JPS5873908A - 高周波用誘電体磁器組成物 - Google Patents
高周波用誘電体磁器組成物Info
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- JPS5873908A JPS5873908A JP56172481A JP17248181A JPS5873908A JP S5873908 A JPS5873908 A JP S5873908A JP 56172481 A JP56172481 A JP 56172481A JP 17248181 A JP17248181 A JP 17248181A JP S5873908 A JPS5873908 A JP S5873908A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
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- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4686—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on phases other than BaTiO3 perovskite phase
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波贋霞電体纏―親虞物に−し、轡に高周波
Ｍ會九紘−魔補償用として好適な高周波Ｍ＃電体纏薯ｍ
成酸物閤する。
Ｍ會九紘−魔補償用として好適な高周波Ｍ＃電体纏薯ｍ
成酸物閤する。
従来、マイク°Ｐ波回路に＄′いては、フィルターの小
臘化、一体ｌ１１１ＩＩｌ１１の岡演数安宜化、インビ
ーメｙス葺會Ｍｅ Ｗンデン管等の目的に広く誘電体ａ
Ｓｉｔ科がａｍ−ａれて亀九、このようなマイクロ波領
−ｇ＊ＮＪ噛れる誘電体磁器材料としては、参るａｌｌ
！０高誘電率を有し、無負荷Ｑ＃高くかつ共振周波数ｉ
ｍ＊係数−小１（、七Ｏｓ度特性の直線性ＯＩＬ好なこ
とが希望される。そして仁のような用途Ｋｏｊｉ−ｉｆ
れる誘電体１ｍ５ｉ材料としていくつかの麟威物が知ら
れているが、七〇中でＢａ０−ＴＩＯ。
臘化、一体ｌ１１１ＩＩｌ１１の岡演数安宜化、インビ
ーメｙス葺會Ｍｅ Ｗンデン管等の目的に広く誘電体ａ
Ｓｉｔ科がａｍ−ａれて亀九、このようなマイクロ波領
−ｇ＊ＮＪ噛れる誘電体磁器材料としては、参るａｌｌ
！０高誘電率を有し、無負荷Ｑ＃高くかつ共振周波数ｉ
ｍ＊係数−小１（、七Ｏｓ度特性の直線性ＯＩＬ好なこ
とが希望される。そして仁のような用途Ｋｏｊｉ−ｉｆ
れる誘電体１ｍ５ｉ材料としていくつかの麟威物が知ら
れているが、七〇中でＢａ０−ＴＩＯ。
系ｏｆｌａｌｌｈｌ＃ｍｍＫりいても提案喋れている。
しかしながら従来Ｏ此種Ｂｏｏ−Ｔｉ偽畢装置では、。
例えば前記Ｏ如自マイタロ波領域ｖｃｌｌ！Ｍｌれる誘
電体磁ＩＮＫ対して＊ｔａされる特性が不安定であった
Ｌ を九製造↓程が―かしく、そＯｋめに量産性に久け
ｆｔｐ共振共振波周波１１０１１数を正確に制御すると
七が１ｉｉａｉで、Ｔｏつたヤ、壜九共振周波数１１度
４Ｉ性の直線性がｈｔ勤皇（ないため１局部発振回路の
周波数安寓化用として紘問題があるなど、い（りかの欠
点が存在した。
電体磁ＩＮＫ対して＊ｔａされる特性が不安定であった
Ｌ を九製造↓程が―かしく、そＯｋめに量産性に久け
ｆｔｐ共振共振波周波１１０１１数を正確に制御すると
七が１ｉｉａｉで、Ｔｏつたヤ、壜九共振周波数１１度
４Ｉ性の直線性がｈｔ勤皇（ないため１局部発振回路の
周波数安寓化用として紘問題があるなど、い（りかの欠
点が存在した。
しえがって本発明ｏｉｉｔｈ娘ζＯよう亀問題点を改譬
し良、共振周波数一度特性を小さくかつ直線性をよくシ
、磁１１４１性Ｏ安定なりａＯ−ｘ’ｌ’１ｏｓ（４＜
ｘ ＜ ４．５ ） ；４Ｋ）ｍ電体磁ＩＩＪｌ虞物を
蝿供するも０である。
し良、共振周波数一度特性を小さくかつ直線性をよくシ
、磁１１４１性Ｏ安定なりａＯ−ｘ’ｌ’１ｏｓ（４＜
ｘ ＜ ４．５ ） ；４Ｋ）ｍ電体磁ＩＩＪｌ虞物を
蝿供するも０である。
そしてｅ、ＯようなＮ的を達成する丸めに２本発明でａ
、 ＢａＯ、７１０ｇおよび５ｎｏｕｔ）Ｓ成分を有
す為誘電体磁器組成物であって、これをＢａ０４ｘ（（
１−ｙ）ＴＩへ・ｙ８ｎｏｍ ）で表わしたと會に、翼
、ｙがそれぞれ％に比で４＜ｘ＜４５．０＜ｙ＜（Ｌ１
