成では
エネルギーギヤツプが約2.3eVをもつため、第２
の層のみではこのような長波長側に感度はない。
長波長側の総合感度として、ａ−Siの感度分布と
同様の傾向を示すことから、この素子は第１の層
のａ−Si層で光励起された荷電担体が第２の層に
注入され輸送されている事は明らかである。他方
490nｍより短波長側で素子の感度が低下してい
るのは、光入射側に組成ｘ＝0.35の第２の層があ
り、この層で入射光が吸収されているためと考え
られる。この短波長での感度低下は、第２の層の
組成ｘを増しエネルギーギヤツプを大きくすれば
避けられる。他方第１の層の方向から光入射を行
なう構成にすれば、第２の層による減衰を受ける
事なく、入射光を第１の層に導く事が可能とな
る。
分光感度分布を示す。曲線２４，２５は各々表面
電極としてAu・Sb、ITOをもうけた素子の特性
である。曲線２６はａ−Si単層膜（約0.7μｍ）の
分光感度分布を相対値として示す。曲線２４，２
５は約490nｍに最高感度を有し、これより長波
長側では、曲線２６とほぼ相似の傾向を示して感
度が低下する。前述したように本実施例の素子の
第２の層の組成はｘ＝0.35であり、この組成では
エネルギーギヤツプが約2.3eVをもつため、第２
の層のみではこのような長波長側に感度はない。
長波長側の総合感度として、ａ−Siの感度分布と
同様の傾向を示すことから、この素子は第１の層
のａ−Si層で光励起された荷電担体が第２の層に
注入され輸送されている事は明らかである。他方
490nｍより短波長側で素子の感度が低下してい
るのは、光入射側に組成ｘ＝0.35の第２の層があ
り、この層で入射光が吸収されているためと考え
られる。この短波長での感度低下は、第２の層の
組成ｘを増しエネルギーギヤツプを大きくすれば
避けられる。他方第１の層の方向から光入射を行
なう構成にすれば、第２の層による減衰を受ける
事なく、入射光を第１の層に導く事が可能とな
る。
上述の素子を実際の高電圧の表面電荷を付与し
選択的な光照射により光導電性を利用して選択的
に表面電荷を放電し、印刷等に利用する電子写真
用感光層として利用するには、例えば第１図に於
て表面電極４を取り除いた構成となし、素子の耐
電圧性を増すような設計をなせば良い。
選択的な光照射により光導電性を利用して選択的
に表面電荷を放電し、印刷等に利用する電子写真
用感光層として利用するには、例えば第１図に於
て表面電極４を取り除いた構成となし、素子の耐
電圧性を増すような設計をなせば良い。
以上本発明を詳細に説明したように、本発明で
は組成ｘを連続的に制御できるａ−Si1-xCxとａ
−Siの異種接合を用いた電子写真用感光層を提供
するものであり、第１の層に光励起担体生成機能
を、相対的に組成ｘの大きい第２の層に透光性と
耐電界性の機能ならびに光励起担体の輸送機能を
分担することにより、それぞれの層のもつ特長を
発揮させ得たものである。このため本発明の感光
層は、 (1) 可視光域の光に高い感度を有し、耐高電界高
電圧性で、暗電流の小さい感光層を提供でき
る。
は組成ｘを連続的に制御できるａ−Si1-xCxとａ
−Siの異種接合を用いた電子写真用感光層を提供
するものであり、第１の層に光励起担体生成機能
を、相対的に組成ｘの大きい第２の層に透光性と
耐電界性の機能ならびに光励起担体の輸送機能を
分担することにより、それぞれの層のもつ特長を
発揮させ得たものである。このため本発明の感光
層は、 (1) 可視光域の光に高い感度を有し、耐高電界高
電圧性で、暗電流の小さい感光層を提供でき
る。
(2) 機械的強度に富む感光層を提供でき、耐摩耗
性の要求される電子写真技術分野の用途に極め
て有用である。
性の要求される電子写真技術分野の用途に極め
て有用である。
(3) 異種接合形成の温度が低く、かつ形成後の熱
処理を要さず、さらに非晶質であるため基板材
料及び基板形状の選択範囲が広く、製作が簡単
であり用途目的に応じて自由の形状の感光層を
提供できる。
処理を要さず、さらに非晶質であるため基板材
料及び基板形状の選択範囲が広く、製作が簡単
であり用途目的に応じて自由の形状の感光層を
提供できる。
(4) 基本構成材料が無毒・無公害である。
等の効果を有し、産業的価値が極めて大なるもの
である。
である。
第１図は本発明の一実施例の感光層の光導電機
能確認用半導体素子の基本構成を示す概要図、第
２図、第３図は本発明の感光層の光電機能確認用
半導体素子の一実施例における印加電圧と暗電
流・光電流の関係を示す図、第４図は本発明の半
導体素子の一実施例における光電流と入射光波長
の関係を示す図である。 １……導電性基板、２……ａ−Si層、３……ａ
−Si1-xCx層、４……透明導電膜、５，６……電
極、７……電源、８……負荷抵抗、９……スイツ
チ。
能確認用半導体素子の基本構成を示す概要図、第
２図、第３図は本発明の感光層の光電機能確認用
半導体素子の一実施例における印加電圧と暗電
流・光電流の関係を示す図、第４図は本発明の半
導体素子の一実施例における光電流と入射光波長
の関係を示す図である。 １……導電性基板、２……ａ−Si層、３……ａ
−Si1-xCx層、４……透明導電膜、５，６……電
極、７……電源、８……負荷抵抗、９……スイツ
チ。
Claims (1)
- １ 支持体上に第１および第２の層を形成し、前
記第１の層を非晶質シリコン層、前記第２の層を
炭素またはシリコンを主成分元素とする非導電性
の非晶質半導体層（α−Si1-xCx、０＜ｘ＜１）
とし、前記第１の層と第２の層とがヘテロ接合を
形成している電子写真用感光層。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60198020A JPS61233751A (ja) | 1979-03-26 | 1985-09-06 | 電子写真用感光層 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54035873A JPS5944791B2 (ja) | 1979-03-26 | 1979-03-26 | 半導体素子 |
| JP60198020A JPS61233751A (ja) | 1979-03-26 | 1985-09-06 | 電子写真用感光層 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54035873A Division JPS5944791B2 (ja) | 1979-03-26 | 1979-03-26 | 半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61233751A JPS61233751A (ja) | 1986-10-18 |
| JPH0334061B2 true JPH0334061B2 (ja) | 1991-05-21 |
Family
ID=26374878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60198020A Granted JPS61233751A (ja) | 1979-03-26 | 1985-09-06 | 電子写真用感光層 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61233751A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115551A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
-
1985
- 1985-09-06 JP JP60198020A patent/JPS61233751A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61233751A (ja) | 1986-10-18 |
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