００条件をＱ 清し、かつ結晶構造としてＢａ（Ｔｌｓ８ｍ）４Ａとｎ
ａ、（’ｒｔｅ８ｎ）へを有するようにした仁とを特徴
としている。
、 ＢａＯ、７１０ｇおよび５ｎｏｕｔ）Ｓ成分を有
す為誘電体磁器組成物であって、これをＢａ０４ｘ（（
１−ｙ）ＴＩへ・ｙ８ｎｏｍ ）で表わしたと會に、翼
、ｙがそれぞれ％に比で４＜ｘ＜４５．０＜ｙ＜（Ｌ１
００条件をＱ 清し、かつ結晶構造としてＢａ（Ｔｌｓ８ｍ）４Ａとｎ
ａ、（’ｒｔｅ８ｎ）へを有するようにした仁とを特徴
としている。
そして誘電体−響を１０ように構成することにより、
ＢａＯ−ｘＴｌＯｍ（４＜ １ ＜ ４５ ）系ＫＴｐ
いて！鳳の一部を ８亀で置換すること帆な勤、共振周
波数温度特性の改畳や碑ＩＩＩ巷性Ｏ安電化をはかるこ
とが可能Ｋｍつた。
ＢａＯ−ｘＴｌＯｍ（４＜ １ ＜ ４５ ）系ＫＴｐ
いて！鳳の一部を ８亀で置換すること帆な勤、共振周
波数温度特性の改畳や碑ＩＩＩ巷性Ｏ安電化をはかるこ
とが可能Ｋｍつた。
以下本発明を実施例にもとづ１詳１１に説明する。
まず市ＪＩｉｉの原料ＢａＣＯ５，Ｔ１０１ 、８ｍ０
１を表１になるように、各親戚に応じて押漬し、これら
をボールミルで２０時時間式混会した。ζｏｗｎ合原料
を脱水、乾燥し、ａｓｈ／ｓｇｏ圧力でプレスして仮威
履して１０５０℃〜１２００℃で２時間仮焼成し、七の
後これをボールミルで２０時Ｆｌｌ温式粉砕した。それ
からこれを脱水、乾燥したのち、バインダーを適癲量加
えて造粒し、直径１５１１１．高さ７厘の円柱状に成層
して１２５０℃〜１３７０℃で２時間焼成しえ。こうし
て得られた磁器を直径１６ ｉｍ 、高さ５ ＩＩＩ
Ｏ寸法に加工してＩＩＩの試料を作成し、２５℃。
１を表１になるように、各親戚に応じて押漬し、これら
をボールミルで２０時時間式混会した。ζｏｗｎ合原料
を脱水、乾燥し、ａｓｈ／ｓｇｏ圧力でプレスして仮威
履して１０５０℃〜１２００℃で２時間仮焼成し、七の
後これをボールミルで２０時Ｆｌｌ温式粉砕した。それ
からこれを脱水、乾燥したのち、バインダーを適癲量加
えて造粒し、直径１５１１１．高さ７厘の円柱状に成層
して１２５０℃〜１３７０℃で２時間焼成しえ。こうし
て得られた磁器を直径１６ ｉｍ 、高さ５ ＩＩＩ
Ｏ寸法に加工してＩＩＩの試料を作成し、２５℃。
７０Ｈ震における誘電率Ｃ１無ｊｌＬｌ［ｒＱＴｈよび
共振周波数温度係数ＴＣｆを求め丸。なおζｏｒｃｔは
一４０℃から＋８０℃ｏｓｓ″ｃｏ共振周波数のｉａ度
変化から求給え４のである。そしてこれらの側室は次の
方法で行なつ九。まず誘電体円柱０４１−試料を上下２
枚の金属板では畜む辷とによ伽共振ＩＩを構成し、そ４
Ｄ？１０１ｚ！−ドからＣ９ｑおよびＴＣｆを求めた。
共振周波数温度係数ＴＣｆを求め丸。なおζｏｒｃｔは
一４０℃から＋８０℃ｏｓｓ″ｃｏ共振周波数のｉａ度
変化から求給え４のである。そしてこれらの側室は次の
方法で行なつ九。まず誘電体円柱０４１−試料を上下２
枚の金属板では畜む辷とによ伽共振ＩＩを構成し、そ４
Ｄ？１０１ｚ！−ドからＣ９ｑおよびＴＣｆを求めた。
ζＯようにして令試料よ一表ＩＫ示す結果が得られえ・
なおζ０＄１において東印の付与されている試料は本発
明の範囲外ｔ％ｔ）でｈゐ。
なおζ０＄１において東印の付与されている試料は本発
明の範囲外ｔ％ｔ）でｈゐ。
そして試料書′：濃１，２，１ｔ）１１；！振周波数Ｏ
ＩＩ度特性を図に示す、ζζでそＯＩＩ軸はΔｔ／１２
ｏ℃であ３＞、 Ｔ２０を社２０℃で０共振周波数で
ある。
ＩＩ度特性を図に示す、ζζでそＯＩＩ軸はΔｔ／１２
ｏ℃であ３＞、 Ｔ２０を社２０℃で０共振周波数で
ある。
この表１よ伽明らか壜ように、寞≦４０場金にＩＩＩ１
は、 ’ｒＣｆは＋２０ ｐｐｍ、／ｌをζえて大＊＜
ｔｂ、＊たＸ≧４５の場会でａＱが一対的に低くしかも
磁器のｆｌａ結性があ型動よくない。しかしながら４〈
ｘ＜４５の鳩舎には、 Ｂａ（Ｔｉ−１Ｔ１ｍ）４（％
とＢａｇ（Ｔｌｅ８ｍ）。
ｔｂ、＊たＸ≧４５の場会でａＱが一対的に低くしかも
磁器のｆｌａ結性があ型動よくない。しかしながら４〈
ｘ＜４５の鳩舎には、 Ｂａ（Ｔｉ−１Ｔ１ｍ）４（％
とＢａｇ（Ｔｌｅ８ｍ）。
への両方の化合物が生成され墨。こむでＢａ（ＴＩ拳８
ｎ）４０−は図の試料番号１で示されゐＢ＠’ｒｉ４０
＠と同様の一度特性を有し、′＊たＢ麿ズＴｌ・８論＼
０５１１紘これｔた図Ｏ試料ｅｇｇで示され４ Ｂ’ａ
、？ら０鋤と同様の一度特性を有している。そしてこれ
ら１２）１１１１１１０１１１かり状態が逆の傾向をも
って−ることがわかる。このようＫこれらの２りＯ化合
物はそれぞれ共振周波数の一＊＊ａの示す曲線の変化状
態が図０試料番号１．２に示されるように、互に逆の曲
率の傾向をもつもので番って、こ〇丸めにお互にその変
化状態が打ち消し参って全体としての共振周波数Ｏｉ１
度特性０＊ＪＩ性の改曽を図ることができることｋなる
。このようにしてＴ１の一部をＪｉｎで置換する仁とに
よ伽１ｍ５ｏ電気的轡性の安置化をはかるとと％ＥＴＯ
ｆをも小さくする仁とがで會ることに＆るｅ ｔ ’ｋ
ｙ≧（Ｌ１００場合ｋａ、試料番号９かも明らかなよ
うにｅ ＃＋Ｑが低下する仁とＥｌ）。
ｎ）４０−は図の試料番号１で示されゐＢ＠’ｒｉ４０
＠と同様の一度特性を有し、′＊たＢ麿ズＴｌ・８論＼
０５１１紘これｔた図Ｏ試料ｅｇｇで示され４ Ｂ’ａ
、？ら０鋤と同様の一度特性を有している。そしてこれ
ら１２）１１１１１１０１１１かり状態が逆の傾向をも
って−ることがわかる。このようＫこれらの２りＯ化合
物はそれぞれ共振周波数の一＊＊ａの示す曲線の変化状
態が図０試料番号１．２に示されるように、互に逆の曲
率の傾向をもつもので番って、こ〇丸めにお互にその変
化状態が打ち消し参って全体としての共振周波数Ｏｉ１
度特性０＊ＪＩ性の改曽を図ることができることｋなる
。このようにしてＴ１の一部をＪｉｎで置換する仁とに
よ伽１ｍ５ｏ電気的轡性の安置化をはかるとと％ＥＴＯ
ｆをも小さくする仁とがで會ることに＆るｅ ｔ ’ｋ
ｙ≧（Ｌ１００場合ｋａ、試料番号９かも明らかなよ
うにｅ ＃＋Ｑが低下する仁とＥｌ）。
好ましい一部で紘なくなる。これは １５＋ａ’の量が
大き（なると＠ ８ｎがナベてＴ１と置換することが麺
かしくなるためと考えられる。この結果１本発明によれ
ば９例えば図の×印ｌＩｋよ動水される試料番号７０も
ののように、ＴＣｆの小さい、しかもその直線性のすぐ
れ丸も０を得ることができる。
大き（なると＠ ８ｎがナベてＴ１と置換することが麺
かしくなるためと考えられる。この結果１本発明によれ
ば９例えば図の×印ｌＩｋよ動水される試料番号７０も
ののように、ＴＣｆの小さい、しかもその直線性のすぐ
れ丸も０を得ることができる。
以上説明のように、結局本発明によればマイクロ波用に
好適な、高誘電率であり無負荷ＱＯ高い。
好適な、高誘電率であり無負荷ＱＯ高い。
共振周波数の一度係数が低（てかっその値を任意に選択
することがで龜るとともにそ０１１度特性の直線性の良
好な高周波用誘電体１ｌｋｌＩ組成物を得ることがで１
為。し良がりてこれらを使用しえものをマイク四波園路
に組込んにとｌ１ｉＣ，適宜のｍ度係数の材料を遺ぶこ
とによ勤、倫Ｏ電子部品とＯ湯度補償を１１鼻にするこ
とができる。勿論本発明の高周波用誘電体−器組酸物は
コンデンナ材料として一＾好な特性を具備している０”
ｅ＃ Ｈンデンサとしても使用すＪｌことがで自る。
することがで龜るとともにそ０１１度特性の直線性の良
好な高周波用誘電体１ｌｋｌＩ組成物を得ることがで１
為。し良がりてこれらを使用しえものをマイク四波園路
に組込んにとｌ１ｉＣ，適宜のｍ度係数の材料を遺ぶこ
とによ勤、倫Ｏ電子部品とＯ湯度補償を１１鼻にするこ
とができる。勿論本発明の高周波用誘電体−器組酸物は
コンデンナ材料として一＾好な特性を具備している０”
ｅ＃ Ｈンデンサとしても使用すＪｌことがで自る。
図線本発明の特性説明図で参る。
特許出願人 東京電気化学工業株式会社代通人弁理士
山 谷 晧 榮
山 谷 晧 榮
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １１） ＢｍＯ、テＩ〜および８鳳Ｏｓ ＯＳ成分を
有する誘電体１ｕｎｉｔ虞物であって、これをＢ−・冨
（（１−ｙ）ＴＩへ＊ ｙ８ｎＯｔ ） ”ｔ’ ＩＩ
わし九と亀に、！、ｙがそれぞれ罎ル比で４＜ｘ＜４５
，０＜ｙ＜１１００秦件を満し。 かつ結晶構造ｋ Ｌ′ｃＢａ（’１’ト１１麿）４０・
とＢ轟■（テ傷・８跪λへ
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56172481A JPS5873908A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
| GB08229557A GB2111969B (en) | 1981-10-28 | 1982-10-15 | Dielectric ceramic composition |
| DE3238858A DE3238858C2 (de) | 1981-10-28 | 1982-10-20 | In einem Bauteil eines Mikrowellenkreises einer Frequenz von bis zu 40 GHz zu verwendendes dielektrisches keramisches Material |
| US06/680,127 US4548910A (en) | 1981-10-28 | 1984-12-10 | Dielectric ceramic of BaO-TiO2 and SnO2 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56172481A JPS5873908A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5873908A true JPS5873908A (ja) | 1983-05-04 |
| JPH0432483B2 JPH0432483B2 (ja) | 1992-05-29 |
Family
ID=15942784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56172481A Granted JPS5873908A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4548910A (ja) |
| JP (1) | JPS5873908A (ja) |
| DE (1) | DE3238858C2 (ja) |
| GB (1) | GB2111969B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5290740A (en) * | 1991-11-06 | 1994-03-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition used for producing dielectric resonator or filter for microwave application |
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| ES2107933B1 (es) * | 1994-06-24 | 1998-07-01 | De La Fuente Ramiro Mau Merino | Sistema de seleccion y sintonia de hiperfrecuencias. |
| JP3275799B2 (ja) * | 1997-09-25 | 2002-04-22 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
| JP3640342B2 (ja) | 2000-05-22 | 2005-04-20 | Ｔｄｋ株式会社 | 誘電体組成物の設計方法 |
| JP2002075783A (ja) | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Alps Electric Co Ltd | 温度補償用薄膜コンデンサ |
| JP2002252143A (ja) | 2000-12-21 | 2002-09-06 | Alps Electric Co Ltd | 温度補償用薄膜コンデンサ及び電子機器 |
| JP5120406B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2013-01-16 | Ｔｄｋ株式会社 | セラミック電子部品及びセラミック電子部品の製造方法 |
| CN103508731B (zh) * | 2012-06-14 | 2015-08-26 | Tdk株式会社 | 电介质陶瓷组合物以及电子部件 |
| CN114409396B (zh) * | 2021-11-18 | 2022-11-29 | 无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司 | 高温度稳定型wifi用微波介质陶瓷及其制备方法 |
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| GB583496A (en) * | 1944-04-21 | 1946-12-19 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in wide frequency band antennae |
| IT454567A (ja) * | 1948-06-25 | |||
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| JPS55102292A (en) * | 1979-01-29 | 1980-08-05 | Nippon Electric Co | High frequency high output transistor amplifier |
| US4338403A (en) * | 1980-05-23 | 1982-07-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramics |
| US4337446A (en) * | 1980-06-16 | 1982-06-29 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Apparatus for processing microwave electrical energy |
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- 1981-10-28 JP JP56172481A patent/JPS5873908A/ja active Granted
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1982
- 1982-10-15 GB GB08229557A patent/GB2111969B/en not_active Expired
- 1982-10-20 DE DE3238858A patent/DE3238858C2/de not_active Expired
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- 1984-12-10 US US06/680,127 patent/US4548910A/en not_active Expired - Lifetime
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5290740A (en) * | 1991-11-06 | 1994-03-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition used for producing dielectric resonator or filter for microwave application |
| US5332984A (en) * | 1991-11-06 | 1994-07-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric resonator or filter for microwave application, and method of producing the dielectric resonator or filter |
| US5378663A (en) * | 1991-11-06 | 1995-01-03 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of preparing a dielectric ceramic composition for producing a dielectric resonator or filter for microwave applications |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3238858A1 (de) | 1983-05-05 |
| US4548910A (en) | 1985-10-22 |
| GB2111969B (en) | 1984-09-05 |
| GB2111969A (en) | 1983-07-13 |
| DE3238858C2 (de) | 1986-08-28 |
| JPH0432483B2 (ja) | 1992-05-29 |
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